JPH02643A

JPH02643A - 非結晶性粒状合成樹脂の結晶化の方法とその装置

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Publication number: JPH02643A
Application number: JP63252860A
Authority: JP
Inventors: Roderich W Graff; ロデリッヒ・ヴェー・グラーフ
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1987-10-06
Filing date: 1988-10-06
Publication date: 1990-01-05
Anticipated expiration: 2015-03-27
Also published as: EP0310968A3; DE3878625D1; EP0310968A2; DE3733793A1; EP0310968B1; JP3025273B2; DE3733793C2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】技術分野本発明は非結晶性の粒状合成樹脂、特に熱可塑性ポリエ
ステル（ＰＥＴＰ）の粒子の少なくと乙外皮を結晶化す
る方法に関する乙のである。この方法においては、加熱
用高温ガスは撹拌槽へ導かれ、撹拌槽を沈下する粒状物
に対向する方向に流れる。

その際、結晶化の監視のために撹拌槽に導かれる加熱用
ガスの温度が測定される。本発明は更にこの方法を実行
する装置に関するものである。

従来技術例えば、可塑性ポリエステル（ポリエヂレンテレフタラ
ート、ＰＥＴＰ）のような粒状合成樹脂は、非結晶ある
いは結晶の形で存在する。非結晶性の粒状物の結晶状態
への変換には粒状物を加熱用ガスによって、」二連のポ
リエステルではおよそ９０℃から１１０℃の結晶化温度
まで加熱する。

そのために、粒状物は撹拌機を装備する撹拌槽に装入さ
れ、低回転の撹拌機で撹拌されながら沈下する。同時に
空気あるいは窒素のような加熱用ガスは撹拌槽の中で粒
状物の沈下運動とは逆方向に下から吹き込まれる。上述
の例では、結晶化温度の＋２５℃より高い入口温度に設
定された加熱用ガスは粒状物の間を通過し、これを結晶
化温度まで加熱する。

従来、粒状物が十分結晶化されることを確実にするため
に加熱用ガス排気口を通って撹拌槽から出て来る加熱用
ガスの温度を測定して来た。この排気口での温度が新し
く撹拌槽に装入されたおよそ室温に等しい粒状物の温度
からガスの入口温度まで上昇するならば、粒状物の結晶
化は希望通りおこなわれたことが確実であるので、結晶
化した粒状物を撹拌槽から取り出すことができる。

しかし、この方法は多くの欠点を持っている。

まず第一に、撹拌槽に粒状物を封入している時間が非常
に長いことである。それは通常２時間あるいはそれ以上
になる。これに対応して時間当りの粒状物結晶化１は少
ない。更に、加熱用ガスの出口温度か高いために熱損失
が比較的大きい。また、低温の非結晶粒状物を撹拌槽に
装填後、加熱用ガスの出口温度が上昇するまで粒状物の
取り出しを待たねばならないので、結晶化された粒状物
を撹拌槽から連続的に取り出すことはほとんど不可能で
ある。

発明の目的従って、本発明は、従来避けられなかった熱損失を少な
くするとともに撹拌槽から結晶化した粒状合成樹脂を連
続して取り出すことができる様に、撹拌槽内の粒状物を
部分的に結晶化するという課題が基礎になっている。ま
た、この新しく開発された方法を実行する装置が製作で
きる。

発明の要旨本発明にかかる、非結晶性粒状合成樹脂の結晶化の方法
は、撹拌槽に入る加熱用ガスの入口温度を撹拌端から出
る粒状物の取り出し温度以上の値に保つということを特
徴とする乙ので、この方法により上記従来の欠点を解消
したちのである。すなわち、本発明の方法によって、結
晶化した粒状物の撹拌槽からの取り出しを、取り出し温
度が結晶化温度よりわずか高く、しかも加熱用ガスの入
口温度以下の温度に制御することが可能となる。

