JPH0273161A - Semiconductor sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は加速度、触圧、気圧、機械的振動等の物理的外
力を検出するための半導体センサに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor sensor for detecting physical external forces such as acceleration, tactile pressure, atmospheric pressure, and mechanical vibration.
従来、このような分野の技術としては、例えば特開昭６
２−１２１３６７号公報に示されるものが知られている
。この従来のセンサては、シリコンなどの単元素の半導
体基板に酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（Ｓ１
３Ｎ４）などで片持梁を形成し、この基端部にピエゾ抵
抗素子などのストレス検知素子を設けることで、加速度
を電気的に検出している。Conventionally, as a technology in this field, for example, Japanese Patent Application Laid-open No. 6
The one shown in Japanese Patent No. 2-121367 is known. This conventional sensor uses silicon oxide (SiO) and silicon nitride (S1) on a single-element semiconductor substrate such as silicon.
3N4) or the like, and a stress detection element such as a piezoresistive element is provided at the base end of the cantilever to electrically detect acceleration.
一方、上記公報の従来技術の項に示されるように、シリ
コン基板の一部を裏面からエツチングし、シリコン単結
晶からなる片持梁を形成したセンサもある。この場合、
エツチングの制御には公知のボロン注入法を用いること
ができる。On the other hand, as shown in the prior art section of the above-mentioned publication, there is also a sensor in which a portion of a silicon substrate is etched from the back surface to form a cantilever made of silicon single crystal. in this case,
A known boron implantation method can be used to control etching.
しかし、上記従来装置の前者のものでは、片持梁をＳ
ｒ ０２などで形成しているため、ストレス検知素子を
片持梁に直接に作り込むことができない。また、後者の
ものでは、片持梁の部分のシリコンの厚さを精度よく制
御することは困難であり、高感度のセンサも得られない
。However, in the former of the above conventional devices, the cantilever beam is
Since it is formed of R02 or the like, the stress sensing element cannot be directly built into the cantilever beam. Furthermore, in the latter case, it is difficult to accurately control the thickness of the silicon in the cantilever portion, and a highly sensitive sensor cannot be obtained.
そこで本発明は、加速度、触圧、気圧、機械的振動など
の物理的外力を精度よく検出することができ、しかも構
造が簡単で低コストの半導体センサを提供することを目
的とする。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor sensor that can accurately detect physical external forces such as acceleration, tactile pressure, atmospheric pressure, and mechanical vibration, and that has a simple structure and low cost.
本発明に係る半導体センサは、単元素からなる半導体基
板と、この半導体基板上に形成された化合物半導体の結
晶成長層と、この結晶成長層に形成されたストレス検知
素子とを備え、ストレス検知素子に対応する部分の半導
体基板が所定の範囲で除去されていることを特徴とする
。A semiconductor sensor according to the present invention includes a semiconductor substrate made of a single element, a compound semiconductor crystal growth layer formed on this semiconductor substrate, and a stress detection element formed on this crystal growth layer. The semiconductor substrate is characterized in that a predetermined range of the semiconductor substrate corresponding to the area is removed.
ここで、主として触圧や気圧などの物理的外力を検出す
る際には、これら物理的外力が加えられる第１の部分の
半導体基板が所定の範囲で除去され、第１の部分を囲む
第２の部分の半導体基板が結晶成長層の支持体をなし、
かう物理的外力が加えられることによってストレスが現
われる部分の結晶成長層にストレス検知素子が形成され
ている構造としてもよい。Here, when mainly detecting physical external forces such as tactile pressure or atmospheric pressure, the semiconductor substrate of the first part to which these physical external forces are applied is removed in a predetermined range, and the second part surrounding the first part is removed. The semiconductor substrate in the portion serves as a support for the crystal growth layer,
A structure may be employed in which a stress sensing element is formed in a portion of the crystal growth layer where stress appears due to the application of such a physical external force.
また、主として加速度、機械的振動などの物理的外力を
検出するときには、結晶成長層は基端部の半導体基板が
除去されかつ先端部の半導体基板力残存された片持梁を
形成し、かつ物理的外力が加えられることによってスト
レスが現われる部分の結晶成長層にはストレス検知素子
が形成されている構造としてもよい。Furthermore, when detecting physical external forces such as acceleration and mechanical vibration, the crystal growth layer forms a cantilever in which the semiconductor substrate at the proximal end is removed and the semiconductor substrate force at the distal end remains. A structure may be employed in which a stress sensing element is formed in a portion of the crystal growth layer where stress appears due to the application of an external force.
