JPH027302A - 有機導電性錯体 - Google Patents
有機導電性錯体Info
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- JPH027302A JPH027302A JP63158695A JP15869588A JPH027302A JP H027302 A JPH027302 A JP H027302A JP 63158695 A JP63158695 A JP 63158695A JP 15869588 A JP15869588 A JP 15869588A JP H027302 A JPH027302 A JP H027302A
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Classifications
-
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- C07C225/32—Compounds containing amino groups and doubly—bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton, at least one of the doubly—bound oxygen atoms not being part of a —CHO group, e.g. amino ketones the carbon skeleton containing carbon atoms of quinone rings having amino groups bound to carbon atoms of quinone rings or of condensed ring systems containing quinone rings of condensed quinone ring systems formed by at least three rings
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- Y10S505/81—Compound
- Y10S505/811—Organic
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は有機導電性錯体に関し、より詳細には、超電導
材料や3次の非線形光学材料、光導電材料等に利用し得
る可能性を秘めた有機導電性錯体に関するものである。
材料や3次の非線形光学材料、光導電材料等に利用し得
る可能性を秘めた有機導電性錯体に関するものである。
〈従来の技術と発明が解決しようとする課題〉金属に代
わる導電体(合成金属)として、導電性高分子やグラフ
ァイトと並んで、電子供与体(ドナー)と電子受容体(
アクセプタ)とからなる有機導電性錯体(イオンラジカ
ル塩、電荷移動錯体)が種々開発されている。有機導電
性錯体においては、上記電子供与体から電子受容体へ電
子が移動して安定化するために安定な錯体が形成され、
分子内および分子相互間を電子が移動し晶くなって、導
電性や半導性を示すものである。
わる導電体(合成金属)として、導電性高分子やグラフ
ァイトと並んで、電子供与体(ドナー)と電子受容体(
アクセプタ)とからなる有機導電性錯体(イオンラジカ
ル塩、電荷移動錯体)が種々開発されている。有機導電
性錯体においては、上記電子供与体から電子受容体へ電
子が移動して安定化するために安定な錯体が形成され、
分子内および分子相互間を電子が移動し晶くなって、導
電性や半導性を示すものである。
導電性に優れた有機導電性錯体を形成しうる電子供与体
としては、ビスエチレンジチアテトラチアフルバレン(
BEDT−TTF) 、テトラチアフルバレン(TTF
)等が例示され、電子受容体としては、7.7.8.8
−テトラシアノキノンジメタン(TCNQ)、テトラシ
アノエチレ> (TCNE)等が例示される。これらの
化合物は、何れも板状の分子構造を有しており、有機導
電性錯体の結晶中において、その平板の平面が略平行に
向き合わされて交互に積み重ねられた構造をとり、電子
供与体のπ電子が電子受容体のπ軌道に移動して前記非
局在化が発生するものと考えられている。
としては、ビスエチレンジチアテトラチアフルバレン(
BEDT−TTF) 、テトラチアフルバレン(TTF
)等が例示され、電子受容体としては、7.7.8.8
−テトラシアノキノンジメタン(TCNQ)、テトラシ
アノエチレ> (TCNE)等が例示される。これらの
化合物は、何れも板状の分子構造を有しており、有機導
電性錯体の結晶中において、その平板の平面が略平行に
向き合わされて交互に積み重ねられた構造をとり、電子
供与体のπ電子が電子受容体のπ軌道に移動して前記非
局在化が発生するものと考えられている。
ところで、一般に染料として用いられている各種化合物