すなわち、撹拌槽内で軸方向の本質的には薄い層の粒状
物をこれまでより高温の加熱用ガスによって加熱すれば
、希望する結晶化にとっては十分であることが示される
。それゆえ、加熱用ガスの出口温度は結晶化の監視のた
めには不要となる。加熱用ガスは粒状物の装入温度、従
って、およそ室温で撹拌槽を出ることが可能になるので
、この発明に上り熱損失か減る。撹拌槽に送られる加熱
用ガスの持つ熱は全て結晶化に利用される。加熱用ガス
の出口温度は、最早、重要ではなくなるから、この発明
により撹拌槽の連続運転が可能となる。

同じ大きさの撹拌槽では時間当りの粒状物流量で表した
結晶化能力は大きく上昇する。

本発明は、また上記方法を実施する装置として、加熱用
ガス入口温度はその温度より低い撹拌槽内の粒状物の温
度との関係でコントロールされる。

これにより撹拌槽の自動運転が可能になるようにした装
置を新規に創作したちのである。

本発明は、撹拌槽からの粒状物取り出し速度を加熱用ガ
スの入口温度より低い粒状物の温度との関係でコントロ
ールするという方法をとることにより有利性が得られる
。

非結晶の熱可塑性ポリエステル（ｐＥＴＰ）粒子の外皮
の結晶化には、加熱用ガスの入口温度を約＋４０℃から
約１８０℃ｉ、：保つことか推奨される。

この範囲の上限、ここでは１８０℃は、粒状物の軟化温
度以下になることを優先して選ばれる。さらに、加熱用
ガスは撹拌槽内の挟い環状空間へその接線方向に吹き込
まれることを推奨される。

上部に粒状物装入口、加熱用ガス排出口、これより下に
は粒状物取り出し口、ならびに内部に撹拌機を有する撹
拌設備は、撹拌槽が加熱用ガスの入口近くで粒状物およ
び加熱用ガスに対する狭い通過断面積を持つとき、本発
明に値する方法の実施によって特に好都合となる。こう
して作られた、撹拌槽の断面積と比較すれば相対的に狭
い通過断面積は、相対的に高い空気速度と粒状物への非
常に高い熱伝達を乙たらず。本発明によって得られろ１
３分から１０分の短い結晶化時間は、粒状合成樹脂を種
類と粒子の大きさに応して完全にあるいは少なくとし表
面を、撹拌槽内の一部の槽で広く結晶化させ、遅く入れ
た層か結晶化しなかったりあるいはオーバーワータした
りすることを防くためには十分である。従って、非結晶
質から結晶質へ変換４−ろ領域は撹拌槽内の比較的小さ
い体積部分に限定され、撹拌装置によって粒状物を十分
混合させろべきところはこの狭い領域に限定される。

その結果、撹拌装置は単純に作ることができ、運動エネ
ルギーは小さくてすむ。

本発明にふされしい装置をより良く働かせるために、撹
Ｆ４’槽は槽中間にぷ状域をなす粒状物と加熱用ガスの
ための狭い通過開口部を形成する壁を備えている。その
壁は撹拌槽の外壁の内面に下・内側に向かって固定され
ている。環状域は加熱用ガスの入口近くの内部に撹拌槽
外壁の内面から内側に向かって斜め下方に伸びている。

この構成により撹拌（・ｎの横断面狭路と呼ばれる構造
上簡単な形か実現される。

また、本発明にふされしい撹拌槽内部の装置の製作にお
いて、更に、第二の回転壁が外壁から離れて取り付けら
れるならば、流れに対するこの様な横断面は粒状物の結
晶化のためには特に好都合となる。この回転壁は狭い通
過域、言い換えれば、下側が通過開口部となり、内側に
向かって斜め下方に伸びる環状域を形成するととらに、
粒状物と加熱用ガスの入らない核領域を囲む。この回転
壁は撹拌槽の軸に対して結晶化すべき粒状物の堆積角よ
りは明らかに急傾斜をなす。袖に対するこの傾斜角は外
側にある壁の垂直壁に対する角度より目的があって小さ
い。本発明にふされしい装置のこの形状により、粒状物
がゆっくり沈下する比較的断面積の狭いその環状域は、
加熱用ガスのみの空間になる可能性はなく、常に粒状物
によってｌ：Ｑだされていることか確実である。