本発明の構成によれば、加速度センサ用等の片持梁、圧
力センサ用等のダイヤフラムなどが化合物半導体の結晶
成長層によって構成される。従って、この結晶成長層の
所定の部分には加速度、圧力などの物理的外力が加わっ
た際にストレスが現われるので、この部分の結晶成長層
にストレス検知素子を設けることで、これらを電気的に
検出することが可能になる。According to the configuration of the present invention, a cantilever beam for an acceleration sensor or the like, a diaphragm for a pressure sensor, etc. are constructed from a crystal growth layer of a compound semiconductor. Therefore, stress appears in certain parts of this crystal growth layer when physical external forces such as acceleration and pressure are applied, so by providing stress detection elements in these parts of the crystal growth layer, these can be detected electrically. It becomes possible to detect.
以下、添付図面を参照して、本発明の詳細な説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
第１図は実施例の基本構成の斜視図で、同図（ａ）は物
理的外力の一例として加速度を検出するタイプ（カンチ
レバー）を示し、同図（ｂ）は物理的外力の一例として
圧力を検出するタイプ（ダイヤフラム）を示している。Figure 1 is a perspective view of the basic configuration of the embodiment, where (a) shows a type (cantilever) that detects acceleration as an example of physical external force, and (b) shows pressure as an example of physical external force. The type of detection (diaphragm) is shown.
同図（ａ）のセンサでは、例えばシリコン（Ｓ ｉ）か
らなる半導体基板１上に、例えばガリウムヒ素（Ｇ ａ
Ａ ｓ ）からなる結晶成長層２がエピタキシャル成
長されている。そして、半導体基板１の一部（図中の記
号Ａの部分）がエツチングで除去され、図中の左側部分
が片持梁３をなしている。片持梁３の基端部の結晶成長
層２には半導体抵抗がイオン注入法などで形成され、こ
れがストレス検知素子４をなしている。そして、片持梁
３の支持体側（図中の右側）部分の結晶成長層２上には
、検出信号を処理するための信号処理回路５が形成され
ている。In the sensor shown in FIG. 2A, for example, gallium arsenide (Ga
A crystal growth layer 2 consisting of A s ) is epitaxially grown. Then, a part of the semiconductor substrate 1 (the part marked A in the figure) is removed by etching, and the left side part in the figure forms a cantilever beam 3. A semiconductor resistor is formed in the crystal growth layer 2 at the base end of the cantilever beam 3 by ion implantation or the like, and this constitutes the stress sensing element 4. A signal processing circuit 5 for processing the detection signal is formed on the crystal growth layer 2 on the support side (right side in the figure) of the cantilever 3.
この第１図（ａ）の装置において、図中の矢印Ｇの方向
に加速度が加わると、片持梁３側の半導体基板１は錘り
ＩＧとして作用し、矢印Ａで示す部分の結晶成長層２が
屈曲することになる。すると、この屈曲によるストレス
がストレス検知素子４の抵抗率を変化させ（ピエゾ効果
）、従って上記の加速度が検出されることになる。なお
、ストレス検知素子４の抵抗率変化によってストレスを
検知するためには、例えば４個の抵抗によってブリッジ
を形成する必要があり、また検出信号を増幅したりする
ことも必要になるが、これらの回路要素は信号処理回路
５中に構成されている。In the apparatus shown in FIG. 1(a), when acceleration is applied in the direction of arrow G in the figure, the semiconductor substrate 1 on the side of the cantilever 3 acts as a weight IG, and the crystal growth layer in the area indicated by arrow A is 2 will be bent. Then, the stress caused by this bending changes the resistivity of the stress detection element 4 (piezo effect), and therefore the above-mentioned acceleration is detected. Note that in order to detect stress by changes in resistivity of the stress detection element 4, it is necessary to form a bridge using, for example, four resistors, and it is also necessary to amplify the detection signal, but these The circuit elements are configured in the signal processing circuit 5.
