JPH027214A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH027214A JPH027214A JP15838288A JP15838288A JPH027214A JP H027214 A JPH027214 A JP H027214A JP 15838288 A JP15838288 A JP 15838288A JP 15838288 A JP15838288 A JP 15838288A JP H027214 A JPH027214 A JP H027214A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- bias
- gap
- magnetic field
- thin film
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 14
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗素子を有する薄膜磁気ヘッドで、特に
バイアス電流によりバイアス磁界を磁気抵抗素子に付加
して外部磁束に対応する出力を得る形式の薄膜磁気ヘッ
ドに関するものである。
バイアス電流によりバイアス磁界を磁気抵抗素子に付加
して外部磁束に対応する出力を得る形式の薄膜磁気ヘッ
ドに関するものである。
従来の技術
最近、磁気ヘッドは高記録密度化の要求が強くなり、中
でも磁束に対応して安定した出力が得られる磁気抵抗素
子を用いた薄膜磁気ヘッドが、高記録密度再生という面
で注目されている。そのためにこの磁気抵抗素子を用い
た薄膜磁気ヘッドのギャップ寸法も、高記録密度化の要
求に伴いより小さいものが望まれている。
でも磁束に対応して安定した出力が得られる磁気抵抗素
子を用いた薄膜磁気ヘッドが、高記録密度再生という面
で注目されている。そのためにこの磁気抵抗素子を用い
た薄膜磁気ヘッドのギャップ寸法も、高記録密度化の要
求に伴いより小さいものが望まれている。
従来、磁気抵抗素子を有する薄膜磁気ヘッドでは、外部
磁界に対応した出力を得るための磁気抵抗素子に対する
バイアス磁層の付加方法として、バイアス磁界を発生す
る永久磁石を磁気抵抗素子後方に配置したり、バイアス
線に電流を流してバイアス磁界を得る方法を用いている
９この中で任意のバイアス磁界が容易に得られるという
理由から主流となっているバイアス線による方法を第２
図に示すと、磁気抵抗素子１１に近接して、磁気抵抗素
子１】に対し矢印Ｎで示されるバイアス磁界を発生する
バイアス線１２が必要となり、さらに分解能を向上させ
るために磁気抵抗素子１１の両側に磁気シールド１３ａ
、１３ｂを配置して必要以外の磁束の流入を防ぐ構造を
とって高周波域における分解能を上げている。
磁界に対応した出力を得るための磁気抵抗素子に対する
バイアス磁層の付加方法として、バイアス磁界を発生す
る永久磁石を磁気抵抗素子後方に配置したり、バイアス
線に電流を流してバイアス磁界を得る方法を用いている
９この中で任意のバイアス磁界が容易に得られるという
理由から主流となっているバイアス線による方法を第２
図に示すと、磁気抵抗素子１１に近接して、磁気抵抗素
子１】に対し矢印Ｎで示されるバイアス磁界を発生する
バイアス線１２が必要となり、さらに分解能を向上させ
るために磁気抵抗素子１１の両側に磁気シールド１３ａ
、１３ｂを配置して必要以外の磁束の流入を防ぐ構造を
とって高周波域における分解能を上げている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような構造においては、磁気シー
ルド１３ａ、１３ｂ間のギャップＢは磁気抵抗素子１１
とバイアス線１２の幅および絶縁層の厚み以下にはなら
ず、ギャップＢの寸法により線記録密度の限界値は制限
され、それ以上の高い線記録密度における再生はできな
いという問題を有している。実際には、磁気抵抗素子１
１の厚みは５００から１０００オングストロームである
のに対し、バイアス線１２は充分なバイアス磁界を発熱
を抑えつつ発生させるため抵抗値を押さえる意味で膜厚
は１５００から２０００オングストロ一ム程度と、磁気
抵抗素子１１と比べ厚いものとなる。またそれぞれの膜
の間の絶縁を充分に得るにはさらに各１０００オングス
トローム程度の絶縁層が必要となり、全体としては０．
５ミクロン程度となってしまい、したがってギャップ寸
法によって決まる線記録密度の限界は、２ＫＦＲＰＭ程
度となる。
ルド１３ａ、１３ｂ間のギャップＢは磁気抵抗素子１１
とバイアス線１２の幅および絶縁層の厚み以下にはなら
ず、ギャップＢの寸法により線記録密度の限界値は制限
され、それ以上の高い線記録密度における再生はできな
いという問題を有している。実際には、磁気抵抗素子１
１の厚みは５００から１０００オングストロームである
のに対し、バイアス線１２は充分なバイアス磁界を発熱
を抑えつつ発生させるため抵抗値を押さえる意味で膜厚
は１５００から２０００オングストロ一ム程度と、磁気
