JPH0272542A - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
- Publication number
- JPH0272542A JPH0272542A JP22210588A JP22210588A JPH0272542A JP H0272542 A JPH0272542 A JP H0272542A JP 22210588 A JP22210588 A JP 22210588A JP 22210588 A JP22210588 A JP 22210588A JP H0272542 A JPH0272542 A JP H0272542A
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- electric field
- frequency electric
- vanes
- vane
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- Pending
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
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- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマグネトロンに間するものであり、特に、その
Ｉｌｌｌｌ部構造する。
Ｉｌｌｌｌ部構造する。
従来の技術
従来のマグネトロン構造を第４図および第５図に示す。
第４図および第５図において、１はｌｌｌｌ同極、２は
陽極円筒と同心状に配された陰極部、３は陽極円筒内に
放射状に配設されたベインである。また各ベインはスト
ラップリング４．５によって互い違いに接続されている
。各ベイン３と陰極部２とで囲まれた空間が電子作用空
間６である。
陽極円筒と同心状に配された陰極部、３は陽極円筒内に
放射状に配設されたベインである。また各ベインはスト
ラップリング４．５によって互い違いに接続されている
。各ベイン３と陰極部２とで囲まれた空間が電子作用空
間６である。
この電子作用空間６に印加される直交電磁場によって陰
極部２から電子を引きだし所定の電子運動をさせている
。このときの電場は、ベイン３と陰極部２の間に印加さ
れる直流的な電圧によって生成される。この直流電場の
形成に対して従来のマグネトロンにおけるベイン３の先
端形状は、第４図に示すように、ベイン３の板厚が大き
い場合にはなめらかな弧状形状７が用いられτいた。一
方第５図に示すように、ベイン３の板厚が小さい場合に
は、はぼ水平形状８が用いられていた。
極部２から電子を引きだし所定の電子運動をさせている
。このときの電場は、ベイン３と陰極部２の間に印加さ
れる直流的な電圧によって生成される。この直流電場の
形成に対して従来のマグネトロンにおけるベイン３の先
端形状は、第４図に示すように、ベイン３の板厚が大き
い場合にはなめらかな弧状形状７が用いられτいた。一
方第５図に示すように、ベイン３の板厚が小さい場合に
は、はぼ水平形状８が用いられていた。
発明が解決しようとする課題
ところで、マグネトロンの発振メカニズムを考えたとき
、隣接するベイン３の間に生ずる高周波電界が重要な因
子である。高周波電界分布に基づいて電子作用空間６に
周知のごとき電子雲が形成される。この電子雲は理想的
には、その形状を保ったまま陰極部２のまわりを周回す
る。この周回速度を決めるのが直流７１Ｍ場と考えてよ
い。
、隣接するベイン３の間に生ずる高周波電界が重要な因
子である。高周波電界分布に基づいて電子作用空間６に
周知のごとき電子雲が形成される。この電子雲は理想的
には、その形状を保ったまま陰極部２のまわりを周回す
る。この周回速度を決めるのが直流７１Ｍ場と考えてよ
い。
マグネトロンを効率よく動作させるには、電子雲の輪郭
を明確にすることが重要である。従来のマグネトロンは
、電子雲の輪郭をつけるために（換言すれば隣接する電
子雲を分離するために）、隣接したベイン間に生じるす
きまと、ベイン間ピッチとの比率の最適化をはかった設
計が行なわれていた。この比率は経験的に０．３〜０．
４が選択されていた。
を明確にすることが重要である。従来のマグネトロンは
、電子雲の輪郭をつけるために（換言すれば隣接する電
子雲を分離するために）、隣接したベイン間に生じるす
きまと、ベイン間ピッチとの比率の最適化をはかった設
計が行なわれていた。この比率は経験的に０．３〜０．
４が選択されていた。
この方法は高周波電界分布のすそ野を狭くしてその分布
形状を尖鋭化するものであった。しかし、この方法では
高周波電界分布のすそ野は狭くなっただけで、電子雲の
輪郭を明確化することはできなかった。
形状を尖鋭化するものであった。しかし、この方法では
高周波電界分布のすそ野は狭くなっただけで、電子雲の
輪郭を明確化することはできなかった。
本発明は上記課題を解決するもので、電子雲の輪郭を明
確にしたマグネトロンを提供することを目的とする。
確にしたマグネトロンを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記Ｈ題を解決するために本発明は、１Ｉｊｉ４ｆ１円
筒と、この陽極円筒と同心状に配置された陰極部と、前
記陽極円筒内に放射状に配設され、前記陰極部との対向
面が凹形状に形成された複数のベインとを備えた構成と
したものである。
筒と、この陽極円筒と同心状に配置された陰極部と、前
記陽極円筒内に放射状に配設され、前記陰極部との対向
面が凹形状に形成された複数のベインとを備えた構成と
したものである。
作用
上記した構成によって、隣接したベイン間のすきまに高
周波電界分布を集中させて、高周波電界分布のすそ野を
なくすことができ、しかも上記集中により明確な輪郭を
もった電子雲を形成することができる。
周波電界分布を集中させて、高周波電界分布のすそ野を
なくすことができ、しかも上記集中により明確な輪郭を
もった電子雲を形成することができる。
実施例
以下、本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。
第１図および第２図において、１１は陽極円筒、１２は
陽極円筒と同心状に配された陰極部、１３は陽極円筒内
に放射状に配設された複数のベイン、１４゜１５はスト
ラップリングであり、ベイン１３を互い違いに接続して
いる。また、ベイン１３の陰極部１２との対向面はその
弧状形状の中央部が凹形状１６に加工された形状となり
、その両端縁部は、従来の弧状形状とは異なり、鋭閉的
に突出している。
陽極円筒と同心状に配された陰極部、１３は陽極円筒内
に放射状に配設された複数のベイン、１４゜１５はスト
