JPH0254548A - 半導体結晶中の微量不純物の同定法 - Google Patents
半導体結晶中の微量不純物の同定法Info
- Publication number
- JPH0254548A JPH0254548A JP20537888A JP20537888A JPH0254548A JP H0254548 A JPH0254548 A JP H0254548A JP 20537888 A JP20537888 A JP 20537888A JP 20537888 A JP20537888 A JP 20537888A JP H0254548 A JPH0254548 A JP H0254548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial layer
- substrate
- impurity
- substrates
- semiconductor crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100215641 Aeromonas salmonicida ash3 gene Proteins 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004677 spark ionization mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体結晶中の微量不純物の同定法に関する
ものである。
ものである。
［従来の技術］
禁制帯の中央付近に準位を作るような不純物を大量にド
ープしてキャリア濃度を小さくすることにより、抵抗率
を大幅に上げた（１０６ΩＣｍ以上）半導体結晶は、一
般に半絶縁性結晶と呼ばれている０例えば半絶縁性Ｇａ
Ａｓおよび半絶縁性ＩｎＰは、電界効果トランジスタや
集積回路用の基板として不可欠である。
ープしてキャリア濃度を小さくすることにより、抵抗率
を大幅に上げた（１０６ΩＣｍ以上）半導体結晶は、一
般に半絶縁性結晶と呼ばれている０例えば半絶縁性Ｇａ
Ａｓおよび半絶縁性ＩｎＰは、電界効果トランジスタや
集積回路用の基板として不可欠である。
このような半絶縁性基板においては、基板中に微量に意
図せずに取り込まれる不純物を同定し、極力取り除く必
要がある。なぜなら、このような不純物は、デバイス作
製時の熱処理プロセスなどの過程で基板中または基板表
面に拡散し、その上に形成されたデバイスの特性に影響
を与えることがあるからである。
図せずに取り込まれる不純物を同定し、極力取り除く必
要がある。なぜなら、このような不純物は、デバイス作
製時の熱処理プロセスなどの過程で基板中または基板表
面に拡散し、その上に形成されたデバイスの特性に影響
を与えることがあるからである。
従来、半導体中の不純物の同定は、二次イオン質量分析
（Ｓ Ｉ ＭＳ） 、スパークソース質量分析（ＳＳＭ
Ｓ）およびフォトルミネセンス（ＰＬ）法によりておこ
なわれていた。Ｓ■ＭＳおよび５５Ｍ５は、結晶の構成
原子をイオン化して質量分析器にかけるものである。ま
たＰＬ法は、結晶に禁制帯幅以上のエネルギーを持つ光
を照射し、結晶からの発光スペクトルの形状とピーク位
置から不純物の同定を行なうものである。
（Ｓ Ｉ ＭＳ） 、スパークソース質量分析（ＳＳＭ
Ｓ）およびフォトルミネセンス（ＰＬ）法によりておこ
なわれていた。Ｓ■ＭＳおよび５５Ｍ５は、結晶の構成
原子をイオン化して質量分析器にかけるものである。ま
たＰＬ法は、結晶に禁制帯幅以上のエネルギーを持つ光
を照射し、結晶からの発光スペクトルの形状とピーク位
置から不純物の同定を行なうものである。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、このような同定法を上述のような半絶縁体中の
微量不純物の同定に適用することは、以下の理由により
、困難であった。
微量不純物の同定に適用することは、以下の理由により
、困難であった。
■ＳＩＭＳおよび５５Ｍ５は、感度がｐｐｍオーダーで
あり、１０ ｌ５ｃｍ’″３台以下の微量不純物の同定
は不可能である。
あり、１０ ｌ５ｃｍ’″３台以下の微量不純物の同定
は不可能である。
■ＰＬ法は、最小検出感度が１０１４ｃｍ−”以下にま
で達するという長所を有するが、半絶縁性結晶に適用し
た場合、通常、深い準位に起因するきわめてブロードな
スペクトルが観察されるだけであり、微量不純物からの
発光はほとんど見出せなかった。
で達するという長所を有するが、半絶縁性結晶に適用し
た場合、通常、深い準位に起因するきわめてブロードな
スペクトルが観察されるだけであり、微量不純物からの
発光はほとんど見出せなかった。
従って、半絶縁性結晶中に存在する微量不純物を、感度
よく、しかも簡便に同定する方法が求められていた。
よく、しかも簡便に同定する方法が求められていた。
［課題を解決するための手段］