本発明の装置の製作を更に進めるとき、二重用Ｍｔの下
部分の壁をつくるならば、粒状物の特に−（、ηでくぼ
みのない沈下は環状域によって生じる。

二重円錐は撹拌槽の中心軸に一致する回転軸に、撹拌羽
根との距離をおいて固定されている。この場合、二重円
錐の１ζ方の端、従って、下部分の壁は流路断面積の小
さい位置のＬ側にある。核領域を囲む二重円錐の上部分
の壁は下部分の壁より回転軸に対して大きいｆＩＨ度を
なしている。

本発明のより１ｌＴ−ましい実施例として、なかんずく
、第一番目の温度検出器を取り上げろことかできる。そ
の温度検出端は撹拌槽内の通過断面積が狭くなる位置の
すぐ下の粒状物の中に取り付けられている。この温度検
出器は結晶化した層の軸方向のすく下の粒状物の温度を
示す。この温度は加熱用ガス入口温度とは明らかに異な
る。この温度検出器により、粒状物の温度をあまり高く
上げすぎ、その結果生じる望ましくない変化を最小にで
きろように、加熱用ガス入口温度をコントロールするこ
とが可能である。

二番目の温度検出器は結晶性の粒状物のみが撹ｒｌ″、
ｔｆｌから取り出されることを監視するのに有利なよう
に粒状物取り出し口のすぐ上に取り付けられている。

最後に、以上の２本の温度検出２；、ならびに、加熱用
ガスの入口温度を測定ずろ三番目の温度検出器の出力信
号を受け取り、ヒーターで加熱用ガスに与える熱量をコ
ントロールする制御器を設置することが特に有利である
ことが示されろ。

γ籠性以下、本発明を図面に示す実施例について詳細に、脱明
する。

図で示した装置はポリエチレンテレフタラート（１）Ｆ
ＴＰ）粒子の少なくとも外皮の結晶化に役立ち、撹拌槽
２０、送風機５、ヒータ７で構成されろ。これらをつな
ぐ空気管はここでは可動台ｌに据え付けられている。

送風機５とヒータ７は普通の構造である。ヒータ７につ
いて補足すると、これを通過する加熱用ガスに与える熱
量は制御器１００で制御されるようになっている。撹拌
←７９２０の加熱用ガス出口２４は空気管２によって送
風機５の吸気口に接続されている。送風機５の加圧空気
出口は空気管３によりヒータ７の入口につなかっている
。また、ヒータ７の出口は空気管１１により撹拌槽２０
の加熱用ガス入口２６に接続されている。空気管４に（
よ加熱用ガス入口２６の直前に三番目の温度検出２Ｈ＋
４か取り付けられている。

撹拌槽は円筒形をしている。下部には粒状物の取り出し
口２８か円錐形になって付いている。本体の在２１の上
には撹拌機の回転軸８０の駆動用電動モーフ２３か取り
付けられている。撹拌機は本体を■き、粒状物取り出し
口２８のすぐ上まで配置されている。本体は円筒形の上
部部分６２で構成されるが、その下端は台皿７０に固定
されている。台皿は円筒形断面７１と粒状物取り出し口
２８の付いている円錐形断面７２でできている。

蓋２１には外側に粒状物装入漏斗２５が取り付けられる
装入口２２とすでに述べた加熱用ガスの排気口２４を備
えている。

上部部分６２の外壁４４の内側から回転軸８０に向かっ
て等間隔にたくさんの平行な腕４Ｉ・１３，４１５．４
７が半径方向に軸８０までの距だのおよそ半分の長さ突
き出している。その断面は上から沈下する粒状物を上ま
たは横に反らし、下に行くのを妨げる様になっている。

外壁４・１に向かって半径方向に伸びている撹拌棒８２
，８４．８６．８８か、外壁からででいる腕、１１．．
１３．４５．４７の間を回転するように、回転軸８０に
等間隔に取り付けられている。撹拌棒の断面は粒状物１
０の撹拌に際して粒状物に働く下向きの圧力をなくすよ
うになっている。

