JPH02504086A - 電線 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 電線 本発明は、電線、特に、芳香族ポリで一系の電気絶縁物質を用いた電線に関する 。

芳香族ポリマー絶縁物質を用いた電線およびケーブルが、長年、多くの用途に使 用されてきた。例えば、通常はフルオロポリマー接着剤層により結合されている ポリイミドラップまたはテープヲ用Ｇまた電線が、航空機電線として、民生およ び軍用の両方の用途に広く用いられていた。機器電線すなわち「回路用」ワイヤ ー、機体電線および配線ハーネスに用いられる芳香族絶縁物質の他の例は、芳香 族ポリエーテルケトン、ポリューテルエーテルケトン、変性ポリフニニレンオキ シドおよびポリイミドアミドを含む。一連の望ましい特性、特に高度の残炭およ び靭性、耐摩耗性、耐熱性、絶縁耐力を有し、本来難燃性が高いことが多いので 、芳香族性の高いポリで−が多くの用途において良好に用いられてきｔ；。

これらの特性が組み合わさって、上記ポリマーから加工された電線およびケーブ ルを小型軽量の構造物に使用することができた。近年の電気装置は密度が高く複 雑なので、軍および民間の両方の用途においてそのような構造物の使用が増加し た。

しかしながら、これらの高芳香族性ポリマーには大きな問題がある：すなわち、 トラッキングに特に敏感である。トラッキングは、電場と外表面汚れの組み合わ さった効果により、材料の表面に永久的な導電路が徐々に形成される現象である 。炭素質導電性付着物は、一度成長し始めると、しばしば迅速に樹枝状に広がり 、特徴的な「樹木」パターンが形成され、表面に欠陥が生じる。損傷した通電中 の電線束が例えば電解質または結露により湿った場合に電気トラッキングが生じ 得る。このトラッキングによりフラッシュオーバーおよびアークが生じ、それに より電線束中で別の電線が損傷する。異なる電位の隣接電線もトラッキングに敏 感である場合、または電線束が接地構造部に接触している場合、一本の電線の欠 陥から急激な破壊的損傷が起こり得る。低電圧、例えば交流１００Ｖまたはそれ 以下の電圧においてトラッキングが起こり得るが、電圧が低下するとその程度が 小さくなる。

上記のポリマーも高度に敏感である前述の現象は、アーキング（アーク放電）に よる絶縁破壊の現象である。この場合、二つの導体間の、または絶縁が機械的に 損傷しｔ；導体と接地部との間の電位差により、導体間または導体と接地部との 間にアークが形成され得る。

アークの高温によりポリマーが非常に急速に分解し、ウェットトラッキングの場 合のように急速に広がり得る導電性の炭素質付着物質が形成され、大きな損傷と なって、電線束中の電線の多くがまｔ；は全てが破壊される。アーキングは、非 常に低い電圧、例えば直流２４Ｖまたはそれ以下で起こり得、トラッキングとは 異なり電解質または湿分が関与しないので特に危険な現象である。例えばソマー ヴイル（Ｊ　、Ｍ、Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ）　ｒジ・エレクトリック・アーク（ Ｔｈｅ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ａｒｃ）Ｊ　％メスユン（Ｍｅｔｈｕｅｎ）　１９ ５９に記載されているように、アーキングは、間に電流が流れている二つの導体 を引き離すことｊ；よっても起こり得る。

トラッキングおよびアーキングに関係し得るもう一つの現象は腐食である。この 場合、放電により生ずる気化過程により導電性付着物が形成されることなく絶縁 物質が除去され、絶縁物質の完全な絶縁破壊が起こるまで絶縁損傷は起こらない 。

本発明によれば、導電体、該導電体を取り巻く無機アーク制御層、該アーク制御 層を取り巻き芳香族ポリマーを含んでなる絶縁層および該絶縁層を取り巻く２次 トラッキング制御層を有してなり、該２次トラッキング制御層の比トラッキング 指数が少なくとも３００Ｖである電線が得られる。ポリマーの「比トラッキング 指数（Ｃ，Ｔ。

１、）」を以下に定義する。

本発明に従って電線を形成することにより、芳香族性の高いポリマーに由来する トラッキングの傾向が高い電線となることなく、芳香族ポリマーの非常に良好な 熱的、機械的および電気的特性を利用することができる。

芳香族ポリマーは、通常、炭素質チャー残量が少なくとも２５％、好ましくは少 なくとも３０％であり、一部のポリマーはチャー残量が少なくとも４０％、およ び少なくとも５０％でさえある。このことは高いチャー残量そのものが望ましい ことを意味するのではなく、単ｊこ、これらの芳香族ポリマーの良好な機械的特 性および温度安定性および難燃性を含む物理的特性が、通常、高いチャー残量と 関係があるということである。

本発明の電線中のポリマー成分のチャー残量は、ポリマーのサンプルを窒素ま！ ；は他の不活性ガス雰囲気中で、例えば１０℃／分の所定の速度で所定の温度に 加熱し、チャーからなる残留物重量を記録する熱重量分析、すなわちＴＧＡとし て知られている方法により測定することができる。チャー残量は、簡単には、非 ポリマー性の揮発性または非揮発性成分を考慮に入れた後の、最初のポリマーに 対するこの残留チャーの割合として表された量である。本明細書にて引用するチ ャー残量は、１０℃／分の加熱速度で８５０℃で測定したものと定義される。

本発明で使用される好ましい５５＃族ポリマーは当業者に良く知られて８つ、例 えば、米国特許第３．Ｑ２５．６０５号、同第３，３０６．８７４号、同第３． ２５７，３５７号、同第３．３５４．１２９号、同！３，４４１．５３８号、同 第３．４４２，５３８号、同第３，４４６．６５４号、同第３，６５８．９３８ 号、同第３，６７７．９２１号、同第３．８３８．０９７号、同第３，８４７． ８６７号、同第３，９５３．４００号、同第３．９５６．２４０号、同第４．１ ０７．１４７号、同第４，１０８，８３７号、同第４．１１１．９０８号、同第 ４，１７５．１７５号、同第４，２９３．６７０号、同第４．３２０．２２４号 および同第３．４４６，６５４号、英国特許９７１，２２７、同１，３６９．２ １０および同１，５９９，１０６、およびヨーロッパ特許比ＩＥ！！１７０，０ ６５、同１２４，２７６および同１７８．１８５を参照とすることができる。そ のようなポリマーは、ポリケトン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテル ケトン、ポリエーテルスルポン、ポリエーテルケトン／スルホンコポリマー、ポ リエーテルイミドおよびポリフェニレンオキシドを含む。異なるポリマーのブレ ンドを使用することができる。ポリマーは全体が芳香族でも、側鎖アルキル基で あるか、またはポリマー主鎖に含まれるアルキレン基であってよい−またはそれ 以上の脂肪族部分を含んでもよい。好ましくは、脂肪族部分が、４を越えない、 より好ましくは３を越えない炭素ぷ子を有する。側鎖アルキル基の場合、各基は 最も好ましくはメチル基であり、アルキレン基の場合、各基は好ましくは３を越 えない、特に１つの炭素原子を主鎖中に有し、例えばメチレンまたはイソプロピ リジン基である。

