JPH025282A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPH025282A
JPH025282A JP63154208A JP15420888A JPH025282A JP H025282 A JPH025282 A JP H025282A JP 63154208 A JP63154208 A JP 63154208A JP 15420888 A JP15420888 A JP 15420888A JP H025282 A JPH025282 A JP H025282A
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JP
Japan
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circuit
memory
signal
area
memory area
Prior art date
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Pending
Application number
JP63154208A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Isane
健治 井實
Masanobu Yuhara
雅信 湯原
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To increase the signal transmitting speed and to reduce the wiring area by using a bit line in a memory area also as a signal transmission line. CONSTITUTION:A word line inactivating means (d) is prepared to inactivate a word line in a memory area (a) as necessary for transmission of the signal received from a signal output circuit (b) to a logic circuit (c). In this invalidating period, a bit line of the area (a) serves as a transmission line to send the signal received from the circuit (b) to the circuit (c). Thus it is possible to omit the transmission line detouring the area (a). As a result, the signal transmitting speed is increased together with reduction of the wiring area.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、メモリ領
域が作り込まれた半導体集積回路装置に係り、該メモリ
領域を間にして信号の伝達を行うに際し、メモリ領域内
のビフ+−biを伝送路として流用できるようにした半
導体集積回路装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and particularly to a semiconductor integrated circuit device in which a memory area is built in, and in which signals are transmitted between the memory areas. The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device in which bif +-bi in a memory area can be used as a transmission path when performing the above.

近時、半導体技術の向上に伴って半導体集積回路装置に
は多(の機能が搭載されるようになってきた。特に、今
までは、別のチップとして供給されていたメモリも、同
一のチップ内に組込まれるようになってきており、多様
なユーザ要求に高レベルで応えるものが実現されている
In recent years, with the improvement of semiconductor technology, semiconductor integrated circuit devices have come to be equipped with multiple functions. As a result, devices that meet a variety of user requirements at a high level have been realized.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

上述の傾向は、マイクロコンピュータやその周辺装置な
どで顕著に表われており、具体的には例えばキャシュメ
モリを組込んだもの、あるいはこのキャシュメモリに対
するキャシュヒツトを調べるための判定メモリを備えた
いわゆるアドレス変換用チップなどが挙げられる。
The above-mentioned tendency is noticeable in microcomputers and their peripheral devices, and specifically, for example, in devices that incorporate cache memory, or so-called devices equipped with judgment memory for checking the cache hit for this cache memory. Examples include address conversion chips.

同一チップ上に、メモリを混載したものは、メモリアク
セス速度が早く、近時の高速化要求に対応しているとと
もに、当然のことながらチップ数も少なくてすみ、PC
B上の実装率が改善される。
Mixed memory on the same chip has a fast memory access speed and meets the recent demands for higher speeds, and of course requires fewer chips, making it easier for PCs.
The implementation rate on B is improved.

ここで、一般に、チップ上におけるメモリの位置は、比
較的に中央部付近に置かれることが多い。
Generally, the memory on the chip is often located relatively near the center.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、このような従来の半導体集積回路装置に
あっては、各種論理回路がチップ中央のメモリの周囲に
配置されることが多かったため、例えば、メモリの一方
側に位置する1の論理回路から、メモリの他方側に位置
する2の論理回路へ信号を伝達する場合、この信号の伝
達路は、メモリを迂回して配線せねばならなかった。こ
のため、伝送路が長くなって信号の伝送速度低下を招く
といった問題点があった。また、伝送路が複数本ある場
合には、チップ上の配線面積の増大を招くといった問題
点があった。
However, in such conventional semiconductor integrated circuit devices, various logic circuits are often arranged around the memory at the center of the chip. When transmitting a signal to the second logic circuit located on the other side of the memory, the signal transmission path had to be routed around the memory. Therefore, there is a problem in that the transmission path becomes long, resulting in a reduction in signal transmission speed. Furthermore, when there are multiple transmission lines, there is a problem in that the wiring area on the chip increases.