のうち、アントラキノン誘導体は、上記例示の電子供与
体、電子受容体と同じくほぼ平板状の分子構造を有して
いる。
のうち、アントラキノン誘導体は、上記例示の電子供与
体、電子受容体と同じくほぼ平板状の分子構造を有して
いる。
そこで、本発明者等は、アントラキノンの置換基を選択
すれば、有機導電性錯体の合成材料である電子供与体或
いは電子受容体として利用しうるものが上記BEDT−
TTFSTTF等の他にも存在するのではないかと考え
、各種アントラキノン誘導体について検討を行った。
すれば、有機導電性錯体の合成材料である電子供与体或
いは電子受容体として利用しうるものが上記BEDT−
TTFSTTF等の他にも存在するのではないかと考え
、各種アントラキノン誘導体について検討を行った。
その結果、9.10−アントラキノンの1.4.5及び
8位に電子供与性基を有するアントラキノン誘導体がを
機等電性錯体の電子供与体として用い得るという知見を
得た。
8位に電子供与性基を有するアントラキノン誘導体がを
機等電性錯体の電子供与体として用い得るという知見を
得た。
本発明は、上記知見に基づきなされたものであって、そ
の目的とするところは、超電導材料や3次の非線形光学
材料、光導電材料等に利用し得る可能性を秘めた、新規
且つ有用な有機導電性錯体を提供するにある。
の目的とするところは、超電導材料や3次の非線形光学
材料、光導電材料等に利用し得る可能性を秘めた、新規
且つ有用な有機導電性錯体を提供するにある。
く課題を解決するための手段および作用〉上記目的を解
決するための本発明に係る有機導電性錯体は、下記一般
式[1コで示されるアントラキノン誘導体を電子供与体
とすることを特徴とここで、上記一般式[1]中のX“
〜X“は電子供与性基を示し、全てが同一の基であって
も良く、また一部または全部が異なる基であっても良い
。
決するための本発明に係る有機導電性錯体は、下記一般
式[1コで示されるアントラキノン誘導体を電子供与体
とすることを特徴とここで、上記一般式[1]中のX“
〜X“は電子供与性基を示し、全てが同一の基であって
も良く、また一部または全部が異なる基であっても良い
。
上記一般式[1]で示されるアントラキノン誘導体は、
式に見るようにほぼ平板状の分子構造を有する上、その
1.4.5および8位に電子供与性基X“〜X“を有す
るという電気的にほぼ対称的な構造を有するため、従来
既知の電子供与体である前記BEDT−TTFやTTF
と同様に、電子供与体として使用し得るものである。こ
のような性質を有するアントラキノン誘導体を与える電
子供与性の置換基X゛〜X°としては、例えばアミノ基
、水酸基、ハロゲン基、アルキル基等が挙げられるが、
置換基X゛〜X°の全てがアミノ基である1、4,5゜
8−テトラアミノアントラキノン(TAAQ)が、特に
好ましいものとして例示される。
式に見るようにほぼ平板状の分子構造を有する上、その
1.4.5および8位に電子供与性基X“〜X“を有す
るという電気的にほぼ対称的な構造を有するため、従来
既知の電子供与体である前記BEDT−TTFやTTF
と同様に、電子供与体として使用し得るものである。こ
のような性質を有するアントラキノン誘導体を与える電
子供与性の置換基X゛〜X°としては、例えばアミノ基
、水酸基、ハロゲン基、アルキル基等が挙げられるが、
置換基X゛〜X°の全てがアミノ基である1、4,5゜
8−テトラアミノアントラキノン(TAAQ)が、特に
好ましいものとして例示される。
また、上記電子供与体としてのアントラキノン誘導体と
共に有機導電性錯体を形成する電子受容体としては、前
記例示のTCNQSTCNEが使用できるほか、5−ニ
トロ−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン(ND
CNQ) 、2.3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン
(DCNQ)等の既知の化合物を使用することができ、
これらは単独で用いても良く、また併用しても良い。
共に有機導電性錯体を形成する電子受容体としては、前
記例示のTCNQSTCNEが使用できるほか、5−ニ
トロ−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン(ND
CNQ) 、2.3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン
(DCNQ)等の既知の化合物を使用することができ、
これらは単独で用いても良く、また併用しても良い。
前記一般式[1]で示される電子供与体としてのアント
ラキノン誘導体と、上記電子受容体とからなる本発明の
有機導電性錯体にあっては、従来既知の有機導電性錯体
)と同様に、はぼ平板状の電子供与体と電子受容体とが
、結晶中において、その平板の平面を略平行に向き合わ
せた構造を取り、電子供与体のπ電子が電子受容体のπ
