JPH0247885B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0247885B2 JPH0247885B2 JP58123944A JP12394483A JPH0247885B2 JP H0247885 B2 JPH0247885 B2 JP H0247885B2 JP 58123944 A JP58123944 A JP 58123944A JP 12394483 A JP12394483 A JP 12394483A JP H0247885 B2 JPH0247885 B2 JP H0247885B2
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- single crystal
- piezoelectric single
- etching
- evaluating
- mirror surface
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、圧電性単結晶に係り、特に弾性表
面波を励振させる鏡面の評価方法に関する。
面波を励振させる鏡面の評価方法に関する。
一般に弾性表面波用圧電性単結晶は、近年、特
にLiTaO3単結晶及びLiNbO3単結晶等において、
TVフイルターやVTR用共振子に多く使用され
始め、量産化されている。そして今後、更に数百
ＭHz帯の応用素子に採用される見通しがある。
にLiTaO3単結晶及びLiNbO3単結晶等において、
TVフイルターやVTR用共振子に多く使用され
始め、量産化されている。そして今後、更に数百
ＭHz帯の応用素子に採用される見通しがある。
ところで周波数が30〜60MHzの従来のTV用フ
イルターに使用していた圧電性単結晶の鏡面で
は、基板のポーリング不足時以外については、音
速のバラツキにつき特に問題とはなつていなかつ
た。しかし最近は、表面波デバイスの高周波化が
進み、更には共振子としての用途も増加する中で
鏡面状態の高品質化が必要となり、その確認方法
が問題となつてきた。即ち、最終検査工程で音速
を測定することによりやつと不良が判明してお
り、不良率は１〜５％であつた。
イルターに使用していた圧電性単結晶の鏡面で
は、基板のポーリング不足時以外については、音
速のバラツキにつき特に問題とはなつていなかつ
た。しかし最近は、表面波デバイスの高周波化が
進み、更には共振子としての用途も増加する中で
鏡面状態の高品質化が必要となり、その確認方法
が問題となつてきた。即ち、最終検査工程で音速
を測定することによりやつと不良が判明してお
り、不良率は１〜５％であつた。
一方、鏡面の評価方法としては、レーザ干渉計
によるフリンヂの観察や表面の結晶性を確認する
ための電子線回折があるが、評価の感度が悪く十
分でなかつた。即ち、今後50MHz→90MHz→
300MHz→600MHz→800MHzと高周波化されてく
るが、この場合、上記評価方法は十分でない。
によるフリンヂの観察や表面の結晶性を確認する
ための電子線回折があるが、評価の感度が悪く十
分でなかつた。即ち、今後50MHz→90MHz→
300MHz→600MHz→800MHzと高周波化されてく
るが、この場合、上記評価方法は十分でない。
この発明の目的は、非常に簡単にして且つ鏡面
が管理され鏡面状態による音速のバラツキを少な
くすることができる圧電性単結晶の鏡面評価方法
を提供することにある。
が管理され鏡面状態による音速のバラツキを少な
くすることができる圧電性単結晶の鏡面評価方法
を提供することにある。
この発明は、圧電性単結晶の鏡面加工面を又は
フツ硝酸によりエツチングを行ない、エツチピツ
トの観察により、鏡面品位を評価する圧電性単結
晶の鏡面評価方法である。
フツ硝酸によりエツチングを行ない、エツチピツ
トの観察により、鏡面品位を評価する圧電性単結
晶の鏡面評価方法である。
上記目的を達成するために、この発明では圧電
性単結晶基板の鏡面加工面をフツ酸と硝酸との混
酸によりエツチングを行なうが、この混酸は従来
はウエハのソリを除去したり鏡面の汚れ落しの目
的で使用されていた。この発明は、好適には室温
でHF：HNO3＝１：２により30〜100分間、鏡面
をエツチングさせるものであり、鏡面状態が悪い
ものは加工歪によるエツチピツト（鏡面アレ）が
発生し、顕微鏡観察により評価が可能となる。そ
して、このエツチピツトが発生するレベルの鏡面
は圧電性単結晶が例えばLiNbO3の場合、100M
Hz帯以上のデバイスでは基準音速3989ｍ／secに
対し数ｍ（約0.1％）もの音速ズレを発生させる
ことが判つた。
性単結晶基板の鏡面加工面をフツ酸と硝酸との混
