JPH055750A - Semiconductor acceleration sensor - Google Patents
Semiconductor acceleration sensorInfo
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- JPH055750A JPH055750A JP18304391A JP18304391A JPH055750A JP H055750 A JPH055750 A JP H055750A JP 18304391 A JP18304391 A JP 18304391A JP 18304391 A JP18304391 A JP 18304391A JP H055750 A JPH055750 A JP H055750A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、自動車、航空機、家
電製品等に用いられる加速度検出用の半導体加速度セン
サに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor acceleration sensor for acceleration detection used in automobiles, aircrafts, home electric appliances and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、加速度検出用のセンサとしては、
圧電セラミックス、有機薄膜、シリコン単結晶板等様々
な材料を用いた多種多様の加速度センサが開発され製品
化されている。これらの加速度センサは、ヒステリシ
ス、クリープ、疲労等がなく、また、構造が簡単、電圧
感度が極めて大、簡単に増幅可能等、使い勝手の面にお
いても非常に優れていることから、現在様々な分野で広
く用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a sensor for detecting acceleration,
A wide variety of acceleration sensors using various materials such as piezoelectric ceramics, organic thin films, and silicon single crystal plates have been developed and commercialized. These acceleration sensors have no hysteresis, creep, fatigue, etc., are simple in structure, have extremely high voltage sensitivity, and can be easily amplified. Widely used in.
【０００３】中でも、シリコン単結晶を用いた半導体加
速度センサは、シリコン自体の格子欠陥が極めて少ない
ために理想的な弾性体となること、半導体プロセス技術
をそのまま転用することができること等の特徴を有する
ことから、近年では特に注目されている加速度センサで
ある。Among them, the semiconductor acceleration sensor using a silicon single crystal has features that it becomes an ideal elastic body because the lattice defects of silicon itself are extremely small and that the semiconductor process technology can be diverted as it is. Therefore, it is an acceleration sensor that has been receiving a lot of attention in recent years.
【０００４】図５は、上記の半導体加速度センサの一例
を示す斜視図、図６は、図５のＡーＡ線に沿う断面図で
ある。この半導体加速度センサ１は、シリコン基板（１
１０）（半導体基板：以下、Ｓｉ基板と略称する）２の
中央部に形成された質量部３と、質量部３の周囲に形成
された枠部４と、前記Ｓｉ基板２を下方からエッチング
することにより質量部３と枠部４との間に形成された一
対の梁部（弾性部）５，５と、これらの梁部５の上面５
ａに不純物拡散により形成された複数対のピエゾ抵抗
６，６，… とを具備したものである。FIG. 5 is a perspective view showing an example of the above semiconductor acceleration sensor, and FIG. 6 is a sectional view taken along the line AA of FIG. This semiconductor acceleration sensor 1 includes a silicon substrate (1
10) (Semiconductor substrate: hereinafter abbreviated as Si substrate) 2, a mass portion 3 formed in a central portion, a frame portion 4 formed around the mass portion 3, and the Si substrate 2 are etched from below. As a result, a pair of beam portions (elastic portions) 5 and 5 formed between the mass portion 3 and the frame portion 4 and the upper surface 5 of these beam portions 5 are formed.
a is provided with a plurality of pairs of piezoresistors 6, 6, ... Formed by impurity diffusion.
【０００５】上記の梁部５，５は、質量部３の周囲に薄
厚なダイヤフラム部を設けた構成とすることもあり、ま
たＳｉ基板２の中央部に略Ｃ字状の空隙部を形成し、質
量部３を片持ちの梁で支持した構成とすることもある。The beam portions 5 and 5 may be constructed such that a thin diaphragm portion is provided around the mass portion 3, and a substantially C-shaped void portion is formed in the central portion of the Si substrate 2. The mass unit 3 may be supported by a cantilever beam.
