JPH0248425Y2 - - Google Patents

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JPH0248425Y2
JPH0248425Y2 JP1985170698U JP17069885U JPH0248425Y2 JP H0248425 Y2 JPH0248425 Y2 JP H0248425Y2 JP 1985170698 U JP1985170698 U JP 1985170698U JP 17069885 U JP17069885 U JP 17069885U JP H0248425 Y2 JPH0248425 Y2 JP H0248425Y2
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wafer
disk
hook
vacuum evaporation
flat surface
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Description

【考案の詳細な説明】 (a) 技術分野 この考案は、半導体素子等の基板として用いら
れるウエハの表裏面に金属膜を蒸着させるための
真空蒸着装置のウエハ支持台に関する。
[Detailed Description of the Invention] (a) Technical Field This invention relates to a wafer support stand for a vacuum evaporation apparatus for vapor depositing metal films on the front and back surfaces of a wafer used as a substrate for semiconductor devices and the like.

(b) 従来技術とその欠点 ウエハの真空蒸着装置は、蒸着がムラなく均質
に行われるようにするために、ウエハをウエハ支
持台に取り付け、これを真空蒸着装置内で遊星運
動させるようにしている。このため、まず第2図
に示すように、回転放物面状に形成されたプラネ
タリ支持体1の内面にウエハ支持台2を多数配置
して固定する。次に、第3図に示すように、この
プラネタリ支持体1を複数セツト回転枠3の周囲
に回転自在に取り付ける。そして、この回転枠3
を回転駆動することにより公転運動させると同時
に、プラネタリ支持体1の回転軸に固定した従動
円板4の周端を公転軌道に沿つて形成された環状
レール5に接するようにすることにより、プラネ
タリ支持体1が公転運動に伴つて自転し遊星運動
を行うようにしている。
(b) Prior art and its disadvantages In a vacuum evaporation system for wafers, the wafer is mounted on a wafer support and the wafer is moved in a planetary motion within the vacuum evaporation system in order to ensure uniform and even deposition. There is. For this purpose, first, as shown in FIG. 2, a large number of wafer supports 2 are arranged and fixed on the inner surface of a planetary support 1 formed in the shape of a paraboloid of revolution. Next, as shown in FIG. 3, this planetary support 1 is rotatably attached around the multiple set rotation frame 3. And this rotating frame 3
At the same time, the peripheral end of the driven disk 4 fixed to the rotating shaft of the planetary support 1 is brought into contact with the annular rail 5 formed along the orbit of the planetary. The support body 1 rotates on its own axis as it revolves and performs planetary motion.

ウエハ支持台2は、第4図および第5図に示す
ように、このように構成されたプラネタリ支持体
1の内面に少し浮かして固定された円盤6上にウ
エハ7を載置し、このウエハ7のオリエンテーシ
ヨンフラツト面8をバネ9に引かれ案内溝10に
ガイドされたフツク11で係止押圧し、かつ、こ
のウエハ7の他側を2箇所係止ピン12で係止す
ることによりウエハ7を支持する。バネ9は、円
盤6の裏面側に配置されたつる巻きバネであり、
一端を円盤6の裏面中央部に設けられたバネ掛け
13に係止するとともに、他端側を折り曲げてフ
ツク11を一体的に形成している。また、案内溝
10は円盤6の一方の周端から半径方向に形成さ
れたスリツトである。したがつて、フツク11は
バネ9によつて引かれ案内溝10にガイドされて
円盤6の中心側に移動しようとする。そこで、こ
の円盤6上にウエハ7を載置しこのウエハ7のオ
リエンテーシヨンフラツト面8をフツク11で係
止押圧させるようにすることにより、このウエハ
7をウエハ支持台2上に固定することができる。
As shown in FIGS. 4 and 5, the wafer support 2 places the wafer 7 on a disk 6 that is fixed slightly floating on the inner surface of the planetary support 1 configured as described above. The orientation flat surface 8 of the wafer 7 is locked and pressed by a hook 11 pulled by a spring 9 and guided by a guide groove 10, and the other side of the wafer 7 is locked with two locking pins 12. supports the wafer 7. The spring 9 is a helical spring arranged on the back side of the disk 6,
One end is locked to a spring hook 13 provided at the center of the back surface of the disc 6, and the other end is bent to integrally form the hook 11. Further, the guide groove 10 is a slit formed in the radial direction from one peripheral end of the disk 6. Therefore, the hook 11 is pulled by the spring 9, guided by the guide groove 10, and tends to move toward the center of the disk 6. Therefore, the wafer 7 is fixed on the wafer support stand 2 by placing the wafer 7 on the disk 6 and pressing the orientation flat surface 8 of the wafer 7 with the hook 11. be able to.