酸によりエツチングを行なうが、この混酸は従来
はウエハのソリを除去したり鏡面の汚れ落しの目
的で使用されていた。この発明は、好適には室温
でHF：HNO3＝１：２により30〜100分間、鏡面
をエツチングさせるものであり、鏡面状態が悪い
ものは加工歪によるエツチピツト（鏡面アレ）が
発生し、顕微鏡観察により評価が可能となる。そ
して、このエツチピツトが発生するレベルの鏡面
は圧電性単結晶が例えばLiNbO3の場合、100M
Hz帯以上のデバイスでは基準音速3989ｍ／secに
対し数ｍ（約0.1％）もの音速ズレを発生させる
ことが判つた。
尚、デバイス表面における音速υと弾性表面波
の波長λ、中心周波数0との関係は υ＝0λ である。そして、音速ズレの規格は57MHzでは±
0.1、90MHzでは±0.1、300MHzでは±0.05、
800MHzでは±0.03となり、周波数が高くなるほ
ど規格が厳しくなり、これを満足するようにエツ
チピツトの発生を防止しなければならない。
の波長λ、中心周波数0との関係は υ＝0λ である。そして、音速ズレの規格は57MHzでは±
0.1、90MHzでは±0.1、300MHzでは±0.05、
800MHzでは±0.03となり、周波数が高くなるほ
ど規格が厳しくなり、これを満足するようにエツ
チピツトの発生を防止しなければならない。
以下、具体的な実施例に従つてこの発明を説明
する。
する。
実施例 １
この実施例１は、圧電性単結晶がLiTaO3の場
合である。即ち、7.6〓×0.37tのLiTaO3ウエハ上
に90MHz帯の共振子を製作し、音速を測定したと
ころ、Ｘカツト（Cut）112.2゜Y伝播の音速の基準
値3290ｍ／secに対し、実測値3288ｍ／secに低下
した。このウエハを取り、HF：HNO3＝１：２
の混酸上で40分間室温でエツチングを行ない、顕
微鏡にて360倍に拡大し観察したところ、鏡面上
にエツチングによるエツチピツトが発生してい
た。一方、同時にエツチングした音速3290ｍ／
secのウエハでは、100分間のエツチングにてもエ
ツチピツトは発生しなかつた。
合である。即ち、7.6〓×0.37tのLiTaO3ウエハ上
に90MHz帯の共振子を製作し、音速を測定したと
ころ、Ｘカツト（Cut）112.2゜Y伝播の音速の基準
値3290ｍ／secに対し、実測値3288ｍ／secに低下
した。このウエハを取り、HF：HNO3＝１：２
の混酸上で40分間室温でエツチングを行ない、顕
微鏡にて360倍に拡大し観察したところ、鏡面上
にエツチングによるエツチピツトが発生してい
た。一方、同時にエツチングした音速3290ｍ／
secのウエハでは、100分間のエツチングにてもエ
ツチピツトは発生しなかつた。
実施例 ２
この実施例２は、圧電性単結晶がLiNbO3の場
合である。即ち、76〓×0.39tのLiNbO3ウエハ上に
70MHz帯の共振子を製作し、音速を測定したとこ
ろ、128゜YカツトＸ伝播の音速基準値3989ｍ／
secに対し3986ｍ／secと低下した。このウエハを
取り、HF：HNO3＝１：２の混酸にて30分間室
温でエツチングを行なつた。そして、この鏡面を
顕微鏡にて360倍に拡大し観察したところ、鏡面
上にエツチングによるエツチピツトが発生してい
た。一方、同時にエツチングした音速3289ｍ／
secのウエハは、60分エツチングを行なつてもエ
ツチピツトの発生は見られなかつた。
合である。即ち、76〓×0.39tのLiNbO3ウエハ上に
70MHz帯の共振子を製作し、音速を測定したとこ
ろ、128゜YカツトＸ伝播の音速基準値3989ｍ／
secに対し3986ｍ／secと低下した。このウエハを
取り、HF：HNO3＝１：２の混酸にて30分間室
温でエツチングを行なつた。そして、この鏡面を
顕微鏡にて360倍に拡大し観察したところ、鏡面
上にエツチングによるエツチピツトが発生してい
た。一方、同時にエツチングした音速3289ｍ／
secのウエハは、60分エツチングを行なつてもエ
ツチピツトの発生は見られなかつた。
この発明によれば、高周波化に対応した鏡面の
評価が可能となる。従つて、デバイスを製作する
以前に、予めこの発明による評価を行なうことに
より、デバイスの歩留り低下を防止し、更にウエ
ハ工程管理も強化されることにより高品質のデバ
イスの製作が可能となり、不良率も１％未満に改
善された。
評価が可能となる。従つて、デバイスを製作する
以前に、予めこの発明による評価を行なうことに
より、デバイスの歩留り低下を防止し、更にウエ
ハ工程管理も強化されることにより高品質のデバ
イスの製作が可能となり、不良率も１％未満に改
善された。