【０００６】この種の半導体加速度センサ１は、質量部
３が加速度に応じて変位する時の変位差を、梁部５，５
のピエゾ抵抗６，６，… の抵抗値の変化に変換するこ
とで加速度の変化を検出している。In the semiconductor acceleration sensor 1 of this type, the displacement difference when the mass portion 3 is displaced in accordance with the acceleration is determined by the beam portions 5, 5
The change in acceleration is detected by converting into the change in resistance value of the piezoresistors 6, 6 ,.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の半導
体加速度センサ１では、ピエゾ抵抗６，６，… の抵抗
値の変化に伴う出力は、梁部５，５やダイヤフラム部の
厚みに依存するという性質がある。従って、これらのピ
エゾ抵抗６，６，… の抵抗値の変化に伴う出力を一定
にするためには梁部５，５やダイヤフラム部の厚みを精
密に制御する必要があるが、この梁部５の厚みは５〜５
０μｍ程度でダイヤフラム部の厚みはこれより更に薄い
ために、梁部５，５やダイヤフラム部の厚みのバラツキ
を精密に制御することは非常に難しく、したがって、こ
れらのピエゾ抵抗６，６，… の抵抗値の変化に伴う出
力のバラツキを小さくすることができないという欠点が
あった。By the way, in the semiconductor acceleration sensor 1 described above, the output caused by the change in the resistance value of the piezoresistors 6, 6, ... Is dependent on the thickness of the beam portions 5, 5 and the diaphragm portion. There is a property. Therefore, it is necessary to precisely control the thicknesses of the beam portions 5 and 5 and the diaphragm portion in order to make the outputs accompanying the changes in the resistance values of the piezoresistors 6, 6, ... Thickness is 5-5
Since the thickness of the diaphragm is thinner than about 0 μm, it is very difficult to precisely control the variation in the thickness of the beams 5, 5 and the diaphragm, and therefore the piezoresistors 6, 6 ,. There is a drawback in that it is not possible to reduce variations in output due to changes in resistance value.
【０００８】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
ものであって、ピエゾ抵抗の出力が梁部やダイヤフラム
部の厚みのバラツキに依存しない半導体加速度センサを
提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor acceleration sensor in which the output of the piezo resistance does not depend on the variation in the thickness of the beam portion or the diaphragm portion.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様な半導体加速度センサを採用し
た。すなわち、半導体基板の中央部に形成された質量部
と、該質量部の周囲に形成された枠部と、前記質量部と
前記枠部との間に形成され前記半導体基板を薄肉化して
なる弾性部と、該弾性部の上面側に形成された複数対の
ピエゾ抵抗とを具備してなる半導体加速度センサにおい
て、前記弾性部は、梁部と、該梁部の両側部に該梁部よ
り薄厚に形成されたダイヤフラム部とからなることを特
徴としている。In order to solve the above problems, the present invention employs the following semiconductor acceleration sensor. That is, a mass part formed in the central part of the semiconductor substrate, a frame part formed around the mass part, and an elasticity formed between the mass part and the frame part by thinning the semiconductor substrate. And a plurality of pairs of piezoresistors formed on the upper surface side of the elastic portion, wherein the elastic portion has a beam portion and both side portions of the beam portion are thinner than the beam portion. And a diaphragm portion formed in
【００１０】[0010]
【作用】この発明に係る半導体加速度センサでは、該半
導体加速度センサにある加速度が作用すると、質量部は
この加速度の方向にこの加速度の大きさに比例して変位
する。質量部の周囲に設けられた弾性部は、この質量部
の変位に対応して特定方向にたわみ、同時にこの弾性部
に設けられた複数対のピエゾ抵抗も歪む。したがって、
この歪によりピエゾ抵抗の抵抗値が変化し、４本のピエ
ゾ抵抗を用いてホイートストンブリッジを構成すれば前
記歪量の大きさに応じた電圧出力が得られる。この電圧
出力の値から前記質量部の変位量が求められ、この変位
量の大きさから前記質量部にかかる加速度の大きさを求
めることができる。In the semiconductor acceleration sensor according to the present invention, when a certain acceleration acts on the semiconductor acceleration sensor, the mass portion is displaced in the direction of this acceleration in proportion to the magnitude of this acceleration. The elastic portion provided around the mass portion bends in a specific direction corresponding to the displacement of the mass portion, and at the same time, a plurality of pairs of piezoresistors provided in the elastic portion also distort. Therefore,
Due to this distortion, the resistance value of the piezoresistor changes, and if a Wheatstone bridge is constructed using four piezoresistors, a voltage output according to the magnitude of the distortion amount can be obtained. The displacement amount of the mass portion can be obtained from the value of the voltage output, and the magnitude of the acceleration applied to the mass portion can be obtained from the magnitude of the displacement amount.