ところが、円盤6上に載置されたウエハ7のオ
ペレーシヨンフラツト面8が案内溝10に対して
直角とならず、第6図に示すように、斜めに載置
された状態のままでフツク11で係止すると、係
止が不安定となり外れ易くなるので、真空蒸着作
業中にウエハ7がウエハ支持台2から落下し破損
するおそれがある。このため、オペレータは、ウ
エハ7のウエハ支持台2への取り付けの際にオリ
エンテーシヨンフラツト面8が正確に案内溝10
に対して直角となるように載置しなければならな
い。しかしながら、従来のウエハ支持台2は、案
内溝10が一箇所にしか形成されないために、オ
ペレータはウエハの取付作業を慎重に行わなけれ
ばならず作業効率が悪くなり、また、載置後にこ
の角度を修正すると円盤6とすれ合うためにウエ
ハ7の表面に傷が生じ製品に不良が発生するとい
う欠点が生じていた。
However, the operation flat surface 8 of the wafer 7 placed on the disk 6 is not perpendicular to the guide groove 10, and as shown in FIG. If the wafer 7 is locked at 11, the wafer 7 becomes unstable and easily comes off, so there is a risk that the wafer 7 will fall from the wafer support stand 2 and be damaged during the vacuum deposition operation. Therefore, when the operator attaches the wafer 7 to the wafer support stand 2, it is necessary to ensure that the orientation flat surface 8 aligns with the guide groove 1 accurately.
It must be placed at right angles to the However, in the conventional wafer support 2, since the guide groove 10 is formed only in one place, the operator has to carefully mount the wafer, resulting in poor work efficiency. When the wafer 7 is corrected, the surface of the wafer 7 is scratched due to the contact with the disk 6, resulting in a defective product.

(c) 考案の目的 この考案は、このような事情に鑑みなされたも
のであつて、円盤に角度を変えて2本以上の案内
溝を設けることにより、ウエハのセツテイングを
容易にする真空蒸着装置のウエハ支持台を提供す
ることを目的とする。
(c) Purpose of the invention This invention was developed in view of the above circumstances, and is a vacuum evaporation device that facilitates the setting of wafers by providing two or more guide grooves at different angles on the disk. The purpose of the present invention is to provide a wafer support stand.

(d) 考案の構成および効果 この考案の真空蒸着装置のウエハ支持台は円盤
上に載置したウエハのオリエンテーシヨンフラツ
ト面を、一端が円盤の中心に係止されたバネの他
端に取り付けられ、案内溝にガイドされた単一の
フツクで係止押圧するとともに、このウエハの他
方側を2箇所以上係止することにより支持して、
真空蒸着装置内において遊星運動を行わせる真空
蒸着装置がウエハ支持台において 前記案内溝を、円盤の中心を扇中心とする扇形
範囲内で円盤の一方側の周端から半径方向に複数
形成したことを特徴とする。
(d) Structure and effect of the invention The wafer support of the vacuum evaporation apparatus of this invention supports the orientation flat surface of a wafer placed on a disk by connecting the other end of a spring with one end fixed to the center of the disk. The wafer is fixed and pressed by a single hook attached and guided by a guide groove, and the other side of the wafer is supported by being fixed at two or more places.
A vacuum evaporation device that causes planetary motion within the vacuum evaporation device is provided with a plurality of guide grooves formed in a radial direction from one circumferential end of the disk within a fan-shaped range with the center of the disk as the center of the fan on the wafer support stand. It is characterized by