軌道に移動して導電性が発現される。また特に、アント
ラキノン誘導体として、前記例示のTAAQを用いた有
機導電性錯体においては、電荷移動が大きいため、電子
供与体は+1価、電子受容体は一1価に近くなり、イオ
ン型の分子間化合物(イオンラジカル塩)を作るので、
より高い導電性が得られれる。しかも、上記式[1]の
アントラキノン誘導体は、分子の中央部に電子受容性の
カルボニル基(>C−0)があり、周囲に電子供与性の
X“〜X°が配置された分子内電荷移動型の分子になっ
ているため、電子供与性をさらに高めることが可能であ
り、ラジカルカチオン種をより一層安定に存在させるこ
とができるので、電子供与体および電子受容体の純度を
高め、あるいは単結晶体を製造できるようになれば、超
電導材料に利用し得る可能性がある。
ラキノン誘導体と、上記電子受容体とからなる本発明の
有機導電性錯体にあっては、従来既知の有機導電性錯体
)と同様に、はぼ平板状の電子供与体と電子受容体とが
、結晶中において、その平板の平面を略平行に向き合わ
せた構造を取り、電子供与体のπ電子が電子受容体のπ
軌道に移動して導電性が発現される。また特に、アント
ラキノン誘導体として、前記例示のTAAQを用いた有
機導電性錯体においては、電荷移動が大きいため、電子
供与体は+1価、電子受容体は一1価に近くなり、イオ
ン型の分子間化合物(イオンラジカル塩)を作るので、
より高い導電性が得られれる。しかも、上記式[1]の
アントラキノン誘導体は、分子の中央部に電子受容性の
カルボニル基(>C−0)があり、周囲に電子供与性の
X“〜X°が配置された分子内電荷移動型の分子になっ
ているため、電子供与性をさらに高めることが可能であ
り、ラジカルカチオン種をより一層安定に存在させるこ
とができるので、電子供与体および電子受容体の純度を
高め、あるいは単結晶体を製造できるようになれば、超
電導材料に利用し得る可能性がある。
また、上記有機導電性錯体、特にTAAQを含む有機導
電性錯体は、その結晶が反転対称心を有する場合、上記
した強いラジカルイオン性と相俟って、有用な3次の非
線形光学材料としても利用し得る。
電性錯体は、その結晶が反転対称心を有する場合、上記
した強いラジカルイオン性と相俟って、有用な3次の非
線形光学材料としても利用し得る。
さらにまた、上記有機導電性錯体はバンドギャップが小
さいので、前記電子供与性基X゛〜X“を選択して半導
体にすれば、光導電材料として利用し得る可能性もある
、。
さいので、前記電子供与性基X゛〜X“を選択して半導
体にすれば、光導電材料として利用し得る可能性もある
、。
〈実施例〉
以下、実施例に基づき、本発明をより詳細に説明する。
実施例1
色素として市販されているTAAQ結晶をニトロベンゼ
ンに加熱溶解し、ニトロベンゼンに不溶の成分(主に分
散材)を熱濾過して除去した後、溶液を冷却してTAA
Qを再結晶させる操作を4回繰り返し行った。次いで、
このTAAQ結晶に対し、上記ニトロベンゼンの場合と
同様の再結晶処理を、ピリジンを用いて3回繰り返し行
って他の不純物成分を除去した。以上の処理を行ったT
AAQ結晶を、180℃、2〜5龍11gの条件下で昇
華精製した後、蒸留した塩化メチレン(結晶0.1gに
対してloOml)に溶解して溶液を作成した。
ンに加熱溶解し、ニトロベンゼンに不溶の成分(主に分
散材)を熱濾過して除去した後、溶液を冷却してTAA
Qを再結晶させる操作を4回繰り返し行った。次いで、
このTAAQ結晶に対し、上記ニトロベンゼンの場合と
同様の再結晶処理を、ピリジンを用いて3回繰り返し行
って他の不純物成分を除去した。以上の処理を行ったT
AAQ結晶を、180℃、2〜5龍11gの条件下で昇
華精製した後、蒸留した塩化メチレン(結晶0.1gに
対してloOml)に溶解して溶液を作成した。
また、前記と同操作により精製した、上記TAAQ結晶
と等モル量のTCNQC高Q、同じく塩化メチレン(結
晶0,1gに対して100m1)に溶解して溶液を作成
した。そして、上記両溶液を、50m1の塩化メチレン
中に同時に滴下したところ、深青色の微結晶が析出した
。この深青色の微結晶を塩化メチレンから濾別し、さら
に塩化メチレン50m1で洗浄した後、乾燥した濾紙上
に移して自然乾燥させ、次いで真空乾燥して有・機等電
性錯体試料とした。
と等モル量のTCNQC高Q、同じく塩化メチレン(結
晶0,1gに対して100m1)に溶解して溶液を作成
した。そして、上記両溶液を、50m1の塩化メチレン
中に同時に滴下したところ、深青色の微結晶が析出した
。この深青色の微結晶を塩化メチレンから濾別し、さら
に塩化メチレン50m1で洗浄した後、乾燥した濾紙上
に移して自然乾燥させ、次いで真空乾燥して有・機等電
性錯体試料とした。
実施例2〜4
上記TCNQC高Q代えて、TAAQ結晶と等モル量の
TCNE (実施例2) 、NDCNQ−(実施例3)
、および、DCNQ (実施例4)の各結晶をそれぞれ