第１図（ｂ）のセンサでは、同図（ａ）と同様に半導体
基板１上に結晶成長層２が形成されているが、半導体基
板１のエツチングにより除去される部分Ａが同図（ａ）
と異なっている。すなわち、この実施例では装置の中央
部分（第１の部分に１）で半導体基板１がエツチング等
により除去され、それを取り囲む第２の部分に２で半導
体基板１が残存されて結晶成長層２の支持体をなしてい
る。In the sensor shown in FIG. 1(b), a crystal growth layer 2 is formed on the semiconductor substrate 1 as in FIG. 1(a), but the portion A removed by etching of the semiconductor substrate 1 is )
It is different from That is, in this embodiment, the semiconductor substrate 1 is removed by etching or the like in the central part of the device (1 in the first part), and the semiconductor substrate 1 is left in the second part surrounding it, forming the crystal growth layer 2. It serves as a support.
なお、ストレス検知素子４については加圧によってスト
レスが生じる部分の結晶成長層２に、半導体抵抗として
形成されている。また、半導体基板〕が残存された部分
の結晶成長層２には、信号処理回路５が別途に形成され
ている。Note that the stress detection element 4 is formed as a semiconductor resistor in the crystal growth layer 2 in a portion where stress is generated by pressurization. Further, a signal processing circuit 5 is separately formed in the crystal growth layer 2 in the portion where the semiconductor substrate] remains.
この第１図（ｂ）の装置において、例えば矢印Ｇの方向
に圧力が加わると、Ｋ１で示すダイヤフラムは上方に湾
曲し、ストレスを生じさせる。すると、ピエゾ効果によ
ってストレス検知素子４の抵抗率が変化するので、例え
ば第１図（ａ）と同様に抵抗のブリッジ回路を組むこと
によって、上記の圧力を定量的に検出することができる
。In the device shown in FIG. 1(b), when pressure is applied, for example, in the direction of arrow G, the diaphragm indicated by K1 curves upward, creating stress. Then, the resistivity of the stress detection element 4 changes due to the piezo effect, so the above pressure can be detected quantitatively, for example, by constructing a resistor bridge circuit as shown in FIG. 1(a).
次に、第２図を参照することにより、本発明により構成
した加速度センサの具体例を説明する。Next, a specific example of the acceleration sensor constructed according to the present invention will be explained with reference to FIG.
図示の通り、半導体基板１の上面には結晶成長層２がエ
ピタキシャル成長により形成され、この半導体基板１お
よび結晶成長層２が略Ω字状に除去されて片持梁３をな
している。そして、片持梁３の先端部には半導体基板１
が残存されて錘り１Ｇをなし、片持梁３の基端部には半
導体抵抗Ｒ，，Ｒ２が形成されている。さらに、結晶成
長層２の片持梁３以外の部分には半導体抵抗Ｒ３゜Ｒが
形成され、上記抵抗Ｒ，Ｒ２と共にブリッジ回路を構成
するように配線されている。As shown in the figure, a crystal growth layer 2 is formed on the upper surface of a semiconductor substrate 1 by epitaxial growth, and the semiconductor substrate 1 and crystal growth layer 2 are removed in a substantially Ω-shape to form a cantilever beam 3. A semiconductor substrate 1 is placed at the tip of the cantilever beam 3.
remains to form a weight 1G, and semiconductor resistors R, , R2 are formed at the base end of the cantilever beam 3. Further, a semiconductor resistor R3°R is formed in a portion of the crystal growth layer 2 other than the cantilever 3, and is wired to form a bridge circuit together with the resistors R and R2.
上記の具体例において、図中の矢印Ｇの方向に加速度が
加えられると、錘りＩＧによって片持梁３の基端部に屈
曲が生じ、従ってストレスが現われる。すると、抵抗Ｒ
、Ｒ２は化合物半導体に■
イオン注入等を行なうことで形成されているので、いわ
ゆるピエゾ効果によって抵抗率が変化する。In the above specific example, when acceleration is applied in the direction of the arrow G in the figure, the base end of the cantilever beam 3 is bent by the weight IG, and therefore stress appears. Then, the resistance R
, R2 are formed by ion implantation into a compound semiconductor, so that the resistivity changes due to the so-called piezo effect.