好ましい芳香族ポリマーは、融点または軟化点が少なくとも２５０℃、特に少な くとも３００℃であり、結晶性または無定形であってよいポリマーである。無定 形ポリマーの軟化点は、熱機械的分析（ＴＭＡ）により都合よく測定することが でき、その場合、軟化点はプローブが６０％貫入に達する温度である。そのよう なポリマーの一種において、ポリマーは、好ましくは、本質的に式：％式％ 〔式中、Ａｒは非置換まｔ；は置換されている二価の万香族基およびＱは一〇− １−Ｓ−１−ＳＯｆｆ−１−ＣＯ−１−Ｎ　Ｈ−ＣＯ−＊　ｆニーは−Ｃ○０− を表す、またはＡｒは多価基を表し、Ｑはを表し、Ｑ基の各々の結合が好ましく は芳香族炭素原子に直接結合している。〕 で示される同一または異なる単位からなる。

一つの好ましい種類のポリマーは、式：〔式中、Ｒ１は、同一または異なってよ く、水素または）１０ゲン原子、または三級アルファ炭素原子を有さない脂肪族 基を表す。〕で示される繰り返し単位からなるポリフェニレンオキシドである。

もう一つの種類の芳香族ポリマーにおいて、芳香族ポリマーは、式：　　　　− ０−Ｅ−０−Ｅ’− 〔式中、Ｅは二価フェノールの残基およびＥ′は原子価結合に対するオルトおよ びバラ位の少なくとも一つの位置に電子吸引基を有する芳香族化合物の残基を表 し、ＥおよびＥ′基は芳香族炭素原子を介して一〇−基に結合している。〕 で示される繰り返し単位からなる結晶ポリアリーレンエーテルである。一つの好 ましいサブクラスにおいて、Ｅは式：〔式中、Ｒ２は二価の基、Ｘは０または１ 、Ｙは）＼ログ２厘子、炭素数１〜４のアルキル基および炭素数１〜４のアルコ キシ基から選択される基、ｙは０．ｌ、２．３または４、Ｙ′はノ＼ロゲン原子 、炭素数１〜４のアルキル基および炭素数１〜４のアルコキシ基から選択される 基、２はＯＳ　ｌ、２．３または４を表す。〕で示される基であってよく、Ｅ′ は式：〔式中、ＲＳはスルホン、カルボニル、ビニル、スルホキシド、アゾ、飽 和フッ化炭素、有機ホスフィンオキシトまたはエチリデン基を表す。〕 で示される基である。この種類の好ましいポリスルフォンにおいて、ｙおよび２ はＯｓｘは１、Ｒ３はスルホン基およびＲ２は〔各々のＲ１は独立して、水素原 子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のハロゲン置換アルキル基、炭素 数６〜１０のアリール、アルカリールおよびアルアルキル基、および炭素数６〜 １０のハロゲン置換アリールアルカリールおよびアルアルキル基から選択される 。〕 で示される基を示す。

もう一つの種類の芳香族ポリマーにおいて、ポリマーは、式： 〔式中、Ｑは一〇−または−ＳＯ，−１２は三価の芳香族基、Ｒ５は二価の芳香 族基、およびＲ６は二価の有機基を表す。〕で示される繰り返し単位からなるポ リエーテルイミドまたはポリスルホンイミドである。好ましい芳香族ポリマーは 、式：〔式中、Ｄは、式： ＣＨ。

で示される基、およびＲ′はアリーレン基を表す。〕で示される繰り返し単位を 有する。

もう一種のポリマーは、特にポリマーが脂肪族基を含む場合、芳香族エーテルお よび芳香族ケトン基からなる繰り返し基、ならびにイミド、アミド、エステル、 ベンゾキサゾールまたはベンゾチアゾール基を有するポリエーテルケトンである 。そのようなポリマーの例は式： 〔式中　Ｒ７はイミド、アミドまたはエステル基を表す。〕で示される繰り返し 単位を有するポリマーである。

更に、もう一つの種類の芳香族ポリマーはポリアリ−レートである。使用するこ とのできるポリアリ−レートは、二価フェノールおよび少なくとも一種の芳香族 ジカルボン酸から誘導されるポリアリ−レートを含む。そのようなポリマーの例 は、式：〔式中、Ｙは、同一または異なってよく、それぞれ、水素原子、Ｃユ〜 Ｃ４アルキル基または塩素もしくは臭素原子、ｂはＯまたは１〜４の整数、Ｒ８ は二価の飽和ま、たは不飽和炭化水素基、例えばアルキレン、アルキリジン、シ クロアルキレンもしくはシクロアルキリジン基、酸素もしくは硫黄原子まＩ；は カルボニルもしくはスルホニル基、およびＣは０または１を表す。〕で示される 二価フェノールから誘導されたポリマーを含む。

〔式中、ｘ、ｍおよびｎはそれぞれＯまたは１を表し、Ｘが１の場合、ｎは０で あって、ｐは１〜４の整数を表し、ｐが１より大きい場合、ｍは１およびＸはＯ である。例えば、ＣＨ。

まｌ；は 〔上記単位は全てテレフタル酸もしくはイソフタル酸または両者の混合物から誘 導することができる。〕 で示されるうちの一つの繰り返し単位を有する。

芳香族部分を含む他のポリマー、例えば、米国特許第３．５５１゜２００号に記 載されているポリｌ、１２−ドデカメチレンピロメリトイミドまたは１．１３− トリデカメチレンピロメリトイミドを使用することができる。

これらのポリマーの二種またはそれ以上のコポリマーと同様に上記ポリマーの二 種またはそれ以上のブレンドを使用することができる。

好ましい芳香族ポリマーは、通常、Ｃ：Ｈモル比が少なくともｌ。

０、好ましくは少なくとも１．２、より好ましくは少なくとも１．３、および、 特に少なくとも１．４である。高いチャー残量に関係があるポリアリールニーチ ルケトンのような靭性の高いポリマーのＣ：Ｈ比は１．５より大きい。