この考案の真空蒸着装置のウエハ支持台を上記
のように構成すると、単一のフツクを嵌入するも
のとして2本以上の案内溝が形成されることにな
り、単一のフツクはこの2本以上ある案内溝のう
ちの1つの案内溝に選択的に嵌め込まれる。フツ
クはバネにより円盤の中心方向に付勢されている
ため、ウエハを確実に固定するためにはオリエン
テーシヨンフラツト面がフツクの付勢方向(円盤
の法線)に直交する方向に一致するようにウエハ
を円盤上に載置すべきである。一方、フツクの付
勢方向が円盤面のどの法線方向に一致するかはフ
ツクが嵌め込まれる案内溝の形成位置により決定
する。すなわち、ウエハのオリエンテーシヨンフ
ラツト面とフツクの付勢方向とがなす角度は、オ
リエンテーシヨンフラツト面とフツクを嵌め込む
案内溝との位置関係によつて決まる。このことか
ら、円盤上へのウエハの載置の際にオリエンテー
シヨンフラツト面が多少傾いたとしても、2本以
上ある案内溝のうち最も把持力の得られる案内溝
を選んでフツクを嵌め込みウエハを係止すればよ
い。このため、オペレータは、ウエハ載置の際の
角度の許容範囲が広がるので、ウエハの取付作業
が容易となる。したがつて、この発明の真空蒸着
装置のウエハ支持台は、ウエハ取り付けの際の作
業性が向上するとともに、円盤上にウエハを載置
した後の角度の修正作業が不要となることからウ
エハの表面に傷を付けることもなくなり製品の歩
留まり向上に貢献することができる。
When the wafer support base of the vacuum evaporation apparatus of this invention is configured as described above, two or more guide grooves are formed into which a single hook is inserted, and a single hook has two or more guide grooves. It is selectively fitted into one of the guide grooves. Since the hook is biased toward the center of the disk by a spring, in order to securely fix the wafer, the orientation flat surface must align with the direction perpendicular to the direction in which the hook is biased (normal to the disk). The wafer should be placed on the disk as shown. On the other hand, which normal direction of the disc surface the biasing direction of the hook corresponds to is determined by the formation position of the guide groove into which the hook is fitted. That is, the angle formed between the orientation flat surface of the wafer and the biasing direction of the hook is determined by the positional relationship between the orientation flat surface and the guide groove into which the hook is fitted. Therefore, even if the orientation flat surface is slightly tilted when placing the wafer on the disk, the hook can be inserted by selecting the guide groove that provides the most gripping force among the two or more guide grooves. All you have to do is lock the wafer. Therefore, the operator has a wider range of permissible angles when placing the wafer, making it easier to mount the wafer. Therefore, the wafer support stand of the vacuum evaporation apparatus of the present invention not only improves the workability when mounting the wafer, but also eliminates the need to correct the angle after the wafer is placed on the disk, making it easier to mount the wafer. This eliminates scratches on the surface and contributes to improved product yield.

(e) 実施例 第1図はこの考案の実施例である真空蒸着装置
のウエハ支持台の平面図である。
(e) Embodiment FIG. 1 is a plan view of a wafer support stand of a vacuum evaporation apparatus which is an embodiment of this invention.