抵抗素子１１と比べ厚いものとなる。またそれぞれの膜
の間の絶縁を充分に得るにはさらに各１０００オングス
トローム程度の絶縁層が必要となり、全体としては０．
５ミクロン程度となってしまい、したがってギャップ寸
法によって決まる線記録密度の限界は、２ＫＦＲＰＭ程
度となる。
本発明はこれらの問題を解決するためになされたもので
あり、その目的とするところは、磁気シールド間のギャ
ップ内からバイアス磁界を得るための手段を取り除くこ
とで狭ギャップ化を可能にして、高い線密度記録におけ
る再生を可能とすることである。
あり、その目的とするところは、磁気シールド間のギャ
ップ内からバイアス磁界を得るための手段を取り除くこ
とで狭ギャップ化を可能にして、高い線密度記録におけ
る再生を可能とすることである。
課題を解決するための手段
」１記の課題を解決するために本発明の薄膜磁気ヘッド
は、導電性磁性材料を配置してバイアス磁界を磁気抵抗
素子に付加するバイアス線の機能と磁気シールドの機能
とを兼ねさせることにより、ギャップ内からバイアス線
を取り除き、ギャップ内には磁気抵抗素子だけしか存在
しない構造としたものである。
は、導電性磁性材料を配置してバイアス磁界を磁気抵抗
素子に付加するバイアス線の機能と磁気シールドの機能
とを兼ねさせることにより、ギャップ内からバイアス線
を取り除き、ギャップ内には磁気抵抗素子だけしか存在
しない構造としたものである。
作用
上記の構成において、磁気抵抗素子の近傍に従来の磁気
シールドに代えて導電性磁性材料を用いたことにより、
この導電性磁性材料に電流を流してバイアス磁界を得る
ことができて、従来のバイアス線と磁気シールドの両者
の１機能を兼ねさせることができるので、ギャップ内に
磁気抵抗素子だけを存在させて狭ギャップ化でき、高い
線密度記録における再生が可能となる。
シールドに代えて導電性磁性材料を用いたことにより、
この導電性磁性材料に電流を流してバイアス磁界を得る
ことができて、従来のバイアス線と磁気シールドの両者
の１機能を兼ねさせることができるので、ギャップ内に
磁気抵抗素子だけを存在させて狭ギャップ化でき、高い
線密度記録における再生が可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示す要部
の概略断面図である。第１図においては、片一方の磁気
シールド側のみバイアス磁界を得る手段として用いたも
のである。すなわち、磁気抵抗素子１を両側から挟む形
に、磁気シールド２と導電性磁性材料３を前記磁気抵抗
素子１の近傍に配置させている。
の概略断面図である。第１図においては、片一方の磁気
シールド側のみバイアス磁界を得る手段として用いたも
のである。すなわち、磁気抵抗素子１を両側から挟む形
に、磁気シールド２と導電性磁性材料３を前記磁気抵抗
素子１の近傍に配置させている。
この薄膜磁気ヘッドにおいて、前記導電性磁性材料３に
電流を流すことで図中に矢印Ｍで示されるバイアス磁界
を磁気抵抗素子１に対して付加するとともに、磁気シー
ルドとして外部磁界の遮断を行ない、磁気抵抗素子１の
外部磁界に対応した出力発生の機能を発揮させ、しかも
必要以外の磁界の影響を遮断して高周波における分解能
の向上を果たす。しかも外部磁界の遮断を行なう磁気シ
ールド２と導電性磁性材料３との間のギヤツブＡ内には
磁気抵抗素子１だけしか存在せず、したがってギャップ
Ａを狭くすることができて、高い線密度記録における再
生が可能であった。
電流を流すことで図中に矢印Ｍで示されるバイアス磁界
を磁気抵抗素子１に対して付加するとともに、磁気シー
ルドとして外部磁界の遮断を行ない、磁気抵抗素子１の
外部磁界に対応した出力発生の機能を発揮させ、しかも
必要以外の磁界の影響を遮断して高周波における分解能
の向上を果たす。しかも外部磁界の遮断を行なう磁気シ
ールド２と導電性磁性材料３との間のギヤツブＡ内には
磁気抵抗素子１だけしか存在せず、したがってギャップ
Ａを狭くすることができて、高い線密度記録における再
生が可能であった。
発明の効果
以上のように本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、磁気抵
抗素子を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、従来のバイア
ス線によりバイアス磁界を付加する形式のものに比べ、
狭ギャップ化ができて高い記録密度における再生が可能
となるなどの極めて優れた効果が得られる。
抗素子を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、従来のバイア
ス線によりバイアス磁界を付加する形式のものに比べ、
狭ギャップ化ができて高い記録密度における再生が可能
となるなどの極めて優れた効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示す要部
の概略断面図、第２図は従来の簿膜磁気ヘッドの要部の
