JPH0259394A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高分子を情報記録層として用いた情報記録媒体
に関するものである。

〔従来技術〕

近年コンピューター、ワープロ、ファクシミリは企業な
らびに個人にかなり浸透してきており、その使用蛍は年
々増加している。それにともない、それらに使用されて
いる情報記録媒体にはよりいっそうの高速化、高密度化
が要求されてきた。

前記の要求から可逆的に相転移を行う高分子を情報記録
媒体として用いることが検討されてきた。

従来の方法では、高分子を平面状に加工したものを情報
記録層及び像形成層として用いていた。しかしトラッキ
ング用のグループ形成を行うことが難しかった。

〔問題点を解決するための手段（及び作用）〕本発明は
同一形状の高分子を並べて層状にした高分子集合体を情
報記録層として用いることによって、トラッキング用の
グループ形成を容易とする情報記録媒体を作成するもの
である。

〔情報記録層の説明〕

情報記録層として用いることのできる高分子集合体とし
て代表的にはサーモトロピック液晶性を示す高分子液晶
等を用いることができる。高分子液晶の例としては、メ
タクリル酸ポリマーやシロキサンポリマー等を主鎖とし
た低分子液晶をペンダント状に付加した一般に側鎖型高
分子液晶と総称されるもの、高強度高弾性耐熱性繊維や
樹脂の分野で用いられるポリエステル系、ポリイミド系
等の主鎖型高分子液晶と総称されるもの、ディスコティ
ック液晶と総称されるもの等がある。これらのとりうる
相としてはスメクチック相、ネマチック相、コレステリ
ック相等が挙げられる。これらの高分子液晶中に不斉炭
素を導入した強誘電性高分子液晶のカイラルスメクチッ
クＣ相をも用いることができる。

上記高分子液晶の具体的な例を後に挙げるが、これらに
限定されるものではない。

Ｍｗ＝１８，０００ モＣＨ２−ＣＨ矢、 ＣＨ３ （−ＣＨ２−（Ｊ−ｎ Ｃ＝Ｏ （Ｓｍ） また、これらの高分子層中にレーザービームを熱的に転
換作用せしめるために色素等のレーザー吸収剤を添加混
合してもよい。本発明に用いることのできるレーザー吸
収剤は特に限定することなく広範囲のレーザー吸収剤を
使用することができる。但し、レーザー光の波長帯域に
吸収量の多い色素を使った方がより効率的である。下記
に一列を示すが、これらに限定されるものではない。

（最大吸収波長８４５ｎｍ） （最大吸収波長８１８ｎｍ） （最大吸収波長７９８ｎｍ） （最大吸収波長８１３ｎｍ） これらレーザー吸収剤を１種類もしくは２種類以上混合
してもよく、又必要に応じて酸化防止剤等を混合しても
よい。

情報記録層を予備加熱又は徐冷する必要がある場合、発
熱板を用いることがある。発熱板の具体例としてはタン
グステン、ニッケルクロム、　　ＩＴＯ（インジウムチ
ンオキサイド）等が挙げられる。

前記のような相転移層を用いる場合、初期状態が透明の
場合と散乱の場合をとりうるが、ここでは初期状態が散
乱であり高分子集合体がファイバー集合体である場合に
ついて第２図、第３図、第６図を用いて説明する。この
とき高分子として前述（ｃ）式によって表わされる高分
子液晶に前述（ｅ）式によって表わされる色素を０　、
１５　ｗ　ｔ％混合したものを直径０　、１　ｍ　ｍの
ファイバー状に加工した後、ポリエチレンテレフタレー
トを直径０．１ｍｍのファイバー状に加工したものと交
互に並べた後、９０°Ｃ雰囲気中で直径３０μｍ程度に
延伸してガラス基板上に並べたものを用いた。このとき
高分子とポリエチレンテレフタレートの延伸方法として
はひつばり延伸、押し出し延伸等が挙げられる。またフ
ァイバーの直径は細（すればするほど記録媒体としての
記録密度は上昇するが、トラッキングを行うこと及び高
分子を加工することが困難になる。

