JPH0262051B2 - - Google Patents

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JPH0262051B2
JPH0262051B2 JP58205667A JP20566783A JPH0262051B2 JP H0262051 B2 JPH0262051 B2 JP H0262051B2 JP 58205667 A JP58205667 A JP 58205667A JP 20566783 A JP20566783 A JP 20566783A JP H0262051 B2 JPH0262051 B2 JP H0262051B2
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JP
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transistor
circuit
terminal
current
overcurrent detection
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Ikuo Nishimoto
Shinichi Kuno
Shigeru Aoshima
Giichi Kawashima
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0826Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in bipolar transistor switches

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電子スイツチたとえば近接スイツチ
の過電流検出回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an overcurrent detection circuit for an electronic switch, such as a proximity switch.

従来この種の過電流検出回路は第1図および第
2図に示すように出力トランジスタTr1のエミツ
タにエミツタ抵抗R1を挿入し、この両端の電圧
Vr1を過電流検出用のトランジスタTr2によつて
検出し、これにより過電流を検出するのがもつと
も簡単な方法であり、かつひじように多くの用途
に使用されている。この方法は簡単に実現しうる
反面ON時の出力端子残り電圧がひじように大き
くなつてしまう欠点を有していた。すなわちトラ
ンジスタTr1のON時残り電圧Vonは出力電流値
とトランジスタTr1の出力電流容量によるが、今
仮にVonをVon=0.2〔V〕、出力電流It=150〔m
A〕とし、これに過電流検出回路を含め200〔m
A〕以上の電流が流れたとき、これを過電流とす
る。そしてトランジスタTr2のベース−エミツタ
間電圧Vbeが0.7〔V〕以上を検出されるとエミツ
タ抵抗R1の値は R1=0.7〔V〕/0.2〔V〕=3.5〔Ω〕 となる。また出力電流It=150〔mA〕の時のエミ
ツタ抵抗R1の両端の電圧Vr1は Vr1=3.5×0.15≒0.525〔V〕 となり、したがつてトランジスタTr1とエミツタ
抵抗R1の直列回路の電圧Vxは Vx=Von+Vr1=0.2+0.525=0.725〔V〕 となる。このように過電流検出回路が挿入された
ことにより、電子スイツチとしてのON時出力残
り電圧は3倍以上となり、計算式から明らかなよ
うに出力トランジスタTr1の出力電力容量を大き
くして、そのON時出力残り電圧Vonをいくら小
さくしても過電流検出回路を含めたON時出力残
り電圧はほとんど低下しないという欠点があつ
た。
Conventionally, this type of overcurrent detection circuit has an emitter resistor R1 inserted into the emitter of the output transistor Tr1 , as shown in Figures 1 and 2, and the voltage across this
Detecting Vr 1 using an overcurrent detection transistor Tr 2 and thereby detecting an overcurrent is a simple method and is used in many applications. Although this method is easy to implement, it has the disadvantage that the residual voltage at the output terminal when it is turned on becomes extremely large. In other words, the remaining voltage Von when the transistor Tr 1 is ON depends on the output current value and the output current capacity of the transistor Tr 1 , but if Von is Von = 0.2 [V] and the output current It = 150 [m
A], including the overcurrent detection circuit, and 200 [m
A) When a current of more than 100% flows, this is considered an overcurrent. When the base-emitter voltage Vbe of the transistor Tr 2 is detected to be 0.7 [V] or more, the value of the emitter resistance R 1 becomes R 1 =0.7 [V]/0.2 [V] = 3.5 [Ω]. Also, the voltage Vr 1 across the emitter resistor R 1 when the output current It = 150 [mA] is Vr 1 = 3.5 × 0.15≒0.525 [V], and therefore the series circuit of the transistor Tr 1 and the emitter resistor R 1 The voltage Vx is Vx=Von+Vr 1 =0.2+0.525=0.725 [V]. By inserting the overcurrent detection circuit in this way, the remaining output voltage when turned on as an electronic switch is more than tripled, and as is clear from the calculation formula, the output power capacity of the output transistor Tr 1 is increased and The drawback is that no matter how much the ON output residual voltage Von is reduced, the ON output residual voltage including the overcurrent detection circuit hardly decreases.

また従来の過電流検出回路においてはトランジ
スタTr1のベース−エミツタ間電圧が過電流検出
電圧であつたために大きな負の温度係数を有して
いた。
Further, in the conventional overcurrent detection circuit, since the base-emitter voltage of the transistor Tr1 was the overcurrent detection voltage, it had a large negative temperature coefficient.