用いた以外は、上記実施例1と同様にして深青色微結晶
の有機導電性錯体試料を作成した。
TCNE (実施例2) 、NDCNQ−(実施例3)
、および、DCNQ (実施例4)の各結晶をそれぞれ
用いた以外は、上記実施例1と同様にして深青色微結晶
の有機導電性錯体試料を作成した。
電気伝導度の測定
上記実施例1で作製した有機導電性錯体試料を加圧型内
に入れ、室温で2” kg/ crAs S分間の加圧
を行って、厚み0.08CI11%幅0.3cm5長さ
2cmの棒状の測定用サンプルを作製した。このサンプ
ルの0.3cmX2cmの面のほぼ中央部に、上記長さ
方向と直交する方向に、2本の銅リード線を互いに0.
28cm離して銀ペーストで取り付けると共に、この2
本の銅リード線の両側に、さらに2本の銅リード線を銀
ペーストで取り付けた。
に入れ、室温で2” kg/ crAs S分間の加圧
を行って、厚み0.08CI11%幅0.3cm5長さ
2cmの棒状の測定用サンプルを作製した。このサンプ
ルの0.3cmX2cmの面のほぼ中央部に、上記長さ
方向と直交する方向に、2本の銅リード線を互いに0.
28cm離して銀ペーストで取り付けると共に、この2
本の銅リード線の両側に、さらに2本の銅リード線を銀
ペーストで取り付けた。
上記試料を密閉可能な測定室内に入れ、この測定室内を
lieガスで置換した後、いわゆる4端子法により、外
側の2本の銅リード線に1mAの定電流を流しつつ、内
側の2本の銅リード線間の電圧(mV)を測定し、コノ
測定値(mV)と前記電流値(mA)から電気伝導度(
S / cm )を算出した。結果を表1に示す。
lieガスで置換した後、いわゆる4端子法により、外
側の2本の銅リード線に1mAの定電流を流しつつ、内
側の2本の銅リード線間の電圧(mV)を測定し、コノ
測定値(mV)と前記電流値(mA)から電気伝導度(
S / cm )を算出した。結果を表1に示す。
また、前記実施例2で作製した有機導電性錯体試料を同
様に加圧成型して、厚みO,1cm5幅0.3印、長さ
2cmの棒状のilll周定ンプルを作製し、上記と同
様にして4本の銅リード線を取り付け、4端子法により
電気伝導度を測定した。なお、このサンプルの場合、電
圧をΔI11定する内側の2本の銅リード線の間隔は0
.2cm5外側の2本の銅リード線に流した定電流は0
.01mAであった。結果を同じく表1に示す。
様に加圧成型して、厚みO,1cm5幅0.3印、長さ
2cmの棒状のilll周定ンプルを作製し、上記と同
様にして4本の銅リード線を取り付け、4端子法により
電気伝導度を測定した。なお、このサンプルの場合、電
圧をΔI11定する内側の2本の銅リード線の間隔は0
.2cm5外側の2本の銅リード線に流した定電流は0
.01mAであった。結果を同じく表1に示す。
表1の結果より、上記実施例1.2の有機導電性錯体試
料は、何れも、室温において高い導電性を示すことが判
った。
料は、何れも、室温において高い導電性を示すことが判
った。
有機導電性錯体試料の検討
前記実施例2〜4で作成した有機導電性錯体試料をエタ
ノールに溶解し、この溶液の近赤外並びに可視光領域に
おける吸収スペクトルを測定した結果を第1図〜第3図
に示した。また、TAAQ結晶のみをエタノールに溶解
した溶液の吸収スペクトルを測定し、第1図中に一点鎖
線で示すと共に、第4図には、上記実施例2の有機導電
性錯体試料のエタノール溶液中に、TAAQよりも電子
供与性の強いピロガロールを添加した溶液の吸収スペク
トル(破線)と、ピロガロール添加前の吸収スペクトル
(実線)とを併せて示した。
ノールに溶解し、この溶液の近赤外並びに可視光領域に
おける吸収スペクトルを測定した結果を第1図〜第3図
に示した。また、TAAQ結晶のみをエタノールに溶解
した溶液の吸収スペクトルを測定し、第1図中に一点鎖
線で示すと共に、第4図には、上記実施例2の有機導電
性錯体試料のエタノール溶液中に、TAAQよりも電子
供与性の強いピロガロールを添加した溶液の吸収スペク
トル(破線)と、ピロガロール添加前の吸収スペクトル
(実線)とを併せて示した。
また、上記実施例1,2の有機導電性錯体試料について
、二酸化マンガンを標準試料としてESR(電子スピン
共鳴)スペクトルを測定した結果を第5図並びに第6図
に示した。なお、ESRスペクトル測定の条件は下記の
通り。
、二酸化マンガンを標準試料としてESR(電子スピン
共鳴)スペクトルを測定した結果を第5図並びに第6図
に示した。なお、ESRスペクトル測定の条件は下記の
通り。
試料重量: 0.0001g
測定温度:20℃
R,F、 Field : 3300G±500GSw
eep Time : 4.OminMOD、: 1o
OKHz 2.0G Amplitude: 1.[l X 100Resp
onse: 0.01sec。
eep Time : 4.OminMOD、: 1o
