JPH0282546A - フィルムキャリア基板 - Google Patents
フィルムキャリア基板Info
- Publication number
- JPH0282546A JPH0282546A JP23442688A JP23442688A JPH0282546A JP H0282546 A JPH0282546 A JP H0282546A JP 23442688 A JP23442688 A JP 23442688A JP 23442688 A JP23442688 A JP 23442688A JP H0282546 A JPH0282546 A JP H0282546A
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- Japan
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- copper foil
- thickness
- rolled
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野）
本発明はフィルムキャリア又はＴ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ ）方式として知
られている半導体デバイスのボンディングに使用される
基板に関するものである。
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ ）方式として知
られている半導体デバイスのボンディングに使用される
基板に関するものである。
（従来の技術）
フィルムキャリア方式に使用される基板としては第２図
に示されるように、一般に約１２７μｍ厚のポリイミド
梨の長い絶縁フィルムｌの表面に銅箔３を接着剤２によ
り貼り合せたものが使用されている。銅箔としては１オ
ンス鋼（約８０μｍ厚の電解もしくは圧延鋼）を使用し
ている。仁の銅箔に７オトレジストを塗布し、所望のパ
ターンを写真法により形成し、塩化第２鉄等のＣｕのエ
ツチング液で化学エツチングする。この銅箔のパターン
のそれぞれは、半導体素子の内部１！極と接続され外部
引出電極となる。
に示されるように、一般に約１２７μｍ厚のポリイミド
梨の長い絶縁フィルムｌの表面に銅箔３を接着剤２によ
り貼り合せたものが使用されている。銅箔としては１オ
ンス鋼（約８０μｍ厚の電解もしくは圧延鋼）を使用し
ている。仁の銅箔に７オトレジストを塗布し、所望のパ
ターンを写真法により形成し、塩化第２鉄等のＣｕのエ
ツチング液で化学エツチングする。この銅箔のパターン
のそれぞれは、半導体素子の内部１！極と接続され外部
引出電極となる。
（発明が解決しようとする課題）
前述のエツチングを行うとき、フォトレジストの窓あけ
部を深さ方向にエツチングするにつれ、ｇＳｚ図に示さ
れるようにエツチングされた溝４０幅は底が狭く上方が
広くなり、残されたパターンの銅箔８断面形状は台形に
なる。
部を深さ方向にエツチングするにつれ、ｇＳｚ図に示さ
れるようにエツチングされた溝４０幅は底が狭く上方が
広くなり、残されたパターンの銅箔８断面形状は台形に
なる。
一方、半導体素子の内部電極数の増大（多ピン化〕及び
外部引出ｔｌ！Ｔｈのピッチが微細になってぐるのに伴
い、銅箔のパターンも微細になってくる。
外部引出ｔｌ！Ｔｈのピッチが微細になってぐるのに伴
い、銅箔のパターンも微細になってくる。
前述のように、銅箔のパターンの上方は細くなってくる
ので、外部接続に必要な実効的パターン幅は細くなる。
ので、外部接続に必要な実効的パターン幅は細くなる。
細くなることを考慮して、パターン幅を太く形成すれば
、底辺の裾野も広くなり、極端な場合には隣のパターン
とショートしてしまう。銅箔のパターンが微細になるに
従って、この問題が顕著になってくる。例えば３０μｍ
厚の銅箔テ、パターンピッチが２００μｍ以下の場合に
著しい。
、底辺の裾野も広くなり、極端な場合には隣のパターン
とショートしてしまう。銅箔のパターンが微細になるに
従って、この問題が顕著になってくる。例えば３０μｍ
厚の銅箔テ、パターンピッチが２００μｍ以下の場合に
著しい。
この問題は、銅箔を例えば２０μｍ以下に薄くすれば解
決できるが、薄くすれば半導体素子との接続部分である
イナーリードパターンの機械的強度が不充分となり、接
続時にイナーリードが接続の温度、圧力で変形したり、
垂れが生じ半導体素子の端とシッ゛−トシ不良の原因と
なる。すなわち下記のような矛盾があった。
決できるが、薄くすれば半導体素子との接続部分である
イナーリードパターンの機械的強度が不充分となり、接
続時にイナーリードが接続の温度、圧力で変形したり、
垂れが生じ半導体素子の端とシッ゛−トシ不良の原因と
なる。すなわち下記のような矛盾があった。
ｌ）イナーリードボンディングのために銅箔はある程度
の機械的強度を必要とする。３０μｍ厚の純銅に匹敵す
る強度的０．０８ ｇ／μｍ程度を必要とする。
の機械的強度を必要とする。３０μｍ厚の純銅に匹敵す
る強度的０．０８ ｇ／μｍ程度を必要とする。
２）微細パターン形成のため銅箔は、より薄くしたいが
、薄くすると機械強度は弱くなる。
、薄くすると機械強度は弱くなる。
（課題を解決するための手段）
本発明においては、前述の問題を解決するため、１０％
以下の不純物を添加し、かつ厚さを２０μｍ以下とした
圧延銅箔を絶縁フィルムにラミネートした。
以下の不純物を添加し、かつ厚さを２０μｍ以下とした
圧延銅箔を絶縁フィルムにラミネートした。
（作用）
銅箔には不純物が含まれているため機械的強度が高くな
り、銅箔を薄くしてもイナーリードと半導体素子との接
続に充分耐えることができる。また、銅箔を薄くして、
隣接パターンとの接触を防ぎ、パターンを微細化できる
。
り、銅箔を薄くしてもイナーリードと半導体素子との接
続に充分耐えることができる。また、銅箔を薄くして、
隣接パターンとの接触を防ぎ、パターンを微細化できる
。
（実施例）
純銅に例えば鉄、錫、亜鉛等を０．１〜２％添加したも
のを圧延し、これをポリイミドフィルムに接着剤を用い
てラミネートする。この圧延銅箔の厚さは２０μｍ以下
とする。銅に含有不純物として錫を用いたものは、特開
昭５６−１６７８５７において開示されている。不純物
を添加することにより、銅単独の場合よりも機械的強度
が増加するので、同じ強度を必要とする場合、厚さを薄
くすることができる。不純物の含有量を変化させると、
