JPH0254316A - 基準電圧源 - Google Patents

基準電圧源

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JPH0254316A
JPH0254316A JP63205828A JP20582888A JPH0254316A JP H0254316 A JPH0254316 A JP H0254316A JP 63205828 A JP63205828 A JP 63205828A JP 20582888 A JP20582888 A JP 20582888A JP H0254316 A JPH0254316 A JP H0254316A
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mos transistor
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Yasuhiko Abe
泰彦 阿部
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は基準電圧源、特に、電子時計、卓上計算機等、
低消費電力が要求される回路に適用される基準電圧源に
関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の基準電圧源の基本構成は、第4図に示す
様に、演算増幅器3の出力4とP型MOSトランジスタ
のドレイン9との間に位相補償用コンデンサ6を接続し
ており、P型MOSトランジスタのドレイン9の出力を
基準電圧源としていた。
演算増幅器3は全帰還増幅器となっており、入力端子1
の電圧が変化せずドレイン9に出力されることを基本と
している。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の基準電圧源は、電源電圧に電圧降下が生
じた場合、その電圧降下に応じた大きな電圧変動をもつ
という欠点がある。
第4図、及び第5図(a)、(b)を参照して上記現象
を説明する。
電源7の電源電圧Vooが第5図(a)の様な電圧降下
を起した場合、その瞬間P型MOSトランジスタのゲー
ト・ソース間電圧が低下し、位相補償用コンデンサ6を
介した基準電圧源の出力9も第5図(b)のVou丁の
様に低下する。 このため、演算増幅器3の非反転入力
端子2の電位が低下し、演算増幅器3の出力4も低下し
、P型MOSトランジスタのゲート・ソース間電圧は電
源電圧降下以前の値になり、基準電圧源の出力9も定常
値に回復する。
次に、電源7の電源電圧がVDDまで回復する瞬間、P
型MOSトランジスタのゲート・ソース間電圧が定常値
以上になるため、ドレイン電圧がVDD側に引張られ、
同時に負荷容量cLに電荷がチャージされ、基準電圧源
の出力9もVDDまで急激に上昇する。
その後、定電流源10によって負荷容量cLが放電され
、基準電圧源の出力9の電圧■oIJTは定常値におち
つく。
また、電子時計、4上計算機等、特に低消費電力が要求
される回路では、低電流源1oに流せる電流が小さいた
め、上記現象が起った場合、基準電圧源の出力9の電圧
VOLITが定常値まで回復するのに時間がかかるとい
う欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の基準電圧源は、第1の電源とMOSトランジス
タのソースを接続し、前記MOSトランジスタのドレイ
ンと第2の電源の間に定電流源を接続し、演算増幅器の
出力と前記MOSトランジスタのゲートを接続し、前記
演算増幅器の出力と前記MO3)ランジスタのソースの
間にコンデンサを接続し、前記演算増幅器の一方の入力
端子と前記MOSトランジスタのドレインを接続し、前
記演算増幅器の他方の端子に基準電圧を与えたときの前
記MoSトランジスタのドレインを出力とすることを含
んで構成される。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は第1図の
詳細回路図で、入力段、差動段、出力段の3段構成の一
般的な演算増幅器である。
出力段はP型MOSトランジスタP3.及び定電流源I
2で構成され、電源電圧VoDの電圧降下をΔVDDと
すると、P型MO8)ランジスタP3のゲート・ソース
間電圧の電圧降下ΔVGSP3は、と表わせる。ここで
、Ccは位相補償用コンデンサ、CN、及びCpはN型
MOSトランジスタN1、及びP型MOSトランジスタ
P1のドレイン浮遊容量、またC 、、P3はP型MO
3)ランジスタP3のゲート・ソース間オーバー・ラッ
プ容量である。
しかるに、Cc>> CNであるためΔVGsp3”=
0[V]となり、第3図(b)に示す様に電源電圧VD
DがΔVDD電圧降下してもΔVGSP3の変動は無視
出来るため、A点における演算増幅器の出力変動ΔVO
UTは零となる。
また、従来例の説明で述べた様な電源電圧が降下し、そ
の後■DDに回復する際については、P型MOSトラン
ジスタP3のゲートと電源■DDの間に位相補償用コン
デンサC6が接続されているためP3トランジスタのゲ
ート・ソース間電圧の上昇は、従来例に比べて極力小さ
くなる。
その結果、P3トランジスタのドレイン電圧の上昇も小
さく、負荷容量CLにチャージされる電荷も減少するた
め第3図(b)に示す様に、A点における出力電圧vo
u’rの上昇は激減し、かつ定常値まで回復する時間も
短縮される。
以上、本発明では、電源電圧VDDの変動によってP3
トランジスタのドレイン電圧が変動しても、電源とP3
トランジスタの間に接続した位相補償用コンデンサの効
果により、P3トランジスタのゲート・ソース間電圧の
変動をおさえることができるため、従来例に比べて、P
3トランジスタに流れる電流変動を極力小さくすること
が出来、定電流源工2とのバランスが保て、演算増幅器
の出力変動ΔVOUTを、おさえることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、演算増幅器の出力とP型
MOSトランジスタのソース゛との間に位相補償用コン
デンサを接続することにより、電源電圧の変動に対し、
演算増幅器の出力変動をおさえることが出来、後段の負
荷に対し、安定した基準電圧源となるという効果がある
P2.P3−P型MOSトランジスタ、Io、I。
■2・・・定電流源、D2・・・ツェナー・ダイオード
、cp 、CN・・・Pl、及びN1のドレイン浮遊容
量、Cc・・・位相補償用コンデンサ、CL・・・負荷
容量、A・・・演算増幅器の出力。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1の電源とMOSトランジスタのソースを接続し、前
    記MOSトランジスタのドレインと第2の電源の間に定
    電流源を接続し、演算増幅器の出力と前記MOSトラン
    ジスタのゲートを接続し、前記演算増幅器の出力と前記
    MOSトランジスタのソースの間にコンデンサを接続し
    、前記演算増幅器の一方の入力端子と前記MOSトラン
    ジスタのドレインを接続し、前記演算増幅器の他方の端
    子に基準電圧を与えたときの前記MOSトランジスタの
    ドレインを出力とすることを特徴とする基準電圧源。
JP63205828A 1988-08-18 1988-08-18 基準電圧源 Expired - Fee Related JP2806530B2 (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7075339B2 (en) 2001-09-17 2006-07-11 Renesas Technology Corp. Semiconductor output circuit device
KR101018950B1 (ko) * 2004-05-11 2011-03-02 세이코 인스트루 가부시키가이샤 정전압 출력 회로
JP2014153772A (ja) * 2013-02-05 2014-08-25 Seiko Instruments Inc 定電圧回路及びアナログ電子時計

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US7075339B2 (en) 2001-09-17 2006-07-11 Renesas Technology Corp. Semiconductor output circuit device
KR101018950B1 (ko) * 2004-05-11 2011-03-02 세이코 인스트루 가부시키가이샤 정전압 출력 회로
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