JPH0258005A - 光接続回路の実装方法 - Google Patents
光接続回路の実装方法Info
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02375—Positioning of the laser chips
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/022—Mountings; Housings
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導波形光デバイスと光導波路の光接続のため
の光接続回路の実装方法に関するものである。
の光接続回路の実装方法に関するものである。
光通信の利用度２重要性が高まるにつれ、基板上に半導
体レーザ（以下ＬＤと略す）や光スィッチ等の光機能素
子をハイブリッドに集積し、これらの素子間を光導波路
で結ぶ光回路の開発が必要とされている。これらの光導
波路と光機能素子の光接続回路あるいは光導波路アレイ
と光機能素子アレイの光接続回路では、特に高精度で低
損失かつ生産性のよい光接続回路が必要とされている。
体レーザ（以下ＬＤと略す）や光スィッチ等の光機能素
子をハイブリッドに集積し、これらの素子間を光導波路
で結ぶ光回路の開発が必要とされている。これらの光導
波路と光機能素子の光接続回路あるいは光導波路アレイ
と光機能素子アレイの光接続回路では、特に高精度で低
損失かつ生産性のよい光接続回路が必要とされている。
従来、この種の光接続回路として多数の実装方法が従業
されているが、構造的に簡易な端面接続方式が有望であ
る。この一方法として、次のような方法が知られている
。第６図に示すように、この方法ではシリコン基板４１
上に、光導波路４２と光導波路端部にＬＤ融着兼発光用
電極４４を形成し、これをＬＤ４５と組み合わせる。高
さ方向の位置合わせは、ＬＤ４５および光導波路４２の
作成時に［、Ｄの発光チャン茅ル４７と光導波路４２の
中心軸が一致するように調整する。横方向の位置合わせ
はＬＤ４５の発光チャンネル４７を埋め込んだことによ
り成長層側の表面にできる活性層ストライプ４８と光導
波路４２を目視により位置合わせする。
されているが、構造的に簡易な端面接続方式が有望であ
る。この一方法として、次のような方法が知られている
。第６図に示すように、この方法ではシリコン基板４１
上に、光導波路４２と光導波路端部にＬＤ融着兼発光用
電極４４を形成し、これをＬＤ４５と組み合わせる。高
さ方向の位置合わせは、ＬＤ４５および光導波路４２の
作成時に［、Ｄの発光チャン茅ル４７と光導波路４２の
中心軸が一致するように調整する。横方向の位置合わせ
はＬＤ４５の発光チャンネル４７を埋め込んだことによ
り成長層側の表面にできる活性層ストライプ４８と光導
波路４２を目視により位置合わせする。
あるいは、ＬＤ４５の上面からボンディングワイヤによ
り電極を取り出し、下側を基板４１上の電極４４に接触
させることによりＬＤ４５に電流を流して発光させ、光
導波路４２に入射した光を出射端の検出器で受光しなが
ら光強度が最高になるように横方向の位置調整を行う方
法もある。
り電極を取り出し、下側を基板４１上の電極４４に接触
させることによりＬＤ４５に電流を流して発光させ、光
導波路４２に入射した光を出射端の検出器で受光しなが
ら光強度が最高になるように横方向の位置調整を行う方
法もある。
しかし目視による位置合わせでは幅数１０μｍの光導波
路と幅１μｍ程度の活性層ストライプを目安とするため
、ＬＤ発光チャンネルを光導波路の中心に正確に合わせ
るためには熟練が必要とされる。特に単一モード光４波
路には、接ＶｔｒＮ失を低減するために１μｍ以下の位
置合わせ精度が要求されるため不可能である。
路と幅１μｍ程度の活性層ストライプを目安とするため
、ＬＤ発光チャンネルを光導波路の中心に正確に合わせ