概略断面図である。 １・・・磁気抵抗素子、２・・・磁気シールド、３・・
・導電性磁性材料。 代理人 森 本 義 弘
の概略断面図、第２図は従来の簿膜磁気ヘッドの要部の
概略断面図である。 １・・・磁気抵抗素子、２・・・磁気シールド、３・・
・導電性磁性材料。 代理人 森 本 義 弘
Claims (1)
- １、磁気抵抗素子の両側に配置する磁気シールドの少な
くとも一方に、磁気シールドとしての効果を有し、かつ
電流を流してバイアス磁界を得ることができる導電性磁
性材料を用いた薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158382A JP2853856B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158382A JP2853856B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8275630A Division JP2872150B2 (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 薄膜磁気ヘッド |
| JP27562996A Division JPH09120510A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027214A true JPH027214A (ja) | 1990-01-11 |
| JP2853856B2 JP2853856B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=15670494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63158382A Expired - Lifetime JP2853856B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853856B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11510194B2 (en) | 2013-12-23 | 2022-11-22 | Qualcomm Incorporated | Mixed numerology OFDM design |
| KR20230022257A (ko) | 2020-12-25 | 2023-02-14 | 우베 마테리알즈 가부시키가이샤 | 산화마그네슘 분말, 열전도성 필러, 수지 조성물 및 산화마그네슘 분말의 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199918A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果型ヘツド |
| JPS62270016A (ja) * | 1987-04-24 | 1987-11-24 | Hitachi Ltd | 磁気記憶装置 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63158382A patent/JP2853856B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199918A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果型ヘツド |
| JPS62270016A (ja) * | 1987-04-24 | 1987-11-24 | Hitachi Ltd | 磁気記憶装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11510194B2 (en) | 2013-12-23 | 2022-11-22 | Qualcomm Incorporated | Mixed numerology OFDM design |
| KR20230022257A (ko) | 2020-12-25 | 2023-02-14 | 우베 마테리알즈 가부시키가이샤 | 산화마그네슘 분말, 열전도성 필러, 수지 조성물 및 산화마그네슘 분말의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2853856B2 (ja) | 1999-02-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071120 Year of fee payment: 9 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081120 Year of fee payment: 10 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081120 Year of fee payment: 10 |