この実施例のウエハ支持台は、2本の案内溝1
0,10を円盤16に角度をわずかに変えて設け
ることにより構成される。円盤6はウエハ7を載
置するための台であり、プラネタリ支持体1の回
転放物面内側に少し浮かして固定されている。案
内溝10,10は、この円盤6の一方の周端から
半径方向に形成されたスリツトであり、半径の半
分程度の長さに亘つて形成されている。2本の案
内溝10,10の成す角度は、ウエハ7を取り付
けた際のオリエンテーシヨンフラツト面8が傾斜
を許容される角度範囲内に設定される。この円盤
6の裏面側中央にはバネ掛け13が設けられバネ
9の一端側が係止されている。つる巻きバネから
なるバネ9の他端側は、円盤6の表側に突出する
ように折り曲げることによりフツク11を形成し
ている。フツク11は、バネ9によつて円盤6の
中心方向に引かれ、案内溝10,10のいずれか
に嵌め込むことにより円盤6上に載置したウエハ
7のオリエンテーシヨンフラツト面8を係止押圧
することができる。また、この円盤6の周端の他
方側には、十分な角度間隔を開けた係止ピン1
2,12が表側に突出するように固定されてい
る。
The wafer support stand of this embodiment has two guide grooves 1
0 and 10 are provided on the disk 16 at slightly different angles. The disk 6 is a table on which the wafer 7 is placed, and is fixed to the inside of the paraboloid of revolution of the planetary support 1 so as to be slightly floating. The guide grooves 10, 10 are slits formed in the radial direction from one peripheral end of the disk 6, and are formed over a length of about half the radius. The angle formed by the two guide grooves 10, 10 is set within an angular range within which the orientation flat surface 8 is allowed to tilt when the wafer 7 is attached. A spring hook 13 is provided at the center of the back side of the disc 6, and one end of the spring 9 is locked. The other end of the spring 9, which is a helical spring, is bent to protrude toward the front side of the disk 6 to form a hook 11. The hook 11 is pulled toward the center of the disk 6 by a spring 9, and engages the orientation flat surface 8 of the wafer 7 placed on the disk 6 by fitting into one of the guide grooves 10, 10. It can be pressed down. Further, on the other side of the circumferential edge of this disk 6, a locking pin 1 with a sufficient angular interval is provided.
2 and 12 are fixed so as to protrude to the front side.

実施例は、ウエハ7の裏面処理のために、この
ウエハ7の裏面に金等の金属膜を蒸着させる場合
を示す。円盤6上に裏面を上にして載置されたウ
エハ7は、他方側を係止ピン12,12に係止さ
れ、オリエンテーシヨンフラツト面8を案内溝1
0にガイドされたフツク11に係止押圧されるこ
とによつて固定される。この際フツク11をガイ
ドする案内溝10,10は、ウエハ7のオリエン
テーシヨンフラツト面8に対して最も直角に近い
方が選ばれる。
The embodiment shows a case where a metal film such as gold is deposited on the back surface of the wafer 7 in order to process the back surface of the wafer 7. The wafer 7 placed on the disk 6 with its back side up is locked on the other side by locking pins 12, 12, and the orientation flat surface 8 is placed in the guide groove 1.
It is fixed by being locked and pressed by the hook 11 guided at zero. At this time, the guide grooves 10, 10 for guiding the hook 11 are selected to be the one most perpendicular to the orientation flat surface 8 of the wafer 7.

上記のように構成されたこの実施例の真空蒸着
装置のウエハ支持台2は、ウエハ7のオリエンテ
ーシヨンフラツト面8を係止するフツク11を嵌
め込む案内溝10,10を選択することができる
ので、ウエハ7の傾斜角度の許容範囲を案内溝1
0が一本だけの場合に比べ2倍にまで広げること
ができる。この許容範囲の拡大は、案内溝10,
10の角度範囲を丁度許容範囲角度としたときに
最高の2倍となる。このため、円盤6上にウエハ
7を載置する取付作業の精度が緩和され、オペレ
ータの作業が容易となるので、煩わしさが解消す
るとともに作業性の向上を図ることができる。ま
た、ウエハ7を円盤6上に載置した際に角度の許
容範囲から外れることがほとんどなくなるので、
後の角度修正により円盤6とすれ合つてウエハ7
の表面が傷付くというようなおそれもなくなり、
製品の歩留まり向上に貢献することができる。
The wafer support stand 2 of the vacuum evaporation apparatus of this embodiment configured as described above has guide grooves 10, 10 in which the hooks 11 for locking the orientation flat surface 8 of the wafer 7 are fitted. Therefore, the allowable range of the inclination angle of the wafer 7 can be determined by adjusting the guide groove 1.
It is possible to expand the number of 0s twice as much as when there is only one 0. This expansion of the allowable range is achieved by the guide groove 10,
When the angle range of 10 is exactly the allowable range angle, it becomes twice the maximum. Therefore, the accuracy of the mounting work for placing the wafer 7 on the disk 6 is relaxed, and the operator's work is facilitated, so that troublesomeness can be eliminated and work efficiency can be improved. In addition, when the wafer 7 is placed on the disk 6, it is almost impossible for the angle to deviate from the permissible range.
Due to the later angle correction, the wafer 7 is brought into contact with the disk 6.
There is no need to worry about scratching the surface of the
It can contribute to improving product yield.

