JPH0276274A - Metal vapor laser device - Google Patents

Metal vapor laser device

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JPH0276274A
JPH0276274A JP22641088A JP22641088A JPH0276274A JP H0276274 A JPH0276274 A JP H0276274A JP 22641088 A JP22641088 A JP 22641088A JP 22641088 A JP22641088 A JP 22641088A JP H0276274 A JPH0276274 A JP H0276274A
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JP
Japan
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metal vapor
tube
vapor source
discharge
ceramic tube
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Application number
JP22641088A
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Japanese (ja)
Inventor
Ryoichi Otani
大谷 良一
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/031Metal vapour lasers, e.g. metal vapour generation

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve laser oscillation efficiency by storing a metal vapor source into a container installed within a discharge tube so that it can move. CONSTITUTION:An anode 4 and a cathode 5 are connected opposingly at both- edge part of a ceramic tube 2 through a connection part 2a and pulse two-pole discharge is made between the electrodes 4 and 5. A metal vapor source 1 is stored within a container 20 and is installed on the inner-side wall of the ceramic tube 2. Thus, it is necessary to place the metal vapor source 1 at approximately 1500 deg.C position to oscillate laser light efficiently. By moving the container 20 where the metal vapor source 1 is installed, it becomes easy to place the metal vapor source 1 at approximately 1500 deg.C position. It improves efficiency of laser oscillation and achieves a large laser output.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は金属蒸気レーザ装置に係り、特に金属蒸気をレ
ーザ媒体とし、この金属蒸気の発生量を良好にしてレー
ザ発振出力、効率等を向上させた金属蒸気レーザ装置に
関する。
[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a metal vapor laser device, and in particular, uses metal vapor as a laser medium and improves the amount of generated metal vapor to achieve laser oscillation output. , relates to a metal vapor laser device with improved efficiency and the like.

(従来の技術) 従来の金属蒸気レーザ装置の構成と作用を第3図を参照
しながら説明する。
(Prior Art) The structure and operation of a conventional metal vapor laser device will be explained with reference to FIG.

すなわち、金属蒸気源1が内部に配置されたセラミック
管2の両端には、接合部材2aを介して陽極4および陰
極5が接続されて放電管が形成されている。この放電管
における陽極4および陰極5には、それぞれ電極フラン
ジ6が設けられている。
That is, an anode 4 and a cathode 5 are connected to both ends of a ceramic tube 2 in which a metal vapor source 1 is disposed via a joining member 2a, thereby forming a discharge tube. An anode 4 and a cathode 5 in this discharge tube are each provided with an electrode flange 6.

電極フランジ6は前記した放電管を包囲する胴体9およ
び絶縁管10とブリュスタ管11との間に介在された電
極支持フランジ7に取着固定されている。
The electrode flange 6 is fixed to a body 9 surrounding the discharge tube, an electrode support flange 7 interposed between the insulating tube 10 and the Brewster tube 11.

陽極4および陰極5の各電極は、電極フランジ6を介し
て電極支持フランジ7に固定されている。
Each of the anodes 4 and cathodes 5 is fixed to an electrode support flange 7 via an electrode flange 6.

セラミック管2および陽極4と陰極5の外周面は断熱材
13で包囲され、断熱材13の外部は前記胴体9および
絶縁管フランジ19を有する絶縁管10で覆われている
。それぞれの電極支持フランジ7には一対のブリュスタ
管11が接続されており、このブリュスタ管11の関口
部にはそれぞれ窓12が取着され、これらの窓12の外
側には出力ミラー23と全反射ミラー14が配置され共
振器を形成している。
The outer peripheral surfaces of the ceramic tube 2, anode 4, and cathode 5 are surrounded by a heat insulating material 13, and the outside of the heat insulating material 13 is covered with the body 9 and an insulating tube 10 having an insulating tube flange 19. A pair of Brewster tubes 11 are connected to each electrode support flange 7, and a window 12 is attached to the entrance of each Brewster tube 11, and an output mirror 23 and a total reflection mirror are attached to the outside of these windows 12. A mirror 14 is arranged to form a resonator.