銅箔の物性が変化する。特に引張強度２曲げ強度等の機
械的強度や熱膨張率が変化する。これらを満足させる特
性を得るには、経験的に不純物含有量がｌＯ以下のもの
でなければならない。また、これらの特性と不純物含有
量との間には直線的な関係がないので、現在の所経験的
に求めざるを得ない。
のを圧延し、これをポリイミドフィルムに接着剤を用い
てラミネートする。この圧延銅箔の厚さは２０μｍ以下
とする。銅に含有不純物として錫を用いたものは、特開
昭５６−１６７８５７において開示されている。不純物
を添加することにより、銅単独の場合よりも機械的強度
が増加するので、同じ強度を必要とする場合、厚さを薄
くすることができる。不純物の含有量を変化させると、
銅箔の物性が変化する。特に引張強度２曲げ強度等の機
械的強度や熱膨張率が変化する。これらを満足させる特
性を得るには、経験的に不純物含有量がｌＯ以下のもの
でなければならない。また、これらの特性と不純物含有
量との間には直線的な関係がないので、現在の所経験的
に求めざるを得ない。
イナーリード部は表面平滑化処理を施すことが望ましい
（特公昭５７−６２５９参照）のであるが、圧延銅箔を
用いることにより、イナーリード部の表面平滑化処理の
制御が容易となり、リードの厚みを均一にすることがで
き、リードの機械的強度が安定し、平滑化のための処理
が容易でかつ短時間で処理できる。
（特公昭５７−６２５９参照）のであるが、圧延銅箔を
用いることにより、イナーリード部の表面平滑化処理の
制御が容易となり、リードの厚みを均一にすることがで
き、リードの機械的強度が安定し、平滑化のための処理
が容易でかつ短時間で処理できる。
第１図は本発明によるフィルムキャリア基板のパターン
の略断面図である。フィルム１０表面に接着剤２を介し
て、厚さ２０μｍ以下でかつ１０％以下の不純物を有す
る圧延銅箔８がラミネートされ、適宜のパターンに形成
されている。溝４の底の幅が広くなっているのでシ蓼−
トする危険がない。
の略断面図である。フィルム１０表面に接着剤２を介し
て、厚さ２０μｍ以下でかつ１０％以下の不純物を有す
る圧延銅箔８がラミネートされ、適宜のパターンに形成
されている。溝４の底の幅が広くなっているのでシ蓼−
トする危険がない。
（発明の効果）
不純物を添加することにより、銅箔の機械的強度が高く
なっているので、銅箔を薄くしても、イナーリードと半
導体素子のバンプとの接続に充分耐えることができ、か
つ薄くできるために微細パターンを形成することができ
る。圧延銅箔を使用することにより、平滑化処理が容易
になり、処理コストが低減し、ボンディングの性能が向
上し、工程が安定化し歩留まりが向上する。
なっているので、銅箔を薄くしても、イナーリードと半
導体素子のバンプとの接続に充分耐えることができ、か
つ薄くできるために微細パターンを形成することができ
る。圧延銅箔を使用することにより、平滑化処理が容易
になり、処理コストが低減し、ボンディングの性能が向
上し、工程が安定化し歩留まりが向上する。
第１図は本発明によるフィルムキャリア基板のパターン
の略断面図、第２図は従来例のフィルムキャリア基板の
パターンの略断面図である。
の略断面図、第２図は従来例のフィルムキャリア基板の
パターンの略断面図である。
Claims (1)
- １、１０％以下の不純物を含有し厚さが２０μｍ以下の
圧延銅箔と、該銅箔が表面に付着された絶縁フィルムと
を有することを特徴とするフィルムキャリア基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23442688A JPH0282546A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | フィルムキャリア基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23442688A JPH0282546A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | フィルムキャリア基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282546A true JPH0282546A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=16970833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23442688A Pending JPH0282546A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | フィルムキャリア基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282546A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0433351A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-04 | Hitachi Cable Ltd | Ｔａｂ用テープキャリア |
| US5224264A (en) * | 1991-04-04 | 1993-07-06 | Chisso Corporation | Process for producing a film carrier having a superior lead strength |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP23442688A patent/JPH0282546A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0433351A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-04 | Hitachi Cable Ltd | Ｔａｂ用テープキャリア |
| US5224264A (en) * | 1991-04-04 | 1993-07-06 | Chisso Corporation | Process for producing a film carrier having a superior lead strength |
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