るためには熟練が必要とされる。特に単一モード光４波
路には、接ＶｔｒＮ失を低減するために１μｍ以下の位
置合わせ精度が要求されるため不可能である。
また、ＬＤを発光させて光導波路の出射光量をモニタし
ながら調整を行う方法では、基板側電極の接触が不安定
であり、ＬＤの保護のため微小な電流しか流すことがで
きない。従って出射光量も微弱なものとなり高感度な検
出系が必要となる。
ながら調整を行う方法では、基板側電極の接触が不安定
であり、ＬＤの保護のため微小な電流しか流すことがで
きない。従って出射光量も微弱なものとなり高感度な検
出系が必要となる。
本発明の目的は、生産性の向上を図るため光接続回路の
位置調整を短時間で精度よく、しかも簡易な設備で行う
ことのできる光接続回路の実装方法を提供することにあ
る。
位置調整を短時間で精度よく、しかも簡易な設備で行う
ことのできる光接続回路の実装方法を提供することにあ
る。
本発明による光接続回路の実装方法は、少なくとも一側
面に金属膜を有する光素子と、光導波路および前記光導
波路の一端側にそれぞれ分離した金属膜を有する基板と
を組み合わせて、前記金属膜間の電気的導通を検出する
ことにより、前記光素子と前記光導波路間の位置設定を
行うことを特徴とする。
面に金属膜を有する光素子と、光導波路および前記光導
波路の一端側にそれぞれ分離した金属膜を有する基板と
を組み合わせて、前記金属膜間の電気的導通を検出する
ことにより、前記光素子と前記光導波路間の位置設定を
行うことを特徴とする。
本発明によれば、少なくとも一側面に金属膜を有する光
素子と、光導波路および前記光導波路の一端側に三つの
それぞれ分離した金属膜を有しこれら金属膜のうち両端
の金属膜の間隔を前記光素子の金属膜の幅よりも狭く作
成した基板とを組み合わせて前記金属膜間の電気的導通
を検出することにより、前記光素子と前記光導波路間の
位置設定を行うのが好適である。
素子と、光導波路および前記光導波路の一端側に三つの
それぞれ分離した金属膜を有しこれら金属膜のうち両端
の金属膜の間隔を前記光素子の金属膜の幅よりも狭く作
成した基板とを組み合わせて前記金属膜間の電気的導通
を検出することにより、前記光素子と前記光導波路間の
位置設定を行うのが好適である。
また、少なくとも一側面に金属膜を有する光素子と、光
導波路および前記光導波路の一端側に三つのそれぞれ分
離した金属膜を有しこれら金属膜のうち両端の金属膜の
間隔を前記光素子の金属膜の幅よりも広く作成した基板
とを組み合わせて、前記金属膜間の電気的導通を検出す
ることにより、前記光素子と前記光導波路間の位置設定
を行うのが好適である。
導波路および前記光導波路の一端側に三つのそれぞれ分
離した金属膜を有しこれら金属膜のうち両端の金属膜の
間隔を前記光素子の金属膜の幅よりも広く作成した基板
とを組み合わせて、前記金属膜間の電気的導通を検出す
ることにより、前記光素子と前記光導波路間の位置設定
を行うのが好適である。
また、少なくとも一側面に金属膜を有する光素子と、光
導波路および前記光導波路の一端側に少なくとも四つ以
上のそれぞれ分離した金属膜を有する基板とを組み合わ
せて、前記金属膜間の電気的導通を検出することにより
、前記光素子と前記光導波路間の位置設定を行うのが好
適である。
導波路および前記光導波路の一端側に少なくとも四つ以
上のそれぞれ分離した金属膜を有する基板とを組み合わ
せて、前記金属膜間の電気的導通を検出することにより
、前記光素子と前記光導波路間の位置設定を行うのが好
適である。
本発明では従来行われている位置合わせ方法に変えて、
光素子および基板に電極兼用の位置合わせ用金属パター
ンを形成し、これらのパターン間の電気的導通をモニタ
しながら位置合わせを行う。
光素子および基板に電極兼用の位置合わせ用金属パター
ンを形成し、これらのパターン間の電気的導通をモニタ
