JPH0244302A - 光学素子の作製方法 - Google Patents
光学素子の作製方法Info
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- JPH0244302A JPH0244302A JP19516488A JP19516488A JPH0244302A JP H0244302 A JPH0244302 A JP H0244302A JP 19516488 A JP19516488 A JP 19516488A JP 19516488 A JP19516488 A JP 19516488A JP H0244302 A JPH0244302 A JP H0244302A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
この発明は、光学素子、例えばマイクロフレネルレンズ
等を、真空薄膜成形技術を用いて無機材料により作製す
る光学素子の作製方法に関する。
等を、真空薄膜成形技術を用いて無機材料により作製す
る光学素子の作製方法に関する。
(ロ)従来の技術
第4図(A)乃至第4図(E)は、従来の光学素子(フ
レネルレンズ)の作製工程を示す工程図である。
レネルレンズ)の作製工程を示す工程図である。
Si基板71の表面上に、電子レジスl−(CMS−E
X (R) ・ネガ形レジスト)72を一様に分布し
、このレジスト72上に電子線描画装置によって、電子
線73を照射し、所定のレンズ雄型パターンを描画する
〔第4図(A)]。そして、このレジスト72を現像処
理する。これにより、基板71には残膜レジストによる
所定のレンズ雄型パターン72aが残る〔第4図(B)
〕。電子線レジストは、電子線の照射量を場所に応じて
コントロールすると、それを現像したのちに残る膜の厚
さが照射量に依存して場所に応じて変わる。
X (R) ・ネガ形レジスト)72を一様に分布し
、このレジスト72上に電子線描画装置によって、電子
線73を照射し、所定のレンズ雄型パターンを描画する
〔第4図(A)]。そして、このレジスト72を現像処
理する。これにより、基板71には残膜レジストによる
所定のレンズ雄型パターン72aが残る〔第4図(B)
〕。電子線レジストは、電子線の照射量を場所に応じて
コントロールすると、それを現像したのちに残る膜の厚
さが照射量に依存して場所に応じて変わる。
このようにして形成された所定のレンズ雄型パターンの
残膜レジスト72aをもつ基板71上に金を蒸着して電
極!’174を形成する〔第4図(C)]。さらに、そ
の上にクロムをメツキすることによりメツキ層75をつ
くる〔第4図(D)〕。
残膜レジスト72aをもつ基板71上に金を蒸着して電
極!’174を形成する〔第4図(C)]。さらに、そ
の上にクロムをメツキすることによりメツキ層75をつ
くる〔第4図(D)〕。
そして、残膜レジスト72a、および必要ならばSi基
板71を、を機溶剤、エツチング液等で溶解して除去す
ることで、電極層74とメツキ層75とから成る雌型(
フレネルレンズ等の光学素子の型)76を得る。
板71を、を機溶剤、エツチング液等で溶解して除去す
ることで、電極層74とメツキ層75とから成る雌型(
フレネルレンズ等の光学素子の型)76を得る。
このようにして形成された雌型76を用いて、フレネル
レンズを作製する。つまり、雌型76とガラス基板78
との対向間に、光学素子を機材料(紫外線硬化樹脂)7
7を射出注入し、その後、UVランプ79により、この
光学素子有機材料77に紫外線を照射して硬化させ、雌
型76より剥離させることでプラスチック・フレネルレ
ンズを得る。この雌型76を用いて、同様の作業工程で
、プラスチックレンズを多数複製し得る。
レンズを作製する。つまり、雌型76とガラス基板78
との対向間に、光学素子を機材料(紫外線硬化樹脂)7
7を射出注入し、その後、UVランプ79により、この
光学素子有機材料77に紫外線を照射して硬化させ、雌