これに対し、抵抗Ｒ、Ｈにはストレスが加わらないので
、抵抗率は変化しない。そこで、この抵抗Ｒ−Ｒ４から
なるブリッジ回路にバッド６がら電圧Ｅ１を印加すると
、第２図に示すように抵抗変化に応じた電圧Ｖ が出力
される。この出力電圧Ｖ は信号処理回路５に入力され
、ここで所定の信号処理が施される。On the other hand, since no stress is applied to the resistors R and H, their resistivities do not change. Therefore, when a voltage E1 is applied from the pad 6 to the bridge circuit composed of the resistors R-R4, a voltage V according to the resistance change is output as shown in FIG. This output voltage V 1 is input to the signal processing circuit 5, where it is subjected to predetermined signal processing.
このように、本発明によればダイヤフラム、カンチレバ
ー等を化合物半導体で構成しているので、この化合物半
導体のストレスが生じる部分にストレス検知素子４を直
接に形成することができる。As described above, according to the present invention, since the diaphragm, cantilever, etc. are made of a compound semiconductor, the stress sensing element 4 can be directly formed in the portion of the compound semiconductor where stress occurs.
ここで、化合物半導体は極めて顕著にピエゾ効果を呈し
、また化合物半導体に形成した回路は高温環境下でも十
分に動作し、信号処理も高速に行なえるので、耐環境性
に優れた高精度な半導体センサを提供することができる
。そして、その出力信号を処理するための信号処理回路
５を同一の化合物半導体による結晶成長層２に形成でき
るので、半導体センサの構成を極めてコンパクトにする
ことができる。Compound semiconductors exhibit a very pronounced piezoelectric effect, and circuits formed using compound semiconductors can operate satisfactorily even in high-temperature environments and perform high-speed signal processing, making them highly resistant to high-precision semiconductors. A sensor can be provided. Since the signal processing circuit 5 for processing the output signal can be formed in the crystal growth layer 2 made of the same compound semiconductor, the structure of the semiconductor sensor can be made extremely compact.
更に、本発明の半導体センサは極めて簡単な製造工程に
よって、精度よく製作することが可能である。以下、こ
の事情を第３図により具体的に説明する。Furthermore, the semiconductor sensor of the present invention can be manufactured with high precision using an extremely simple manufacturing process. This situation will be explained in detail below with reference to FIG.
まず、Ｓｔからなる半導体基板１を用意し、この上面に
エピタキシャル成長法によってＧａＡｓの結晶成長層２
を形成する。そして、ストレス検知素子４および信号処
理回路５を結晶成長層２中にイオン注入法等を用いて形
成する（第３図（ａ）図示）。しかる後、全面にフォト
レジスト膜１０を塗布して半導体基板１の除去すべき部
分を窓あけする（第３図（ｂ）図示）。この窓あけは、
例えば公知のフォトリソグラフィ技術を用いればよい。First, a semiconductor substrate 1 made of St is prepared, and a crystal growth layer 2 of GaAs is formed on its upper surface by epitaxial growth.
form. Then, the stress detection element 4 and the signal processing circuit 5 are formed in the crystal growth layer 2 by using an ion implantation method or the like (as shown in FIG. 3(a)). Thereafter, a photoresist film 10 is applied to the entire surface, and a window is opened in the portion of the semiconductor substrate 1 to be removed (as shown in FIG. 3(b)). This window opening is
For example, a known photolithography technique may be used.
次に、エツチングによってフォトレジスト膜１０の開口
から半導体基板１を除去していく。ここで、ウェットエ
ツチング法を用いるときには工ッチャントにはＨＦ系の
酸を使用し、ドライエツチング法を用いるときにはエッ
チャントにはＣＦ４プラズマを使用する。このようなエ
ッチャントを用いれば、Ｓｉは容易に除去されるのに対
してＧａＡｓはほとんどエツチングされず、従って第３
図ＣＣ）のように矢印Ａの部分の半導体基板１のみを選
択的に除去できる。最後に、フォトレジスト膜１０をア
セントなどで除去すると、第３図（ｄ）のようなカンチ
レバー構造を実現できる。Next, the semiconductor substrate 1 is removed from the opening in the photoresist film 10 by etching. Here, when a wet etching method is used, an HF type acid is used as an etchant, and when a dry etching method is used, a CF4 plasma is used as an etchant. If such an etchant is used, Si is easily removed, but GaAs is hardly etched, so the third
As shown in Figure CC), only the portion of the semiconductor substrate 1 indicated by arrow A can be selectively removed. Finally, by removing the photoresist film 10 using ascent or the like, a cantilever structure as shown in FIG. 3(d) can be realized.