ある場合において、絶縁層はＣ，Ｔ、１．が少なくとも２５０ｖである内側表面 を有する。好ましくは、第１絶縁層の内側表面のＣ２Ｔ、ｉは少なくとも３００ Ｖ、特ｌ；少なくとも５００ｖである。そのようなＣ，Ｔ、１．の値は、通常、 １０重量％を越えない、好ましくは５重量％を越えない、より好ましくは２重量 ％を越えない、特に０重量％の炭素質チャー水準に関係する。絶縁層の内側表面 のＣ０Ｔ、１．は、ある場合には、適当な芳香族ポリマーを選択することにより 達成することができる。あるいは、チャー水準を低下させるためにまたは層のＣ ，Ｔ、１．を上昇させるために、芳香族ポリマーと脂肪族ポリマーをブレンドす ることも適当である。本願と同日出願の「電線およびケーブルｊと題した英国特 許出願に記載されているように、芳香族ポリマーに脂肪族ポリマーを導入するこ とにより、ブレンドのチャー残量を相当する以上に減少できることが分かった。

芳香族ポリマーとブレンドすることができる好ましい脂肪族ポリマーは、２次ト ラッキング制御層に用いるものとして以下に述べるものと同じものである。

上記に代えまたは加えて、絶縁層は二またはそれ以上の層で、最外層は芳香族ポ リマーの単独まｌ；は一種またはそれ以上の他のポリマーとのブレンドからなり 、内側層はチャー残量が低い、例えば１０重量％を越えないポリマーを含んでよ い。内側層は、下記脂肪族ポリマーの一種またはそれ以上を含んでよく、好まし くは含んでいる。

絶縁層全体の厚さは、通常、５０〜２５０μ居、特に７５〜２００μｍである。

二以上の層からなる場合、内側層の厚さは通常、７５〜１２５μｍであり、外側 層の厚さは通常１５０μｍまで、好ましくは１００μｍまで、および特に７５μ ｍまでである。

アーク制御層の目的は、アークルートの成長の制御であり、本発明によれば、導 電体に耐熱性の好ましくは密着性の層を設けることにより達成され、そのことが 、より激しい電線または電線束の損傷が起き得る前に導電体を迅速に溶融し切断 するのが助長される。すなわち、例えば、適当な手段、例えば蒸着法により、ア ルミナ、シリカ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化マダイ・シウム、および 二酸化チタンの層を適用することができる。そのような方法の例は、スパッタリ ング、化学蒸着、溶射、プラズマ・アッシング（ｐｌａｓ＋ｎａａｓｈｉｎｇ） 、反応性イオンブレーティング、電子線蒸発（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｂｅａｒｒｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）または他の技術を含む。耐熱性被覆およびそれを導電 体表面に形成する方法の例が、出願人の特許出願ＣＢ−２，１４４，２６０Ａ（ 米国特許出願筒８１８．８５４号）に記載されている。

例えば、英国特許比１！［８７１６３０３および８７１６３０９の優先権を主張 している本願と同日付けの出願人のヨーロッパ出願に記載されているように、ウ ェザード（ｗｅａｔｈｅｒｅｄ）雲母被膜を用いてもよい。

アーク制御層の厚さは、特にそれを形成する材料による。耐熱性層の場合、厚さ は、通常、０．１〜１０μｍ１好ましくは５〜１０μｍであり、好ましくは例え ば金属または耐熱性内側層を設けることにより層が導電体に密着する。他の材料 も場合、１００μｍまでの厚さを採用することができる。

上述したように、２次トラッキング層のＣ，Ｔ、１．は低くとも３００ｖである 。Ｃ，Ｔ、１．は、好ましくは低くとも４００Ｖ１より好ましくは低くとも５０ ０Ｖ、および特に低くとも６００Ｖである。

このことは、通常、２次トラッキング制御層を形成する材料の炭素質チャー残量 が１０重量％を越えない、より好ましくは５重量％を越えない、最も好ましくは ２重量％を越えない、特に０重量％であることを意味する。２次トラッキング制 御層は、好ましくは脂肪族ポリマーまたは脂肪族ポリマーのブレンドからなるが 、脂肪族ポリマーが脂肪族部分に加えて一種またはそれ以上の芳香族部分を含ん でよく、実際、多くの好ましいポリマーが含んでいる。しかしながら、ポリマー はＣ：Ｈモル比が１を越えない充分な脂肪族性を有すべきである。脂肪族ポリマ ーおよび脂肪族部分を含むポリマー（簡単のため、ここでは単に脂肪族ポリマー と呼ぶ）の例は、オレフィンホモポリマー、およびオレフィンと他のオレフィン とのおよび他の七ツマ−１例えばビニルエステル、アルキルアクリレートおよび アルキルアルクアクリレートとのコポリマー、例えば、低密度、中密度および高 密度ポリエチレン、鎖状低密度ポリエチレンおよびエチレン／アルファーオレフ ィンコポリマー、エチレン／フロピレンゴム、ブチルゴム、エチレン／ビニルア セテート、エチレン／エチルアクリレートおよびエチレン／アクリル酸コポリマ ー、および鎖状またはラジカルスチレンジエンジーまたはトリーブロックコポリ マー、例えばスチレン／ブタジェン、スチレン／イソプレンコポリマー、スチレ ン／ブタジェン／スチレンおよびスチレン／イソプレン／スチレン、ならびに水 素化したこれらのブロックコポリマー、特にスチレンエチレン／ブチレン／スチ レンブロックコポリマーを含む。特に好ましい種類の低チャーポリマーはポリア ミドである。

好ましいポリアミドは、ナイロン、例えばナイロン４６、ナイロン６、ナイロン ７、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン６１１、ナイロン６１２、ナイロ ン１１、ナイロン１２およびナイロン１２１２および脂肪族／芳香族ポリアミド 、テレフタル酸とトリメチルへキサメチレンジアミン（好ましくは２，２．４− と２．４．４−トリメチルへキサメチレンジアミン異性体との混合物を含む）と の縮合物であるポリアミド、一種またはそれ以上のビスアミノメチルノルボルナ ン異性体と一種またはそれ以上の脂肪族、脂環式または芳香族ジカルボン酸、例 えばテトラフタル酸との縮合により形成され、要すれば一種まｌ；はそれ以上の アミノ酸またはラクタム、例えばε−カプロラクタムコモノマーを含むポリアミ ド、ラウリンラクタム、イソフタル酸およびビス−（４−アミノ−３−メチルシ クロヘキンル）メタンから誘導された単位からなるポリアミド、２．２−ビス− （ｐ−アミノシクロヘキシル）プロパンとアジピン酸およびアゼライン酸との縮 合系のポリアミド、トランスシクロヘキサン−１，４−ジカルボン酸と上記トリ メチルへキサメチレンジアミン異性体との縮合物であるポリアミドを含む。使用 することのできる他の脂肪族ポリマーは、ポリエステル、例えばポリアルキレン テレフタレートおよび特にポリテトラメチレンテレフタレート、および脂環式ジ オール／テレフタル酸コポリマー、例えばテレフタレートおよびイソフタレート 単位と１．４−シクロヘキサンジメチロキシ単位とのコポリマー、ポリスルフィ ド、ポリエステル、例えばポリブチレンエーテルコポリマー、および特に、ポリ テトラメチレンエーテルおよびポリテトラメチレンテレフタレートブロックを有 するようなポリエーテルエステル、脂肪族イオノマー、例えばエチレン／（メタ ）アクリル酸コポリマーの金属塩またはスルホン化ＥＰＤＭのようなスルホン化 オレフィン系のイオノマー等を含む。好ましい脂肪族ポリマーは、ポリエチレン 、ポリブチレンテレフタレート、メタクリル化ポリエチレンの金属塩系のイオノ マー、アクリルエラストマー、例えば、架橋部位上ツマ−および要すればエチレ ンコモノマーを含む、メチル、エチルもしくはｎ−ブチルアクリレートまたはア ルコキン置換エチルもしくはｎ−ブチルアクリレートポリマー系のエラで示され る長鎖エステル単位および で示される短鎖エステル単位 〔式中、Ｇはポリアルキレンオキシドグリコールから末端水酸基を除去した後の 二価の基、好ましくは分子量６００〜６０００のボリ（Ｃ，〜Ｃ，アルキレンオ キシド）、Ｒは少なくとも一種の分子量が約３００より低いジカルボン酸からカ ルボキシル基を除去した後の二価の基、Ｄは少なくとも一種の分子量が２５０よ り低いジオールから水酸基を除去した後の二価の基を表す。〕を有するブロック コポリマーを含む。