型76より剥離させることでプラスチック・フレネルレ
ンズを得る。この雌型76を用いて、同様の作業工程で
、プラスチックレンズを多数複製し得る。
(ハ)発明が解決しようとする課題
従来の光学素子の作製方法では、光学素子材料がプラス
チック等の有機材料に限られるため、作製される光学素
子の用途が限定される等の不利があった。
チック等の有機材料に限られるため、作製される光学素
子の用途が限定される等の不利があった。
例えば、有機材料では、その屈折率が1.5付近の材料
しかないため設計の自由度が小さく、また透過波長6M
域も0.4乃至2μm程度であるため、作製される光学
素子の応用分野が限定される。また作製時において、有
機材料では気泡が入り易く、サブミクロン領域の細かい
パターンの?!1製には転写性の面で問題がある許かり
でなく、温度による屈折率の変化が大きい、つまり屈折
率の「むら」や複屈折も生じ易く、光学素子の性能低下
の要因となる。更に、光学素子材料として有機材料を使
用する場合、温度変化による体積変化が大きい、つまり
温度特性が悪い許かりでなく、材質の特性上、吸水、吸
湿性が大きいため膨潤する不利があり、また耐熱性も悪
い等の様々な不利があり、結果的に理想的な光学素子が
得られない欠点があった。
しかないため設計の自由度が小さく、また透過波長6M
域も0.4乃至2μm程度であるため、作製される光学
素子の応用分野が限定される。また作製時において、有
機材料では気泡が入り易く、サブミクロン領域の細かい
パターンの?!1製には転写性の面で問題がある許かり
でなく、温度による屈折率の変化が大きい、つまり屈折
率の「むら」や複屈折も生じ易く、光学素子の性能低下
の要因となる。更に、光学素子材料として有機材料を使
用する場合、温度変化による体積変化が大きい、つまり
温度特性が悪い許かりでなく、材質の特性上、吸水、吸
湿性が大きいため膨潤する不利があり、また耐熱性も悪
い等の様々な不利があり、結果的に理想的な光学素子が
得られない欠点があった。
この発明は、以上のような課題を解消させ、光学素子材
料として無機材料を使用し得、理想的な光学素子を得る
ことが出来る光学素子の作製方法を提供することを目的
とする。
料として無機材料を使用し得、理想的な光学素子を得る
ことが出来る光学素子の作製方法を提供することを目的
とする。
(ニ)課題を解決するための手段及び作用この目的を達
成させるために、この光学素子の作製方法は、光学素子
の型となるスタンパに、光学素子無機材料を真空薄膜成
形法により堆積させ、この堆積させた光学素子無機材料
をスタンパから剥離させることで光学素子を作製するこ
とを特徴としている。
成させるために、この光学素子の作製方法は、光学素子
の型となるスタンパに、光学素子無機材料を真空薄膜成
形法により堆積させ、この堆積させた光学素子無機材料
をスタンパから剥離させることで光学素子を作製するこ
とを特徴としている。
このような光学素子の作製方法では、光学素子(例えば
フレネルレンズ)の型となるスタンパを用意し、このス
タンパに光学素子無機材料(例えばZn5)を真空薄膜
形成法(例えば真空蒸着法)により堆積させる。そして
、この光学素子無機材料の堆積面に接着樹脂(IJV硬
化硬化樹脂分してガラス基板を接着させる。更に、この
UV硬化樹脂に紫外線を照射して硬化させた後、スタン
パから剥離させ、光学素子(フレネルレンズ)を作製す
る。
フレネルレンズ)の型となるスタンパを用意し、このス
タンパに光学素子無機材料(例えばZn5)を真空薄膜
形成法(例えば真空蒸着法)により堆積させる。そして
、この光学素子無機材料の堆積面に接着樹脂(IJV硬
化硬化樹脂分してガラス基板を接着させる。更に、この
UV硬化樹脂に紫外線を照射して硬化させた後、スタン
パから剥離させ、光学素子(フレネルレンズ)を作製す
る。
この光学素子作製方法では、真空薄膜成形法により製膜
できる材料であれば良いため、殆どの無機材料が光学素
子材料として使用できる。従って、光学素子材料の選択