断面７１の内面には内面と、）ｒ７ｉ度４５°で下・内
向きに円錐形をした第一の壁４２が固定されている。こ
の壁は回転軸８０のまわりに円形の通過開口部４６を開
けている。第２図でわかるように通過開口部４６を直径
は断面７１の内径のおよそ半分である。壁４２は断面７
Ｉの内面に向かう下側を断熱材４つにより十分断熱され
ている。断熱１４の端は回転軸８０に向かい斜めになっ
ている。

断熱材４９と断面７１の内面の間に形成されたくさび形
空間７３には加熱用空気入口２６により内面の接線方向
に空気管４が接続される。

回転軸８０には第一の一対の撹拌棒９２，９４か輔８０
のまわりを通過開口部４６の位置で回るように互いに反
対方向に取り付けられている。それぞれの撹拌棒９２，
９４は軸８０に取り付けられて半径方向に伸びている部
分９３．９５にくっつけられている。この部分には常に
円錐壁４２に毛行になってまイつる端部９７，９９が付
いている。

更に、回転軸８０には二重円錐５５が取り付けられてい
る。その下側の端は撹拌棒９２，９４の１＜」二、従っ
て、通過開口部４６のすぐ」二にある。

二重円錐５５は下に向かって拡がる頭［１］型の円錐形
をした上部分５４と下に向かって小さくなる円錐形をし
た下部分５２からなる。上下の部分５・１と５２は互い
に、また、回転軸８０に強くくっつけられているので粒
状物は二重円錐にかこまれた咳領域５０には入ることか
できない。下部分５２は第２図の様に璧４２て囲まれる
空間からその上にまたがっている。

このようにして壁４２と壁５２の間に環状空間４０かで
きろ。この空間は斜め下向きに通過開口部・１６まで伸
び、ここを粒状物が通過する。その際、壁５２の勾配は
環状空間４０で結晶化する粒状物の堆積角より急である
ということに注へすべきである。ここで、例として挙げ
た粒状ポリエヂレンテレフタラートの結晶化の場合、壁
５２と軸８０の間の角度は３０°になろように固定する
。

これに対して、二重円錐の」二部分５４は軸８０との角
度か４５°になっている。

回転軸８０には半径方向に伸び、互いに反対側にある撹
拌棒３２，３４より成る第二の一対の撹拌用の腕が取り
付けられている。この腕の回転軸近くの部分３３．３５
は壁５２を貫通し、その端の部分３７，３９は壁４２に
平行な角度を持ち、壁４２の上の縁のところで終わる。

第２図でわかるように、撹拌棒３２，３４は撹拌棒９２
，９＝１と直角を成すように軸８０に取り付けられてい
る。軸８０が回転すると撹拌棒３２，３４は環状域４０
の断面の上部をまわることになる。

更に、円錐断面７２の内側には一対の撹拌棒が取り付け
られている。第２図には、この内撹拌俸５にたけか示さ
れている。

断面７１と断面７２の接続部には第一の温度検出器１８
の保持器７４か取り付けられている。その温度検出端１
９は通過開口部４６のすぐ下で半径方向には回転軸８０
と通過開口部の縁の中間に取り付けられている。

粒状物取り出し口２８の上側には断面７２に第二の温度
検出器１６の保持器７５が取り付けられている。その温
度検出端は中心軸の付近で回転軸８０のＦ端の下側に取
り付けられている。

温度検出器１６．１８の出力信号線は図には示されてい
ないが、制御器１００のそれぞれの入口に導かれている
。制御器１００は自動制御系を備えている。これは第一
の温度検出器１８からの信号を結晶化した粒状物の実信
号として設定値、例えば１２０℃、と比較し、比較から
生じたヒータ７の、調整信号はヒータから与えられる熱
の増減に用いられる。比較により生じた空気の流入温度
の上昇あるいは下降は第三の温度検出器ｉ４からの信号
の助けで制御器！００によって監視される。