好ましいコポリエステルは、テレフタル酸、ポリテトラメチレンエーテルグリコ ールおよび１．４−ブタンジオールから誘導されｔ：ポリエーテルエステルポリ マーである。これらは、式： 式： で示される繰り返し単位を有する無定形エラストマーポリテトラメチレンエーテ ルテレフタレートソフトブロックを含み、分子量が約６００〜３０００、すなわ ちｒ＋　−５〜４０のランダムブロックコポリマーである。

他の好ましい脂肪族ポリマーは、ポリエーテルおよびポリアミドブロック系のポ リマー、特に、 〔式中、Ａは平均分子量が３００〜１５０００．好ましくは８００〜５０００の ポリアミド鎖、Ｂは平均分子量が２００〜ａ　ｏ　ｏ　ｏ。

好ましくは４００〜３０００の直鎖状または分岐状ポリオキシアルキレン鎖を表 す。〕 で示される繰り返し単位からなるいわゆる［ポリエーテル−エステルアミドブロ ックコポリマ・−」を含む。

ポリアミド鎖は、好ましくは、σ、ω−アミノカルボン酸、ラクタムまたは０４ 〜ＣＩ４炭素鎖を有するジアミン／ジカルボン酸コンビネーションから形成され 、ポリオキシアルキレン鎖は、エチレングリコール、プロピレングリコール及び ／又はテトラメチレングリコールからなり、ポリオキシアルキレン鎖は全ブロッ クコポリマーの５〜８５重量％、特に１０〜５０重量％を占める。これらのポリ マーおよびその調製法が、英国特許第１．４７３．９７２、同１，５３２．９３ ０．１，５５５，６４４．２，００５，２８３Ａおよび２，０１１．４５ＯＡに 記載されている。

脂肪族ポリマーのＣ：Ｈ比は、好ましくは０．９を越えない、より好ましくは０ ，７５を越えない、最も好ましくは０．６５を越えない、特に０．５５を越えな い。

脂肪族ポリマーは置換されていてもいなくてもよい。一つの種類の特に有用な脂 肪族ポリマーは、好ましくは少なくとも１０重量％、より好ましくは少なくとも ２５重量％の弗素を含む弗化ポリマーである。弗化ポリマーは、一種類の弗素含 有ポリマーでも一種またはそれ以上が弗素を含むポリマーの混合物でもよい。弗 化ポリマーは、通常、一種またはそれ以上の弗化した、多くの場合パーフルオロ 化オレフィン性不飽和モノマーのホモもしくはコポリマー、またはそのようなコ モノマーと非弗化オレフィンとのコポリマーである。弗化ポリマーは、好ましく は、融点が低くとも１５０℃、しばしば低くとも２５０℃および多くの場１３ｓ ｏ℃までモあり、融点より６０℃以上高くない温度における（架橋前の）粘度が ｌｏ’Ｐａ、ｓ以下である。好ましい弗化ポリマーは、テトラフルオロエチレン 、ビニリデンフルオライドまたはへキサフルオロプロピレンのホモもしくはコポ リマー、および特に、例えば３５〜６０モル％のエチレン、３５〜６０モル％の テトラフルオロエチレンおよび１０モル％までの他のコモノマーを含むエチレン ／テトラフルオロエチレンコポリマー、ポリビニリデンフルオライド、ビニリデ ンフルオライドとへキサフルオロプロピレン、テトラフルオロエチレン及び／又 はヘキサフルオロインブチレンとのコポリマー、ポリへキサフルオロプロピレン 、およびヘキサフルオロプロピレンとテトラフルオロエチレンとのコポリマーで ある。Ｃ３〜Ｃ４パーフルオロアルコキシ置換パーフルオロエチレンホモポリマ ーおよび上記弗化ポリマーとのコホリマーを使用することもできる。

２次トラッキング制御層の厚さは１００μｍまで、ポリマ一層の場合、例えば５ ０〜１００μ鶏である。より薄い２次トラッキング制御層を他の手段により提供 することができる。

電線のポリマー絶縁材料は好ましくは架橋されている。しかしながら、通常、芳 香族ポリマーは脂肪族ポリマーよりも架橋の程度が低く、多くの場合、脂肪族ポ リマーは高度に架橋し得るが芳香族ポリマーは実質的に未架橋のままである。

ポリマー組成物は、例えば高エネルギー放射線にさらすことにより架橋すること ができる。

放射線架橋は電子線またはガンマ線のような高エネルギー放射線にさらすことに より行うことができる。照射線量は、対象となるポリマーの特性により、２０〜 ８００ｋＧｙ、好ましくは２０〜５００ｉ＜ｃｙ、例えば２０〜２００ｋＧｙ、 および特に４０〜１２０ｋＧｙが通常、適当である。照射中に架橋を促進するた めに、多官能ビニルまたはアリル化合物、例えばトリアリルシアヌレート、トリ アリルイソシアヌレ−ｆ（ＴＡＩＣ）、メチレンビスアクリルアミド、メタフェ ニレンジアミンビスマレイミドまたは例えば米国特許第４．１２１゜００１号お よび同第４．１７６．０２７号に記載されている他の架橋剤のようなプロラドを 好ましくは０．２〜１５重量％の量で照射前に組成物に混入する。

種々の層に用いるポリマーは、添加剤、例えば、補強用または非補強用充填剤、 紫外線安定化剤のような安定化剤、酸化防止剤、酸受容体および加水分解防止安 定化剤、顔料、可塑剤のような加工助剤、酸化アルミニウム三水和物のような水 和金属酸化物および水酸化マグネシウム、デカブロモジフェニルエーテルまたは それらの組み合わせ、殺菌剤等を更に含んでよい。