本説明では高分子ファイバーの直径を３０μｍとしたが
、先に述べた制限により今日の技術では直径を１０μｍ
以下にすることはきわめて難しい。また高分子及びポリ
エチレンテレフタレートファイバーをガラス基板上に並
べる形としては、横一列に並べてカード状にする並べ方
、縦一列に並べてテープ状にする並べ方及び放射状又は
同心円状に並べてディスク状にする並べ方等が挙げられ
るが、本説明ではカード状に縦一列に並べた場合につい
て説明する。

前記のようにして作成されたカード状記録媒体を１３以
上、具体的には９０°Ｃ雰囲気中に１０分間放置した後
、室温まで急冷したところ−様な散乱状態を示すファイ
バー状高分子を得ることができた。このとき急冷方法と
しては室温に放置するだけで十分である。

上記で得られた高分子を第３図のように半導体レーザー
によって走査したところ、高分子が１２以上に上昇しく
第２図Ｑ）急冷されるため（０）、透明状態■へと変化
し固定されて情報を記録することができた。このとき、
トラッキング方法としてはレーザーの透過光を調べる方
法、媒体下に反射板を置き、反射光を調べる方法等があ
るが、−例としてレーザーの透過光を調べる場合につい
て第６図を用いて説明する。

高分子ファイバー及びポリエチレンテレフタレートファ
イバーを透過したレーザービームの強度を受光器によっ
て調べる。もし第６図（ａ）、（ｂ）のように高分子フ
ァイバーの中心にレーザビームが照射されていない場合
、高分子ファイバーとポリエチレンテレフタレートファ
イバーの透過率が違う為にレーザビームの透過光強度は
左右で違いが生じる。その違いをもとにレーザービーム
の位置を左右に動かすことによってトラッキングを行う
ことができた。このときポリエチレンテレフタレートフ
ァイバーに適当な色素を適度に混合することによって透
過光量の差をより明確にすることもでき、混合する色素
の種類は特に限定することなく用いることができる。し
かし、このとき用いるレーザービームの波長及び高分子
ファイバーの透過率等を考慮した上で選択することが重
要である。また、前記説明において、レーザビームの透
過光を２分し強度を比べることによってトラッキングを
行っていたが、別の方法でトラッキングを行ってもよく
、他のトラッキング方法の一例としては、第７図のよう
に記録媒体下部に反射層をおき、レーザービームを回折
格子で３本に分けた後に記録媒体に照射し、トラック外
側を通過してきた２本のビームの反射光Ｑ　＋　、　　
Ｑ−＋の強度を比べる方法、高分子ファイバーの厚みが
場所によって違うためによる位相差を検出する方法、高
分子ファイバーとポリエチレンテレフタレートファイバ
ーの屈折率の差を検出する方法等がある。

次に、前記情報が記録された基板全体を９０℃に加熱し
、数秒保ったところ、全面が散乱状態となり（Ｏ）、そ
の後Ｔ、以下具体的には室温まで急冷したところ（＠）
、そのまま固定された（■）。

前記説明において高分子の初期状態が散乱であり、熱加
熱手段により高分子に透明状態を形成し、光学変化を行
うものであるが、初期状態が透明でもよく、この場合、
散乱状態を形成するために高分子を徐冷するための手段
等を講じる必要がある。

また前記説明においてファイバー状高分子を２種類以上
の相転移温度の違う高分子をならべて作成してもよ（、
その場合熱印加を調節することが重要である。

また、高分子集合体の一例としてファイノく一状高分子
集合体を用いた例を説明したが、他の形状の高分子集合
体でもよく、具体例としてはフィルム状高分子集合体９
球状高分子集合体等があげられる。