この発明はこのような従来の欠点を解消しよう
とするもので、この発明の第1の目的はトランジ
スタのベース−エミツタ間電圧により過電流を検
出するものに比し、検出電圧を小さくし、これに
よつて電子スイツチの過電流検出用抵抗を小さく
し、いきおい電子スイツチとしてのON時残り電
圧を小さくしようとするものである。
The present invention aims to eliminate such conventional drawbacks, and the first object of the present invention is to reduce the detection voltage compared to the one that detects overcurrent using the voltage between the base and emitter of a transistor. This aims to reduce the overcurrent detection resistance of the electronic switch and reduce the remaining voltage when the switch is turned on.

またこの発明の第2の目的は同一の過電流検出
回路によりカレントシンクおよびカレントソース
両出力形式の過電流を検出しうるようにするもの
である。
A second object of the present invention is to enable overcurrents of both current sink and current source output types to be detected by the same overcurrent detection circuit.

以下図によつてこの発明の一実施例について説
明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第3図はこの発明における過電流検出回路を近
接スイツチに適用したばあいの回路図で、この近
接スイツチ10は近接センサ用IC回路1と、こ
のIC回路の出力電流容量を補うための電流スイ
ツチング素子26たとえば出力トランジスタとで
構成される。そしてそのIC回路1は内部に発振
回路2、コンパレータ3、積分回路4、コンパレ
ータ5、出力回路6、定電圧回路7、電源リセツ
ト回路8、出力コントローラ14および過電流検
出回路16を有しており、出力回路6、電源リセ
ツト回路8および出力コントローラ14により電
子スイツチコントローラ17が構成される。また
検出コイルL1、共振コンデンサC1、感度調整用
可変抵抗R22、側路コンデンサC23、積分コンデン
サC24、電源リセツト用コンデンサC25および負荷
9などが外付けされる。
FIG. 3 is a circuit diagram when the overcurrent detection circuit according to the present invention is applied to a proximity switch, and this proximity switch 10 includes a proximity sensor IC circuit 1 and a current switching element for supplementing the output current capacity of this IC circuit. 26, for example, an output transistor. The IC circuit 1 has an oscillation circuit 2, a comparator 3, an integration circuit 4, a comparator 5, an output circuit 6, a constant voltage circuit 7, a power supply reset circuit 8, an output controller 14, and an overcurrent detection circuit 16. , the output circuit 6, the power supply reset circuit 8, and the output controller 14 constitute an electronic switch controller 17. Further, a detection coil L 1 , a resonance capacitor C 1 , a variable resistance for sensitivity adjustment R 22 , a bypass capacitor C 23 , an integrating capacitor C 24 , a power supply reset capacitor C 25 and a load 9 are attached externally.

したがつて検出コイルL1に対して金属体が接
近または離間することにより発振回路2が発振を
開始または停止し、出力回路6より論理Lまたは
Hの出力が得られる。
Therefore, when the metal body approaches or separates from the detection coil L1 , the oscillation circuit 2 starts or stops oscillation, and the output circuit 6 obtains a logic L or H output.

そして後述する過電流検出回路16は電流スイ
ツチング素子26と出力コントローラ14との間
に設けられている。
An overcurrent detection circuit 16, which will be described later, is provided between the current switching element 26 and the output controller 14.