度が大きく、例えば用途に応じて透過波長領域の大なる
材料、高屈折率材料を選択できる。また、無機材料の場
合、材質の特性上、ガスが出ない許かりでなく、温度変
化による体積変化、及び屈折率変化が小さく、また吸水
、吸湿性が小さく、且つ耐熱温度が高いため、理想的な
光学素子を作製し得る。更に、この光学素子作製方法で
は、真空7R膜成形技術を使用するため、スタンパに対
し光学素子材料(無機材料)を分子オーダーで堆積させ
ることが出来るから、作製時、ゴミ等の不純物が混入す
る虞れがなく、光学素子の屈折率等、材質の均一性が良
く、超微細パターンが良好に転写できる。
できる材料であれば良いため、殆どの無機材料が光学素
子材料として使用できる。従って、光学素子材料の選択
度が大きく、例えば用途に応じて透過波長領域の大なる
材料、高屈折率材料を選択できる。また、無機材料の場
合、材質の特性上、ガスが出ない許かりでなく、温度変
化による体積変化、及び屈折率変化が小さく、また吸水
、吸湿性が小さく、且つ耐熱温度が高いため、理想的な
光学素子を作製し得る。更に、この光学素子作製方法で
は、真空7R膜成形技術を使用するため、スタンパに対
し光学素子材料(無機材料)を分子オーダーで堆積させ
ることが出来るから、作製時、ゴミ等の不純物が混入す
る虞れがなく、光学素子の屈折率等、材質の均一性が良
く、超微細パターンが良好に転写できる。
(ホ)実施例
第1図(A)乃至第1図(H)は、この発明に係る光学
素子作製方法の具体的な作製工程を示す工程図である。
素子作製方法の具体的な作製工程を示す工程図である。
第1図(A)乃至第1図(D)は、光学素子、実施例で
はマイクロフレネルレンズの型を作製する工程を示して
いる。
はマイクロフレネルレンズの型を作製する工程を示して
いる。
光学素子の型(雄型)を作製する工程は、従来と同様で
ある。つまり、例えばSi基板1の表面上に電子レジス
トCCMS−EX (R) ・ネガ形レジスト)2を
一様に分布し、このレジスト2に対し電子線描画装置に
よって電子線3を照射し、所定のレンズ雄型パターンを
描画する(第1図(A)〕。そして、このレジスト2を
現像処理すると、基板1には残膜レジストによる所定の
レンズ雄型パターン2aが残る〔第4図(B)〕。電子
線レジストは、電子線の照射量を場所に応じてコントロ
ールすると、それを現像したのちに残る膜の厚さが、照
射量に依存して場所に応して変わる。電子線描画装置(
図示せず)は、コンピュータで制御され、電子線3の照
射量を基板1上に定めた座標位置ごとに任意に変化させ
ることが出来る。また、その変化パターンもソフトウェ
アにより自由に定め、選択することが出来る。
ある。つまり、例えばSi基板1の表面上に電子レジス
トCCMS−EX (R) ・ネガ形レジスト)2を
一様に分布し、このレジスト2に対し電子線描画装置に
よって電子線3を照射し、所定のレンズ雄型パターンを
描画する(第1図(A)〕。そして、このレジスト2を
現像処理すると、基板1には残膜レジストによる所定の
レンズ雄型パターン2aが残る〔第4図(B)〕。電子
線レジストは、電子線の照射量を場所に応じてコントロ
ールすると、それを現像したのちに残る膜の厚さが、照
射量に依存して場所に応して変わる。電子線描画装置(
図示せず)は、コンピュータで制御され、電子線3の照
射量を基板1上に定めた座標位置ごとに任意に変化させ
ることが出来る。また、その変化パターンもソフトウェ
アにより自由に定め、選択することが出来る。
このようにして形成された所定のレンズ雄型パターンの
残膜レジスト2aをもつ基板1上に金を蒸着して電極層
51を形成する〔第4図(C))。
残膜レジスト2aをもつ基板1上に金を蒸着して電極層
51を形成する〔第4図(C))。
さらに、その上にニッケルをメツキすることによりメツ
キ7152をつくる〔第4図(D)〕。そして、残膜レ
ジスト2a、および必要ならばSi基板1を、有機溶剤
、エツチング液等で溶解して除去することで、電極層5
1とメツキ層52とから成る雌型(フレネルレンズ等の