しながら位置合わせを行う。
この方法により、従来に比べ高精度かつ再現性よく光接
続回路の実装を行うことができる。また高感度かつ高価
な検出系も必要でなく簡易な設備で実装することができ
る。
続回路の実装を行うことができる。また高感度かつ高価
な検出系も必要でなく簡易な設備で実装することができ
る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例を示す斜視図である。本
実施例では絶縁性の基板１上に光導波路２が形成されて
おり、その導波路端部にＬＤ融着兼発光用電極４、位置
合わせ用電極５，６が形成されている。またＬＤ７の基
板に融着する側にはＬＤ発光チヤンネル８と平行かつ中
心軸を同じくしてストライプ状で幅Ｌ１の電極９が形成
されている。
実施例では絶縁性の基板１上に光導波路２が形成されて
おり、その導波路端部にＬＤ融着兼発光用電極４、位置
合わせ用電極５，６が形成されている。またＬＤ７の基
板に融着する側にはＬＤ発光チヤンネル８と平行かつ中
心軸を同じくしてストライプ状で幅Ｌ１の電極９が形成
されている。
第２図は基板側の平面図であるが、第２図に示すように
位置合わせ用電極５，６は光導波路２と平行かつ光導波
路２の中心軸１ｏからの距離をそれぞれ等しく形成する
。そして、位置合わせ用電極５．６間の距離をＬ２とす
る。ＬＤ側の電極９の幅Ｌ１は、基板側の位置合わせ電
極５．６間の距離Ｌ２よりも若干大きく形成する。
位置合わせ用電極５，６は光導波路２と平行かつ光導波
路２の中心軸１ｏからの距離をそれぞれ等しく形成する
。そして、位置合わせ用電極５．６間の距離をＬ２とす
る。ＬＤ側の電極９の幅Ｌ１は、基板側の位置合わせ電
極５．６間の距離Ｌ２よりも若干大きく形成する。
このような光接続回路において、上下方向の位置合わせ
は電極９から発光チャンネル８までの高さと、ＬＤ融着
用電極４から光導波路２の中心までの高さが等しくなる
ように光導波路および電極形成時に調整する。
は電極９から発光チャンネル８までの高さと、ＬＤ融着
用電極４から光導波路２の中心までの高さが等しくなる
ように光導波路および電極形成時に調整する。
横方向の位置合わせは、電極４．５および４゜６間の電
気的導通をモニタすることにより行う。
気的導通をモニタすることにより行う。
すなわち、第３図（Ａ）に示すように、光導波路２とＬ
Ｄ発光チヤンネル８の中心軸が正しく一致した場合、電
極が重なり合い電極９ （破線で示す）を介して電極４
，５および４．６間の電気的４通が生じる。ＬＤ７が左
側にずれた場合、第３図（Ｂ）のように電極４，６間の
導通がなくなる。
Ｄ発光チヤンネル８の中心軸が正しく一致した場合、電
極が重なり合い電極９ （破線で示す）を介して電極４
，５および４．６間の電気的４通が生じる。ＬＤ７が左
側にずれた場合、第３図（Ｂ）のように電極４，６間の
導通がなくなる。
右側にずれた場合も同様に電極４．５間の導通がなくな
る。位置合わせ後、ＬＤ７を融着により基板１に固定す
る。
る。位置合わせ後、ＬＤ７を融着により基板１に固定す
る。
このように、電極４．５および４，６間の電気的Ｗ通を
モニタすることにより横方向の位置合わせを行うことが
できる。この方法による位置精度は、電極５，６とＬＤ
側電極９のオーハーラソプｆｆ１Ｌ＋ Ｌ２と、そ
れぞれの電極形成時の位置精度によって決まるが、フォ
トリソグラフィ技術によりそれぞれ０．１μｍ程度とす
ると最終的な位置精度は±０．２μｍとなり、その再現
性も十分によい。
モニタすることにより横方向の位置合わせを行うことが
できる。この方法による位置精度は、電極５，６とＬＤ
側電極９のオーハーラソプｆｆ１Ｌ＋ Ｌ２と、そ
れぞれの電極形成時の位置精度によって決まるが、フォ
トリソグラフィ技術によりそれぞれ０．１μｍ程度とす
ると最終的な位置精度は±０．２μｍとなり、その再現
性も十分によい。