その際、制御器１００は空気の流入温度を１４０℃から
１８０℃の範囲、従って、環状域・１０の粒状物の結晶
化温度より著しく高いかそれてら軟化温度２５０℃より
は明らかに低くなる様にヒータ７を調節する。より良い
」１整ということを基本にして各部か別々に調整される
が、機器を構成ずろひとつまたはたくさんの部品を統合
して制御かおこなわれることが理解できる。

運転においては粒状のＰ　Ｅ　Ｔ　Ｐは入口２２を通っ
て槽内！ｎ標示器に示されろ位置のところまで撹拌槽２
０に装入される。粒状物は通常室温である。

粒状物は連続的に装入されるので、槽内の４Ｈは連続し
て一定に保たれる。また、約１４０℃から約１８０℃の
間の温度の空気は加熱用ガス入口から撹拌槽２０に吹き
込まれろ。その温度は上述の値の範囲に保たれる。この
温度は結晶化温度である約９０℃から約１１０℃より高
い。加熱用空気は断面１１９の下を通過開口部の縁のま
イつりを内側に向かって粒状物の中へ流れ込む。そして
、粒状物の中を上の方へ流れ、加熱用ガス出口２４から
流れ出る。第一の温度検出器１８により測定されたｌΔ
に度は約１２０℃に達するが、このことより、開［１部
・１６を通して下の方に沈下する粒状物は望み通りの方
法で結晶化されるごとか明らかである。

その後、結晶化された粒状物は取り出し口２８から取り
出されろ。

第一の温度検出器！８によって測定した温度か約１２０
℃以下に降下すれば制御器１００はヒータ７からより多
くの熱をヒータを通過する空気に与えろように制御する
ので、第三の温度検出器ｌ　１１で測定されて制御器１
００に送られる流入空気温度は約１８０℃の限界値より
乙高くなる。ヒータ７による給熱を増加させろためには
、結晶化した粒状物の取り出し口２８からの取り出し速
度を減少さ仕てらよい。これは例えば、取り出し口２８
に取り付けられた粒状物取り出し速度を制御するバケツ
型の弁によって可能となる。

第−の温度検出器１８で測定された温度か１２０℃以上
に」二がると制御器１００はヒータ７がら空気への供給
、熱量を少なくするかあるいはハケツ型弁によって結晶
化した粒状物の取り出し速度を測定、１１に度が再び約
１２０℃に下がるまで大きく　４゛る。

第二の温度検出器１６は撹拌槽２０を出ろ粒状物の温度
か実際に、１２０℃になる様にコント［１−ルするのに
用いられる。この温度検出器１６は撹ｎ’　ｍ内の高温
空気の丁に設置されているので加熱用ガスの温度と間違
うことなく粒状物の温度を測定できろ。

環状域４０の中で粒状物を完全に結晶化するため撹ｒＰ
槽を沈下する粒状物は環状域４０の上部で撹ｒ１！され
る。既に述べた撹拌棒８２，８４．８６は二重円錐の下
部分５２からできるだけ遠くに取り付けられている。