本発明の要旨は、半導体結晶からなる基板の表面に、１
．０μｍ以下の厚さの、該半導体結晶と主成分が同一で
あって不可避的不純物以外の不純物を含有しないエピタ
キシャル層を成長させ、前記半導体結晶の禁制帯幅以上
のエネルギーを有する波長を有する光で前記エピタキシ
ャル層の表面を励起し、当該エピタキシャル層からの発
光スペクトルにより前記基板中に存在する不純物の種類
を同定することを特徴とする半導体結晶中の微量不純物
同定法に存在する。
．０μｍ以下の厚さの、該半導体結晶と主成分が同一で
あって不可避的不純物以外の不純物を含有しないエピタ
キシャル層を成長させ、前記半導体結晶の禁制帯幅以上
のエネルギーを有する波長を有する光で前記エピタキシ
ャル層の表面を励起し、当該エピタキシャル層からの発
光スペクトルにより前記基板中に存在する不純物の種類
を同定することを特徴とする半導体結晶中の微量不純物
同定法に存在する。
［作用］
本発明によれば、上述のようなエピタキシャル層を基板
の表面に成長させることにより、半絶縁性基板中の微量
不純物をＰＬ法により同定することが可能となる。
の表面に成長させることにより、半絶縁性基板中の微量
不純物をＰＬ法により同定することが可能となる。
まず、評価しようとする半絶縁性基板上に、同種の半導
体を、液相成長（ＬＰＥ）、気相成長法（ＶＰＥ）、分
子線成長法（ＭＢＥ）などを用いてホモエピタキシャル
成長させる。このとき、エピタキシャル層には不可避的
不純物以外は何も添加されない。エピタキシャル層の厚
さは、０．１μｍ〜１．０μｍが好ましい。なぜなら、
０．１μｍ未満では層の厚みを制御することが困難であ
り、また１、０μｍを越えると発光スペクトルの強度が
小さいため測定が困難だからである。
体を、液相成長（ＬＰＥ）、気相成長法（ＶＰＥ）、分
子線成長法（ＭＢＥ）などを用いてホモエピタキシャル
成長させる。このとき、エピタキシャル層には不可避的
不純物以外は何も添加されない。エピタキシャル層の厚
さは、０．１μｍ〜１．０μｍが好ましい。なぜなら、
０．１μｍ未満では層の厚みを制御することが困難であ
り、また１、０μｍを越えると発光スペクトルの強度が
小さいため測定が困難だからである。
次に、このエピタキシャル層を成長させた基板を７７°
Ｋに冷却し、この半導体結晶の禁制帯幅以上のエネルギ
ーを有する波長を持つ光でこのエピタキシャル層の表面
を励起し、このエピタキシャル層からの発光スペクトル
を観察する。このスペクトルにあられれるピーク形状及
び位置から基板結晶に含まれる微量不純物の同定をおこ
なう。この発光スペクトルには、半絶縁性基板中に含ま
れる深い準位からの発光は含まれず、半絶縁性基板中に
含まれる微量不純物からの発光のみが観測されるため、
このスペクトルからの不純物の同定が可能となる。
Ｋに冷却し、この半導体結晶の禁制帯幅以上のエネルギ
ーを有する波長を持つ光でこのエピタキシャル層の表面
を励起し、このエピタキシャル層からの発光スペクトル
を観察する。このスペクトルにあられれるピーク形状及
び位置から基板結晶に含まれる微量不純物の同定をおこ
なう。この発光スペクトルには、半絶縁性基板中に含ま
れる深い準位からの発光は含まれず、半絶縁性基板中に
含まれる微量不純物からの発光のみが観測されるため、
このスペクトルからの不純物の同定が可能となる。
［実施例］
本発明の実施例として、Ｃｒをドープした半絶縁性基板
を用い、この半絶縁性基板に含有されている微量不純物
の同定をおこなった場合について述べる（結果、＠量不
純物としてＣｕが含有されていることがわかった）。
を用い、この半絶縁性基板に含有されている微量不純物
の同定をおこなった場合について述べる（結果、＠量不
純物としてＣｕが含有されていることがわかった）。
第１図は、本実施例に用いたエピタキシャル成長装置の
概略である。１はキャリアガスの水素を送るバイブ、２
はアルシン（ＡＳＨ３）と水素との混合ガスを送るガス
導入管、３はトリエチルガリウム（Ｇａ （Ｃ２Ｈ８）
３ ）を輸送する水素系、４はＲＦコイル、５は透明石
英からなる反応管、６はカーボンサセプタ、フはＧａＡ
ｓ基板、８はサセプタの温度を測定するための熱電対、
９はトリエチルガリウムである。バイブ２から導入され
るアルシンと、トリエチルガリウム９の中を通って反応
管５に導入される水素に含まれるトリエチルガリウムが
、加熱されたサセプタ６上に置かれたＧａＡｓ基板７上
で反応し、ＧａＡｓエピタキシャル層がＧａＡｓ基板７
の“上に成長する。
概略である。１はキャリアガスの水素を送るバイブ、２
はアルシン（ＡＳＨ３）と水素との混合ガスを送るガス
導入管、３はトリエチルガリウム（Ｇａ （Ｃ２Ｈ８）
３ ）を輸送する水素系、４はＲＦコイル、５は透明石
英からなる反応管、６はカーボンサセプタ、フはＧａＡ
ｓ基板、８はサセプタの温度を測定するための熱電対、
９はトリエチルガリウムである。バイブ２から導入され
るアルシンと、トリエチルガリウム９の中を通って反応