即ち、第１図はエツチングによりエツチピツト
が発生するウエハにおいて、同一ウエハを分割
し、そのエツチピツトの発生する室温でのエツチ
ング時間を示した図であり、HF：HNO3＝１：
２の範囲が良好であり、取扱上もHF濃度も薄く
てよい。尚、第１図の縦軸は、顕微鏡（360倍）
で判定できるほどのエツチピツトが見え始める時
間を表わしている。
が発生するウエハにおいて、同一ウエハを分割
し、そのエツチピツトの発生する室温でのエツチ
ング時間を示した図であり、HF：HNO3＝１：
２の範囲が良好であり、取扱上もHF濃度も薄く
てよい。尚、第１図の縦軸は、顕微鏡（360倍）
で判定できるほどのエツチピツトが見え始める時
間を表わしている。
又、第２図はHF：HNO3＝１：２で室温（20
℃）での各サンプルでのエツチピツト結果であ
り、１は音速低下サンプルつまり不良品サンプ
ル、２は良品サンプルであり、合否の判定は30〜
60分のエツチングにより明確化されることが判
る。
℃）での各サンプルでのエツチピツト結果であ
り、１は音速低下サンプルつまり不良品サンプ
ル、２は良品サンプルであり、合否の判定は30〜
60分のエツチングにより明確化されることが判
る。
このように、この発明の評価方法により、単な
る顕微鏡観察では見出されなかつた欠陥が確認さ
れることによつて、高品質ウエハの保証が得ら
れ、高周波デバイスに対応可能となり、更にはフ
イルター等の歩留りをも向上させることができ
る。
る顕微鏡観察では見出されなかつた欠陥が確認さ
れることによつて、高品質ウエハの保証が得ら
れ、高周波デバイスに対応可能となり、更にはフ
イルター等の歩留りをも向上させることができ
る。
第１図はHFとHNO3の混酸のエツチング差を
示す特性曲線図、第２図はHF：HNO3＝１：２
でのエツチピツト密度とエツチング時間の関係を
示す特性曲線図である。
示す特性曲線図、第２図はHF：HNO3＝１：２
でのエツチピツト密度とエツチング時間の関係を
示す特性曲線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 圧電性単結晶の鏡面加工面をフツ硝酸により
20〜120分間エツチングを行ない、エツチピツト
の観察により、鏡面品位を評価することを特徴と
する圧電性単結晶の鏡面評価方法。 ２ 上記圧電性単結晶がLiTaO3であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の圧電性単結
晶の鏡面評価方法。 ３ 上記圧電性単結晶がLiNbO3であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の圧電性単結
晶の鏡面評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123944A JPS6016008A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | 圧電性単結晶の鏡面評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123944A JPS6016008A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | 圧電性単結晶の鏡面評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016008A JPS6016008A (ja) | 1985-01-26 |
| JPH0247885B2 true JPH0247885B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=14873207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58123944A Granted JPS6016008A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | 圧電性単結晶の鏡面評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016008A (ja) |
-
1983
- 1983-07-07 JP JP58123944A patent/JPS6016008A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6016008A (ja) | 1985-01-26 |
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