そこで、本発明は、メモリ領域内のビット線を、単なる
信号伝達路としても使用できるようにし、メモリを迂回
する伝達路を不要にして、伝送速度の短縮および配線面
積の削減を図ることを目的としている。
Therefore, the present invention aims to shorten the transmission speed and reduce the wiring area by making it possible to use the bit line in the memory area as a mere signal transmission path, eliminating the need for a transmission path that bypasses the memory. It is said that

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

第1図は本発明の半導体集積回路装置の原理ブロック図
を示す。
FIG. 1 shows a principle block diagram of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

第1図において、メモリ領域aを間にして、該メモリ領
域a内のビット線の延長方向一方何に所定の信号を出力
する信号出力回路すが配置され、他方側に少なくとも該
信号出力回路すからの信号を適宜必要とする論理回路C
が配置された半導体集積回路装置であって、前記メモリ
領域aのワード線を必要に応じて非活性化するワード線
非活性化手段dと、前記信号出力回路すを、メモリ領域
aのビット線の一端に接続する第1の接続手段eと、前
記論理回路Cを、メモリ領域aのビット線の他端に接続
する第2の接続手段fと、を備えて構成している。
In FIG. 1, a signal output circuit for outputting a predetermined signal is disposed on one side of the memory area a in the extending direction of the bit line in the memory area a, and at least the signal output circuit is placed on the other side. Logic circuit C that requires appropriate signals from
A semiconductor integrated circuit device in which a word line deactivation means d for deactivating the word line of the memory area a as necessary, and a word line deactivating means d for deactivating the word line of the memory area a, and a bit line of the memory area a are arranged. The first connecting means e connects to one end of the bit line, and the second connecting means f connects the logic circuit C to the other end of the bit line of the memory area a.

〔作用〕[Effect]

本発明では、信号出力回路からの信号を論理回路に伝達
するに際し、メモリ領域のワード線が非活性化され、こ
の非活性化の期間、メモリ領域のビット線は信号出力回
路からの信号を論理回路に伝達する伝達路として機能す
る。
In the present invention, when transmitting the signal from the signal output circuit to the logic circuit, the word line in the memory area is inactivated, and during this inactivation period, the bit line in the memory area is used to transmit the signal from the signal output circuit to the logic circuit. Functions as a transmission path for transmitting information to the circuit.

したがって、メモリ回路を迂回する伝送路が不要となり
、配線面積の削減が図られ、しかも、前記ビット線は、
信号出力回路と論理回路との間の最短距離にあるから、
信号伝達速度の高速化が図られる。
Therefore, there is no need for a transmission line that detours around the memory circuit, and the wiring area can be reduced.
Because it is the shortest distance between the signal output circuit and the logic circuit,
Signal transmission speed can be increased.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained based on the drawings.

第2.3図は、本発明に係る半導体集積回路装置の一実
施例を示す図であり、マイクロコンピュータの周辺装置
として用いられるアドレス変換用チップに適用した例で
ある。
FIG. 2.3 is a diagram showing an embodiment of the semiconductor integrated circuit device according to the present invention, and is an example applied to an address conversion chip used as a peripheral device of a microcomputer.

まず、構成を説明する。第2図において、1はアドレス
変換用チップであり、アドレス変換用チップ1は、第1
メモリ部M1と、第2メモリ部M2と、これらの間に配
置された比較部CMPと、を含んで構成されている。
First, the configuration will be explained. In FIG. 2, 1 is an address conversion chip, and the address conversion chip 1 is a first
It is configured to include a memory section M1, a second memory section M2, and a comparison section CMP arranged between them.

第1メモリ部M1は、システム立上時等に図外のマイク
ロコンピュータからの論理アドレスLAが入力される入
出力ポート2(信号出力手段)と、処理中に図外のマイ
クロコンピュータからの物理アドレスPAが入力される
入出力ボート3(信号出力手段)と、制御信号SCN□
が入力される入出力ポート4と、制御アドレスCA1が
入力される入力ボート5と、5CNT+に従ってセレク
ト信号ssg、いり一ドライト信号(後述のリード制御
信号S8およびライト制御信号SNを含む) 3m/f
illおよびワード線非活性化信号Wl、l、lを含む
制御信号を生成する制御回路6と、CAIをデコードし
てワード線選択信号W S E L Iを出力するデコ
ーダ7と、W、Llに従って1つのワード線を活性化さ
せる信号WoNを出力し、また、WI−が入力されると
、W。8の出力を禁止するゲート回路(ワード線非活性
化手段)8と、多数のワード線およびビット線を交差状
に配列し、各交差点にメモリセルを接続したメモリ領域
MEMa、と、メモリ領域MEMa内のビット線の一端
側に接続され、S SEL+に従ってLAあるいはPA
の何れか一方をビット線に乗せ、また、ビット線のデー
タを入出力ポート2あるいは人出力ボート3に伝達する
リードライト回路(第1の接続手段)9と、MEMa内
のビット線の他端側に接続され、ビット線に乗せられた
データ(メモリセルからの読出しデータ、あるいはリー
ドライト回路9からの書込データ)を読出して比較部C
MPに加えるリード回路(第2の接続手段) 10と、
を備えている。
The first memory section M1 has an input/output port 2 (signal output means) to which a logical address LA from a microcomputer (not shown) is input during system startup, etc., and a physical address LA from a microcomputer (not shown) during processing. Input/output port 3 (signal output means) into which PA is input and control signal SCN□
input/output port 4 to which control address CA1 is input;
a control circuit 6 that generates control signals including ill and word line deactivation signals Wl, l, l; a decoder 7 that decodes CAI and outputs a word line selection signal W S E L I; It outputs a signal WoN that activates one word line, and when WI- is input, W. 8, a memory area MEMa in which a large number of word lines and bit lines are arranged in an intersecting manner, and memory cells are connected to each intersection; SEL+ is connected to one end of the bit line in LA or PA.
A read/write circuit (first connection means) 9 that transmits data on the bit line to the input/output port 2 or the human output boat 3, and the other end of the bit line in MEMa. The comparison unit C
A lead circuit (second connection means) 10 added to the MP,
It is equipped with