本発明の電線およびケーブルは常套技術により形成することができる。例えば、 ポリマーを要すればミキサー中で任意の他の成分とブレンドし、ペレット化し、 電線導体上に押出成形することができる。好ましくはないが、電線をテープ−ラ ッピング法により形成することもできる。例えば、ポリアミド、例えばトリメチ ルヘキサメチレンテレフタルアミドをポリアミン酸の溶液に溶解し、溶媒を蒸り させた後に、芳香族ポリマーを加熱によりイミド化し、テープ状に切断すること ができ、それで導電体周囲を覆い、下側層とし得る。

しかしながら、電線絶縁体を押出成形により形成し得るようにポリマーが溶融造 形可能であることが好ましい。

電線は、単独で機器電線すなわち「回路用」ワイヤーまたは機体電線として、ま たは束にしてもしくはハネースに、外被を付けてまたは付けずに使用することが でき、多心ケーブルに使用することもできる。電線、ハーネスまたはケーブルは 、スクリーンを設けなくても、当業者に良く知られているように電磁妨害から保 護するためにスクリーンを設けてもよい。更に、平坦導体または文型導体を用い て本発明の絶縁材料により平坦ケーブルを形成することができる。

本発明を添付の図面を参照にして説明する：第１図は本発明の電線の一部分の等 角投影図である；第２図はウェットトラッキング用試験装置の概略図である；第 ３図はドライアーキング用試験装置の概略図である。

まず添付の第１図を参照すると、電線は中寅ま！；は図示するようにストランド であってよく要すれば錫めっきした導体１１を有してなる。真空蒸着法、例えば スパッタリングにより、導体上に厚さ１０μｍのンリカまたはアルミナ層１２を 形成し、導体１１への層１２の密着性を向上させるために、例えば厚さ５μｍの アルミニウム製中間層を形成する。次に被覆導体に厚さ１００〜２００μｍの芳 香族ポリマー絶縁材料１３を押出し、続いて、例えばエチレン−テトラフルオロ エチレンコポリマー製の厚さ１００μｍのトラッキング制御層１４を押出成形す る。両方の層を押出した後、トラッキング制御層１４および要すれば（芳香族層 に依存するが）芳香族ポリマ一層も架橋するために、絶縁材料に高二イルギー電 子を約１２０ｋＧｙ照射する。

以下の実施例により本発明を説明する。実施例において、下記試験手順を用いた 。

ウェットトラッキング試験 この試験は、損傷された電線束が電解質に接触したときに発生する状況をシニミ レートすることを目的としている。実際の条件下においては、電解質は湿分含有 はこり粒子または他のイオン性汚染物であり得る。多くの原因により、例えば摩 擦、絶縁材料の加水分解、老化等により電線束に損傷が起き得る。電解質を電流 が流れることにより溶液が加熱され蒸発が起きる。このことにより、−またはそ れ以上のドライパントが生じ、そこで試験電圧が低下し、その結果、小さく、多 くの場合強い火花が発生して絶縁が損傷する。

第２図は試験装置を示す。電線束ｌは、試験材料の電線絶縁材料層で被覆した長 さ１８ｃｍの２０ＡＷＧ錫めっき銅またはニッケルめっき銅導線２の７本から作 られる。電線束１は、１本の中心電線の周囲に６本の電線が配され、ワイヤーが 捩れないようにラップ３により保持されている。２本の隣接している電線は、各 々の電線について０　、５　ｍｍの導電体がむき出しになるように周囲に刻み目 が設けられている。刻み目４は、タイラップのいずれの側からも５ｍｍ離れてい るように配される。各電線の一方の端は、絶縁ワニロクリップを介して電気供給 源への接続が可能となるようにストリップされている。サンプルは、絶縁性樹脂 からなる単純なりランプにより水平に対して３０°の角度に保持され、損傷した 電線が最上部にあり、ストリップ端が電線束の上端にある。２０Ｘ１０ｍ＋ａの 寸法の濾紙５が、上部刻み目の上方約２ｍｍの位置で電線束の周囲にラップされ ている。

これは上部タイラップの位置に保持するのが最もよい。

ぜん動ポンプにより、滴下ピペット６を介して貯蔵部からサンプルに電解質が送 られ、電源から電線束に通電される。使用する電解質は、塩化ナトリウム２％お よびドデシル硫酸ナトリウム界面活性剤０．０２％の蒸留水または脱イオン水溶 液である。ポンプは、この溶液を約６０ｍｇ／分の速度で、濾紙５の垂直上方１ ０ｍｍに配置されているピペット６を介して送出するように設定されている。

電力は、少なくとも電気容量が５ｋＶＡの三相４００Ｈｚｌ１５／２００■発電 機または少なくとも電気容量が３ｋＶＡの単相５０Ｈｚ１１５Ｖ変圧器により供 給される。損傷時間記録用装置が設けられ、電線が開回路ｌこなった時または回 路ブレーカ−が遮断した時を記録する。電線の周囲に適当なオシロスコープに連 結した電流検出用クランプを配することにより漏れ電流を追跡することができる 。

＝相供給の場合、電線束の隣接電線を７．５Ａ航空機型回路ブレーカーを介して 電源の交流相につなぎ、中心線をアースに直接つなぐ。単相供給の場合、交流電 線をアースにつなぎ、中心導電体を含む残りの電線を通電線につなぐ。数滴の電 解質を濾紙に滴下して、試験開始前に確実に飽和させる。漏れ電流が検出される とすぐに、電源を入れ、タイマーを始動する。試験は、ａ）一つまたはそれ以上 の回路ブレーカーが遮断する；ｂ）電線が開回路になる；または ｃ）８時間経過する まで続ける。

全ての場合に、最終の電線束の状態および損傷までの時間を記録する。ブレーカ −が遮断した場合、更に反応が生じなくなるまで、順に電流を再度流しブレーカ −を再度閉じる。電線束の状態を再度記録する。

電線が開路になったとき、電源を再度入力し、試験を合計８時間続けた。（ｂ） まｊ；は（ｃ）による「損傷」を示す電線絶縁材料は、最初の損傷していない電 線の２本以上が開路にならないならば、良好な非ウェットトラッキング絶縁材料 とみなす。

ドライアーク試験 この試験は、電線束中の損傷が乾燥条件下にアークを生じたときに何が起こるか シュミレートすることを目的としている。絶縁物質の熱劣化を引き起こすアーク を生じさせるためにグラファイトロッドを使用する。欠陥電流は、導電性チャー を介する隣接相間のショートにより、または絶縁物質がアークの連続により全て 除去されｊ；場合に起こる導電体−導電体直接接触により試験下の電線束を通し て持続するのみである。