OKHz 2.0G Amplitude: 1.[l X 100Resp
onse: 0.01sec。
Out put : 1.OmW
Crystal current: 0.1+nAFr
equency : 9.5[1GHzさらにまた、上
記実施例1〜4のを機導電性錯体fit 料について、
CHコータヲ用L)で、C,)(。
equency : 9.5[1GHzさらにまた、上
記実施例1〜4のを機導電性錯体fit 料について、
CHコータヲ用L)で、C,)(。
Nの各元素の元素分析を行t)、結果を、電子(兵与体
TAAQと各電子受容体とが1:1の錯体を形成してい
る場合に含有すべきC,H,N各元素の理論値(%)と
共に表2に示した。
TAAQと各電子受容体とが1:1の錯体を形成してい
る場合に含有すべきC,H,N各元素の理論値(%)と
共に表2に示した。
(以下余白)
表
第1図〜第3図に見るように、実施例1〜4の有機導電
性錯体試料においては、TAAQ単独では見られない波
長712nmの位置に、電子受容体が異なるにも拘らず
、−様に同じ吸収ピークが観察された。また、この吸収
ピークは、第4図に見るように、TAAQよりも強い電
子供与体であるピロガロールを添加すると消失した。以
上のことから、上記波長712nmの吸収ピークは、上
記TAAQと各電子受容体との間の電荷移動に伴うスペ
クトルであることが推測された。
性錯体試料においては、TAAQ単独では見られない波
長712nmの位置に、電子受容体が異なるにも拘らず
、−様に同じ吸収ピークが観察された。また、この吸収
ピークは、第4図に見るように、TAAQよりも強い電
子供与体であるピロガロールを添加すると消失した。以
上のことから、上記波長712nmの吸収ピークは、上
記TAAQと各電子受容体との間の電荷移動に伴うスペ
クトルであることが推測された。
さラニ、ESRスペクトル測定の結果、実施例1.2の
有機導電性錯体試料では電子受容体が違っても、はぼ同
様にg −2,003の位置に不対電子による強い共鳴
が観察された。このことから、前記電荷移動により、上
記TAAQと各電子受容体との間にラジカルが発生して
いることが推測された。
有機導電性錯体試料では電子受容体が違っても、はぼ同
様にg −2,003の位置に不対電子による強い共鳴
が観察された。このことから、前記電荷移動により、上
記TAAQと各電子受容体との間にラジカルが発生して
いることが推測された。
さらにまた、表2の結果より、実施例1〜4の有機導電
性錯体は、何れもC,H,N各元素の元素分析値が、前
記理論値とほぼ一致しており、このことから、上記実施
例1・〜4の有機導電性錯体試料においては、電子供与
体TAAQと各電子受容体とが1=1の割合で存在して
いることが判った。
性錯体は、何れもC,H,N各元素の元素分析値が、前
記理論値とほぼ一致しており、このことから、上記実施
例1・〜4の有機導電性錯体試料においては、電子供与
体TAAQと各電子受容体とが1=1の割合で存在して
いることが判った。
以上の結果より、上記各実施例の有機導電性錯体試料に
おいては、結晶中でTAAQと各電子受容体とが1:1
型のラジカルイオン塩を形成していることが明らかにな
った。
おいては、結晶中でTAAQと各電子受容体とが1:1
型のラジカルイオン塩を形成していることが明らかにな
った。
〈発明の効果〉
以上のように本発明に係る有機導電性錯体は、前記一般
式[1コで示されるアントラキノン誘導体を電子供与体
としているので、有機導電性錯体中でも比較的高い導電
性を示し、将来的には、超電導材料や3次の非線形光学
材料、光導電材料等に利用し得る可能性がある等、本発
明は優れた特有の効果を奏する。
式[1コで示されるアントラキノン誘導体を電子供与体
としているので、有機導電性錯体中でも比較的高い導電
性を示し、将来的には、超電導材料や3次の非線形光学
材料、光導電材料等に利用し得る可能性がある等、本発
明は優れた特有の効果を奏する。
第1図ないし第4図は、それぞれ本発明の有機導電性錯
体の実施例における近赤外並びに可視光領域の吸収スペ
クトルを示すグラフ、第5図および第6図は、それぞれ
実施例におけるESRスペクトルを示すグラフである。 第 図 波長(nm) 第 図 波長(nm) 波長(nm) 第2図 波長(nm) 500 (t500G)
体の実施例における近赤外並びに可視光領域の吸収スペ
クトルを示すグラフ、第5図および第6図は、それぞれ
実施例におけるESRスペクトルを示すグラフである。 第 図 波長(nm) 第 図 波長(nm) 波長(nm) 第2図 波長(nm) 500 (t500G)
Claims (3)
- 1.電子供与体と電子受容体とからなる有 機導電性錯体において、前記電子供与体 が、下記一般式[1]で示されるアント ラキノン誘導体であることを特徴とする 有機導電性錯体。 ▲数式、化学式、表等があります▼…[1] ここで、一般式[1]中、X^1〜X^4は電子供与性
