JPH0254856A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0254856A JPH0254856A JP63205337A JP20533788A JPH0254856A JP H0254856 A JPH0254856 A JP H0254856A JP 63205337 A JP63205337 A JP 63205337A JP 20533788 A JP20533788 A JP 20533788A JP H0254856 A JPH0254856 A JP H0254856A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- beam current
- secondary electron
- ion
- ratio
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板へイオン注入を行なうイオン注入
装置に関する。
装置に関する。
半導体基板に、正イオン注入を行なうと１ イオンは半
導体基板内に打ち込まれるものの他、半導体基板上にと
どまりチャージアップするものがある。このチャージア
ップにより醇化膜の絶縁破壊、半導体装置の特性の不均
一等が生ずる。これを防ぐために、加熱フィラメントか
ら電子を放射させ、この電子を例えば管壁等に加速衝突
させ、２次電子を発生せしめ、この２次電子を半導体基
板にあてて、正電荷を中和させるようにしたものがある
。
導体基板内に打ち込まれるものの他、半導体基板上にと
どまりチャージアップするものがある。このチャージア
ップにより醇化膜の絶縁破壊、半導体装置の特性の不均
一等が生ずる。これを防ぐために、加熱フィラメントか
ら電子を放射させ、この電子を例えば管壁等に加速衝突
させ、２次電子を発生せしめ、この２次電子を半導体基
板にあてて、正電荷を中和させるようにしたものがある
。
上記２次電子を発生する機構（エレクトロンフラッドも
しくはエレクトロンシャワーという）は、従来イオンビ
ーム電流の増減にかかわらず、一定の２次電子量を発生
するように設定されていた。そのため、イオンビーム電
流が不安定に増減していると、イオンビーム電流が設定
した２次電子量より大きい場合は、半導体基板は正にチ
ャージアップし、反対にイオンビーム電流が設定した２
次電子量より小さい場合は、半導体基板は負にチャージ
アップしてしまい、結果的に半導体装置の製造において
品質上の不具合が生じるという欠点があった。
しくはエレクトロンシャワーという）は、従来イオンビ
ーム電流の増減にかかわらず、一定の２次電子量を発生
するように設定されていた。そのため、イオンビーム電
流が不安定に増減していると、イオンビーム電流が設定
した２次電子量より大きい場合は、半導体基板は正にチ
ャージアップし、反対にイオンビーム電流が設定した２
次電子量より小さい場合は、半導体基板は負にチャージ
アップしてしまい、結果的に半導体装置の製造において
品質上の不具合が生じるという欠点があった。
未発明の目的は、上記の欠点を除去し、イオンビーム電
流の増減にかかわらず、エレクトロンフラッド機構が有
効に働く、イオン注入装置を提供することにある。
流の増減にかかわらず、エレクトロンフラッド機構が有
効に働く、イオン注入装置を提供することにある。
本発明のイオン注入装置は、半導体基板から流出される
電流を計測するイオンビーム電流測定部と、イオンビー
ム電流と２次電子流との比を設定する２次電子量比設定
部と、前記イオンビーム電流測定部および°２次電子量
比設定部とからのデータに基づき、２次電子量をコント
ロールするエレクトロンフラッド機構を有する。
電流を計測するイオンビーム電流測定部と、イオンビー
ム電流と２次電子流との比を設定する２次電子量比設定
部と、前記イオンビーム電流測定部および°２次電子量
比設定部とからのデータに基づき、２次電子量をコント
ロールするエレクトロンフラッド機構を有する。
半導体基板へのイオン打ち込みに寄与するイオンビーム
電流は、半導体基板から流出される電流を計測すること
で把握できる。この電流値と、２次電子醍比設定部の設
定する値とにより、エレクトロンフラッド機構の出力で
ある２次電子量が定まる。前記２次電子量比を実験的に
定めれば、イオンど−ム電流変動があっても、それに相
応する２次電子量も変動し、チャージアップを常に中和
することができる。
電流は、半導体基板から流出される電流を計測すること
で把握できる。この電流値と、２次電子醍比設定部の設
定する値とにより、エレクトロンフラッド機構の出力で
ある２次電子量が定まる。前記２次電子量比を実験的に
定めれば、イオンど−ム電流変動があっても、それに相
応する２次電子量も変動し、チャージアップを常に中和
することができる。
以下、図面を参照して、本発明の一実施例につき説明す
る。第１図が実施例の概略構成図である０図において、
半導体基板１にイオン注入処理が行なわれる際、イオン
ビーム電流測定部２で測定したイオンビーム電流と、半
導体基板製造プロセス的に最適となるイオンビーム電流
対２次電子贋の比を設定できる２次電子１比設定部３の
設定データとに基づき、エレクトロンフラッド機構制御
部４は、熱電子を発生するフィラメント５に電流を流し
ているフィラメント電流電源６と、熱電子の連動エネル
ギーを決定するバイアス電圧電源７をコントロールして
いる。フィラメント５から放射された熱電子は、加速さ
れて対向するイオン注入装置の部分で２次電子を発生す
る。この２次電子が半導体基板１Ｆにシャワーのように
あたり、中和作用をなす、イオンビーム電流と２次電子
量の比としては、最適の条件をあらかじめ実験的に定め
ておけば、イオンビーム電流の増減にかかわらず、常に