第２図には上記のすべての撹拌棒がその位置で、回転軸
８０の９０°回転後には下側を二重線にして描かれてい
る。

効果」二足実施例に、詳記した如く、本発明に係る非結晶性
の粒状合成樹脂、持に熱可塑性ポリエステル（Ｐ　Ｉ’
：　Ｔ　Ｉ’　）の拉−ｒの少なくと乙外皮を結晶化ず
ろ方法においては、加熱用ガスは撹拌槽へ導かれ、撹拌
槽を沈下する粒状物に対向する方向に流され、このとき
、粒状物は結晶化温度まで加熱され、こうして非結晶の
粒状合成樹脂を部分的に結晶化４゛るらのであり、本発
明の方法によれば、これまて生してきた熱損失を軽減し
て、撹拌槽から結晶化した粒状樹脂を連続的に取り出１
゛ことが可能となり、また、撹拌槽に導かれる加熱用ガ
スの入口温度は撹拌槽から出る粒状物の取り出し温度よ
り高くなることがｔ見される乙のであり、また本発明の
方法を実行するための装置を簡単な構成で提供すること
がてきるらのてある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の装置の側面図、第２図は第１図で示
した撹拌槽の爪直軸を含む断面図である。２０，１・空気管、　　　　５・・・送風機、７・・ヒ
ータ、　　　　　　２０・・・撹拌槽、２１−蓋、　　
　　　　　２２　・装入口、２３・・駆動り旧Ｕ動モー
タ、２４１・・加熱用ガス出口、２５　・粒状物装入漏斗、
２６　加熱用ガス入１」、２８・−粒状物取り出し口、６２　・円筒形」二部部分、７０　・台Ｉ１１．７Ｉ・
円部形断面、　　　７２・・円錐杉断面、８０　回転軸
、　　　　　１００　　・制御器。図面の浄Ｂ（内容に変更なし）ｊｇＪ特許出願人　ロデリノヒ・ヴ工−・グラーフ代理人弁理
士Ｉ！を山　葆（也Ｉ名手続補正書坊昭和６年特許願第２０号発明の名称非結晶性拉状合成樹脂の結晶化の方法とその装置補正を
する者事件との関係