第3図中において左側に示されるブリュスタ管11には
、たとえばネオン(N51)ガスを供給するガス供給管
3が接続され、また右側に示されるブリュスタ管11に
はガス排気管8が接続されている。左側の電極支持フラ
ンジ7と絶縁管フランジ19との間には直流高電圧が印
加される。なお、同図中符号15は充電コンデンサCい
16は中間コンデンサC2,17は抵抗R118はサイ
ラトロン、22はダイオードDをそれぞれ示している。
A gas supply pipe 3 that supplies neon (N51) gas, for example, is connected to the Brewster tube 11 shown on the left in FIG. 3, and a gas exhaust pipe 8 is connected to the Brewster tube 11 shown on the right. There is. A high DC voltage is applied between the left electrode support flange 7 and the insulating tube flange 19. In the figure, reference numeral 15 represents a charging capacitor C, 16 represents an intermediate capacitor C2, 17 represents a resistor R118 represents a thyratron, and 22 represents a diode D, respectively.

このような構成の金属蒸気レーザ装置では、次のように
してレーザを発振する。
In the metal vapor laser device having such a configuration, laser oscillation is performed as follows.

まず、金属蒸気源1が内部に配置された放電管としての
セラミック管2内に、ガス供給管3から放電用バッファ
ガスたとえばネオンガスを供給する0次に、セラミック
管2の両端に設けられた陽極4と陰極5間に高電圧を印
加して、放電プラズマを形成する。この放電プラズマに
よりセラミック管2が高温に加熱されて、金属蒸気源1
からレーザ媒体となる蒸気化された金属粒子(金属蒸気
)が生成される。さらに、この金属蒸気はセラミック管
2内に拡散し、セラミック管2内の放電プラズマ中の自
由電子により励起される。この励起金属蒸気が低いエネ
ルギー準位に遷移する際にレーザ光を発振する。
First, a discharge buffer gas such as neon gas is supplied from a gas supply tube 3 into a ceramic tube 2 serving as a discharge tube in which a metal vapor source 1 is disposed.Next, anodes are provided at both ends of the ceramic tube 2. A high voltage is applied between the cathode 4 and the cathode 5 to form discharge plasma. The ceramic tube 2 is heated to a high temperature by this discharge plasma, and the metal vapor source 1
From this, vaporized metal particles (metal vapor) that become the laser medium are generated. Furthermore, this metal vapor diffuses into the ceramic tube 2 and is excited by free electrons in the discharge plasma within the ceramic tube 2. Laser light is emitted when this excited metal vapor transitions to a lower energy level.

前述したようにレーザ媒体となる金属蒸気の生成は、パ
ルス高電圧源を起動させて画電極4,5間に放電させ、
このパルス二極放電のエネルギーをセラミック管2に付
与して、このセラミック管2を加熱することにより行っ
ているが、たとえば、金属蒸気[1として銅を使用する
場合は、セラミック管2を常温から1500℃まで加熱
している。
As mentioned above, the generation of metal vapor that becomes the laser medium is achieved by activating a pulsed high voltage source and discharging it between the picture electrodes 4 and 5.
The energy of this pulsed bipolar discharge is applied to the ceramic tube 2 to heat it. It is heated to 1500℃.

(発明が解決しようとする課題) 上述したように金属蒸気レーザ装置では、セラミック管
2内に形成した放電プラズマの熱によってセラミック管
2内の金属蒸気源1を加熱し、レーザ発振に適した金属
蒸気量を発生させている。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in the metal vapor laser device, the metal vapor source 1 in the ceramic tube 2 is heated by the heat of the discharge plasma formed in the ceramic tube 2, and a metal vapor suitable for laser oscillation is heated. Generates steam.

この場合もし発生する金属蒸気量が多過ぎると、レーザ
光発振に必要な放電エネルギーが金属蒸気で消費され、
発振効率が低下する。また発生する金属蒸気量が少ない
と、レーザ発振に必要な励起される金属蒸気が少なくな
るため、レーザ発振効率は小さくなる。こNにおいて金
属蒸気発生量は金属蒸気WX1の温度に対して指数的に
増加するため、金属蒸気量を最適値にするためには、金
属蒸気源1の温度を精度よく、制御する必要がある。
In this case, if the amount of metal vapor generated is too large, the discharge energy required for laser beam oscillation will be consumed by the metal vapor.
Oscillation efficiency decreases. Furthermore, if the amount of metal vapor generated is small, the amount of excited metal vapor necessary for laser oscillation will be small, resulting in a decrease in laser oscillation efficiency. At this N, the amount of metal vapor generated increases exponentially with respect to the temperature of the metal vapor WX1, so in order to make the amount of metal vapor an optimal value, it is necessary to control the temperature of the metal vapor source 1 with high precision. .