第１の実施例では基板側の電極を３分割し、ＬＤ側電極
を介して電気的導通が生じるよう調整することにより、
横方向の位置合わせが可能となる。
を介して電気的導通が生じるよう調整することにより、
横方向の位置合わせが可能となる。
このように、電気的導通を調べるだけで位置合わせの検
出を行うことができ、短時間で精度よくしかも低コスト
でＬＤの実装ができる。
出を行うことができ、短時間で精度よくしかも低コスト
でＬＤの実装ができる。
第４図は、本発明の第２の実施例を示す。本実施例も第
１の実施例とほぼ同様ではあるが、ＬＤ側電極２９（破
線で示す）の幅り、を位置合わせ用電極２５．２６の間
隔Ｌ２より若干小さく形成する。
１の実施例とほぼ同様ではあるが、ＬＤ側電極２９（破
線で示す）の幅り、を位置合わせ用電極２５．２６の間
隔Ｌ２より若干小さく形成する。
組合せ調整時に光導波路とＬＤ発光チャンネルの中心軸
が正しく一致すると、第４図（Ａ）のようにＬＤ融着兼
発光用電極２４と位置合わせ用電極２５、２６との間の
導通がなくなる。
が正しく一致すると、第４図（Ａ）のようにＬＤ融着兼
発光用電極２４と位置合わせ用電極２５、２６との間の
導通がなくなる。
ＬＤ７が左側にずれた場合第４図（Ｂ）のようにＬＤ側
電極２９を介して電極２４．２５間に導通が生じる。
電極２９を介して電極２４．２５間に導通が生じる。
また第４図（Ｃ）のようにＬＤと光導波路との間に角度
ずれがある場合、電極２４．２５間と２４．２６間共に
導通が生じる。
ずれがある場合、電極２４．２５間と２４．２６間共に
導通が生じる。
本実施例による位置調整時の横方向の精度はＬ２−Ｌ、
で決まる。Ｌｚ Ｌ＋ ＝０．１μｍ、ＬＤ側電
極２９の長さを３００μｍとすると、横方向精度±０．
２μｍ、角度方向精度±０．０２°となる。
で決まる。Ｌｚ Ｌ＋ ＝０．１μｍ、ＬＤ側電
極２９の長さを３００μｍとすると、横方向精度±０．
２μｍ、角度方向精度±０．０２°となる。
このように第２の実施例では、第１の実施例と電極間の
間隔を変えて電極２４と電極２５．２６との間に電気的
導通が生しないように調整することにより、横方向の位
置合わせのみならず、角度方向の位置合わせも可能とな
る。
間隔を変えて電極２４と電極２５．２６との間に電気的
導通が生しないように調整することにより、横方向の位
置合わせのみならず、角度方向の位置合わせも可能とな
る。
第５図は、本発明の第３の実施例を示す。本実施例も第
１の実施例とほぼ同様であるが、ＬＤ側電極および基板
側電極の形状が異なっている。
１の実施例とほぼ同様であるが、ＬＤ側電極および基板
側電極の形状が異なっている。
第５図（Ａ）に本実施例のＬＤ側電極および基板側電極
を示す。ＬＤ側電極３９（破線で示す）は十字架形とな
っており、ＬＤ発光チャンネルに平行な部分の幅をＬ＋
、垂直な部分の幅をＬ３とする。基板側電極はＬＤ融着
兼発光用電極３４と４つの位置合わせ用電極３５．３６
．３’７．３８からなり、これら位置合わせ用電極は光
導波路２と平行かつ光導波路２の中心軸からの距離をそ
れぞれ等しく形成する。電極３５と３６．３７と３８の
間隔をＬ２、電極３５と３７．３６と３８の間隔をＬ４
とする。Ｌ２≧ＬＬ４≧Ｌｆｆとして、光導波路とＬＤ
発光チャンネルの中心軸が正しく一致するとき、電極３
４と位置合わせ用電極３５．３６．３７．３８の間に導
通がなくなるように配置する。
を示す。ＬＤ側電極３９（破線で示す）は十字架形とな
っており、ＬＤ発光チャンネルに平行な部分の幅をＬ＋
、垂直な部分の幅をＬ３とする。基板側電極はＬＤ融着
兼発光用電極３４と４つの位置合わせ用電極３５．３６
．３’７．３８からなり、これら位置合わせ用電極は光
導波路２と平行かつ光導波路２の中心軸からの距離をそ
れぞれ等しく形成する。電極３５と３６．３７と３８の
間隔をＬ２、電極３５と３７．３６と３８の間隔をＬ４
とする。Ｌ２≧ＬＬ４≧Ｌｆｆとして、光導波路とＬＤ