光学素子の型)、つまり光学素子(フレネルレンズ)の
スタンパ5が形成できる。
キ7152をつくる〔第4図(D)〕。そして、残膜レ
ジスト2a、および必要ならばSi基板1を、有機溶剤
、エツチング液等で溶解して除去することで、電極層5
1とメツキ層52とから成る雌型(フレネルレンズ等の
光学素子の型)、つまり光学素子(フレネルレンズ)の
スタンパ5が形成できる。
この発明の特徴は、第1図(E)乃至第1図(H)に示
すとおり、このスタンパ5を用いて、フレネルレンズ(
光学素子)を作製する点にある。
すとおり、このスタンパ5を用いて、フレネルレンズ(
光学素子)を作製する点にある。
フレネルレンズの型であるスタンパ5を用意し〔第1図
(E))、このスタンパ5に対し、光学素子材料である
無機材料61、実施例ではZnSを真空薄膜成形技術に
より堆積させる〔第1図(F)]。実施例では、真空薄
膜成形法として真空蒸着法が使用される。例えば、図示
はしないが蒸発源を備え、高真空に排気したペルジャー
の中に、スタンパ5を蒸発源に対し対向状に配置する。
(E))、このスタンパ5に対し、光学素子材料である
無機材料61、実施例ではZnSを真空薄膜成形技術に
より堆積させる〔第1図(F)]。実施例では、真空薄
膜成形法として真空蒸着法が使用される。例えば、図示
はしないが蒸発源を備え、高真空に排気したペルジャー
の中に、スタンパ5を蒸発源に対し対向状に配置する。
そして、蒸発源に無機材料(ZnS)をかけて加熱して
溶かすと、蒸発したZnSが直進してスタンパ5上に付
着する。蒸発源としては、例えば水冷したるつぼに電子
線を照射させ、所望の材料を蒸発させる電子ビーム方式
等を使用することで、純度の高い膜を堆積させることが
出来る。更に、蒸着中において、セットしたスタンパ5
をプラレタリウム(自転公転運動)をさせることで、ス
タンパ5の光学素子の型(微細な凹凸型)に対し、無機
材料(ZnS)61を複雑な段差のある面に均一に付着
させ得る〔第1図(F)〕。この後、この堆積した光学
材料61に、UV硬化樹脂62を塗布し、ガラス基板6
3を接着する。つまり、UV硬化樹脂62に紫外線を照
射して硬化させ、ガラス基板63を一体に接着させる〔
第1図(G)]。
溶かすと、蒸発したZnSが直進してスタンパ5上に付
着する。蒸発源としては、例えば水冷したるつぼに電子
線を照射させ、所望の材料を蒸発させる電子ビーム方式
等を使用することで、純度の高い膜を堆積させることが
出来る。更に、蒸着中において、セットしたスタンパ5
をプラレタリウム(自転公転運動)をさせることで、ス
タンパ5の光学素子の型(微細な凹凸型)に対し、無機
材料(ZnS)61を複雑な段差のある面に均一に付着
させ得る〔第1図(F)〕。この後、この堆積した光学
材料61に、UV硬化樹脂62を塗布し、ガラス基板6
3を接着する。つまり、UV硬化樹脂62に紫外線を照
射して硬化させ、ガラス基板63を一体に接着させる〔
第1図(G)]。
そして、スタンバ5から剥がすことで、フレネルレンズ
6を得る〔第1図(H)]。
6を得る〔第1図(H)]。
かくして、このスタンバ5を用い、同様の作業を繰り返
すことで同一のフレネルレンズ6を、多数複製すること
ができる。実施例の無機材料・ZnS (屈折率が2.
3)を使用して作製したフレネルレンズは、全面にわた
ってパターンが良好に転写され、フレネルレンズとして
良好に機能することが確認された。例えば、フレネルレ
ンズは、本来、グレーティング周期の細かい部分、つま
り周辺部で位相シフト関数からのずれを生じ、効率の低
下を招く虞れがあるが、実施例のフレネルレンズの製法
ではレンズ層を極めて薄くし得るため、位相シフト関数
からのズレが小さく、周辺部分での効率の低下の少ない
フレネルレンズを得ることが出来る。従って、高効率、
大NA、低収差な理想的なフレネルレンズを製造し得る
。
すことで同一のフレネルレンズ6を、多数複製すること
ができる。実施例の無機材料・ZnS (屈折率が2.