〔実施例１〕 第１図は本発明の特徴を最もよく表わす図であって、同
図において、■はファイバー状高分子、３はレーザービ
ーム、４はレンズ、５はレーザーデバイス、６はポリエ
チレンテレフタレートファイバーである。

ここでファイバー状高分子ｌは前述（ａ）式で示される
高分子に前述（ｅ）式に示される色素を０．１５ｗｔ％
混合したものを直径０．１ｎｍに加工した後、ポリエチ
レンテレフタレートファイバー６と並べてから延伸して
直径５０μｍとしたものを用い、レーザーデバイス５は
波長８３０　ｎ　ｍ　、出力３０　ｍ　Ｗのものを８０
μｍに絞れるようにレンズ４の位置を制御した。

次に、第１図のような媒体を用いた情報記録方法を説明
する。レーザービーム３をファイバー状高分子ｌに垂直
に入射できるようにセットした後、ファイバー状高分子
１にレーザービーム３を１ミリ秒間照射した。するとレ
ーザービームの照射されている部分の高分子の温度が上
昇し急冷されるため、その部分だけ散乱状態から透明へ
変化し、記録することができた。このときレーザービー
ム３の透過光強度を調べることによって容易にトラッキ
ングを行うことができた。

〔実施例２〕 第４図において、１，１′はファイバー状高分子、２は
ガ・ラス基板、３はレーザービーム、４はレンズ、５は
レーザーデバイス、６はポリエチレンテレフタレートフ
ァイバーである。ここでファイバー状高分子ｌは、前述
（ａ）式に示される高分子に前述（ｈ）式に示される色
素を０　、１５　ｗ　ｔ％混合したものを、ファイバー
状高分子１′は前述（ｂ）式に表わされる高分子に前述
（ｈ）式に示される色素を０．１５ｗｔ％づつ混合した
ものを、それぞれ５０μｍのファイバー状に加工したも
のを、レーザーデバイス５は波長８３０ｎｍで、出力は
必要に応じてＯｍＷから３０　ｍ　Ｗまで連続的に変化
させて照射できるものを用い、レンズ４によってレーザ
ービーム３を１２０μｍに絞り、ポリエチレンテレフタ
レートファイバー６は直径５０μｍのものを用いた。

次に、第４図のような媒体を用いた情報記録方法を説明
する。レーザービーム３をファイバー状高分子１．１’
に垂直に入射できるようにセットした後、レーザーデバ
イス５の出力を２５ｍＷに調節した後１ミリ秒間照射し
た。すると前述（ｂ）式によって示される高分子だけが
透明状態となり、ファイバーｌが透明に変化した。また
、別な点においてレーザーデバイス５の出力を３０ｍＷ
に調節した後、１ミリ秒間照射すると前述（ｂ）式、（
Ｃ）式で示される高分子が透明状態となり、ファイバー
１．１’が透明に変化した。

このようにして３段階の階調ができ、より高密度の記録
を行うことができた。このとき、レーザービーム３の透
過光強度を調べることにより十分にトラツキグを行うこ
とができた。

〔実施例３〕 第５図において、ｌはファイバー状高分子、２はガラス
板、３はレーザービーム、４はレンズ、５はレーザーデ
バイス、６はポリエチレンテレフタレートファイバーで
ある。

ここで、ファイバー状高分子は前述（ａ）式で示される
高分子に前述（ｈ）式に示される色素を０．１５ｗｔ％
混合したものを直径５０μｍのファイバー状に加工した
ものを、レーザーデバイスは波長８３０　ｎ　ｍ　。

出力３０　ｍ　Ｗのものを直径８０μｍに絞れるように
レンズ４の位置を制御し、ガラスファイバー６は直径５
０μｍのものを用い、ここで記録媒体はファイバー状高
分子１を数十本直線に並べて膜状につなげておき、ポリ
エチレンテレフタレートファイバー６も同様につなげた
後に何層にもわたって積層し、両端を切りそろえてから
ガラス基板２に垂直に立てて作成した。