ラップリングであり、ベイン１３を互い違いに接続して
いる。また、ベイン１３の陰極部１２との対向面はその
弧状形状の中央部が凹形状１６に加工された形状となり
、その両端縁部は、従来の弧状形状とは異なり、鋭閉的
に突出している。
マグネトロンの動作点を決めるときは、第２図に示すよ
うな陽極円筒１１の管軸と陰極部１２に対向したベイン
１３の端面との距離ＣＪＸ下陽極半径）において、実動
作より逆算すると、等価的なγａは約４．３．であった
。凹形状加工されたベイン１３を有するマグネトロンの
動特性解析には、等価的なγａを用いることにより従来
手法が適応できることもわかった。
うな陽極円筒１１の管軸と陰極部１２に対向したベイン
１３の端面との距離ＣＪＸ下陽極半径）において、実動
作より逆算すると、等価的なγａは約４．３．であった
。凹形状加工されたベイン１３を有するマグネトロンの
動特性解析には、等価的なγａを用いることにより従来
手法が適応できることもわかった。
ベイン１３の端面形状による高周波電界分布シミュレー
ションの結果例を第３図に示す。第３図は高周波電界の
周方向成分の大きさを等高線表示したものである。ここ
で、第３図（ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ第１図および第４
図、第５図のものの高周波電界分布を示し、第３図（ａ
）の高周波電界分布は隣接ベイン間すきまに集中し、す
そ野がなくなっていることがわかる。
ションの結果例を第３図に示す。第３図は高周波電界の
周方向成分の大きさを等高線表示したものである。ここ
で、第３図（ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ第１図および第４
図、第５図のものの高周波電界分布を示し、第３図（ａ
）の高周波電界分布は隣接ベイン間すきまに集中し、す
そ野がなくなっていることがわかる。
このような高周波電界分布の効用は、第１図に示すよう
な陽極共振空胴を４９もったマグネトロンを電子雲の数
６錫で動作させてｆ［認できた。
な陽極共振空胴を４９もったマグネトロンを電子雲の数
６錫で動作させてｆ［認できた。
なお、ベイン１３の端面の凹形状はこの実施例の形状に
限定されるものではなく、ベイン１３の枚数やその板厚
に応じて変形対応しＶ＊わない。また、マグネトロンを
数１０ワット出力で使用する場合、ストラップリング１
４．１５は設けなくても構わない。
限定されるものではなく、ベイン１３の枚数やその板厚
に応じて変形対応しＶ＊わない。また、マグネトロンを
数１０ワット出力で使用する場合、ストラップリング１
４．１５は設けなくても構わない。
発明の効果
以上のように、本発明のマグネトロンによれば、ベイン
端面を凹形状にすることにより、隣接したベイン間のす
きまに高周波電界分布を集中させ、分布のすそ野をなく
すことができる。しかも、このような高周波電界分布に
よって輪郭が明確な電子雲を形成でき、マグネトロンの
動作特性を大幅に向上できる。
端面を凹形状にすることにより、隣接したベイン間のす
きまに高周波電界分布を集中させ、分布のすそ野をなく
すことができる。しかも、このような高周波電界分布に
よって輪郭が明確な電子雲を形成でき、マグネトロンの
動作特性を大幅に向上できる。
第１図は本発明一実施例を示すマグネトロンの陽極円筒
断面図、第２図は第１図の要部拡大図、第３図（ａ）、
（ｂ）、 （Ｃ）はベイン先端形状に関する高周波電
界分布図、第４図および第５図はそれぞれ従来のマグネ
トロンの陽極円筒断面図である。 １１・・・陽極円筒、１２・・・陰極部、１３・・・ベ
イン、１６・・・凹形状。 代理人 森 本 義 弘 第 図 第４図 第ｊ図
断面図、第２図は第１図の要部拡大図、第３図（ａ）、
（ｂ）、 （Ｃ）はベイン先端形状に関する高周波電
界分布図、第４図および第５図はそれぞれ従来のマグネ
トロンの陽極円筒断面図である。 １１・・・陽極円筒、１２・・・陰極部、１３・・・ベ
イン、１６・・・凹形状。 代理人 森 本 義 弘 第 図 第４図 第ｊ図
Claims (1)
- １、陽極円筒と、この陽極円筒と同心状に配設された陰
極部と、前記陽極円筒内に放射状に配設され、前記陰極
部との対向面が凹形状に形成された複数のベインとを備
えたマグネトロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22210588A JPH0272542A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | マグネトロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22210588A JPH0272542A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | マグネトロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0272542A true JPH0272542A (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=16777220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22210588A Pending JPH0272542A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0272542A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222319B1 (en) * | 1997-04-11 | 2001-04-24 | Matsushita Electronics Corporation | Magnetron apparatus having a segmented anode edges and manufacturing method |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP22210588A patent/JPH0272542A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222319B1 (en) * | 1997-04-11 | 2001-04-24 | Matsushita Electronics Corporation | Magnetron apparatus having a segmented anode edges and manufacturing method |
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