JPH0258847A - 半導体素子の認識方法 - Google Patents
半導体素子の認識方法Info
- Publication number
- JPH0258847A JPH0258847A JP63211239A JP21123988A JPH0258847A JP H0258847 A JPH0258847 A JP H0258847A JP 63211239 A JP63211239 A JP 63211239A JP 21123988 A JP21123988 A JP 21123988A JP H0258847 A JPH0258847 A JP H0258847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- camera
- magnification
- semiconductor element
- elements
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はカッティングされたウェハーの半導体素子を個
別に検出し、位置決めする半導体素子の認識方法に関す
る。
別に検出し、位置決めする半導体素子の認識方法に関す
る。
従来、半導体素子を個別に検出し、位置決めする半導体
素子認識装置としては、第5図の模式的構成図に示した
ものがある。この半導体素子の認識方法は、X−Y−θ
ステージ7上に設けられたキャップ2に半導体素子1を
配列し、これら半導体素子1をビデオカメラ8で撮像し
、このカメラ8からの撮像信号は制御部4を介してCR
Tモニタ3上に表示される。この場合、制御部4に入力
された半導体素子1のピッチ分だけX−Y−θステージ
7が規則的に動作し、その動作したポイントに半導体素
子1が存在すれば位置決めを行う様になっている。
素子認識装置としては、第5図の模式的構成図に示した
ものがある。この半導体素子の認識方法は、X−Y−θ
ステージ7上に設けられたキャップ2に半導体素子1を
配列し、これら半導体素子1をビデオカメラ8で撮像し
、このカメラ8からの撮像信号は制御部4を介してCR
Tモニタ3上に表示される。この場合、制御部4に入力
された半導体素子1のピッチ分だけX−Y−θステージ
7が規則的に動作し、その動作したポイントに半導体素
子1が存在すれば位置決めを行う様になっている。
上述した従来の半導体素子の認識方法で、横方向にピッ
チ送りを行ない、半導体素子1の検出。
チ送りを行ない、半導体素子1の検出。
位置決めを行なおうとした場合、規則正しく並んだ半導
体素子1の中に傾いた半導体素子があるとすると、その
位置決めをした後に、傾いていた角度分だけ横方向のピ
ッチ送り角度が修正されるために下の列へ移ってしまい
半導体素子の写り残しが発生するという欠点がある。
体素子1の中に傾いた半導体素子があるとすると、その
位置決めをした後に、傾いていた角度分だけ横方向のピ
ッチ送り角度が修正されるために下の列へ移ってしまい
半導体素子の写り残しが発生するという欠点がある。
また、半導体素子の並びの中に歯抜けがあっても規則正
しくピッチ送りされるために半導体素子のないところま
で1回づつ停止し、時間のロスが発生するという欠点も
ある。
しくピッチ送りされるために半導体素子のないところま
で1回づつ停止し、時間のロスが発生するという欠点も
ある。
本発明の目的は、これらの欠点を除き、倍率を小さくし
たカメラで半導体素子全体の位置を検出した後に、倍率
を大きくしたカメラで半導体素子個別の位置決めを行な
うなめにより、半導体素子の写り残しをなくし、検出時
間のロスタイムを除くことのできる半導体素子の認識方
法を提供することにある。
たカメラで半導体素子全体の位置を検出した後に、倍率
を大きくしたカメラで半導体素子個別の位置決めを行な
うなめにより、半導体素子の写り残しをなくし、検出時
間のロスタイムを除くことのできる半導体素子の認識方
法を提供することにある。
本発明の構成は、カッティングされたウェハーの半導体
素子を個別に検出し、かつ位置決めする半導体素子の認
識方法において、前記ウェハーに対する半導体素子の相
対位置を倍率を小さくしたカメラで検出し、その後この
カメラからのデータに基づき倍率を大きくしたカメラで
前記半導体素子を個別に位置決めすることを特徴とする
。
素子を個別に検出し、かつ位置決めする半導体素子の認
識方法において、前記ウェハーに対する半導体素子の相
対位置を倍率を小さくしたカメラで検出し、その後この
カメラからのデータに基づき倍率を大きくしたカメラで
前記半導体素子を個別に位置決めすることを特徴とする
。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を説明する模式的構成図であ
る。本実施例は、X−Y−θステージ7・上に搭載され
た半導体素子1全体の位置を倍率の小さいカメラ5およ
び倍率の大きいカメラ6で撮影する場合を示している。
る。本実施例は、X−Y−θステージ7・上に搭載され
た半導体素子1全体の位置を倍率の小さいカメラ5およ
び倍率の大きいカメラ6で撮影する場合を示している。
倍率の小さいカメラ5で撮影した場合には、第2図に示
すように、CRTモニタ3上で写され、半導体素子1の
位置をデータとして制御部4に取り込む。その後、倍率
の大きいカメラ6の下までX−Y−θステージ7を移動
し、第3図に示すような状態で半導体素子1を個別に位
置決めする。
すように、CRTモニタ3上で写され、半導体素子1の
位置をデータとして制御部4に取り込む。その後、倍率
の大きいカメラ6の下までX−Y−θステージ7を移動
し、第3図に示すような状態で半導体素子1を個別に位
置決めする。
本実施例によれば、半導体素子1全体の位置をデータと
して取込んであるために、半導体素子1が傾いていても
、次の半導体素子1の位置がわかり、容易に位置決めす
ることができる。また、半導体素子1に歯抜けがあって
もピッチ送りをせず、次に半導体素子1まで移動させる
ことができる。
して取込んであるために、半導体素子1が傾いていても
、次の半導体素子1の位置がわかり、容易に位置決めす
ることができる。また、半導体素子1に歯抜けがあって
もピッチ送りをせず、次に半導体素子1まで移動させる
ことができる。
第4図は本発明の第2の実施例を説明する模式的構成図
である。本実施例においては、半導体素子上上にあるカ
メラ8にズーム機構9を備えている。まず、ズーム機構