管５に導入される水素に含まれるトリエチルガリウムが
、加熱されたサセプタ６上に置かれたＧａＡｓ基板７上
で反応し、ＧａＡｓエピタキシャル層がＧａＡｓ基板７
の“上に成長する。
本実施例では、第２図に示すようにカーボンサセプタ６
の上に４枚の半絶縁性基板１０，１１゜１２．１３を配
置した。このうち１０．１３はＣｒをドープした半絶縁
性ＧａＡｓ基板であり、１１．１２はＣｒをドープしな
い半絶縁性ＧａＡｓ基板である。
の上に４枚の半絶縁性基板１０，１１゜１２．１３を配
置した。このうち１０．１３はＣｒをドープした半絶縁
性ＧａＡｓ基板であり、１１．１２はＣｒをドープしな
い半絶縁性ＧａＡｓ基板である。
これらの基板は、サセプタの上にセットする前に表面を
鏡面研磨され、Ｈ２ＳＯ４−Ｈ２０２−Ｈ２０混合溶液
で１分間表面のエツチングが行われ、十分水洗いをされ
ている。これらのＧｊＡｓ基板をサセプタ上に配置した
後、Ｈ２ガスを用いて６０分反応管内のパージを行い、
その後サセプタ温度を６５０℃に上げた。温度が安定化
した後、まずＡｓＨ，を基板上に流し、次にトリコチル
ガリウムを基板上に流して、３０分間Ｇ ａ Ａ ｓ。
鏡面研磨され、Ｈ２ＳＯ４−Ｈ２０２−Ｈ２０混合溶液
で１分間表面のエツチングが行われ、十分水洗いをされ
ている。これらのＧｊＡｓ基板をサセプタ上に配置した
後、Ｈ２ガスを用いて６０分反応管内のパージを行い、
その後サセプタ温度を６５０℃に上げた。温度が安定化
した後、まずＡｓＨ，を基板上に流し、次にトリコチル
ガリウムを基板上に流して、３０分間Ｇ ａ Ａ ｓ。
エピタキシャル層を成長させた。なお、このエピタキシ
ャル層には不可避的不純物以外は何もドープされず、Ｃ
ｒもドープされていない。この基板を降温後反応管外に
取り出し、半絶縁性基板上に堆積したＧａＡｓエピタキ
シャル層の厚さを測定したところ、いずれも０．４〜０
．５μｍであフた。
ャル層には不可避的不純物以外は何もドープされず、Ｃ
ｒもドープされていない。この基板を降温後反応管外に
取り出し、半絶縁性基板上に堆積したＧａＡｓエピタキ
シャル層の厚さを測定したところ、いずれも０．４〜０
．５μｍであフた。
この様にしてエピタキシャル層を堆積した基板を、それ
ぞれ液体チッ素中につけ、Ｈｅ−Ｎｅレーザーを用いて
エピタキシャル層からのフォトルミネセンススペクトル
を観測したところ、第３図〜第６図のようなスペクトル
が得られた。また、エピタキシャル層を成長させる前の
半絶縁性基板を同様に液体チッ素につけ、Ｈｅ−Ｎｅレ
ーザを用いてフォトルミネセンススペクトルを観察した
ところＣｒをドープした半絶縁性ＧａＡｓ基板について
は第７図のスペクトル、Ｃｒをドープしない半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板については、第８図のスペクトルが得られた
。
ぞれ液体チッ素中につけ、Ｈｅ−Ｎｅレーザーを用いて
エピタキシャル層からのフォトルミネセンススペクトル
を観測したところ、第３図〜第６図のようなスペクトル
が得られた。また、エピタキシャル層を成長させる前の
半絶縁性基板を同様に液体チッ素につけ、Ｈｅ−Ｎｅレ
ーザを用いてフォトルミネセンススペクトルを観察した
ところＣｒをドープした半絶縁性ＧａＡｓ基板について
は第７図のスペクトル、Ｃｒをドープしない半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板については、第８図のスペクトルが得られた
。
第７図、第８図は、いずれも波長１．５μｍ前後にピー
クを有するブロードなスペクトルを示すのみであり、こ
の基板中に含まれる微量不純物に関する情報は得られな
い。これに対し、第３図〜第６図に示すエピタキシャル
層からの発光は、微量不純物に関する情報を含んでいる
。すなわち第３図に示す基板１０上に成長させたエピタ
キシャル層からの発光スペクトルと、第６図に示す基板
１３上に成長させたエピタキシャル層からの発光スペク
トルは、明らかに、０．９１−μｍ付近にＣｕによる発
光ピークを示している。（Ｃｕによって生じる発光ピー
クの位置はＱｕｅｉｓｓｅｒらによって０．９１μｍに
生じることが知られている（）１． Ｊ、 Ｑｕｅｉｓ
ｓｅｒ ａｎｄ Ｃ，Ｓ、 Ｆｕｌｌｅｒ： Ｊｏｕｒ
ｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｖｏｌ
、 ３７ Ｎｏ、１３ ｐ４８９５（１９６６）） ）
。この微量不純物Ｃｕが基板にドープされたＣｒによっ
て生じたものであり、成長装置に起因する汚染ではない
ことは、隣りに並べて置いた、Ｃｒをドープしていない
ＧａＡｓ基板１１．１２上に成長させたエピタキシャル
層からの発光スペクトルが、同じ位置波長０．９１μｍ
に顕著なピークを示さない（第４図と第５図参照）こと
から明らかである。
クを有するブロードなスペクトルを示すのみであり、こ
の基板中に含まれる微量不純物に関する情報は得られな