なお、案内溝10は係止ピン12,12間の垂
直2等分線上に1本、それを対称軸として複数本
設けてもよく、この場合にはさらにウエハ7の傾
斜角度の許容範囲を広げることができる。
Note that one guide groove 10 may be provided on the perpendicular bisector between the locking pins 12, 12, and a plurality of guide grooves may be provided with this as the axis of symmetry. In this case, the permissible range of the tilt angle of the wafer 7 is further expanded. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの考案の実施例である真空蒸着装置
のウエハ支持台の平面図、第2図は従来のウエハ
支持台を配置したプラネタリ支持体1の平面図、
第3図は真空蒸着装置の内部機構を説明するため
の縦断面概略正面図、第4図は従来のウエハ支持
台の平面図、第5図は同ウエハ支持台の縦断面正
面図、第6図は同ウエハ支持台に取り付けたウエ
ハが傾斜している場合の平面図である。 7……ウエハ、8……オリエンテーシヨンフラ
ツト面、9……バネ、10……案内溝、11……
フツク。
FIG. 1 is a plan view of a wafer support stand of a vacuum evaporation apparatus that is an embodiment of this invention, and FIG. 2 is a plan view of a planetary support 1 on which a conventional wafer support stand is arranged.
FIG. 3 is a schematic vertical cross-sectional front view for explaining the internal mechanism of the vacuum evaporation apparatus, FIG. 4 is a plan view of a conventional wafer support, FIG. 5 is a vertical cross-sectional front view of the same wafer support, and FIG. The figure is a plan view when the wafer attached to the wafer support stand is tilted. 7... Wafer, 8... Orientation flat surface, 9... Spring, 10... Guide groove, 11...
Hutsuku.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 円盤上に載置したウエハのオリエンテーシヨン
フラツト面を、一端が円盤の中心に係止されたバ
ネの他端に取り付けられ、案内溝にガイドされた
単一のフツクで係止押圧するとともに、このウエ
ハの他方側を2箇所以上係止することにより支持
して、真空蒸着装置内においてウエハに遊星運動
を行わせる真空蒸着装置のウエハ支持台におい
て、 前記案内溝を、円盤の中心を扇中心とする扇形
範囲内で円盤の一方側の周端から半径方向に複数
形成したことを特徴とする真空蒸着装置のウエハ
支持台。
[Claims for Utility Model Registration] The orientation flat surface of a wafer placed on a disk is fixed to a spring whose one end is fixed to the center of the disk and the other end of which is guided by a guide groove. In a wafer support stand of a vacuum evaporation apparatus, the wafer is held and pressed by a hook, and the other side of the wafer is supported by locking at two or more places to cause the wafer to perform planetary motion in the vacuum evaporation apparatus. A wafer support stand for a vacuum evaporation apparatus, characterized in that a plurality of grooves are formed in a radial direction from one peripheral end of a disk within a fan-shaped range with the center of the disk as the fan center.
JP1985170698U 1985-11-05 1985-11-05 Expired JPH0248425Y2 (en)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61194175A (en) * 1985-02-21 1986-08-28 Murata Mfg Co Ltd Thin film forming device

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