9によりカメラ8の倍率を小さくし、半導体素子1の全
体の位置をデータとして取り込み、その後ズーム機構9
によってカメラ8の倍率を大きくして半導体素子1の位
置決めを行う。
である。本実施例においては、半導体素子上上にあるカ
メラ8にズーム機構9を備えている。まず、ズーム機構
9によりカメラ8の倍率を小さくし、半導体素子1の全
体の位置をデータとして取り込み、その後ズーム機構9
によってカメラ8の倍率を大きくして半導体素子1の位
置決めを行う。
この実施例では、カメラ8がズーム機構9を有するため
、カメラが1個しか必要ないことと、同じ場所で検出を
行うためにスペースが少なくてすむという利点がある。
、カメラが1個しか必要ないことと、同じ場所で検出を
行うためにスペースが少なくてすむという利点がある。
以上説明したように本発明は、カメラ倍率を変えて半導
体素子の位置検出及び位置決めを行なうことにより、半
導体素子の取り残し及び検出時間のロスタイムをなくす
ことができるという効果がある。
体素子の位置検出及び位置決めを行なうことにより、半
導体素子の取り残し及び検出時間のロスタイムをなくす
ことができるという効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例を説明する模式的構成図
、第2図は第1図において半導体素子が搭載されたキャ
ップを倍率の小さいカメラで写した平面図、第3図は第
1図において半導体素子を倍率の大きいカメラで写した
平面図、第4図は本発明の第2の実施例を説明する模式
的構成図、第5図は従来の半導体素子認識装置の一例の
模式的構成図である。
、第2図は第1図において半導体素子が搭載されたキャ
ップを倍率の小さいカメラで写した平面図、第3図は第
1図において半導体素子を倍率の大きいカメラで写した
平面図、第4図は本発明の第2の実施例を説明する模式
的構成図、第5図は従来の半導体素子認識装置の一例の
模式的構成図である。
1・・・半導体素子、2・・・キャップ、3・・・モニ
タ、4・・・制御部、5,6.8・・・カメラ、7・・
・X−Y−θステージ、9・・・ズーム機構。
タ、4・・・制御部、5,6.8・・・カメラ、7・・
・X−Y−θステージ、9・・・ズーム機構。
Claims (1)
- カッティングされたウェハーの半導体素子を個別に検出
し、かつ位置決めする半導体素子の認識方法において、
前記ウェハーに対する半導体素子の相対位置を倍率を小
さくしたカメラで検出し、その後このカメラからのデー
タに基づき倍率を大きくしたカメラで前記半導体素子を
個別に位置決めすることを特徴とする半導体素子の認識
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63211239A JPH0258847A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体素子の認識方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63211239A JPH0258847A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体素子の認識方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0258847A true JPH0258847A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16602592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63211239A Pending JPH0258847A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体素子の認識方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0258847A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000037884A1 (fr) * | 1998-12-22 | 2000-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede et appareil permettant de mesurer des erreurs de positionnement au moyen d'un repere, et appareil d'usinage susceptible de corriger des erreurs en fonction de resultats de mesure |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63211239A patent/JPH0258847A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000037884A1 (fr) * | 1998-12-22 | 2000-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede et appareil permettant de mesurer des erreurs de positionnement au moyen d'un repere, et appareil d'usinage susceptible de corriger des erreurs en fonction de resultats de mesure |
US6718057B1 (en) | 1998-12-22 | 2004-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Position error measurement method and device using positioning mark, and machining device for correcting position based on result of measuring position error using positioning mark |
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