【００１１】この発明の半導体加速度センサでは、前記
弾性部を、梁部と、該梁部の両側部に該梁部より薄厚に
形成されたダイヤフラム部とから構成することにより、
センサとしての指向性と耐衝撃性を向上させる。In the semiconductor acceleration sensor of the present invention, the elastic portion is composed of the beam portion and the diaphragm portions formed on both sides of the beam portion to be thinner than the beam portion.
Improves directivity and shock resistance as a sensor.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、この発明の一実施例について説明す
る。図１は半導体加速度センサ１１の斜視図、図２は、
図１のＢーＢ線に沿う断面図である。なお、この半導体
加速度センサ１１において上述した半導体加速度センサ
１と同一の構成要素については同一符号を付し説明を省
略する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below. 1 is a perspective view of the semiconductor acceleration sensor 11, and FIG.
It is sectional drawing which follows the BB line of FIG. In this semiconductor acceleration sensor 11, the same components as those of the semiconductor acceleration sensor 1 described above are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【００１３】この半導体加速度センサ１１は、ｎ型のＳ
ｉ基板（１００）（半導体基板）２の中央部に形成され
た質量部３と、質量部３の周囲に形成された枠部４と、
前記Ｓｉ基板２を下方からエッチングすることにより質
量部３と枠部４との間に形成された一対の弾性部１２，
１２と、これらの弾性部１２，１２の上面に不純物拡散
により形成された複数対のピエゾ抵抗６，６，… とを
具備したものである。This semiconductor acceleration sensor 11 has an n-type S
A mass part 3 formed in the central part of the i substrate (100) (semiconductor substrate) 2, a frame part 4 formed around the mass part 3,
A pair of elastic parts 12 formed between the mass part 3 and the frame part 4 by etching the Si substrate 2 from below,
12, and a plurality of pairs of piezoresistors 6, 6, ... Formed on the upper surfaces of these elastic portions 12, 12 by impurity diffusion.
【００１４】この半導体加速度センサ１１においては、
センサとしての指向性と耐衝撃性を向上させるために質
量部３を一対の弾性部１２，１２により両側から支持し
ている。In this semiconductor acceleration sensor 11,
In order to improve the directivity and impact resistance of the sensor, the mass part 3 is supported by the pair of elastic parts 12, 12 from both sides.
【００１５】弾性部１２は、質量部３と枠部４との間に
形成された長尺の梁部１３と、該梁部１３の両側部から
外方に延出する該梁部１３より薄厚のダイヤフラム部１
４，１４とから構成されている。ダイヤフラム部１４
は、該半導体加速度センサ１１の指向性を向上させるた
めに設けられたもので、質量部３に対して横方向から加
わる加速度により引き起こされる変位を小さくしてい
る。The elastic portion 12 is thinner than the elongated beam portion 13 formed between the mass portion 3 and the frame portion 4 and the beam portion 13 extending outward from both side portions of the beam portion 13. Diaphragm part 1
It is composed of 4 and 14. Diaphragm part 14
Are provided in order to improve the directivity of the semiconductor acceleration sensor 11, and reduce the displacement caused by the acceleration applied to the mass portion 3 from the lateral direction.
【００１６】ここでは、梁部１３の厚み（ｔB）に対す
るダイヤフラム部１４の厚み（ｔD）の比（ｔD／ｔB）
が０．１５以上０．４以下となる様にそれぞれの厚みが
制御されている。Here, the ratio (t D / t B ) of the thickness (t D ) of the diaphragm portion 14 to the thickness (t B ) of the beam portion 13.
The respective thicknesses are controlled so as to be 0.15 or more and 0.4 or less.