い。これに対し、第３図〜第６図に示すエピタキシャル
層からの発光は、微量不純物に関する情報を含んでいる
。すなわち第３図に示す基板１０上に成長させたエピタ
キシャル層からの発光スペクトルと、第６図に示す基板
１３上に成長させたエピタキシャル層からの発光スペク
トルは、明らかに、０．９１−μｍ付近にＣｕによる発
光ピークを示している。（Ｃｕによって生じる発光ピー
クの位置はＱｕｅｉｓｓｅｒらによって０．９１μｍに
生じることが知られている（）１． Ｊ、 Ｑｕｅｉｓ
ｓｅｒ ａｎｄ Ｃ，Ｓ、 Ｆｕｌｌｅｒ： Ｊｏｕｒ
ｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｖｏｌ
、 ３７ Ｎｏ、１３ ｐ４８９５（１９６６）） ）
。この微量不純物Ｃｕが基板にドープされたＣｒによっ
て生じたものであり、成長装置に起因する汚染ではない
ことは、隣りに並べて置いた、Ｃｒをドープしていない
ＧａＡｓ基板１１．１２上に成長させたエピタキシャル
層からの発光スペクトルが、同じ位置波長０．９１μｍ
に顕著なピークを示さない（第４図と第５図参照）こと
から明らかである。
なお、これら２種の基板をＳＩＭＳ、５５Ｍ５で分析し
たが、Ｃｒの濃度はいずれも検出限界以下であった。
たが、Ｃｒの濃度はいずれも検出限界以下であった。
以上説明した様に、本実施例により、従来のＰＬ法、Ｓ
ＩＭＳ％５５Ｍ５では検出できなかった、半絶縁性基板
中に含まれる微量不純物Ｃｕを同定することができた。
ＩＭＳ％５５Ｍ５では検出できなかった、半絶縁性基板
中に含まれる微量不純物Ｃｕを同定することができた。
なお、本実施例においてはＣｒの同定を行なう場合につ
いて述べたが、エピタキシャル層を成長させるときの基
板温度やエピタキシャル層の膜厚などを変えることによ
って、その他の不純物に適用可能なことは明らかである
。
いて述べたが、エピタキシャル層を成長させるときの基
板温度やエピタキシャル層の膜厚などを変えることによ
って、その他の不純物に適用可能なことは明らかである
。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、従来の方法では
検出が困難もしくは不可能であった半絶縁性基板中の微
量不純物の同定を、簡便な方法で可能ならしめることが
できる０本発明は、電界効果トランジスタや集積回路を
作製するために用いる半絶縁性基板の評価法として非常
に有効である。
検出が困難もしくは不可能であった半絶縁性基板中の微
量不純物の同定を、簡便な方法で可能ならしめることが
できる０本発明は、電界効果トランジスタや集積回路を
作製するために用いる半絶縁性基板の評価法として非常
に有効である。
第１図は本発明の実施例で用いた有機金属気相成長法（
ＭＯＶＰＥ法）によるエピタキシャル成長装置の該略図
、第２図は本発明の実施例で用いた反応管内のサセプタ
上のＧａＡｓ基板の配置を示す図、第３図は基板１０の
上に成長させたエビタキシャル層の液体チッ素温度での
発光スペクトルを示す図、第４図は基板１１の上に成長
させたエピタキシャル層の同様のスペクトルを示す図、
第５図は基板１２の上に成長させたエピタキシャル層の
同様のスペクトルを示す図、第６図は基板１３の上に成
長させたエピタキシャル層の同様のスペクトルを示す図
、第７図はＣｒをドープした半絶縁性ＧａＡｓ基板の液
体チッ素温度での発光スペクトルを示す図、第８図はＣ
ｒをドープしない半絶縁性ＧａＡｓ基板の液体チッ素温
度での発光スペクトルを示す図である。 １・・・キャリアガスの水素を送るバイブ、２・・・ア
ルシン（ＡｓＨｓ）と水素との混合ガスを送るパイプ、
３・・・トリエチルガリウム（Ｇａ （ｃｚ Ｈｓ ）
３）を輸送する水素系、４・・・ＲＦコイル、５・・
・透明石英からなる反応管、６・・・カーボンサセプタ
、７・・−ＧａＡｓ基板、８・・・サセプタの温度を測
定するための熱電対、９・・・トリエチルガリウム、１
０．．１３・−Ｃｒをドープした半絶縁性ＧａＡｓ基板
、１１．１２−・・Ｃｒをドープしない半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板。 第 図 長（μｍ）
ＭＯＶＰＥ法）によるエピタキシャル成長装置の該略図
、第２図は本発明の実施例で用いた反応管内のサセプタ
上のＧａＡｓ基板の配置を示す図、第３図は基板１０の
上に成長させたエビタキシャル層の液体チッ素温度での
発光スペクトルを示す図、第４図は基板１１の上に成長
させたエピタキシャル層の同様のスペクトルを示す図、
第５図は基板１２の上に成長させたエピタキシャル層の
同様のスペクトルを示す図、第６図は基板１３の上に成
長させたエピタキシャル層の同様のスペクトルを示す図
、第７図はＣｒをドープした半絶縁性ＧａＡｓ基板の液
体チッ素温度での発光スペクトルを示す図、第８図はＣ
ｒをドープしない半絶縁性ＧａＡｓ基板の液体チッ素温