第３図は、試験装置を示すものである。電線束２１は、試験電線絶縁材料の層で 被覆された７本の長さ１０ｃｍの２０ＡＷＧ錫めっき銅またはニッケルめっき銅 導電体２２かも形成される。電線束２２は１本の中心電線の周囲に６本の電線が 配され、約５ｃｍ離れ！；タイラップにより保持されている。外側電線のうちの １本は、タイラッブ間において周囲に刻み目が設けられ０．５關の導電体がむき 出しとなっており、各電線の一端は絶縁ワニロクリップを介して連結し得るよう にストリップされている。

分光的に純粋なグラフフィトからなり、不純物含有レベルが２０ｐｐｍを越えな い、直径４３６■のロッド２３が提供される。それは、各試験前に、垂直に対し て１０″の角度をなし先端部直径が０．４±０．１吐となるようにヨーロッパ型 の従来の＆ｉ箪削りを用いて尖らすことにより得られる。アーク発生中に接触を 維持し、下方向の移動を制限することによりロッドの貫通深さを制限する装置と して、１００ｇの荷重２４がロッド２３の上端部に取り付けられる。ロッドは、 ロッドが自由に上下に滑動できるＰＴＦＥブツシュを通って移動する。

レバーを設置することによりロッド２３を電線束２１上に精確に配置することが でき、電気絶縁性樹脂からなり同じ物質からなるブロック２６上に載置された簡 単なりランプ２５によりその場に確実に保持されている。

電源は ａ）！気容量が少なくとも５ｋＶＡである三相４００Ｈｚｌ　ｌ　５／２００ｖ 発電機 ｂ）電気容量が少なくとも３ｋＶＡである単相５０Ｈｚｌ１５Ｖ変圧器 Ｃ）二つの１２Ｖ蓄電池により供給された直流２４Ｖのいずれでもよい。

漏電は結合リード線を覆っている電流検出用クランプにより感知され、漏電時の 電圧は１０：１電圧プローブにより測定される。トランスデユーサ−シグナルは 多チヤンネルデジタル貯蔵オシロスコープに送られ、そこでディスプレイおよび 操作して電力曲線（を圧×電流）およびエネルギー（電力曲線の積分）を得るこ とができる。

電線束２１は、刻み目を設けた電線が最上部となるようにクランプ２５に配置さ れる。電線束の隣接電線は７．５Ａ航空機型回路ブレーカーを介して異なる相の 供給源に連結され、中心の電線はアースに直接接続される。単相まｌ；は直流供 給の場合、交流電線をアースまＩ；は陰端子に接続し、中心電線を含む残りの電 線は回路ブレーカーを介して通電線または陰端子に接続される。カーボンロッド もアースまたは陰端子に接続され、先端部が導電体露出部に接触するように配置 される。１００ｇ荷重とＰＴＦＥブツシュ間のギャップは、ロッドのサンプル中 への貫入を制限するために適当なスペーサーを用いて試験絶縁電線の直径に調節 する。電圧プローブは損傷電線およびロッドを横切ってつながり、電流検出用ク ランプは三相の各々または供給源の通電側につながっている電線に配されている 。

試験組立構造体の前に保護スクリーンを配し、電源を入れる。

ａ）回路ブレーカ−が遮断せず、反応が比較的小さい、またはｂ）活性が小さい 試験後のブレーカ−のリセット時に更に反応が起こらない 場合、材料はこの試験に合格したとみなされる。

更に、非トラツキング材料は電流トレース中にスパイクがほとんどなく、それに 相当して消費される全エネルギーは少ない。他方、トラッキング物質は通常三つ の全ての相に多くのスパイクがあり、それに伴いばちばちという音が激しく多量 のエネルギーが消費される。

ＣＴＩ試験 この方法は、低電圧（６００Ｖまで）トラッキング抵抗を水性汚染物の存在下に 比トラッキング指数（ＣＴＩ）として測定するｌＥＣ１１２の修正法である。

各ポリマ一層のサンプルは、試験中にサンプルの端から液体が漏れないことを保 証するのに十分な幅で最小厚さ３ｍｍのプラークを圧縮まＩ；は射出成形するこ とにより形成される。試験前に、サンプルの表面をメタノールで清浄し、いかな る表面汚染物も除去する。

試験装置はｌＥＣ１１２に記載されたものと同様である。該装置は二つの白金電 極からなり、各々の一端は３０６の角度を有するのみ形状である。電極は、試験 体の表面に配したときに反対側ののみ面が垂直であり４．０±０　、１　ｍｍ− れているように左右対称に設けられる。

電力供給源は、５０Ｈｚで１００〜ａｏｏｖの交流電圧を供給することのできる Ｑ、５ｋＶＡの変圧器からなる。短絡回路電流を１，０±０．１　ａｍｐに調節 し得るように可変抵抗器を回路に組み入れる。漏電の基準である少なくとも０　 、５　ａｍｐの電流が２秒間流れたときにＨＶ供給を遮断する過電流リレーを設 ける。

電極間に電解質溶液を滴下する装置を設ける。これは、貯蔵部がら液体を吸引す るぜん動ポンプからなり、そのポンプは電極間の上方３０〜４０ｍ＋ｎの高さに 位置するニードルから液体を送り出す。滴下速度は、３０土５秒毎に容積２０ｆ ３闘３の液滴を１滴落とすように調節する。試験前に、試薬の正確な濃度を保証 するために、ニードルを清浄化し数滴の電解質でパージする。

これらの試験で使用する電解質溶液は、塩化アンモニウム０．１太０．００２％ およびドデシル硫酸ナトリウム界面活性剤０．０】％の脱イオン水溶液であり、 ２３°Ｃにおいて４０５±５　ｏ）ｎｎ、ｃｍの抵抗率を存する。

界面活性剤を使用することにより、同質サンプルについて再現可能な結果が得ら れた。しかしながら、使用する界面活性剤の種類は、得られるＣＴＩ値に大きな 影響を与え得る。（既知のトラッキングの劣る物質についての）１５０ｖより低 い電圧から非トラツキング物質についての６００ｖより高い電圧までの作用範囲 が得られるので、ドデシル硫酸ナトリウムが選択された。

試験手順 試験体を所定の位置に配置し、電極をその表面上まで降ろした。

適当な電圧を選択し、それに従って短絡電流を調節した。次に、ａ））ラッキン グが発生する ｂ）サンプルの腐食が支持基材まで達するＣ）６００Ｖにおいてサンプルが５０ 滴に耐えるまで電極間に電解質を滴下した。

次に、トラッキングを発生するこれらの物質について、２種類の電圧において５ ０滴を越える結果が得られ、２種類の電圧において５０滴より少ない結果が得ら れるように、少なくとも３種類の他の電圧において試験を繰り返した。適用した 電圧に対する故障滴下数の曲線をプロットし、それから５０滴において故障が生 じる電圧を読み取った。この電圧が比トラッキング指数（ＣＴＩ）である。