【００１７】前記弾性部１２の作成は、まず、Ｓｉ基板
２を下方からエッチングすることにより形成すべき梁部
１３と同じ厚みで弾性部１２の全幅と同じ幅の梁を形成
し、その後梁部１３とすべき部分の両側部を上方からエ
ッチングして所定の厚みのダイヤフラム部１４，１４を
形成することによりなされる。The elastic portion 12 is formed by first forming a beam having the same thickness as the beam portion 13 to be formed by etching the Si substrate 2 from below and having the same width as the entire width of the elastic portion 12, and then forming the beam portion. Both side portions of the portion to be 13 are etched from above to form diaphragm portions 14 having a predetermined thickness.
【００１８】図３は、梁部１３の厚み（ｔB）に対する
ダイヤフラム部１４の厚み（ｔD）の比（ｔD／ｔB）
と、半導体加速度センサ１１の出力比との関係を示すグ
ラフである。ここでは、Ｓｉ基板２の厚みを３００μ
ｍ、質量部３の重さを約２ｍｇ、梁部１３の厚みを２０
μｍ、長さを４００μｍとし、図４に示す様に梁部１３
の幅ｗBと弾性部１２の幅ｗAとの比（ｗB／ｗA）は、１
／３（Ｒ１），１／５（Ｒ２），１／７（Ｒ３）の３種
類とした。なお、センサ出力比については、ダイヤフラ
ム部１４のない場合の出力を１とした。FIG. 3 shows the ratio (t D / t B ) of the thickness (t D ) of the diaphragm portion 14 to the thickness (t B ) of the beam portion 13.
3 is a graph showing the relationship between the output ratio of the semiconductor acceleration sensor 11 and Here, the thickness of the Si substrate 2 is 300 μm.
m, the weight of the mass part 3 is about 2 mg, and the thickness of the beam part 13 is 20
.mu.m and length 400 .mu.m, as shown in FIG.
The ratio (w B / w A ) between the width w B of the elastic portion 12 and the width w A of the elastic portion 12 is 1
There are three types, / 3 (R1), 1/5 (R2), and 1/7 (R3). Regarding the sensor output ratio, the output without the diaphragm portion 14 was set to 1.
【００１９】この図から明らかな様に、ｔD／ｔBが０．
１５〜０．４の範囲ではセンサ出力比は殆ど変化しない
が、１．５未満では変化の度合が急峻であり、また１．
４を越えると漸次低下することとなりいずれも実用に適
さない。したがって、測定上有効なｔD／ｔBの範囲は
０．１５〜０．４であることがわかる。また、ｗB／ｗA
を変化させた場合には、センサ出力比の値そのものは変
化するが変化の傾向は３種類共同一であることがわか
る。したがって、センサ出力比とｔD／ｔBとの関係はｗ
B／ｗAに関わりなく同一の傾向を示すことがわかる。As is apparent from this figure, t D / t B is 0.
In the range of 15 to 0.4, the sensor output ratio hardly changes, but when it is less than 1.5, the degree of change is steep.
When it exceeds 4, it is gradually lowered and neither is suitable for practical use. Therefore, it can be seen that the effective t D / t B range in measurement is 0.15 to 0.4. Also, w B / w A
It can be seen that when the value is changed, the sensor output ratio value itself changes, but the changing tendency is common among the three types. Therefore, the relationship between the sensor output ratio and t D / t B is w
It can be seen that the same tendency is exhibited regardless of B / w A.