第4図はこの発明の要部を示す回路図で、基本
的に4個のトランジスタすなわち第1のトランジ
スタ22、第2のトランジスタ23、第3のトラ
ンジスタ24および第4のトランジスタ25と、
抵抗32,34と、電流源20とからなるブロツ
クにより過電流検出回路16が構成される。ダイ
オード27と抵抗35により過電圧保護回路18
が構成され、ノード41に大きな電圧が加わつた
ばあいに過電流検出回路16を保護する。この過
電圧保護回路はカレントシンク用のものである
が、ダイオード28および抵抗36で構成される
回路はカレントソース用の過電圧保護回路であ
る。19は電源である。なお電流スイツチング素
子26は負荷9に流れる電流を制御するものでた
とえばトランジスタにより構成される。各トラン
ジスタ24,25と各抵抗32,34との接続点
には接続端子b,dが引出され、トランジスタ2
4と25との接続点に信号出力端子Gが設けら
れ、この出力端子はさらに電流スイツチング素子
26を制御するコントローラ17の入力端に接続
され、これによつてコントローラ17の出力状態
を制御するようにされている。なお第4図におい
て過電流検出回路16および過電圧保護回路18
がIC化される。
FIG. 4 is a circuit diagram showing the main part of the present invention, which basically includes four transistors, namely, a first transistor 22, a second transistor 23, a third transistor 24, and a fourth transistor 25.
An overcurrent detection circuit 16 is constituted by a block consisting of resistors 32 and 34 and a current source 20. Overvoltage protection circuit 18 with diode 27 and resistor 35
is configured to protect overcurrent detection circuit 16 when a large voltage is applied to node 41. This overvoltage protection circuit is for a current sink, but the circuit composed of the diode 28 and the resistor 36 is an overvoltage protection circuit for a current source. 19 is a power source. Note that the current switching element 26 controls the current flowing to the load 9, and is composed of, for example, a transistor. Connection terminals b and d are drawn out to the connection points between each transistor 24 and 25 and each resistor 32 and 34, and the transistor 2
A signal output terminal G is provided at the connection point between 4 and 25, and this output terminal is further connected to the input terminal of the controller 17 that controls the current switching element 26, thereby controlling the output state of the controller 17. is being used. In addition, in FIG. 4, the overcurrent detection circuit 16 and the overvoltage protection circuit 18
is converted to IC.

今、第4図において電流源20からの電流I0
I0=5〔μA〕、抵抗32,34の抵抗値R32,R34
をR32=R34=10〔KΩ〕とするとノード41およ
び42の電圧V41およびV42が過電流検出電圧と
なりその値はV41=V42=I0×R31=I0×R34=5×
10=50〔mV〕となる。なぜならばノード41,
42ともにオープンのばあい、トランジスタ24
と25がバランスしており、出力ノード46は臨
界状態にある。
Now, in Fig. 4, the current I 0 from the current source 20 is
I 0 = 5 [μA], resistance values of resistors 32 and 34 R 32 and R 34
When R 32 = R 34 = 10 [KΩ], the voltages V 41 and V 42 at nodes 41 and 42 become the overcurrent detection voltage, and the value is V 41 = V 42 = I 0 × R 31 = I 0 × R 34 =5×
10=50 [mV]. Because node 41,
If both 42 and 42 are open, transistor 24
and 25 are in balance, and the output node 46 is in a critical state.

今、ノード41が出力電流検出用抵抗R1に接
続されたばあい、この抵抗の両端に発生する電圧
が50〔mV〕より小さいと、抵抗35を通じノー
ド41から抵抗R1の方へ電流が流れ出し、この
ため抵抗35に流れる電流が減少し、トランジス
タ25のエミツタ電圧が下がり、トランジスタ2
4と25のバランスがくずれ、ノード46の電位
はLとなる。このとき電子スイツチコントローラ
17の出力はたとえばHとなり、電流スイツチン
グ素子26はオン状態にある。
Now, when node 41 is connected to output current detection resistor R1 , if the voltage generated across this resistor is less than 50 [mV], current flows from node 41 to resistor R1 through resistor 35. Therefore, the current flowing through the resistor 35 decreases, the emitter voltage of the transistor 25 decreases, and the current flowing through the resistor 35 decreases.
The balance between nodes 4 and 25 is lost, and the potential of node 46 becomes L. At this time, the output of the electronic switch controller 17 becomes, for example, H, and the current switching element 26 is in the on state.

また何らかの原因で電流スイツチング素子26
に流れる電流が所定の値を越えると抵抗R1の両
端に生じる電圧が50〔mV〕を越え、ノード46
の電圧はHとなる。このとき電子スイツチコント
ローラ17の出力はたとえばLとなり、電流スイ
ツチング素子26は実質的にオフ状態となる。こ
のため抵抗R1に流れる電流は減少し、いきおい
ノード41の電位が下り、ノード46の電位も下
る。やがてノード46の電位がLに反転すると電
子スイツチコントローラ17の出力はHとなり、
電流スイツチング素子26はオンとなる。
Also, for some reason, the current switching element 26
When the current flowing through the resistor R1 exceeds a predetermined value, the voltage generated across the resistor R1 exceeds 50 [mV], and the voltage at the node 46 exceeds 50 [mV].
The voltage becomes H. At this time, the output of the electronic switch controller 17 becomes, for example, L, and the current switching element 26 is substantially turned off. Therefore, the current flowing through the resistor R1 decreases, the potential of the energizing node 41 decreases, and the potential of the node 46 also decreases. Eventually, when the potential of the node 46 reverses to L, the output of the electronic switch controller 17 becomes H.
Current switching element 26 is turned on.