発光チャンネルの中心軸が正しく一致するとき、電極３
４と位置合わせ用電極３５．３６．３７．３８の間に導
通がなくなるように配置する。
第５図（Ｂ）のようにＬＤが左側にずれた場合、電極３
４と電極３５．３７との間に導通が生じ、第５図（Ｃ）
のようにＬＤが光導波路から離れた場合は、電極３４と
電極３７．３８との間に導通が生じる。
４と電極３５．３７との間に導通が生じ、第５図（Ｃ）
のようにＬＤが光導波路から離れた場合は、電極３４と
電極３７．３８との間に導通が生じる。
またＬ２ＬＩ≦Ｌ４ Ｌ３である場合、角度ずれがあ
り例えば第５図（Ｄ）のようにＬＤが左回りに傾いてい
るとき、電極３４と電極３５．３８との間に導通が、逆
であれば電極３４と電極３６．３７との間に導通がある
。
り例えば第５図（Ｄ）のようにＬＤが左回りに傾いてい
るとき、電極３４と電極３５．３８との間に導通が、逆
であれば電極３４と電極３６．３７との間に導通がある
。
本実施例による位置調整時の精度は、Ｌ、−Ｌ。
−〇、１μｍ、 Ｌ４−Ｌｉ＝０．２μｍ、電極３９の
縦方向の長さを３００μｍとすると、横方向精度±０．
２μｍ、軸方向精度±０．３μｍ、角度方向精度±０．
０２゜となる。
縦方向の長さを３００μｍとすると、横方向精度±０．
２μｍ、軸方向精度±０．３μｍ、角度方向精度±０．
０２゜となる。
このように第３の実施例では、ＬＤ側電極を十字架型と
し、基板側電極を５分割することにより、横方向および
角度方向、軸方向の位置合わせが可能となる。
し、基板側電極を５分割することにより、横方向および
角度方向、軸方向の位置合わせが可能となる。
以上説明した各実施例において、実装するデバイスはＬ
Ｄに限るものではなく単面発光形ＬＥＤ、導波形光ＳＷ
・変調器等の導波形光デバイス全般に適用できるもので
ある。
Ｄに限るものではなく単面発光形ＬＥＤ、導波形光ＳＷ
・変調器等の導波形光デバイス全般に適用できるもので
ある。
また前記光デバイスのアレイにも適用できる。
この場合、位置合わせ電極はアレイデバイスの両端に１
個所ずつ設けるだけで十分な位置合わせ精度が得られる
。
個所ずつ設けるだけで十分な位置合わせ精度が得られる
。
本発明による光接続回路の実装方法によれば、光導波路
基板への光素子実装時の位置合わせを電極間の導通をモ
ニタするだけで行うことができ、光素子がＬＤの場合に
従来のようにＬＤを発光させるための電極取り出しの手
間がかからず、ＬＤ劣化の心配もない。また光出力を検
出するための光学系も不要であり、簡易な設備で製造す
ることが可能となる。またフォトリソグラフィ技術を用
いているため、再現性よ＜０．２〜０．３μｍの高精度
で光導波路と光素子の位置合わせが可能となる。
基板への光素子実装時の位置合わせを電極間の導通をモ
ニタするだけで行うことができ、光素子がＬＤの場合に
従来のようにＬＤを発光させるための電極取り出しの手
間がかからず、ＬＤ劣化の心配もない。また光出力を検
出するための光学系も不要であり、簡易な設備で製造す
ることが可能となる。またフォトリソグラフィ技術を用
いているため、再現性よ＜０．２〜０．３μｍの高精度
で光導波路と光素子の位置合わせが可能となる。
第１図は第１の実施例を示す斜視図、
第２図は第１の実施例における基板側電極および光導波
路の位置関係を示す平面図、 第３図は第１の実施例における位置調整方法を示す基板
側電極およびＬＤ側電極の平面図、第４図は第２の実施
例における位置調整方法を示す基板側電極およびＬＤ側
電極の平面図、第５図は第３の実施例における位置調整
方法を示す基板側電極およびＬＤ側電極の平面図、第６
図は従来例を示す斜視図である。 １．４１・・・・・基板 ２．４２・・・・・光導波路 ４、２４．３４．４４・・・融着用無発光用電極５、