ところで、セラミック管2内の温度は放電プラズマによ
って上昇するが、これによって発生した熱の放散は断熱
材13を通過して外側へ放出される径方向分の他にブリ
ュスタ管11の開口部の窓12などから外側へ放出され
る軸方自分があり、セラミック管2内の温度は窓12に
向って急激に低下するため、その軸方向にも山形の分布
を持つ、したがって、金属蒸気源1は最適な温度を持つ
位置に設置する必要があるが、セラミック管2内に!置
したることができない、金属蒸気源1を最適な位置に設
置できないことは、レーザ発振を効率よく行なえない原
因となる。
By the way, the temperature inside the ceramic tube 2 rises due to the discharge plasma, and the heat generated by this is dissipated not only in the radial direction passing through the heat insulating material 13 and being released to the outside, but also through the window at the opening of the Brewster tube 11. 12, etc., and the temperature inside the ceramic tube 2 rapidly decreases toward the window 12. Therefore, the metal vapor source 1 has a chevron-shaped distribution in the axial direction as well. It must be installed in a location with the optimal temperature, but inside the ceramic tube 2! If the metal vapor source 1 cannot be placed in the optimum position, it becomes a cause of inability to perform laser oscillation efficiently.

本発明は上記した事情を考慮してなされたものであり、
所要の蒸気発生量が得られる温度となる位置に金属蒸気
源を設置することが可能なレーザ発振装置を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances,
It is an object of the present invention to provide a laser oscillation device in which a metal vapor source can be installed at a position where the temperature is such that a required amount of vapor generation can be obtained.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 本発明においては、内側に金属蒸気を生成する金属蒸気
源が配置された放電管を放電加熱してレーザ光を発生さ
せる金属蒸気レーザ装置において、これの金属蒸気源を
放電管の内側に移動可能に設置された容器内に収容する
ようにした。
(Means for Solving the Problems) In the present invention, in a metal vapor laser device that generates laser light by discharging and heating a discharge tube in which a metal vapor source that generates metal vapor is disposed inside, the metal vapor The source is housed in a container movably installed inside the discharge tube.

(作 用) 放電管にバッファガスを導入して放電を開始するとプラ
ズマが生起されて放電管の温度は次第に上昇し、やがて
金属蒸気源が金属蒸気を生成し得る温度に達すると放電
管内に金属蒸気が一様に分布する。この金属蒸気にプラ
ズマ中の自由電子が衝突して金属蒸気が励起され、放電
管内は反転分布の状態になリレーザ光が発生する。ここ
で放電管内の温度分布は一様ではないが、金属蒸気源は
放電管の内側を移動可能な容器内に収容されているので
、金属蒸気が最も効率良く発生できる温度を持つ位置に
移動して設置することによって、し−ザ発振が効率的に
行なえるようになる。
(Function) When a buffer gas is introduced into the discharge tube and discharge is started, plasma is generated and the temperature of the discharge tube gradually rises.When the metal vapor source reaches a temperature at which metal vapor can be generated, metal is deposited inside the discharge tube. Steam is evenly distributed. Free electrons in the plasma collide with this metal vapor to excite the metal vapor, creating a state of population inversion inside the discharge tube and generating laser light. Here, the temperature distribution inside the discharge tube is not uniform, but since the metal vapor source is housed in a container that can be moved inside the discharge tube, the metal vapor source is moved to the position where the temperature can be generated most efficiently. By installing the sensor, the laser oscillation can be performed efficiently.

(実施例) 本発明の一実施例を第1図および第2図を参照しながら
説明する。なお第1図および第2図において、第3図に
示した装置と同一な部材には同一符号を使用している。
(Example) An example of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. Note that in FIGS. 1 and 2, the same reference numerals are used for the same members as those in the apparatus shown in FIG. 3.

第1図において、金属蒸気レーザ装置には放電管として
のセラミック管2が設けられ、このセラミック管2の両
端部には接続部2aを介して陽極4および陰極5が対向
して接続されている。これらの電極4,5間でパルス二
極放電が行われる。セラミック管2の外周には断熱材1
3が配置され、その外周には金属製胴体9が配置されて
いる。
In FIG. 1, the metal vapor laser device is provided with a ceramic tube 2 as a discharge tube, and an anode 4 and a cathode 5 are connected to opposite ends of the ceramic tube 2 via connecting portions 2a. . A pulsed bipolar discharge occurs between these electrodes 4 and 5. A heat insulating material 1 is placed on the outer periphery of the ceramic tube 2.
3 is arranged, and a metal body 9 is arranged around its outer periphery.