材料が６００Ｖで５０滴に耐える場合、ＣＴｒは〉６００と表され、サンプルの 腐食は、サンプルのプラークの重量を予め測定し、４００ｖで電解質１０１滴と して試験を行い、弛綴しＩ；表面破片を全て除去した後にサンプルの重量を再度 測定することにより測定した。腐食は材料減少量（ｍｇ）で表す。

試験中に支持基材まで貫入するサンプルについて、腐食は、４００ｖで１０１滴 滴下後または完全な貫入後に減少した量（ｍｇ）で表し、そのことが起こるのに 必要な滴下数を、例えば７５ｍｇ（８０滴）と示す。

ポリマ一層には２０ｍｍポーガン（Ｂ　ａｕｇｈａｎ）押出機を用い、無機層に はスパッタリングを用いて、以下の電線構造体を形成した。ブレンドを使用しＩ ；場合はペイカー・バーキンス（Ｂａｋｅｒ　Ｐｅｒｋｉｎｓ）２軸押出機を用 いて形成した。導体は、特記しない限り２２ＡＷＧニツケルめっき銅である。ウ ェットおよびドライトラッキング試験の結果を表に示す。

実施例１ ５μｍのアルミニウム中間層の上の１０μｍのシリカアーク制御層に、第１絶縁 層としてポリアリールエーテルケトンからなる１６０ｇｍの層および２次トラッ キング制御層として架橋エチレンテトラフルオロエチレンからなる７５μｍの層 を被覆した。

実施例２ ７μｍのアルミニウム中間層の上の６〜７μ費のアルミナアーク制御層に、第１ 絶縁層として、ポリアリールエーテルケトンからなる３２５μｍの層および２次 トラッキング制御層として、ポリテトラメチレンテレフタレートと約５７重量％ のポリブチレンテレ７タレートハードブロツクおよび約４３重量％のポリ（ブチ レングリコールポリエーテルテレフタレート）ソフトブロックからなるポリ（エ ーテル−エステル）ブロックコポリマーとの７０：３０ブレンドからなる１２５ μｍの層を被覆した。（２２ＡＷＧ＠導体）実施例３ ５．７μｍアルミニウム中間層の上の６細のシリカアーク制御層に、第１絶縁層 としてボリアリールエーテルケ）・ンからなる１２５ｕｍ＋７）層および２次ト ラッキング制御層としてポリテトラメチレンテレフタレートと約５７重量％のポ リブチレンテレフタレートハードブロックおよび約４３重量％のポリ（ブチレン グリコールポリエーテルテレフタレート）ソフトブロックからなるポリ（エーテ ル−エステル）ブロックコポリマーとの７０：３０ブレンドからなる１２５μｍ の層を被覆した。

実施例４（対照） ７μ川のアルミニウム中間層の上の６〜７μｍのシリカアーク制御層に絶縁層と してポリアリールニーチルケトンからなる１２５μｍの層を被覆した。

実施例５（対照） 内側絶縁層としてポリアリールエーテルケトンからなる１００μｍの層、および 外側絶縁層としてポリテトラメチレンテレフタレートと約５７重量％のポリ（テ トラメチレンテレフタレート）ハードブロックおよび約４３重量％のポリ（テト ラメチレングリコールポリエーテルテレフタレート）ソフトブロックからなるボ １バエ−チル−エステル）ブロックコポリマーとの７０　：　３０ブレンドから なる１００単一絶縁層としてボリアリールエーテルエーテルケトンからなる１２ ５μｍの層。

補正書の写しく翻訳文）提出書 （特許法１８４条の８） 平成２年１月１０日 １、国際出願番号 ＰＣＴ／ＧＢ８Ｂ１００５４６ ２、発明の名称 電　　線 ３、特許出願人 名ｆｌｌＦ　　レイケム・リミテッド （１）補正書の翻訳文　　　　　　　　　　　　　　　　　１　通第１３〜１４ 頁 ・・・・１０重１％を越えない、好ましくは５重量％を越えない、より好ましく は２重量％を越えない、特に０重量％の・・・・。絶縁層の内側表面のＣ，Ｔ、 １．は、ある場合には、適当な芳香族ポリマーを選択することにより達成するこ とができる。あるいは、チャー水準を低下させるためにまたは層のＣ，Ｔ、１． を上昇させるために、芳香族ポリマーと脂肪族ポリマーをブレンドすることも適 当である。本願と同日付の出願人の英国特許出願第８７１６３０４号（それから 国際出願ＷＯ３９１００７５６の請求の範囲の優先権が発生）に記載されている ように、芳香族ポリマーに脂肪族ポリマーを導入スることにより、ブレンドのチ ャー残量を相当する以上に減少できることが分かった。芳香族ポリマーとブレン ドすることができる好ましい脂肪族ポリマーは、２次トラッキング制御層に用い るものとして以下に述べるものと同じものである。

上記に代えまたは加えて、絶縁層は二またはそれ以上の層で、最外層は芳香族ポ リマーの単独または一種またはそれ以上の他のポリマーとのブレンドからなり、 内側層はチャー残量が低い、例えば１０重量％を越えないポリマーを含んでよい 。内側層は、下記脂肪族ポリマーの一種またはそれ以上を含んでよく、好ましく は含んでいる。

絶縁層全体の厚さは、通常、５０〜２５０μへ特に７５〜２００ｐＲである。二 以上の層からなる場合、内側層の厚さは通常、７５〜１２５μπであり、外側層 の厚さは通常１５０μＩまで、好ましくは１００μまで、および特に７５ｕ肩ま でである。

アーク制御層の目的は、アークルートの成長の制御であり、本発明によれば、導 電体に耐熱性の好ましくは密着性の層を設けることにより達成され、そのことが 、より激しい電線または電線束の損傷が起き得る前に導電体を迅速に溶融し切断 するのが助長される。すなわち、例えば、適当な手段、例えば蒸着法により、ア ルミナ、シリカ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、および二 酸化チタンの層を適用することができる。そのような方法の例は、スパッタリン グ、化学蒸着、溶射、プラズマ・アッシング（ｐｉ　ａｓｍａａｓｈｉｎｇ）、 反応性イオンブレーティング、電子線蒸発（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｂｅａｍ　ｅｖ ａｐｏｒａｔｉｏｎ）または他の技術を含む。耐熱性被覆およびそれを導電体表 面に形成する方法の例が、出願人の特許出願ＧＢ−２，１−４４，２６０Ａ（米 国特許出願第８１８．８５４号）に記載されている。

例えば、本願と同日付の出願人の国際出願ｗｏ　８９１００７６２およびｗｏ　 　８９１００７６４に記載されているように、ウェザード（ｗｅａｔｈｅｒｅｄ ）雲母被膜を用いてもよい。