６．２５．２６゜ ３５、 ３６． ３７゜ ７．４５・ ・ ・ ８．４７・ ・ ・ ９．２９．３９・ ４Ｂ・ ・ ・ ・ ・ ３８・・・位置合わせ用電極 ・・ＬＤ ・、・発光チャンネル ・・ＬＤ側電極 ・・活性層ストライプ
路の位置関係を示す平面図、 第３図は第１の実施例における位置調整方法を示す基板
側電極およびＬＤ側電極の平面図、第４図は第２の実施
例における位置調整方法を示す基板側電極およびＬＤ側
電極の平面図、第５図は第３の実施例における位置調整
方法を示す基板側電極およびＬＤ側電極の平面図、第６
図は従来例を示す斜視図である。 １．４１・・・・・基板 ２．４２・・・・・光導波路 ４、２４．３４．４４・・・融着用無発光用電極５、
６．２５．２６゜ ３５、 ３６． ３７゜ ７．４５・ ・ ・ ８．４７・ ・ ・ ９．２９．３９・ ４Ｂ・ ・ ・ ・ ・ ３８・・・位置合わせ用電極 ・・ＬＤ ・、・発光チャンネル ・・ＬＤ側電極 ・・活性層ストライプ
Claims (1)
- （１）少なくとも一側面に金属膜を有する光素子と、光
導波路および前記光導波路の一端側にそれぞれ分離した
金属膜を有する基板とを組み合わせて、前記金属膜間の
電気的導通を検出することにより、前記光素子と前記光
導波路間の位置設定を行うことを特徴とする光接続回路
の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208203A JP2829979B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 光接続回路の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208203A JP2829979B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 光接続回路の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258005A true JPH0258005A (ja) | 1990-02-27 |
| JP2829979B2 JP2829979B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=16552372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63208203A Expired - Lifetime JP2829979B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 光接続回路の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2829979B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH08136768A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-31 | Nec Tohoku Ltd | 並列伝送光モジュール |
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-
1988
- 1988-08-24 JP JP63208203A patent/JP2829979B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US11962121B2 (en) | 2019-02-15 | 2024-04-16 | Nichia Corporation | Light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2829979B2 (ja) | 1998-12-02 |
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