度での発光スペクトルを示す図である。 １・・・キャリアガスの水素を送るバイブ、２・・・ア
ルシン（ＡｓＨｓ）と水素との混合ガスを送るパイプ、
３・・・トリエチルガリウム（Ｇａ （ｃｚ Ｈｓ ）
３）を輸送する水素系、４・・・ＲＦコイル、５・・
・透明石英からなる反応管、６・・・カーボンサセプタ
、７・・−ＧａＡｓ基板、８・・・サセプタの温度を測
定するための熱電対、９・・・トリエチルガリウム、１
０．．１３・−Ｃｒをドープした半絶縁性ＧａＡｓ基板
、１１．１２−・・Ｃｒをドープしない半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板。 第 図 長（μｍ）
Claims (1)
- 半導体結晶からなる基板の表面に、該半導体結晶と主成
分が同一であって不可避的不純物以外の不純物を含有し
ないエピタキシャル層を成長させ、前記半導体結晶の禁
制帯幅以上のエネルギーを有する波長を有する光で前記
エピタキシャル層の表面を励起し、当該エピタキシャル
層からの発光スペクトルにより前記基板中に存在する不
純物の種類を同定することを特徴とする半導体結晶中の
微量不純物同定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205378A JP2661977B2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 半導体結晶中の微量不純物の同定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205378A JP2661977B2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 半導体結晶中の微量不純物の同定法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254548A true JPH0254548A (ja) | 1990-02-23 |
| JP2661977B2 JP2661977B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=16505836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63205378A Expired - Lifetime JP2661977B2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 半導体結晶中の微量不純物の同定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2661977B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06151540A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-05-31 | Japan Energy Corp | 化合物半導体基板の評価方法 |
| CN104193058A (zh) * | 2014-09-27 | 2014-12-10 | 长春黄金研究院 | 一种黄金矿山含氰废水综合治理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49107483A (ja) * | 1973-02-16 | 1974-10-12 |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP63205378A patent/JP2661977B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49107483A (ja) * | 1973-02-16 | 1974-10-12 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06151540A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-05-31 | Japan Energy Corp | 化合物半導体基板の評価方法 |
| CN104193058A (zh) * | 2014-09-27 | 2014-12-10 | 长春黄金研究院 | 一种黄金矿山含氰废水综合治理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2661977B2 (ja) | 1997-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Akasaki et al. | Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1− xAlxN (0< x≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE | |
| US6104039A (en) | P-type nitrogen compound semiconductor and method of manufacturing same | |
| US9074297B2 (en) | Method and device for manufacturing semiconductor compound materials by means of vapour phase epitaxy | |
| Amilusik et al. | Homoepitaxial HVPE-GaN growth on non-polar and semi-polar seeds | |
| Gu et al. | Study of optical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE | |
| US9543392B1 (en) | Transparent group III metal nitride and method of manufacture | |
| JPS6255688B2 (ja) | ||
| Sitter et al. | Growth and characterization of high-quality CdTe epilayers on GaAs substrates by hot-wall epitaxy | |
| Kim et al. | Growth of CdTe epitaxial films on p‐InSb (111) by temperature gradient vapor transport deposition | |
| Suski et al. | High pressure fabrication and processing of GaN: Mg | |
| JPS5856963B2 (ja) | 電子発光化合物半導体の製造方法 | |
| JP2661977B2 (ja) | 半導体結晶中の微量不純物の同定法 | |
| Xiang et al. | Oxygen-related deep level defects in solid-source MBE grown GaInP | |
| Murthy et al. | Residual impurities in GaN substrates and epitaxial layers grown by various techniques | |
| Fujimoto | Structural aspects of non-stoichiometry and heavy doping of GaAs | |
| Lovergine et al. | MOVPE growth and characterisation of ZnTe epilayers on (1 0 0) ZnTe: P substrates | |
| Ando | Recent progress in multi-wafer CBE systems | |
| JP2740903B2 (ja) | 化合物半導体基板の評価方法 | |
| JPH0654758B2 (ja) | 化合物半導体単結晶膜の成長方法 | |
| Watkins et al. | Sources of donor impurities in undoped GaAs grown using arsine and trimethylgallium | |
| Huh | Organometallic vapor phase epitaxy of ZnSe with novel Zn and Se sources | |
| ABAS | Indium nitride growth with in situ surface modification by RF-MBE | |
| Syperek et al. | Photoreflectance spectroscopy of thick GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy technique. | |
| JPH05160040A (ja) | 半導体結晶成長装置および該装置を用いた結晶成長方法 | |
| Torres-Delgado et al. | Photoluminescence and photoreflectance studies of defects in GaAs epitaxial layers grown by liquid phase epitaxy at different supercooling temperatures |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613 Year of fee payment: 12 |