JPH0258355U - - Google Patents

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JPH0258355U
JPH0258355U JP13761788U JP13761788U JPH0258355U JP H0258355 U JPH0258355 U JP H0258355U JP 13761788 U JP13761788 U JP 13761788U JP 13761788 U JP13761788 U JP 13761788U JP H0258355 U JPH0258355 U JP H0258355U
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bias
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transistor
light emitting
emitting element
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JP13761788U
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【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案の一実施例を示す回路図であ
る。第2図は、第1図の実施例の要部波形を示す
タイムチヤートである。第3図は、従来の発光素
子駆動電流制御用直流バイアス設定回路例を示す
回路図である。第4図は、第3図の従来例の要部
波形を示すタイムチヤートである。 1,31……発光素子、2,3,6,7,12
,32,33,36,37……トランジスタ、4
……結合コンデンサ、5,8,9,10,11,
13,14,35,38,39,40……抵抗器
、20……直流バイアス設定回路。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 発光素子に流れる電流を制御する複数のトラン
    ジスタのうちの一つのトランジスタのベースに入
    力するパル信号に、直流バイアスをかけるバイア
    ス回路において、前記パルス信号を入力するため
    の結合コンデンサの前記トランジスタ側の接続点
    を、前記トランジスタの入力インピーダンスより
    十分高い抵抗値を有する抵抗器を介して、前記接
    続点より高い電位部に接続し、かつ、前記接続点
    にコレクタを前記接続点より低い電位部に接続し
    ベースに任意の直流バイアスをかけたPNP接合
    トランジスタのエミツタを接続した発光素子駆動
    電流制御用直流バイアス設定回路。
JP13761788U 1988-10-21 1988-10-21 Pending JPH0258355U (ja)

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JP13761788U JPH0258355U (ja) 1988-10-21 1988-10-21

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JPH0258355U true JPH0258355U (ja) 1990-04-26

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