【００２０】以上説明した様に、上記の半導体加速度セ
ンサ１１によれば、Ｓｉ基板２の中央部に形成された質
量部３と、質量部３の周囲に形成された枠部４と、前記
質量部３と枠部４との間に形成された一対の弾性部１
２，１２と、これらの弾性部１２，１２に形成された複
数対のピエゾ抵抗６，６，… とを具備し、前記弾性部
１２は、長尺の梁部１３と、該梁部１３より薄厚のダイ
ヤフラム部１４，１４とからなり、梁部１３の厚み（ｔ
B）に対するダイヤフラム部１４の厚み（ｔD）の比（ｔ
D／ｔB）を０．１５以上０．４以下としたので、ダイヤ
フラム部１４，１４の厚みにバラツキがあってもセンサ
出力比を一定とすることができ、センサとしての指向性
と耐衝撃性を向上させることができる。As described above, according to the semiconductor acceleration sensor 11 described above, the mass portion 3 formed in the central portion of the Si substrate 2, the frame portion 4 formed around the mass portion 3, and the mass portion A pair of elastic portions 1 formed between the portion 3 and the frame portion 4
2, 12 and a plurality of pairs of piezoresistors 6, 6, ... Formed on the elastic portions 12, 12, the elastic portion 12 includes a long beam portion 13 and It is composed of thin diaphragm portions 14 and 14, and the thickness of the beam portion 13 (t
Ratio (t) of thickness (t D ) of diaphragm portion 14 to B )
Since D / t B ) is set to 0.15 or more and 0.4 or less, the sensor output ratio can be made constant even if there are variations in the thickness of the diaphragm portions 14, 14, and the directivity and impact resistance of the sensor can be improved. It is possible to improve the sex.
【００２１】また、梁部１３の厚み（ｔB）に対するダ
イヤフラム部１４の厚み（ｔD）の比（ｔD／ｔB）を制
御すればよく、梁部１３の厚み（ｔB）やダイヤフラム
部１４の厚み（ｔD）を個々に高精度で制御する必要が
なくなるので、半導体加速度センサ１１の歩留まりを向
上させることができる。Further, it is sufficient controlling the ratio of the thickness of the diaphragm portion 14 to the thickness of the beam portion 13 (t B) (t D ) (t D / t B), the thickness of the beam portion 13 (t B) and the diaphragm Since it is not necessary to individually control the thickness (t D ) of the portion 14 with high accuracy, the yield of the semiconductor acceleration sensor 11 can be improved.
【００２２】以上により、ピエゾ抵抗の出力が梁部やダ
イヤフラム部の厚みのバラツキに依存せず、製品歩留ま
りを向上させることができる半導体加速度センサを提供
することができる。As described above, it is possible to provide the semiconductor acceleration sensor in which the output of the piezo resistance does not depend on the variation in the thickness of the beam portion or the diaphragm portion and the product yield can be improved.
【００２３】なお、上記の半導体加速度センサ１１の弾
性部１２は上記の一実施例に限定されることなく種々の
変形が可能である。例えば、弾性部１２を、複数の梁部
１３，… と、これらの梁部１３，… の間に形成された
ダイヤフラム部１４，… とからなる構成としてもよ
く、また、梁部１３の形状も、例えば、台形状、角錐状
等種々の選択が可能である。The elastic portion 12 of the semiconductor acceleration sensor 11 described above is not limited to the one embodiment described above, and various modifications are possible. For example, the elastic portion 12 may be composed of a plurality of beam portions 13, ... And a diaphragm portion 14, ... Formed between these beam portions 13 ,. For example, various choices such as a trapezoidal shape and a pyramid shape are possible.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の半導体加
速度センサによれば、半導体基板の中央部に形成された
質量部と、該質量部の周囲に形成された枠部と、前記質
量部と前記枠部との間に形成され前記半導体基板を薄肉
化してなる弾性部と、該弾性部の上面側に形成された複
数対のピエゾ抵抗とを具備してなる半導体加速度センサ
において、前記弾性部は、梁部と、該梁部の両側部に該
梁部より薄厚に形成されたダイヤフラム部とからなるこ
ととしたので、センサとしての指向性と耐衝撃性を向上
させることができる。As described above, according to the semiconductor acceleration sensor of the present invention, the mass part formed in the central part of the semiconductor substrate, the frame part formed around the mass part, and the mass part. In the semiconductor acceleration sensor including an elastic part formed between the frame part and the frame part and thinning the semiconductor substrate, and a plurality of pairs of piezoresistors formed on the upper surface side of the elastic part. Since the portion is composed of the beam portion and the diaphragm portions formed on both side portions of the beam portion to be thinner than the beam portion, it is possible to improve directivity and impact resistance as a sensor.