次に、第５図のような媒体を用いた情報記録方法を説明
する。レーザービーム３をファイバー状高分子１に垂直
に入射できるようにセットした後、ファイバー状高分子
ｌにレーザービーム３を１ミリ秒間照射した。するとレ
ーザービームの照射されている部分の高分子の温度がＴ
２以上に上昇し急冷されるため、その部分だけ散乱状態
から透明へ変化し、記録することができた。このとき、
レーザービーム３の透過光を図に示されていない受光器
によって調べることによって十分にトラッキングを行う
ことができた。

〔実施例４〕 第８図において、■はファイバー状高分子、２はガラス
板、３はレーザービーム、４はレンズ、５はレーザーデ
バイス、６はポリエチレンテレフタレートファイバーで
ある。

ここで、ファイバー状高分子は前述（ａ）式で示される
高分子に前述（ｅ）式に示される色素を０．１５ｗｔ％
混合したものを直径５０μｍのファイバー状に加工した
ものを、レーザーデバイスは波長８３０ｎｍ出力３０ｍ
Ｗのものを８０μｍに絞れるようにレンズ４の位置を制
御し、ポリエチレンテレフタレートファイバー６は直径
５０μｍのものを用い、直径１０ｃｍの円形に並べた。

このとき、高分子ファイバー１とポリエチレンテレフタ
レートファイバー６は、直径０．１ｍｍの各々のファイ
バーを１００本程度交互に並べてから延伸して直径５０
μｍに加工した後、ガラス板２上に円形に並べて作成し
た。

次に、第８図のような媒体を用いた情報記録方法につい
て説明する。ファイバー状高分子１をガラス基板２ごと
毎分１０回転の速さで回転させながら、レーザービーム
３をファイバー状高分子ｌに垂直に入射するようにセッ
トした後、１ミリ秒間照射した。

すると、レーザービーム３の照射されている部分の高分
子の温度が上昇した後急冷されるため、その部分だけが
散乱状態から透明へ変化した。このとき、レーザービー
ム３の透過光強度を調べることにより、十分にトラッキ
ングを行うことができた。

〔発明の効果〕

前記のような高分子集合体を情報記録層として用いるこ
とによって、トラッキング用のグループ形成を容易に行
うことができ、かつ、オートトラッキングを十分に行う
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を利用した情報記録媒体を用いた情報記
録実施例の模式斜視図。 第２図は高分子液晶情報記録プロセスを説明する図。 第３図は本発明原理説明図。 第４図は本発明を利用した情報記録媒体を用いた他の情
報記録実施例の模式斜視図。 第５図は本発明を利用した情報記録媒体を用いた他の情
報記録実施例の模式斜視図。 第６図はトラッキング方法説明図。 第７図は池のトラッキング方法の説明図。 第８図は本発明を利用した情報記録媒体を用いた情報記
録実施例の模式斜視図。 １、　　ｌ・・・・・・・・ファイバー状高分子２・・
・・・・・・・・・・・・・ガラス基板３・・・・・・
・・・・・・・レーザービーム４・・・・・・・・・・
・・・・・・・・レンズ５・・・・・・・・・・・・レ
ーザーデバイス６　・・・・　ポリエチレンテレフタレ
ートファイバー７・・・・・・・・・・・・・・・・・
・受光器８・・・・・・・・・・・・・・ハーフミラー
特許出願人　　キャノン株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、情報記録層が高分子集合体であることを特徴とする
   情報記録媒体。 ２、高分子集合体が高分子液晶集合体であることを特徴
   とする請求項１記載の情報記録媒体。 ３、高分子集合体がファイバー状高分子集合体であるこ
   とを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。 ４、高分子集合体がファイバー状高分子液晶集合体であ
   ることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。 ５、前記高分子集合体が延伸された高分子の集合体であ
   ることを特徴とする請求項１〜４記載の情報記録媒体。