第2メモリ部M2は、図外のキャシュメモリに割り当て
られた物理アドレスPAcが入力される入出力ポート1
1と、制御信号5cNvzが入力される入力ボート12
と、制御ドレスCA!が入力される入力ボート13と、
S CNT□に従ってセレクト信号35!Lオ、リード
ライト信号stt/wgおよびレジスタ駆動信号30G
を含む制御信号を生成する制御回路14と、CAzをデ
コードしてワード線選択信号W S ! L !を出力
するデコーダ15と、WsEL2に従って1つのワード
線を活性化させるゲート回路16と、多数のワード線お
よびビット線を交差状に配列し、各交差点にメモリセル
を接続したメモリセル領域MEMbと、MEMb内のビ
ット線の一端側に接続され、PACをビット線に乗せて
メモリセルに書込むリードライト回路17と、MEMb
内のビット線の他端側に接続され、ビット線を介してメ
モリセル内のデータを読出すリード回路18と、を備え
ている。
The second memory unit M2 has an input/output port 1 to which a physical address PAc assigned to a cache memory (not shown) is input.
1 and an input port 12 into which the control signal 5cNvz is input.
And control dress CA! an input boat 13 into which is input;
Select signal 35 according to S CNT□! LO, read/write signal stt/wg and register drive signal 30G
A control circuit 14 generates a control signal including a word line selection signal W S ! by decoding CAz. L! a gate circuit 16 that activates one word line according to WsEL2, a memory cell area MEMb in which a large number of word lines and bit lines are arranged in a crosswise manner, and a memory cell is connected to each intersection; A read/write circuit 17 that is connected to one end of the bit line in MEMb and writes PAC to the memory cell by putting it on the bit line;
A read circuit 18 is connected to the other end of the bit line in the memory cell and reads out data in the memory cell via the bit line.

比較部CMPは、M E M aのリード回路10およ
びMEMbのリード回路18からのデータを比較して一
致信号S CMFを出力する比較回路(論理回路)20
と、S□、に従ってこのS CNPを取込んで保持する
レジスタ21と、レジスタ21内のs eI4pを外部
(例えばマイクロコンピュータ)に出力する出力ポート
22と、を備えている。
The comparison unit CMP includes a comparison circuit (logic circuit) 20 that compares data from the read circuit 10 of MEM a and the read circuit 18 of MEMb and outputs a match signal SCMF.
and S□, a register 21 that takes in and holds this S CNP, and an output port 22 that outputs seI4p in the register 21 to the outside (for example, a microcomputer).

第3図は第1メモリ部M1のリードライト回路9および
メモリ領域MEMaの一部を具体的に示す図である。
FIG. 3 is a diagram specifically showing the read/write circuit 9 of the first memory section M1 and a part of the memory area MEMa.

第3図において、リードライト回路9はビット毎の複数
の回路9.〜97から構成され、各回路の構成は同一で
ある。回路91を代表として説明する。25はリード制
御信号Sllによって何れか一方の出力側が開かれる読
出しゲート、26はライト制御信号S。によって出力側
が開かれる書込みゲート、27はS 5ELIによって
P、あるいはLAの一方を選択するセレクタである。
In FIG. 3, the read/write circuit 9 includes a plurality of circuits 9. 97, and the configuration of each circuit is the same. The circuit 91 will be explained as a representative. 25 is a read gate whose output side is opened on either side by a read control signal Sll; 26 is a write control signal S; 27 is a selector that selects either P or LA by S5ELI.