さらに抵抗R1の電圧が50〔mV〕のときは抵抗
35には電流が流れず、これがスレツシユホール
ド電圧となる。
Further, when the voltage across the resistor R1 is 50 [mV], no current flows through the resistor 35, and this becomes the threshold voltage.

このように抵抗R1の両端に生じる電圧が50〔m
V〕を越えたとき、過電流検出回路16がその点
を検出する。
In this way, the voltage generated across the resistor R1 is 50 [m
V], the overcurrent detection circuit 16 detects that point.

以上の説明はカレントシンクの出力形式の例で
あるが、カレントソースの出力形式のばあいにも
ノード46は過電流検出時にHとなる。カレント
ソースの出力形式の例を第5図に示す。この図に
おいては外部接続用端子dが使用される。
The above explanation is an example of the current sink output format, but in the case of the current source output format as well, the node 46 becomes H when an overcurrent is detected. An example of the output format of the current source is shown in FIG. In this figure, external connection terminal d is used.

また第6図に示すものは第5図と同様にカレン
トソースの出力形式の回路であるが、第5図に示
す回路と異なる点は電流スイツチング素子26を
PNP形トランジスタにより構成したことである。
The circuit shown in FIG. 6 is a current source output type circuit similar to that shown in FIG. 5, but the difference from the circuit shown in FIG. 5 is that the current switching element 26 is
It is constructed using PNP type transistors.

なお第7図はカレントミラー回路の変形例を示
すもので同図(a)に対して同図bおよびcに示
す変形例がよく知られている。
FIG. 7 shows a modification of the current mirror circuit, and the modifications shown in FIG. 7(a) and FIG. 7(c) are well known.

第4図において検出電圧を50〔mV〕とし、過
電流を200〔mA〕とすると抵抗R1は R1=50mV/200mV=0.25〔Ω〕 となり、したがつて出力電流It=150〔mA〕にお
ける出力端子におけるON時残り電圧Vxは Vx=Von+Vr1=0.2+0.25×0.15 =0.2+0.0375=0.2375〔V〕 となり、従来のものに比し大きな改善が見られ
る。
In Figure 4, if the detection voltage is 50 [mV] and the overcurrent is 200 [mA], the resistance R 1 is R 1 = 50 mV/200 mV = 0.25 [Ω], and therefore the output current It = 150 [mA]. The ON remaining voltage Vx at the output terminal is Vx = Von + Vr 1 = 0.2 + 0.25 x 0.15 = 0.2 + 0.0375 = 0.2375 [V], which is a great improvement over the conventional one.