基を示し、全てが同一の 基であってもよく、また一部又は全 部が異なる基であってもよい。 - 2.前記一般式[1]中の電子供与性基X^1〜X^4
が、アミノ基である請求項1記載の有機導電性錯体。 - 3.電子受容体が、7,7,8,8−テトラシアノキノ
ジメタン、テトラシアノエチレン、 5−ニトロ−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン
及び2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノンの中から
選ばれた少なくとも一つであ る請求項1又は2記載の有機導電性錯体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63158695A JPH027302A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 有機導電性錯体 |
CA000603815A CA1321995C (en) | 1988-06-27 | 1989-06-23 | Organic conductive complex |
EP89111686A EP0350709B1 (en) | 1988-06-27 | 1989-06-27 | Organic conductive complex |
US07/371,902 US5030387A (en) | 1988-06-27 | 1989-06-27 | Organic conductive complex |
DE68918354T DE68918354T2 (de) | 1988-06-27 | 1989-06-27 | Organischer leitfähiger Komplex. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63158695A JPH027302A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 有機導電性錯体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH027302A true JPH027302A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15677338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63158695A Pending JPH027302A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 有機導電性錯体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5030387A (ja) |
EP (1) | EP0350709B1 (ja) |
JP (1) | JPH027302A (ja) |
CA (1) | CA1321995C (ja) |
DE (1) | DE68918354T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0301551B1 (en) * | 1987-07-29 | 1993-03-03 | Toray Industries, Inc. | Nonlinear optical element |
IT1244886B (it) * | 1990-12-11 | 1994-09-13 | Gentili Ist Spa | Dicarbonati e uretani dell'acido 4,5-diidrossi- e 4,5,8-triidrossi- 9,10-diidro-9,10-diosso-2-antracencarbossilico ad azione terapeutica |
GB9417102D0 (en) * | 1994-08-24 | 1994-10-12 | Lilly Industries Ltd | Pharmaceutical compounds |
RU2267502C2 (ru) * | 2003-11-21 | 2006-01-10 | Самсунг Электроникс Ко., Лтд | Термостабильный электропроводящий полимерный слой и способ его получения |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE579841C (de) * | 1931-12-22 | 1933-07-01 | Chemische Ind Ges | Verfahren zur Darstellung von stickstoffhaltigen Derivaten der Anthracenreihe |