最適の２次電子量となって、チャージアップが生じない
。
る。第１図が実施例の概略構成図である０図において、
半導体基板１にイオン注入処理が行なわれる際、イオン
ビーム電流測定部２で測定したイオンビーム電流と、半
導体基板製造プロセス的に最適となるイオンビーム電流
対２次電子贋の比を設定できる２次電子１比設定部３の
設定データとに基づき、エレクトロンフラッド機構制御
部４は、熱電子を発生するフィラメント５に電流を流し
ているフィラメント電流電源６と、熱電子の連動エネル
ギーを決定するバイアス電圧電源７をコントロールして
いる。フィラメント５から放射された熱電子は、加速さ
れて対向するイオン注入装置の部分で２次電子を発生す
る。この２次電子が半導体基板１Ｆにシャワーのように
あたり、中和作用をなす、イオンビーム電流と２次電子
量の比としては、最適の条件をあらかじめ実験的に定め
ておけば、イオンビーム電流の増減にかかわらず、常に
最適の２次電子量となって、チャージアップが生じない
。
なお、この実施例においては、半導体基板を１枚ずつ処
理するイオン注入装置について述べたが、半導体基板を
回転する円板上に複数枚差べて処理するバッチ式のイオ
ン注入装置についても同様に実施できる。
理するイオン注入装置について述べたが、半導体基板を
回転する円板上に複数枚差べて処理するバッチ式のイオ
ン注入装置についても同様に実施できる。
以」−説明したように、本発明によれば、イオンビーム
電流と２次電子量との比をイオンビーム量の変動にかか
わらず、常に最適に維持することができる。これにより
イオン注入中に、半導体基板がチャージアップすること
なく、半導体装置の品質上の不具合が生じない。
電流と２次電子量との比をイオンビーム量の変動にかか
わらず、常に最適に維持することができる。これにより
イオン注入中に、半導体基板がチャージアップすること
なく、半導体装置の品質上の不具合が生じない。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図である。
ｌ・・・半導体基板、
２・・・イオンビーム電流測定部、
３・・・２次電子量比設定部、
４・・・エレクトロンフラッド機構制御部、５・・・フ
ィラメント、 ６・・・フィラメント電流電源、 ７・・・バイアス電圧電源。
ィラメント、 ６・・・フィラメント電流電源、 ７・・・バイアス電圧電源。
Claims (1)
- エレクトロンフラッド機構を具備し、半導体基板へイオ
ン注入を行なう、イオン注入装置において、半導体基板
から流出される電流を計測するイオンビーム電流測定部
と、イオンビーム電流と２次電子流との比を設定する２
次電子量比設定部と、前記イオンビーム電流測定部およ
び２次電子量比設定部とからのデータに基づき、２次電
子量をコントロールするエレクトロンフラッド機構を有
することを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205337A JPH0254856A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205337A JPH0254856A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254856A true JPH0254856A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16505240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63205337A Pending JPH0254856A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254856A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61288364A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | Hitachi Ltd | イオン打ち込み方法 |
| JPS62154544A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Nissin Electric Co Ltd | イオン処理装置 |
| JPS63184256A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-29 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
-
1988
- 1988-08-17 JP JP63205337A patent/JPH0254856A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61288364A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | Hitachi Ltd | イオン打ち込み方法 |
| JPS62154544A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Nissin Electric Co Ltd | イオン処理装置 |
| JPS63184256A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-29 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
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