また、同図において、MEMa内には多数のビット線B
 Ll ””’ B Lnおよび多数のワード線WL、
−WL7が配列され、これらのB L l−B Lls
とWLI−WL、lの交差点にはメモリセルMが接続さ
れている。
In addition, in the same figure, there are many bit lines B in MEMa.
Ll ""' B Ln and a number of word lines WL,
-WL7 are arranged and these B L l-B Lls
A memory cell M is connected to the intersection of and WLI-WL,l.

次に、作用を説明する。Next, the effect will be explained.

命令先取り制御方式では、必要なデータが先取り用のキ
ャシュメモリ内に存在するか否かの点検、いわゆるキャ
シュヒラ]・が点検される。
In the instruction prefetch control system, a so-called cache check is performed to determine whether or not necessary data exists in a prefetch cache memory.

例えば、本実施例のアドレス変換用チップ1を含むシス
テムでは、まず、キャシュメモリに割り当てられた物理
アドレスPAcをMEMbに格納し、次いで、論理アド
レスに対応づけられた物理アドレスPAをMEMaに格
納し、これらのMEMaおよびMEMbのデータをCM
Pで比較して一致を取る。すなわち、CMPがら一敗信
号S CMPが出力されたときキャシュヒツトとなる。
For example, in a system including the address conversion chip 1 of this embodiment, first, the physical address PAc assigned to the cache memory is stored in MEMb, and then the physical address PA associated with the logical address is stored in MEMa. , these MEMa and MEMb data are CM
Compare with P to find a match. That is, when the one-defeat signal SCMP is output from CMP, it becomes a cash hit.

一方、同様なキャシュヒントの点検でも、例えば、シス
テムの立上げ時のように、主記憶内にデータが格納され
ていない時点では、マイクロコンピュータで発生した論
理アドレスLAと、MEMbの内容とを直接に比較する
必要が生じてくる。
On the other hand, even when checking a similar cache hint, for example, when data is not stored in the main memory, such as when the system is started up, the logical address LA generated by the microcomputer and the contents of MEMb can be directly checked. It becomes necessary to compare.

このような場合、前述した従来のものでは、L、を伝達
する専用の伝送路を必要とし、この伝送路はMEMaを
迂回して比較回路2oまで配線していたため、LAの伝
送時間の低下、および配線面積の増大を招いていた。
In such a case, the conventional method described above requires a dedicated transmission line for transmitting L, and this transmission line bypasses MEMa and is routed to the comparator circuit 2o, resulting in a reduction in LA transmission time and This also led to an increase in the wiring area.

これに対し、本実施例では、ゲート回路8がらのW。H
の出力を禁止してMEMaのワード線を非活性化させる
ことができるので、MEMaのビット線を単にLAを通
過させるための伝送路として流用でき、LAとMEMb
内のデータとの一致をCMPで取ることができる。
On the other hand, in this embodiment, W from the gate circuit 8 is used. H
Since the word line of MEMa can be inactivated by inhibiting the output of
It is possible to use CMP to match the data within.

したがって、LAを伝送するための伝送路を専用に設け
る必要はな(、配線面積を削減することができ、しかも
、LAは最短距離で比較回路20に伝達されるので、高
速化を図ることができる。
Therefore, there is no need to provide a dedicated transmission line for transmitting the LA (the wiring area can be reduced, and since the LA is transmitted to the comparator circuit 20 over the shortest distance, it is possible to increase the speed). can.

なお、上記実施例では、リードライト回路9で選択可能
な信号数をLAとPAの2つとしているが、これに限ら
ず、2つ以上としてもよい。
In the above embodiment, the number of signals that can be selected by the read/write circuit 9 is two, LA and PA, but the number is not limited to this and may be two or more.

第4図は本発明の他の適用例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing another example of application of the present invention.

第4図において、31は第1の内部データバス、32は
第2の内部データバス、33は第3の内部データバス、
34はリードライト回路(第1の接続手段)、35は内
部メモリ (メモリ領域)、36はワードデコーダ(ワ
ード線非活性化手段を兼ねる)、37はリード回路(第
2の接続手段)、38は比較回路(論理回路)、39は
リードライト制御回路、40はリード制御回路である。
In FIG. 4, 31 is a first internal data bus, 32 is a second internal data bus, 33 is a third internal data bus,
34 is a read/write circuit (first connection means), 35 is an internal memory (memory area), 36 is a word decoder (also serves as word line deactivation means), 37 is a read circuit (second connection means), 38 39 is a read/write control circuit, and 40 is a read control circuit.