金属蒸気源1は容器20内に収容されてセラミック管2
の内側壁に設置されている。容器20は第2図に拡大し
て示したように、高温になって溶融した金属蒸気源1が
流出しないように壁21を有する構造となっている。容
器20の材質は例えばセラミック材等が適する。
A metal vapor source 1 is housed in a container 20 and a ceramic tube 2
installed on the inside wall. As shown in an enlarged view in FIG. 2, the container 20 has a wall 21 to prevent the high temperature and molten metal vapor source 1 from flowing out. A suitable material for the container 20 is, for example, a ceramic material.

セラミック管2の両端部の電極外側にはブリュスタ管1
1が接続されている。左側のブリュスタ管11にはガス
供給系に接続されたガス供給管3が、また右側のブリュ
スタ管11にはガス排気系に接続されたガス排気管8が
設けられている。ガス供給管3はセラミック管2内へネ
オンガス等の放電用バッファガスを供給するものである
。また、ガス排気管8はセラミック管2内のバッファガ
ス等を外部へ排出するものである。
A Brewster tube 1 is placed on the outside of the electrodes at both ends of the ceramic tube 2.
1 is connected. The Brewster tube 11 on the left side is provided with a gas supply pipe 3 connected to a gas supply system, and the Brewster tube 11 on the right side is provided with a gas exhaust pipe 8 connected to a gas exhaust system. The gas supply pipe 3 supplies a discharge buffer gas such as neon gas into the ceramic tube 2 . Further, the gas exhaust pipe 8 is for discharging buffer gas and the like within the ceramic tube 2 to the outside.

ブリュスタ管11の窓12の外側には、それぞれ出力ミ
ラー23と全反射ミラー14が配置され、この出力ミラ
ー23および全反射ミラー14は光共振器を構成してい
る。
An output mirror 23 and a total reflection mirror 14 are arranged outside the window 12 of the Brewster tube 11, respectively, and the output mirror 23 and the total reflection mirror 14 constitute an optical resonator.

さて、前述したパルス二極放電は、陽極4および陰極5
を支持しこれらに電流を流す電極支持フランジ7に接続
されたパルス高圧電源によりなされる。パルス高圧電源
は、充電コンデンサ15、中間コンデンサ16、抵抗1
7、サイラトロン18およびダイオード22等からなる
周知の回路によって構成されている。
Now, the above-mentioned pulsed bipolar discharge has an anode 4 and a cathode 5.
This is done by a pulsed high-voltage power supply connected to an electrode support flange 7 that supports the electrodes and passes current through them. The pulse high voltage power supply has 15 charging capacitors, 16 intermediate capacitors, and 1 resistor.
7. It is constituted by a well-known circuit consisting of a thyratron 18, a diode 22, etc.

このパルス高圧電源は、充電コンデンサ15に充電され
た電荷がサイラトロン18を点弧することにより、はぼ
10−7秒以下の立上り時間で放電電流を発生するよう
にされている。サイラトロン18はパルス放電スイッチ
ング素子である1発生させるパルス高電圧は、電圧が数
KV〜10数KV、繰返し周波数が数k Hz〜数10
k Hzである。図中記号Aはアノード端子であり、C
はカソード端子であり、Gはトリガー信号導入端子であ
る。
This pulsed high-voltage power supply is designed to generate a discharge current with a rise time of approximately 10 -7 seconds or less by igniting the thyratron 18 with the charge stored in the charging capacitor 15 . The thyratron 18 is a pulse discharge switching element.1 The pulse high voltage it generates has a voltage of several kilovolts to several tens of kilovolts, and a repetition frequency of several kilohertz to several tens of kilovolts.
It is kHz. Symbol A in the figure is the anode terminal, and C
is a cathode terminal, and G is a trigger signal introduction terminal.

次に作用を説明する。Next, the action will be explained.

