JPH0268811A - 異方性導電膜 - Google Patents
異方性導電膜Info
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- JPH0268811A JPH0268811A JP21980588A JP21980588A JPH0268811A JP H0268811 A JPH0268811 A JP H0268811A JP 21980588 A JP21980588 A JP 21980588A JP 21980588 A JP21980588 A JP 21980588A JP H0268811 A JPH0268811 A JP H0268811A
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Links
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Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は異方性導電膜に関する。
［従来の技術］
従来の異方性導電膜は、樹脂中に４電性粉末を充填し、
薄膜化したものであった。
薄膜化したものであった。
［発明が解決しようとする課題］
従来の異方性導電膜は通常の状態では等方性で、導電性
はほとんどない。この異方性導電膜を、二電極間に挾ん
だ場合、圧力方向に樹脂が変形するため、導電性粉末が
接近し、部分的に導通がとれ、異方性があられれる。こ
の異方性導電膜を、二枚の短冊形電極付基板で挾んだ場
合、対応する電極間で導通がとれる。しかし、従来の異
方性導電膜は、圧力をかけた時、上下方向だけでな（、
水平方向にも部分的に圧力がかかり、水平方向にも電流
が流れるようになる。このため、短冊型電極間の距離が
大きいときは、問題にならなかったが、距離が接近した
とき上下方向だけでなく、水平方向にも電流が流れると
いう問題点がありだ。
はほとんどない。この異方性導電膜を、二電極間に挾ん
だ場合、圧力方向に樹脂が変形するため、導電性粉末が
接近し、部分的に導通がとれ、異方性があられれる。こ
の異方性導電膜を、二枚の短冊形電極付基板で挾んだ場
合、対応する電極間で導通がとれる。しかし、従来の異
方性導電膜は、圧力をかけた時、上下方向だけでな（、
水平方向にも部分的に圧力がかかり、水平方向にも電流
が流れるようになる。このため、短冊型電極間の距離が
大きいときは、問題にならなかったが、距離が接近した
とき上下方向だけでなく、水平方向にも電流が流れると
いう問題点がありだ。
そこで本発明は、上記問題点を解決するものであり、そ
の目的とするところは、上下方向にのみ導電性を有する
異方性導電膜を提供することにある［課題を解決するだ
めの手段］ 本発明の異方性２４電膜は、雑誌（高分子、６６巻、４
月号、Ｐ２Ｓ５．１９８７年）に示されている方法によ
り得られる多孔性高分子樹脂薄膜と、該孔中に充填され
た、導電性部材よりなる。
の目的とするところは、上下方向にのみ導電性を有する
異方性導電膜を提供することにある［課題を解決するだ
めの手段］ 本発明の異方性２４電膜は、雑誌（高分子、６６巻、４
月号、Ｐ２Ｓ５．１９８７年）に示されている方法によ
り得られる多孔性高分子樹脂薄膜と、該孔中に充填され
た、導電性部材よりなる。
本発明の異方性導電膜の概略図を第１図に示す同図にお
いて、１１は多孔性高分子樹脂薄膜を１２は導電性部材
を示して℃・る。前記多孔性高分子樹脂薄膜は次の工程
を経て作製される。
いて、１１は多孔性高分子樹脂薄膜を１２は導電性部材
を示して℃・る。前記多孔性高分子樹脂薄膜は次の工程
を経て作製される。
マス、ポリ（ヒニルアルコール（ＶＡ）−ｂ−４＝ビニ
ルピリジン−（４ｖｐ））を水／メタノール溶液からキ
ャストし、界面付近にＰ４ＶＰ球状ミクロドメインを有
する薄膜をつくる。
ルピリジン−（４ｖｐ））を水／メタノール溶液からキ
ャストし、界面付近にＰ４ＶＰ球状ミクロドメインを有
する薄膜をつくる。
次いで、これを支持膜とし、この上に単独ではラメラ構
造を示す単分散ポリ（スチレン（Ｓｔ）−ｂ−４ｖｐ）
をキャストする。
造を示す単分散ポリ（スチレン（Ｓｔ）−ｂ−４ｖｐ）
をキャストする。
このようにすると、Ｐ４ＶＰ球状ミクロドメイン上に円
柱状にｐ４ｖｐが成長し、その回りをポリスチレンがお
おうようになる。
柱状にｐ４ｖｐが成長し、その回りをポリスチレンがお
おうようになる。
この様な場合膜から、支持膜と、円柱状のＰ４ＶＰを除
去すれば、膜面にほぼ垂直方向に、多数の個々独立下孔
を有す多孔性高分子樹脂薄膜が得られる。
去すれば、膜面にほぼ垂直方向に、多数の個々独立下孔
を有す多孔性高分子樹脂薄膜が得られる。
次に、この多孔性高分子樹脂簿膜に導電性物質を充填す
るわけであるが、この方法としては、導電性高分子モノ
マーを充填しポリマー化する方法、金属を蒸着した後、
研磨等により余分の金属を除去する方法等が考えられる
。
るわけであるが、この方法としては、導電性高分子モノ
マーを充填しポリマー化する方法、金属を蒸着した後、
