JPH0253291A - Semiconductor memory - Google Patents

Semiconductor memory

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Publication number
JPH0253291A
JPH0253291A JP63203617A JP20361788A JPH0253291A JP H0253291 A JPH0253291 A JP H0253291A JP 63203617 A JP63203617 A JP 63203617A JP 20361788 A JP20361788 A JP 20361788A JP H0253291 A JPH0253291 A JP H0253291A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
refresh
address
outside
refresh address
match signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63203617A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kimihito Tokuda
徳田 君仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63203617A priority Critical patent/JPH0253291A/en
Publication of JPH0253291A publication Critical patent/JPH0253291A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To accelerate the processing speed of a system by comparing a refresh address outputted from a refresh address counter with a row address inputted from the outside at the time of making access, and outputting a coincidence signal to the outside when they coincide. CONSTITUTION:The row address accessed at the time of making access from a CPU is fetched in the inside, and it is compared with the refresh address at a comparator 2, and when they coincide, the coincidence signal 8 is outputted to the outside. An out-fitted refresh interval timer is reset by the coincidence signal 8, and also, the refresh address counter 1 is advanced by one. In such a way, it is possible to eliminate the execution of wasteful refresh, and to reduce the number of times of interruption to the CPU, and to accelerate the processing speed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ダイナミック型半導体記憶装置に関し、特に
内部にリフレッシュアドレスカウンタと一致信号出力回
路を装備するものに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a dynamic semiconductor memory device, and particularly to one equipped with a refresh address counter and a coincidence signal output circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来この種のダイナミック型半導体記憶装置は、外部か
らリフレッシュアドレスを入力せず、内部リフレッシュ
アドレスカウンタから出力されるリフレッシュアドレス
を用いてリフレッシュを行すうカウンタリフレッシュ機
能をもっているが、このリフレッシュアドレスは外部か
らはわからない構造となっていた。
Conventionally, this type of dynamic semiconductor memory device has a counter refresh function that performs refresh using a refresh address output from an internal refresh address counter without inputting a refresh address from the outside. It had an unknown structure.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

一般にダイナミック型記憶装置ではリフレッシュ動作は
リード/ライト動作で代替可能である。
Generally, in dynamic storage devices, refresh operations can be replaced by read/write operations.

従って内部リフレッシュアドレスカウンタを用いてリフ
レッシュを実行する場合法にリフレッシュするアドレス
がリード/ライト動作でアクセスされた場合はこのアド
レスはリフレッシュせず飛ばしてもよい。ところが上述
したダイナミック型半導体記憶装置ではリフレッシュア
ドレスカウンタのリフレッシュアドレスは、外部からア
クセスされたアドレスとまったく非同期に発生するため
、上述の理由で飛ばしてもよいア下レスも必ずリフレッ
シュをしてしまう。即ち無駄なリフレッシュを実行して
CPUの処理速度を低下させてしまうという欠点があっ
た。
Therefore, when refreshing is performed using the internal refresh address counter, if the address to be refreshed is accessed in a read/write operation, this address may be skipped without being refreshed. However, in the above-mentioned dynamic semiconductor memory device, the refresh address of the refresh address counter is generated completely asynchronously with the address accessed from the outside, so even addresses that can be skipped for the above-mentioned reasons are always refreshed. That is, there is a drawback that unnecessary refresh is executed and the processing speed of the CPU is reduced.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明のダイナミック型半導体記憶装置は、外部からの
リフレッシュ信号によって活性化されリフレッシュアド
レスを生成するリフレッシュアドレスカウンタとこのリ
フレッシュアドレスとアクセス時に外部から入力される
ロウアドレスを比較し一致した場合に一致信号を外部へ
出力する一致信号出力回路と、リフレッシュアドレスカ
ウンタから出力されるリフレッシュアドレスを用いてリ
フレッシュを実行するリフレッシュ制御回路を有してい
る。
The dynamic semiconductor memory device of the present invention compares a refresh address counter that is activated by an external refresh signal and generates a refresh address with a row address input from the outside at the time of access, and if they match, a match signal is sent. It has a match signal output circuit that outputs a match signal to the outside, and a refresh control circuit that executes refresh using a refresh address output from a refresh address counter.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示すブ0ツク図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.

1はリフレッシュアドレスカウンタで次にリフレッシュ
するアドレスを一致信号出力回路2及びアドレスバッフ
ァ3へ出力する。そしてリフレッシュ制御回路9により
リフレッシュが一回実行されるたびに1づつインクリメ
ントされる。2は一致信号出力回路でリフレッシュアド
レスカウンタ1から出力されるリフレッシュアドレスと
アクセス時に外部から入力され、アドレスバッファ5を
経由して伝達されるロウアドレスとを比較し、致した場
合には出力バッファ10を経由して外部へ一致信号8を
出力する。このとき一致信号8はリフレッシュ制御回路
9へも出力される。3はリフレッシュ制御回路で外部か
ら入力されるリフレッシュ信号によりリフレッシュ動作
を実行する。
1 is a refresh address counter which outputs the next address to be refreshed to the match signal output circuit 2 and the address buffer 3. The refresh control circuit 9 increments the value by 1 each time refresh is performed. 2 is a match signal output circuit that compares the refresh address output from the refresh address counter 1 with the row address input from the outside at the time of access and transmitted via the address buffer 5, and if they match, the output buffer 10 outputs the refresh address. A match signal 8 is output to the outside via. At this time, the match signal 8 is also output to the refresh control circuit 9. Reference numeral 3 denotes a refresh control circuit that executes a refresh operation in response to a refresh signal input from the outside.