まず、排気系(図示省略)を作動させて、セラミック管
2内を排気し、ガス供給管3を経由してネオンガス等の
バッファガスを供給する6次にパルス高圧電源を作動さ
せて、セラミック管2内にプラズマを生起させ、このプ
ラズマによって金属蒸気源1が金属蒸気を生成し得る温
度まで昇温する。レーザ発振に必要な温度は、たとえば
金属蒸気源1が銅の場合には約1500℃である。この
状態が保持されることにより、セラミック管2内に金属
蒸気が一様に分布する。
First, an exhaust system (not shown) is activated to exhaust the inside of the ceramic tube 2, and a buffer gas such as neon gas is supplied via the gas supply tube 3.Next, a pulsed high-voltage power source is activated to exhaust the inside of the ceramic tube 2. Plasma is generated in the metal vapor source 2, and the plasma raises the temperature of the metal vapor source 1 to a temperature at which it can generate metal vapor. The temperature required for laser oscillation is, for example, about 1500° C. when the metal vapor source 1 is copper. By maintaining this state, the metal vapor is uniformly distributed within the ceramic tube 2.

この金属蒸気にプラズマ中の自由電子が衝突して金属蒸
気が励起され、やがてセラミック管2内は反転分布の状
態となる。この状態では励起された金属蒸気が低エネル
ギー準位に遷移する際にレーザ光を発生する。セラミッ
ク管2内で発生したレーザ光は窓12を通過し、光共振
器を構成する出力ミラー23および全反射ミラー14で
反射する間にその振幅が増加し、やがて出力ミラー23
を通過して取出されるレーザ光が十分な出力に達する。
Free electrons in the plasma collide with this metal vapor to excite the metal vapor, and eventually the inside of the ceramic tube 2 enters a state of population inversion. In this state, laser light is generated when the excited metal vapor transitions to a lower energy level. The laser beam generated within the ceramic tube 2 passes through the window 12 and increases in amplitude while being reflected by the output mirror 23 and total reflection mirror 14 that constitute the optical resonator, and eventually reaches the output mirror 23.
The laser light that is extracted after passing through reaches sufficient power.

ここで、レーザ光を効率よく発振するためには。Here, in order to oscillate laser light efficiently.

金属蒸気源1を、約1500℃の位置に配置することが
必要であるが、金属蒸気源1は容器20内に設置され、
容器20を移動することができるので、約1500℃の
位置に配置することが容易に行なえる。
It is necessary to place the metal vapor source 1 at a temperature of about 1500°C, and the metal vapor source 1 is installed in a container 20,
Since the container 20 can be moved, it can be easily placed at a position of approximately 1500°C.

また溶融した金属蒸気源1が冷却後にセラミック管2に
固着することがないので、これによってセラミック管2
が破損する危険性を防止することができる。
In addition, since the molten metal vapor source 1 does not stick to the ceramic tube 2 after cooling, this prevents the ceramic tube 2 from sticking to the ceramic tube 2.
can prevent the risk of damage.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば金属蒸気源を放電管内で移動することが
できるので、放電管内の温度分布を利用して所要の金属
蒸気発生量が得られる位置に設置することが可能となり
、レーザ発振の効率を向上し大出力のレーザ出力を得る
ことができる。
According to the present invention, since the metal vapor source can be moved within the discharge tube, it is possible to install it at a position where the required amount of metal vapor generation can be obtained by utilizing the temperature distribution within the discharge tube, thereby increasing the efficiency of laser oscillation. It is possible to obtain high-output laser output.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を回路結線図を併用して示す
断面図、第2図は第1図の要部を取出し拡大して示す断
面図、第3図は従来の金属蒸気レーザ装置を回路結線図
を併用して示す断面図である。 1・・・金属蒸気源    2・・・セラミック管20
・・・容器 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同    第子丸   健 第1図 第2図
Fig. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention together with a circuit wiring diagram, Fig. 2 is an enlarged sectional view of the main part of Fig. 1, and Fig. 3 is a sectional view of a conventional metal vapor laser. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the device together with a circuit connection diagram. 1... Metal vapor source 2... Ceramic tube 20
...Container agent Patent attorney Nori Ken Yudo Chika Ken Daishimaru Figure 1 Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、内側に金属蒸気を生成する金属蒸気源が配置された
放電管を放電加熱してレーザ光を発生させる金属蒸気レ
ーザ装置において、前記金属蒸気源が前記放電管の内側
に移動可能に設置された容器内に収容されてなることを
特徴とする金属蒸気レーザ装置。
1. In a metal vapor laser device that generates laser light by discharging heating a discharge tube in which a metal vapor source that generates metal vapor is disposed inside, the metal vapor source is movably installed inside the discharge tube. 1. A metal vapor laser device, characterized in that the metal vapor laser device is housed in a container.
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