研磨等により余分の金属を除去する方法等が考えられる
。
［作用］
本発明の異方性２４電膜によれば、高分子樹脂薄膜より
なる絶縁体にあいた貫通孔の中に充填された導電物質に
より導通をとるため、水平方向に電流が流れろことはな
い。
なる絶縁体にあいた貫通孔の中に充填された導電物質に
より導通をとるため、水平方向に電流が流れろことはな
い。
又、孔の間隔も０．１ミクロン以下となるため、非常に
微細な短冊状の電極間の導通も簡単にとることができる
。
微細な短冊状の電極間の導通も簡単にとることができる
。
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
［実施例］
ポリ（ＶＡ−ｂ−４ＶＰ ）の水／アルコール（７０／
３０）溶液をガラス基板上にキャストし、溶媒を乾燥除
去した。
３０）溶液をガラス基板上にキャストし、溶媒を乾燥除
去した。
乾燥後、この薄膜上にポリ（Ｓ ｔ−１）−４ＶＰ ）
の１％ １ １．２−）ｊＪジクロロタン溶液を薄膜の
厚みが０．２５μｍになるようにキャストし、複合、１
漢とし、乾燥した。この操作を４回繰り返し１μｍの膜
とした。
の１％ １ １．２−）ｊＪジクロロタン溶液を薄膜の
厚みが０．２５μｍになるようにキャストし、複合、１
漢とし、乾燥した。この操作を４回繰り返し１μｍの膜
とした。
この複合膜を水／メタノール（７０／３０ ）に浸漬し
、可溶性部分を溶出し、多孔性ポリスチレン膜を得た。
、可溶性部分を溶出し、多孔性ポリスチレン膜を得た。
つぎに、この膜面に金を蒸着したのち、面上の金を研磨
により除き、導電物質が孔に充填された異方性導電膜を
得た。
により除き、導電物質が孔に充填された異方性導電膜を
得た。
以上実施例を述べたが、本発明は以上の実施例のみなら
ず、広く他の金属例えば銅、銀、アルミニウムなどに応
用が可能である。
ず、広く他の金属例えば銅、銀、アルミニウムなどに応
用が可能である。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、今後超微細化が予想
される液晶デイスプレィや半導体の電極のとりだしが簡
単になるという効果を有する。
される液晶デイスプレィや半導体の電極のとりだしが簡
単になるという効果を有する。
第１図は、本発明の異方性導電膜を示す図である。
１１・・・・・・多孔性高分子樹脂薄膜１２・・・・・
・導電性部材 以上
・導電性部材 以上
Claims (1)
- 面と交差するようにあき、それぞれが独立した、多数の
孔を有す多孔性高分子樹脂薄膜と、該孔中に充填された
、導電部材よりなることを特徴とする異方性導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21980588A JPH0268811A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 異方性導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21980588A JPH0268811A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 異方性導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0268811A true JPH0268811A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16741317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21980588A Pending JPH0268811A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 異方性導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0268811A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995002313A1 (en) | 1993-07-06 | 1995-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Heat dissipating sheet |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP21980588A patent/JPH0268811A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995002313A1 (en) | 1993-07-06 | 1995-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Heat dissipating sheet |
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