リフレッシュ終了後リフレッシュアドレスカウンタ1の
りフレッンユアドレスを1だけカウントアツプする。さ
らに一致信号出力回路2から一致信号8を受けたときも
リフレッシュアドレスカウンタ1のリフレッシュアドレ
スを1だけカウントアツプする。
After the refresh is completed, the refresh address counter 1 counts up the refresh address by 1. Furthermore, when the match signal 8 is received from the match signal output circuit 2, the refresh address of the refresh address counter 1 is counted up by 1.

一般にダイナミック型半導体記憶装置をカウンタリフレ
ッシュサイクルを角いてリフレッシュする場合、外付け
にリフレッシュインターバルタイマを装備する。このリ
フレッシュインターバルタイマはあらかじめ設定された
一定周期ごとにリフレッシュ要求信号を出力する。この
リフレッシュ要求信号によってCPUのアクセスと調停
したうえでCPUにウェイトをかけてダイナミック型半
導体記憶装置をリフレッシュする。
Generally, when refreshing a dynamic semiconductor memory device by using a counter refresh cycle, an external refresh interval timer is provided. This refresh interval timer outputs a refresh request signal at preset fixed intervals. The refresh request signal arbitrates with the CPU access and then puts a wait on the CPU to refresh the dynamic semiconductor memory device.

本発明のダイナミック型半導体記憶装置ではCPUから
のアクセス時にアクセスされたアドレス(ロウアドレス
)を内部に取り込みリフレッシュアドレスと比較回路2
で比較を行ない一致した場合には一致信号を外部へ出力
する。この一致信号により外付けのリフレッシュインタ
ーバルタイマをリセットするとともにリフレッシュアド
レスカウンタ1を1だけ進めることにより無駄なリフレ
ッシュを実行せずCPUへの割り込み回数を減らし、処
理速度を向上させることができる。
In the dynamic semiconductor memory device of the present invention, an address (row address) accessed at the time of access from the CPU is internally stored and used as a refresh address and a comparison circuit 2.
A comparison is made and if a match is found, a match signal is output to the outside. By resetting the external refresh interval timer and incrementing the refresh address counter 1 by 1 using this match signal, it is possible to reduce the number of interrupts to the CPU without executing unnecessary refreshes, and improve processing speed.

即ち次にリフレッシュすべきアドレスがアクセスされた
場合には、そのアドレスのリフレッシュを飛ばしてその
時点から1リフレッシュ周期の間はリフレッシュを実行
しなくてもよ<CPUのアクセス効率を上げることがで
きる。
That is, when the next address to be refreshed is accessed, the refresh of that address is skipped and no refresh is required for one refresh period from that point onward, thereby increasing the CPU access efficiency.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、リフレッシュアドレスカ
ウンタから出力されるリフレッシュアドレスとアクセス
時に外部から入力されたロウアドレスを比較し、一致し
た場合しζは外部へ一致信号を出力することにより無駄
なリフレッシュを防ぎシステムの処理速度を向上できる
効果がある。
As explained above, the present invention compares the refresh address output from the refresh address counter with the row address input from the outside at the time of access, and if they match, ζ outputs a match signal to the outside, thereby eliminating unnecessary refresh. This has the effect of preventing problems and improving system processing speed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。 1・・・・・・リフレッシュアドレスカウンタ、2・・
・・・・一致信号出力回路、3・・・・・・アドレスバ
ッファ、4・・・・・・ロウデコーダ、5・・・・・・
カラムデコーダ、6・・・・・・センスアンプ、7・・
・・・・メモリセル、8・・・・・・一致信号、9・・
・・・・リフレッシュ制御回路、10・・・・・・出力
バッファ。 代理人 弁理士  内 原   音
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. 1... Refresh address counter, 2...
... Match signal output circuit, 3 ... Address buffer, 4 ... Row decoder, 5 ...
Column decoder, 6...Sense amplifier, 7...
...Memory cell, 8... Match signal, 9...
. . . Refresh control circuit, 10 . . . Output buffer. Agent Patent Attorney Oto Uchihara

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 内部リフレッシュアドレスカウンタから出力されるリフ
レッシュアドレスと外部からアクセス時に入力されるロ
ウアドレスを比較し一致した場合に一致信号を外部へ出
力する一致信号出力回路と、外部からのリフレッシュ信
号によって上記リフレッシュアドレスを用いてリフレッ
シュを実行するリフレッシュ制御回路を有することを特
徴とするダイナミック型半導体記憶装置。
A match signal output circuit that compares the refresh address output from the internal refresh address counter with the row address input from the outside at the time of access and outputs a match signal to the outside if they match, and a match signal output circuit that outputs a match signal to the outside when the refresh address is output from the internal refresh address counter. 1. A dynamic semiconductor memory device comprising a refresh control circuit that uses the refresh control circuit to perform refresh.
JP63203617A 1988-08-15 1988-08-15 Semiconductor memory Pending JPH0253291A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63203617A JPH0253291A (en) 1988-08-15 1988-08-15 Semiconductor memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63203617A JPH0253291A (en) 1988-08-15 1988-08-15 Semiconductor memory

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0253291A true JPH0253291A (en) 1990-02-22

Family

ID=16477012

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63203617A Pending JPH0253291A (en) 1988-08-15 1988-08-15 Semiconductor memory

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0253291A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6313593B1 (en) 1999-07-12 2001-11-06 Fanuc Ltd. Motor controller

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6313593B1 (en) 1999-07-12 2001-11-06 Fanuc Ltd. Motor controller

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