アーク制御層の厚さは、特にそれを形成する材料による。耐熱性層の場合、厚さ は、通常、０．１〜・・・・・国際調査報告 国際調査報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．導電体、該導電体を包囲する無機アーク制御層、該アーク制御層を包囲し芳 香族ポリマーを含んでなる絶縁層および該絶縁層を包囲する２次トラッキング制 御層を有してなり、該２次トラッキング制御層の比トラッキング指数が少なくと も３００Ｖである電線。 ２．アーク制御層のチャー残量が２重量％を越えない請求の範囲１記載の電線。 ３．アーク制御層のチャー残量が０重量％である請求の範囲２記載の電線。 ４．アーク制御層の厚さが０．１〜１０μｍの厚さである請求の範囲１〜３のい ずれかに記載の電線。 ５．無機材料を真空蒸着法により付着させた請求の範囲４記載の電線。 ６．無機材料が、アルミニウム、珪素またはチタンの酸化物、窒化物または酸窒 化物である請求の範囲４または５に記載の電線。 ７．芳香族ポリマーが、ポリアリールエーテルケトン、ポリアリールエーテルス ルホン、ポリアリールエーテル、ポリアリーレート及び／又はポリエーテルイミ ドを含んでなる請求の範囲１〜６のいずれかに記載の電線。 ８．芳香族ポリマーが、 ｉ）式： −Ａｒ−Ｑ− 〔式中、Ａｒは非置換または置換された二価芳香族基およびＱは−Ｏ−、−Ｓ− 、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＮＨ−ＣＯ−または−ＣＯＯ−を表す、または、Ａ ｒは多価基を表し、Ｑは▲数式、化学式、表等があります▼ で示される基を表し、Ｑは好ましくは芳香族炭素原子に直接結合している。〕 で示される同−または異なる単位、 ｉｉ）式： −Ｏ−Ｅ−Ｏ−Ｅ′− （式中、Ｅは二価フェノールの残基およびＥ′は原子価結合に対するオルトおよ びパラ位の少なくとも−つの位置に電子吸引基を有する芳香族化合物の残基を表 し、ＥおよびＥ′基は芳香族炭素原子を介して−Ｏ−基に結合している。〕 で示される繰返し単位を有する結晶性ポリアリーレンエーテル、または ｉｉｉ）式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｑは−Ｏ−または−ＳＯ２−、ｚは三価の芳香族基、Ｒは二価芳香族基 およびＲ′は二価有機基を表す。〕で示される繰返し単位を有するポリエーテル イミドまたはポリスルホンイミド を含んでなる請求の範囲７記載の電線。 ９．芳香族ポリマーが，式： （１）▲数式、化学式、表等があります▼（２）▲数式、化学式、表等がありま す▼（３）▲数式、化学式、表等があります▼（４）▲数式、化学式、表等があ ります▼（５）▲数式、化学式、表等があります▼〔式中、ｘ、ｍおよびｎはそ れぞれ０または１を表し、ｘが１の場合、ｎは０であって、ｐは１〜４の整数を 表し、ｐが１より大きい場合、ｍは１およびｘは０である。〕 （６）▲数式、化学式、表等があります▼（７）▲数式、化学式、表等がありま す▼（８）▲数式、化学式、表等があります▼〔上記単位は全てテレフタル酸も しくはイソフタル酸または両方から誘導することができる。〕 （９）▲数式、化学式、表等があります▼で示される繰り返し単位を有するポリ マーからなる請求の範囲８記載の電線。 １０．芳香族ポリマーを−種またはそれ以上の脂肪族ポリマーとブレンドした請 求の範囲１〜９のいずれかに記載の電線。 １１．絶縁層が複数の層からなり、少なくとも最も外側の層が芳香族ポリマーを 含んでなり、少なくとも内側層が炭素質チャー残量が１０重量を越えないポリマ ーを含んでなる請求の範囲１〜１０のいずれかに記載の電線。 １２．絶縁層の内側層が脂肪族ポリマーを含んでなる請求の範囲１１記載の電線 。 １３．絶縁層の各脂肪族ポリマーが、ポリオレフィン、オレフィンとオレフィン 、 アルキルアセテート、アルキルアクリレート、ビニルエステルとのコポリマー、 ポリアミド、ポリエーテル、ポリエ ステル、イオノマーまたはアクリル酸ポリマーを含んでなる請求の範囲１０〜１ ２のいずれかに記載の電線。 １４．２次トラッキング制御層の比トラッキング指数が少なくとも４００、好ま しくは５００である請求の範囲１〜１３のいずれかに記載の電線。 １５．２次トラッキング制御層のチャー残量が５％を越えない請求の範囲１〜１ ４のいずれかに記載の電線。 １６．２次トラッキング制御層が脂肪族ポリマーを含んでなる請求の範囲１〜１ ５のいずれかに記載の電線。 １７．２次トラッキング制御層の脂肪族ポリマーが、ポリオレフィン、オレフィ ンとオレフィン、アルキルアセテート、アルキルアクリレートまたはビニルエス テルとのコポリマー、ポリアミド、ポリエステル、イオノマーまたはアクリル酸 ゴムである請求の範囲１６記載の電線。 １８．２次トラッキング制御層の脂肪族ポリマーが、ポリエチレン、結晶性ポリ アミド、無定型芳香族／脂肪族ポリアミド、メタクリル化ポリエチレン金属塩糸 のイオノマー、ポリブチレンテレフタレート、スチレン／ジエンジ−またはトリ −ブロックコポリマー、またはそれらの水素化物、あるいは、 式： ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される長鎖エステル単位および 式： ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される短鎖エステル単位 〔式中、Ｇはポリアルキレンオキシドグリコールから末端水酸基を除いた後の二 価の基、好ましくは分子量６００〜６０００のポリ（Ｃ２〜Ｃ４アルキレンオキ シド）、Ｒは分子量が約３００より低いジカルボン酸の少なくとも一種からカル ボキシル基を除いた後の二価の基、Ｄは分子量が２５０より低いジオールの少な くとも一種から水酸基を除いた後の二価の基を表す。〕を有するブロックコポリ マーを含んでなる請求の範囲１７記載の電線。 １９．２次トラッキング制御層の脂肪族ポリマーが弗化ポリマーである請求の範 囲１６記載の電線。 ２０．２次トラッキング制御層の脂肪族ポリマーが、ビニリデンフルオライドポ リマー、ヘキサフルオロプロピレン、ポリテトラフルオロエチレンまたはＣ１〜 Ｃ５パーフルオロアルコキシ置換パーフルオロエチレンのホモポリマーまたはコ ポリマーである請求の範囲１９記載の電線。 ２１．第２トラッキング制御層が架橋している請求の範囲１〜１９のいずれかに 記載の電線。