このような構成によれば、第1の内部データバス31若
しくは第2の内部データバス32を介して入力された図
外の複数の信号出力回路からのデータを、リードライト
回路34で適宜選択して内部メモリ35に記憶すること
ができ、この記憶されたデータと第3の内部データバス
33を介して入力されたデータとを比較回路38で比較
することができる。
According to such a configuration, the read/write circuit 34 appropriately selects data from a plurality of signal output circuits (not shown) inputted via the first internal data bus 31 or the second internal data bus 32. The stored data can be stored in the internal memory 35, and the comparison circuit 38 can compare the stored data with the data input via the third internal data bus 33.

さらに、ワードデコーダ36のデコード機能を停止させ
て、内部メモリ35のワード線を非活性化させることに
より、内部メモリ35内のビット線を単に伝送路として
機能させることができ、この場合、第1の内部データバ
ス31若しくは第2の内部データバス32を介して入力
されたデータと第3の内部データバス33を介して入力
されたデータとを比較することができる。
Furthermore, by stopping the decoding function of the word decoder 36 and inactivating the word line of the internal memory 35, the bit line within the internal memory 35 can be made to function simply as a transmission path. The data input via the internal data bus 31 or the second internal data bus 32 and the data input via the third internal data bus 33 can be compared.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、メモリ領域内のビット線を、単なる信
号伝送路としても使用することができ、メモリを迂回す
る伝送路を不要にして、伝送速度の短縮化および配線面
積の削減を図ることができる。
According to the present invention, the bit line in the memory area can be used as a simple signal transmission path, eliminating the need for a transmission path that detours around the memory, thereby shortening the transmission speed and reducing the wiring area. I can do it.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原理ブロック図、 第2.3図は本発明の一実施例を示す図であり、第2図
はその全体の構成図、 第3図はその要部の構成図、 第4図は本発明の他の適用例を示すその構成図である。 8・・・・・・ゲート回路(ワード線非活性化手段)、
9・・・・・・リードライト回路(第1の接続手段)、
10・・・−・・リード回路(第2の接続手段)、20
・・・・・・比較回路(論理回路)、BL、−Bい・・
・・・・ビット線、 MEMa・・・・・・メモリ領域。 本発明の簿哩プロ・・7図 第1図 2 人出力ボート 3 )X出力ざ一ト δ・ゲート回3ト 9 ・ リードライト巨nnト 10   リード巨り四重 2D: 比iw* MEMII :  X(+/4域 一支先例の全停「構成°口 第2t!!
FIG. 1 is a block diagram of the principle of the present invention, FIG. 2.3 is a diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an overall configuration diagram thereof, FIG. 3 is a configuration diagram of its main parts, FIG. 4 is a configuration diagram showing another example of application of the present invention. 8...Gate circuit (word line deactivation means),
9...read/write circuit (first connection means),
10...--Lead circuit (second connection means), 20
...Comparison circuit (logic circuit), BL, -B...
...Bit line, MEMa...Memory area. The bookkeeping pro of the present invention...7 Figure 1 Figure 2 Person output boat 3) X (+/4 area one branch precedent complete stop "Configuration ° mouth 2nd t!!

Claims (1)

【特許請求の範囲】 メモリ領域(a)を間にして、 該メモリ領域(a)内のビット線の延長方向一方側に所
定の信号を出力する信号出力回路(b)が配置され、 他方側に少なくとも該信号出力回路(b)からの信号を
適宜必要とする論理回路(c)が配置された半導体集積
回路装置であって、 前記メモリ領域(a)のワード線を、 必要に応じて非活性化するワード線非活性化手段(d)
と、 前記信号出力回路(b)を、メモリ領域(a)のビット
線の一端に接続する第1の接続手段(e)と、 前記論理回路(c)を、メモリ領域(a)のビット線の
他端に接続する第2の接続手段(f)と、を備えたこと
を特徴とする半導体集積回路装置。
[Claims] A signal output circuit (b) for outputting a predetermined signal is arranged on one side in the extending direction of the bit line in the memory area (a), with the memory area (a) in between, and on the other side. A semiconductor integrated circuit device in which a logic circuit (c) that appropriately requires at least a signal from the signal output circuit (b) is arranged, the word line of the memory area (a) being Activating word line deactivation means (d)
and a first connecting means (e) for connecting the signal output circuit (b) to one end of the bit line in the memory area (a); and a first connecting means (e) for connecting the logic circuit (c) to one end of the bit line in the memory area (a). A semiconductor integrated circuit device comprising: second connection means (f) connected to the other end.
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