【００２５】また、梁部の厚みに対するダイヤフラム部
の厚みの比を制御すればよく、梁部の厚みやダイヤフラ
ム部の厚みを個々に高精度で制御する必要がなくなるの
で、半導体加速度センサの製品歩留まりを向上させるこ
とができる。Further, it suffices to control the ratio of the thickness of the diaphragm portion to the thickness of the beam portion, and it is not necessary to individually control the thickness of the beam portion and the thickness of the diaphragm portion with high precision, so that the product yield of the semiconductor acceleration sensor is increased. Can be improved.
【００２６】以上により、ピエゾ抵抗の出力が梁部及び
ダイヤフラム部の厚みのバラツキに依存せず、製品歩留
まりを向上させることができる半導体加速度センサを提
供することができる。As described above, it is possible to provide the semiconductor acceleration sensor in which the output of the piezo resistance does not depend on the variation in the thickness of the beam portion and the diaphragm portion and the product yield can be improved.
【図１】本発明の半導体加速度センサを示す斜視図であ
る。FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor acceleration sensor of the present invention.
【図２】図１のＢーＢ線に沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line BB of FIG.
【図３】本発明の半導体加速度センサの梁部の厚みに対
するダイヤフラム部の厚みの比と、センサの出力比との
関係を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the ratio of the thickness of the diaphragm portion to the thickness of the beam portion of the semiconductor acceleration sensor of the present invention and the output ratio of the sensor.
【図４】本発明の半導体加速度センサの弾性部の断面図
である。FIG. 4 is a sectional view of an elastic portion of the semiconductor acceleration sensor of the present invention.
【図５】従来の半導体加速度センサを示す斜視図であ
る。FIG. 5 is a perspective view showing a conventional semiconductor acceleration sensor.
【図６】図５のＡーＡ線に沿う断面図である。6 is a sectional view taken along the line AA of FIG.
１１ 半導体加速度センサ ２ Ｓｉ基板（半導体基板） ３ 質量部 ４ 枠部 ６ ピエゾ抵抗 １２ 弾性部 １３ 梁部 １４ ダイアフラム部 11 semiconductor acceleration sensor 2 Si substrate (semiconductor substrate) 3 mass part 4 frame part 6 piezoresistive 12 elastic part 13 beam part 14 diaphragm part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 広和 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内 (72)発明者 西村 仁 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Hirokazu Hashimoto 1-5-1 Kiba, Koto-ku, Tokyo Fujikura Electric Wire Co., Ltd. (72) Inventor Hitoshi Nishimura 1-5-1 Kiba, Koto-ku, Tokyo Fujikura Electric Wire Co., Ltd.
Claims (1)
と、該質量部の周囲に形成された枠部と、前記質量部と
前記枠部との間に形成され前記半導体基板を薄肉化して
なる弾性部と、該弾性部の上面側に形成された複数対の
ピエゾ抵抗とを具備してなる半導体加速度センサにおい
て、前記弾性部は、梁部と、該梁部の両側部に該梁部よ
り薄厚に形成されたダイヤフラム部とからなることを特
徴とする半導体加速度センサ。Claim: What is claimed is: 1. A mass part formed in a central part of a semiconductor substrate, a frame part formed around the mass part, and a mass part formed between the mass part and the frame part. In a semiconductor acceleration sensor including an elastic portion formed by thinning the semiconductor substrate and a plurality of pairs of piezoresistors formed on the upper surface side of the elastic portion, the elastic portion includes a beam portion and the beam portion. A semiconductor acceleration sensor, comprising a diaphragm portion formed on both sides of the diaphragm to be thinner than the beam portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18304391A JPH055750A (en) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | Semiconductor acceleration sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18304391A JPH055750A (en) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | Semiconductor acceleration sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH055750A true JPH055750A (en) | 1993-01-14 |
Family
ID=16128746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18304391A Withdrawn JPH055750A (en) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | Semiconductor acceleration sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH055750A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7450896B2 (en) | 2004-09-15 | 2008-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Sheet transport apparatus and image forming apparatus |
| US7474872B2 (en) | 2004-09-16 | 2009-01-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Sheet transport apparatus and image forming apparatus including the same |
| CN107796955A (en) * | 2017-09-30 | 2018-03-13 | 西安交通大学 | Double-axel acceleration sensor chip and preparation method thereof in more beam type single mass faces |
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