US3975285A (en) * | 1972-10-30 | 1976-08-17 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Liquid crystal composition |
US4201638A (en) * | 1978-09-25 | 1980-05-06 | Queen's University At Kingston | Triple ions of 1,2- and 1,4-dicarbonyl compounds and analogs thereof containing nitrogen and containing two strategic oxygen or nitrogen groups and process for producing same |
US4232950A (en) * | 1979-02-23 | 1980-11-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Liquid crystal compositions including pleochroic dye |
EP0061264B1 (en) * | 1981-03-13 | 1985-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Tetracyanoanthraquinodimethane compounds and processes for the production thereof, polymers and charge-transfer complexes derived therefrom |
JPS5855450A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テトラシアノアントラキノジメタン誘導体の製造方法 |
EP0106175B1 (en) * | 1982-09-30 | 1988-12-07 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Electrically conductive liquid crystalline substance and polymer |
JPS61129158A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-17 | Toshio Mukai | テトラシアノアントラキノジメタン系電荷移動錯体の製造方法 |
US4606861A (en) * | 1985-03-08 | 1986-08-19 | Xerox Corporation | Process for obtaining anthraquinodimethane derivatives and anthrone derivatives |
US4773743A (en) * | 1985-06-25 | 1988-09-27 | Hoechst Celanese Corporation | Electrooptic light modulator device |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63158695A patent/JPH027302A/ja active Pending
-
1989
- 1989-06-23 CA CA000603815A patent/CA1321995C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-27 DE DE68918354T patent/DE68918354T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-27 US US07/371,902 patent/US5030387A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-27 EP EP89111686A patent/EP0350709B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5030387A (en) | 1991-07-09 |
EP0350709A3 (en) | 1990-08-22 |
EP0350709B1 (en) | 1994-09-21 |
CA1321995C (en) | 1993-09-07 |
DE68918354T2 (de) | 1995-01-19 |
DE68918354D1 (de) | 1994-10-27 |
EP0350709A2 (en) | 1990-01-17 |
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