本発明は上記実施例に限定されず、種々の変形が可能で
ある。The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible.
例えば、センサのタイプとしてはダイヤフラム、カンチ
レバーに限らず、圧力、加速度などの物理的外力によっ
てストレスを生じさせ、このストレスを検出するタイプ
のものであれば、２点支持あるいは４点支持などいかな
るものでもよい。また、半導体基板はＳｉに限らず、ゲ
ルマニウム（Ｇｅ）などでもよく、結晶成長層２はＧａ
Ａｓに限らずガリウムリン（ＧａＰ）、インジウムリン
（ＩｎＰ）、ガリウムアルミニウムヒ素（ＧａＡ ＩＡ
ｓ）などでもよい。そして、これら材料に応じて半導体
基板の除去のためエッチャントは種々変更できる。For example, the type of sensor is not limited to a diaphragm or cantilever, but any type that generates stress by physical external forces such as pressure or acceleration and detects this stress, such as two-point support or four-point support. But that's fine. Further, the semiconductor substrate is not limited to Si, but may also be made of germanium (Ge), etc., and the crystal growth layer 2 is made of Ga.
Not limited to As, gallium phosphide (GaP), indium phosphide (InP), gallium aluminum arsenide (GaA IA
s) etc. The etchant for removing the semiconductor substrate can be changed in various ways depending on these materials.
更に、信号処理回路は結晶成長層上に一体的に形成され
ていなくてもよく、別のチップに設けることもできる。Furthermore, the signal processing circuit does not need to be integrally formed on the crystal growth layer, and can be provided on a separate chip.
また、抵抗率の変化を検出するためのブリッジは、実施
例のようなハーフブリッジ回路に限らず、例えば特開昭
６２−２２１１６４号に示されるようなフルブリッジ回
路であってもよい。Further, the bridge for detecting a change in resistivity is not limited to a half-bridge circuit as in the embodiment, but may be a full-bridge circuit as shown in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 62-221164.
以上、詳細に説明した通り本発明では、加速度センサ用
等の片持梁、圧力センサ用等のダイヤフラムなどが化合
物半導体の結晶成長層によって構成される。従って、こ
の結晶成長層の所定の部分には加速度、圧力などの物理
的外力が加わった際にストレスが現われるので、この部
分の結晶成長層にストレス検知素子を設けることで、こ
れらを電気的に検出することが可能になる。このため、
本発明によれば加速度、触圧、気圧、機械的振動などの
物理的外力を精度よく検出することができ、しかも構造
が簡単で低コストの半導体センサを得ることが可能とな
る。As described above in detail, in the present invention, cantilevers for acceleration sensors and the like, diaphragms for pressure sensors, and the like are constructed from crystal growth layers of compound semiconductors. Therefore, stress appears in certain parts of this crystal growth layer when physical external forces such as acceleration and pressure are applied, so by providing stress detection elements in these parts of the crystal growth layer, these can be detected electrically. It becomes possible to detect. For this reason,
According to the present invention, physical external forces such as acceleration, tactile pressure, atmospheric pressure, and mechanical vibration can be detected with high precision, and a semiconductor sensor with a simple structure and low cost can be obtained.
第１図は、本発明の実施例の基本構成を示す斜視図、第
２図は、本発明により構成した加速度センサの具体例の
斜視図、第３図は、本発明に係る半導体センサの製造工
程を示す断面図である。
１・・・単元素の半導体基板、ＩＧ・・・錘り、２・・
・化合物半導体の結晶成長層、４・・・ストレス検知素
子、５・・・信号処理回路、１０・・・フォトレジスト
膜。
特許出願人 本田技研工業株式会社
代理人弁理士 長谷用 芳 樹ス糞例拗輛、視
！
第１図FIG. 1 is a perspective view showing the basic configuration of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of a specific example of an acceleration sensor constructed according to the present invention, and FIG. 3 is a manufacturing method of a semiconductor sensor according to the present invention. It is a sectional view showing a process. 1... Single element semiconductor substrate, IG... Weight, 2...