Claims

【特許請求の範囲】

（１）加熱用ガスが撹拌槽へ導かれて撹拌槽を沈下する
粒状物に対向する方向に流され、その際、粒状物は結晶
化温度まで加熱されるようにした、非結晶性の粒状合成
樹脂、特に熱可塑性ポリエステル（ＰＥＴＰ）の粒子の
少なくとも外皮を結晶化する方法にして、上記撹拌槽に
入る加熱用ガスの入口温度が粒状物を撹拌槽（２０）か
ら取り出す温度以上の値に保たれるようにしたことを特
徴とする非結晶性粒状合成樹脂の結晶化の方法。
（２）特許請求の範囲第１項に記載の方法にして、加熱
用ガスの入口温度を撹拌槽内での加熱用ガスの入口より
下にある粒状物温度に関係させて制御するようにしたこ
とを特徴とする方法。
（３）特許請求の範囲第（１）項または第（２）項に記
載の方法にして、粒状物の撹拌槽からの取り出し速度を
撹拌槽内の加熱用ガスの入口の下の粒状物の温度に関係
して制御するようにしたことを特徴とする方法。
（４）特許請求の範囲第（１）項乃至第（３）項のいづ
れかに記載の方法にして加熱用ガスとして空気を用いる
ことを特徴とする方法。
（５）特許請求の範囲第（１）項乃至第（３）項のいづ
れかに記載の方法にして、加熱用ガスとして窒素を用い
ることを特徴とする方法。
（６）特許請求の範囲第（１）項乃至第（５）項のいづ
れかに記載の方法にして、非結晶性ポリエチレンテレフ
タラート（ＰＥＴＰ）の粒子の外皮の結晶化の方法は加
熱用ガスの入口温度が約１４０℃から約１８０℃に保た
れるようにしたことを特徴とする方法。
（７）特許請求の範囲第（１）項乃至第（６）項のいづ
れかに記載の方法にして、加熱用空気が撹拌槽内の狭い
環状空間にその接線方向に吹き込まれることを特徴とす
る方法。
（８）特許請求の範囲第（１）項の方法を実施する装置
として、撹拌槽（２０）、粒状物装入口（２２）、加熱
用ガス出口（２４）、下方の加熱用ガス入口（２６）お
よび加熱用ガスの下方の粒状物取り出し口（２８）なら
びに撹拌槽内部にある撹拌機（３０）を備え、粒状物（
１０）および加熱用ガスが通過する上記撹拌槽（２０）
は加熱用ガスの入口（２６）の近くで通過断面積の狭く
なる部分を持つことを特徴とする非結晶性粒状合成樹脂
の結晶化の装置。
（９）特許請求の範囲第（８）項に記載の装置にして、
撹拌槽の内側には加熱用ガス入口（２６）の近くで一周
している円錐形壁（４２）を設け、これは撹拌槽（２０
）の外壁（４４）の内面から下・内向きに伸びるように
取り付けられ、真中には粒状物と加熱用ガスのための通
過開口部（４６）が形成されることを特徴とする装置。
（１０）特許請求の範囲第（８）項または第（９）項に
記載の装置にして、上記撹拌槽（２０）の中に更に回転
壁（５２）が外壁（４４）と離れて取り付けられ、かつ
該壁は通過開口部まで達し、又、下・内側に傾いた環状
域（４０）を下・内側の方向に拡げ、粒状物（１０）と
加熱用ガスの入らない空間（５０）を囲み、通過断面積
の狭くなる部分を形成していることを特徴とする装置。
（１１）特許請求の範囲第（９）項または第（１０）項
に記載の装置にして、上記壁（５２）は撹拌槽で結晶化
される粒状物質（１０）の堆積角より急傾斜していると
いうことを特徴とする装置。
（１２）特許請求の範囲第（８）項乃至第（１１）項の
いづれかに記載の装置にして、上記撹拌槽には上部分（
６２）があり、これは粒状物の取り出し口（２８）に向
かって円錐形になっている台皿（７０）に固定されて、
かつ撹拌槽の中心軸は回転軸（８０）が貫き、この軸に
は軸方向に距離をおいて撹拌棒（８２、８４、・・・・
・・）ならびに下端が通過面積の狭くなる部分とおよそ
同じ高さになる位置に二重円錐（５５）が取り付けられ
ていることを特徴とする装置。
（１３）特許請求の範囲第（１２）項に記載の装置にし
て、上記二重円錐の上部分（５４）で囲まれる核は下部
の壁（５２）で作られる核よりも軸となす角度が大きく
なるようにしたことを特徴とする装置。
（１４）特許請求の範囲第（１２）項または第（１３）
項に記載の装置にして、上記撹拌棒（９２）のうちのひ
とつは少なくとも通過開口部（４６）に配置されること
を特徴とする装置。
（１５）特許請求の範囲第（９）項乃至第（１４）項の
いづれかに記載の装置にして、加熱用ガスの入口（２６
）の上方で外壁（４４）に固定された壁（４２）はその
下側が断熱されていることを特徴とする装置。
（１６）特許請求の範囲第（９）項乃至第（１５）項の
いづれかに記載の装置にして、上記壁（４２）は外壁に
対して約４５°の角をなすことを特徴とする装置。
（１７）特許請求の範囲第（１０）項乃至第（１６）項
のいづれかに記載の装置として、上記壁（５２）は撹拌
槽（２０）の軸に対して約３０°の角をなすことを特徴
とする装置。
（１８）特許請求の範囲第（８）項乃至第（１７）項の
いづれかに記載の装置にして、上記通過開口部（４６）
の直径は撹拌槽（２０）の狭くなっていない部分の直径
のおよそ半分であることを特徴とする装置。
（１９）特許請求の範囲第（８）項乃至第（１８）項の
いづれかに記載の装置にして、温度検出器（１８）が撹
拌槽に取り付けられ、その測定端（１９）は粒状物通過
断面積の挟くなる部分の下に配置されることを特徴とす
る装置。
（２０）特許請求の範囲第（８）項乃至第（１８）項の
いづれかに記載の装置にして、第二の温度検出器（１６
）が撹拌槽（２０）の粒状物取り出し口（２６）のすぐ
上に取り付けられていることを特徴とする装置。
（２１）特許請求の範囲第（８）項乃至第（２０）項の
いづれかに記載の装置にして、上記加熱用ガスの出口（
２４）は送風機（５）の吸込口に接続され、かつ送風機
の吐出方向にはヒータ（７）が加熱用ガス入口（２６）
に接続され、さらに第三の温度検出器（１４）は加熱用
ガス入口に取り付けられ、制御器（１００）に接続され
、該制御器は温度検出器（１４、１６、１８）からの出
力信号を受け取り、ヒータで加熱用ガスに与える熱量は
この出力信号との関係でコントロールされるようにした
ことを特徴とする装置。