この計算例から明らかなように従来例ではトラ
ンジスタTr1のON時残り電圧Vonに比し抵抗R1
の両端電圧Vr1がかなり大きかつたが、この発明
によれば抵抗R1の両端電圧Vr1の方が電流スイツ
チング素子26のON時残りVonに比しかなり小
さくなり、したがつてON時残り電圧Vonを小さ
くするように容量の大きなトランジスタを使用す
ればさらに出力端子ON時残り電圧Vxを小さく
することも可能である。
As is clear from this calculation example, in the conventional example, the resistance R 1 is smaller than the remaining voltage Von when transistor Tr 1 is ON.
However, according to the present invention, the voltage Vr 1 across the resistor R 1 is considerably smaller than the Von remaining when the current switching element 26 is ON, and therefore the voltage Vr 1 remaining when the current switching element 26 is ON is quite large. If a transistor with a large capacity is used to reduce the voltage Von, it is possible to further reduce the remaining voltage Vx when the output terminal is ON.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図および第2図は従来の過電流検出回路を
示す回路図、第3図はこの発明における過電流検
出回路を近接スイツチに適用したばあいのブロツ
ク図、第4図はこの発明における過電流検出回路
の一実施例を示す回路図、第5図はこの発明の第
2の実施例を示す回路図、第6図はこの発明の第
3の実施例を示す回路図、第7図はカレントミラ
ー回路の変形例を示す回路図である。 1……IC回路、2……発振回路、3……コン
パレータ、4……積分回路、5……コンパレー
タ、6……出力回路、7……定電圧回路、8……
電源リセツト回路、9……負荷、10……スイツ
チ、14……出力コントローラ、L1……検出コ
イル、R22……可変抵抗、C1……共振コンデン
サ、C24……積分コンデンサ、C25……コンデン
サ、16……過電流検出回路、17……電子スイ
ツチコントローラ、18……過電圧保護回路、1
9……電源、20……電流源、22〜25……ト
ランジスタ、26……電流スイツチング素子、2
7……ダイオード、28……ダイオード、32,
34,35,36……抵抗、R1……抵抗、41,
42……ノード、46……出力ノード。
Figures 1 and 2 are circuit diagrams showing conventional overcurrent detection circuits, Figure 3 is a block diagram when the overcurrent detection circuit of the present invention is applied to a proximity switch, and Figure 4 is a circuit diagram of the overcurrent detection circuit of the present invention. A circuit diagram showing one embodiment of the detection circuit, FIG. 5 is a circuit diagram showing a second embodiment of this invention, FIG. 6 is a circuit diagram showing a third embodiment of this invention, and FIG. 7 is a circuit diagram showing a third embodiment of this invention. FIG. 7 is a circuit diagram showing a modification of the mirror circuit. 1... IC circuit, 2... Oscillation circuit, 3... Comparator, 4... Integrating circuit, 5... Comparator, 6... Output circuit, 7... Constant voltage circuit, 8...
Power supply reset circuit, 9...load, 10...switch, 14...output controller, L1 ...detection coil, R22 ...variable resistor, C1 ...resonant capacitor, C24 ...integrating capacitor, C25 ... Capacitor, 16 ... Overcurrent detection circuit, 17 ... Electronic switch controller, 18 ... Overvoltage protection circuit, 1
9...Power supply, 20...Current source, 22-25...Transistor, 26...Current switching element, 2
7...Diode, 28...Diode, 32,
34, 35, 36...Resistance, R 1 ...Resistance, 41,
42... Node, 46... Output node.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 電源に対して負荷と、この負荷に流れる電流
を制御する電流スイツチング素子と、過電流検出
抵抗を順次直列に接続し、また電源の一方の端子
に対して第1のトランジスタのエミツタを接続す
るとともに、電源の他方の端子に対して第2のト
ランジスタのエミツタを接続し、かつ両トランジ
スタのコレクタを電流源を介してたがいに接続
し、また電源の一方の端子に対して第3のトラン
ジスタのエミツタを抵抗を介して接続するととも
に電源の他方の端子に対して第4のトランジスタ
のエミツタを抵抗を介して接続し、かつ両トラン
ジスタのコレクタをたがいに接続し、上記第1の
トランジスタと上記第3のトランジスタとを、ま
た上記第2のトランジスタと上記第4のトランジ
スタとをそれぞれカレントミラー回路を構成する
ように接続し、上記第3および第4のトランジス
タと上記各抵抗との接続点から接続端子を引出
し、この端子を上記電流スイツチング素子と上記
過電流検出抵抗との接続点に選択的に接続すると
ともに上記第3のトランジスタと上記第4のトラ
ンジスタとの接続点に信号出力端子を設け、この
出力端子を上記電流スイツチング素子を制御する
コントローラの入力端に接続し、このコントロー
ラの出力状態を制御することを特徴とする電子ス
イツチの過電流検出回路。 2 上記各接続端子の中の1つと上記過電流検出
抵抗と上記電流スイツチング素子との接続点間に
過電圧保護回路を接続した特許請求の範囲第1項
記載の電子スイツチの過電流検出回路。
[Claims] 1. A load, a current switching element for controlling the current flowing through the load, and an overcurrent detection resistor are connected in series to a power source, and a first terminal is connected to one terminal of the power source. Connect the emitters of the transistors, connect the emitters of the second transistor to the other terminal of the power supply, connect the collectors of both transistors to each other via a current source, and connect the emitters of the second transistor to the other terminal of the power supply. The emitter of the third transistor is connected to the other terminal of the power source through the resistor, and the emitter of the fourth transistor is connected to the other terminal of the power source through the resistor. The first transistor and the third transistor are connected to each other, and the second transistor and the fourth transistor are connected to form a current mirror circuit, respectively, and the third and fourth transistors are connected to each of the above resistors. A connection terminal is drawn out from a connection point between the current switching element and the overcurrent detection resistor, and this terminal is selectively connected to a connection point between the third transistor and the fourth transistor. An overcurrent detection circuit for an electronic switch, comprising a signal output terminal, the output terminal being connected to an input terminal of a controller that controls the current switching element, and controlling the output state of the controller. 2. An overcurrent detection circuit for an electronic switch according to claim 1, wherein an overvoltage protection circuit is connected between one of the connection terminals and a connection point between the overcurrent detection resistor and the current switching element.
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