- Compound semiconductor crystal growth layer, 4... Stress detection element, 5... Signal processing circuit, 10... Photoresist film. Patent Applicant Honda Motor Co., Ltd. Representative Patent Attorney Yoshiki Hase Figure 1
Claims (4)
形成された化合物半導体の結晶成長層と、この結晶成長
層に形成されたストレス検知素子とを備え、前記ストレ
ス検知素子に対応する部分の前記半導体基板が所定の範
囲で除去されていることを特徴とする半導体センサ。1. A semiconductor substrate comprising a semiconductor substrate made of a single element, a crystal growth layer of a compound semiconductor formed on the semiconductor substrate, and a stress detection element formed on the crystal growth layer, and a portion of the semiconductor corresponding to the stress detection element. A semiconductor sensor characterized in that a substrate is removed within a predetermined range.
体基板に支持されていることを特徴とする請求項１記載
の半導体センサ。2. 2. The semiconductor sensor according to claim 1, wherein the crystal growth layer is supported by the semiconductor substrate at at least two points.
形成された化合物半導体の結晶成長層とを備え、圧力が
加えられる第１の部分の前記半導体基板が所定の範囲で
除去され、前記第１の部分を囲む第２の部分の前記半導
体基板が前記結晶成長層の支持体をなし、かつ物理的外
力が加えられることによってストレスが現われる部分の
前記結晶成長層にストレス検知素子が形成されているこ
とを特徴とする半導体センサ。3. The semiconductor substrate includes a semiconductor substrate made of a single element and a crystal growth layer of a compound semiconductor formed on the semiconductor substrate, and a first portion of the semiconductor substrate to which pressure is applied is removed in a predetermined range; The second portion of the semiconductor substrate surrounding the second portion serves as a support for the crystal growth layer, and a stress sensing element is formed in the crystal growth layer in a portion where stress appears when a physical external force is applied. A semiconductor sensor featuring:
形成された化合物半導体の結晶成長層とを備え、前記結
晶成長層は、基端部の前記半導体基板が除去されかつ先
端部の前記半導体基板力残存された片持梁を形成し、か
つ物理的外力が加えられることによってストレスが現わ
れる部分の前記結晶成長層にはストレス検知素子が形成
されていることを特徴とする半導体センサ。4. It includes a semiconductor substrate made of a single element, and a crystal growth layer of a compound semiconductor formed on the semiconductor substrate, and the crystal growth layer is formed by removing the semiconductor substrate at the base end and by removing the semiconductor substrate at the tip end. A semiconductor sensor characterized in that a stress sensing element is formed in the crystal growth layer in a portion where a remaining cantilever is formed and where stress appears when a physical external force is applied.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63224975A JP2851049B2 (en) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | Semiconductor sensor |
| EP89308866A EP0363005B1 (en) | 1988-09-02 | 1989-09-01 | A semiconductor sensor |
| DE68926601T DE68926601T2 (en) | 1988-09-02 | 1989-09-01 | Semiconductor sensor |
| US07/403,296 US5115292A (en) | 1988-09-02 | 1989-09-05 | Semiconductor sensor |
| US07/848,693 US5279162A (en) | 1988-09-02 | 1992-03-09 | Semiconductor sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63224975A JP2851049B2 (en) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | Semiconductor sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273161A true JPH0273161A (en) | 1990-03-13 |
| JP2851049B2 JP2851049B2 (en) | 1999-01-27 |
Family
ID=16822139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63224975A Expired - Lifetime JP2851049B2 (en) | 1988-09-02 | 1988-09-08 | Semiconductor sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2851049B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5544529A (en) * | 1993-10-08 | 1996-08-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure sensor and chip therefor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101487150B1 (en) * | 2013-04-09 | 2015-02-10 | 대양전기공업 주식회사 | Method of Manufacturing Pressure Sensor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59125666A (en) * | 1983-01-05 | 1984-07-20 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Semiconductor pressure sensor and manufacture thereof |
| JPS62121367A (en) * | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Nissan Motor Co Ltd | Semiconductor acceleration sensor |
| JPS62266876A (en) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Nippon Denso Co Ltd | Semiconductor pressure sensor |
-
1988
- 1988-09-08 JP JP63224975A patent/JP2851049B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59125666A (en) * | 1983-01-05 | 1984-07-20 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Semiconductor pressure sensor and manufacture thereof |
| JPS62121367A (en) * | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Nissan Motor Co Ltd | Semiconductor acceleration sensor |
| JPS62266876A (en) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Nippon Denso Co Ltd | Semiconductor pressure sensor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5544529A (en) * | 1993-10-08 | 1996-08-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure sensor and chip therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2851049B2 (en) | 1999-01-27 |
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