3)を使用して作製したフレネルレンズは、全面にわた
ってパターンが良好に転写され、フレネルレンズとして
良好に機能することが確認された。例えば、フレネルレ
ンズは、本来、グレーティング周期の細かい部分、つま
り周辺部で位相シフト関数からのずれを生じ、効率の低
下を招く虞れがあるが、実施例のフレネルレンズの製法
ではレンズ層を極めて薄くし得るため、位相シフト関数
からのズレが小さく、周辺部分での効率の低下の少ない
フレネルレンズを得ることが出来る。従って、高効率、
大NA、低収差な理想的なフレネルレンズを製造し得る
。
尚、実施例において、真空薄膜成形法として真空蒸着方
式を使用した例を示したが、本発明はこれに限らず、例
えばスパッタリング法(高真空下で、無機材料を加熱さ
せずに薄膜化する方式)、プラズマCVD (高真空下
で、無機材料をキャリアガスと共に供給し、化学反応に
より膜を析出させる方式)、その他レーザCVD、MB
E (分子線エピタキシ)、LPESMOCVD (有
機金属CVD)等が使用できる。
式を使用した例を示したが、本発明はこれに限らず、例
えばスパッタリング法(高真空下で、無機材料を加熱さ
せずに薄膜化する方式)、プラズマCVD (高真空下
で、無機材料をキャリアガスと共に供給し、化学反応に
より膜を析出させる方式)、その他レーザCVD、MB
E (分子線エピタキシ)、LPESMOCVD (有
機金属CVD)等が使用できる。
更に、光学素子材料としては、ZnSの他、真空薄膜形
成技術により製膜できる材料、つまり殆どの無機材料が
使用できる。例えば、第3図に示すように、Ge、S
i、TtO,、CeO,,0H−5、TazOs、、Z
r0z、5iO1Y201、PbF、、MgO,0M−
4、AltO:r、CeFz、LaF、、5iOz、B
aFz、CaF、、M g F z、LiF、Naz
AIFa 、NaFが挙げられる。
成技術により製膜できる材料、つまり殆どの無機材料が
使用できる。例えば、第3図に示すように、Ge、S
i、TtO,、CeO,,0H−5、TazOs、、Z
r0z、5iO1Y201、PbF、、MgO,0M−
4、AltO:r、CeFz、LaF、、5iOz、B
aFz、CaF、、M g F z、LiF、Naz
AIFa 、NaFが挙げられる。
これらの蒸着材料(光学素子無機材料)は、第3図に示
すように極めて広い透過波長領域を持つため、材料の選
択度が大きく、理想的な光学素子を得ることができる。
すように極めて広い透過波長領域を持つため、材料の選
択度が大きく、理想的な光学素子を得ることができる。
尚、第3図の蒸着物質の透過波長領域を示す図において
、図中「※」は、2ミクロンのときの屈折率を示してい
る。
、図中「※」は、2ミクロンのときの屈折率を示してい
る。
第2図(A)乃至第2図(G)は、この光学素子作製方
法により、作製し得る光学素子の応用例を示す説明図で
ある。実施例では、光学素子6としてマイクロフレネル
レンズを作製した例を示したが、本発明はこれに限らず
、例えばグレーティング(第2図(A))、ブレーズ型
グレーティング〔第2図(B))、不等間隔グレーティ
ングC第2図(C)) 、平板マイクロレンズ〔第2図
(D)) 、フレネルレンズアレー(第2図(E)〕、
マイクロレンズアレー〔第2図(F)〕、光ディスク〔
第2図(G)]等を作製し得、高屈折率材料のフレネル
レンズや、透明導電体(I To)を材料とする様々な
新しい応用範囲を期待し得る。
法により、作製し得る光学素子の応用例を示す説明図で
ある。実施例では、光学素子6としてマイクロフレネル
レンズを作製した例を示したが、本発明はこれに限らず
、例えばグレーティング(第2図(A))、ブレーズ型
グレーティング〔第2図(B))、不等間隔グレーティ
ングC第2図(C)) 、平板マイクロレンズ〔第2図
(D)) 、フレネルレンズアレー(第2図(E)〕、
マイクロレンズアレー〔第2図(F)〕、光ディスク〔
第2図(G)]等を作製し得、高屈折率材料のフレネル
レンズや、透明導電体(I To)を材料とする様々な
新しい応用範囲を期待し得る。
(へ)発明の効果
この発明の光学素子作製方法では、スタンパに対し無機
材料を真空薄膜成形法により堆積させることで、光学素
子を作製することとしたから、殆ど全ての無機材料を光
学素子材料として使用することが出来る。従って、光学
素子材料の選択度が大きく、例えば用途に応じて透過波
長領域の大なる材料、高屈折率材料を選択できる。また
、無機材料の場合、材質の特性上、ガスが出ない許かり
でなく、温度変化による体積変化、及び屈折率変化が小
さく、また吸水、吸湿性が小さく、且つ耐熱温度が高い
ため、理想的な光学素子を作製し得る。更に、この光学
素子作製方法では、真空薄膜成形技術を使用するため、
スタンパに対し光学素子材料(無機材料)を分子オーダ
ーで堆積させることが出来るから、作製時、ゴミ等の不
純物が混入する虞れがなく、光学素子の屈折率等、材質
の均一性が良く、超微細パターンが良好に転写できる等
、発明目的を達成した優れた効果を有する。
材料を真空薄膜成形法により堆積させることで、光学素
子を作製することとしたから、殆ど全ての無機材料を光
学素子材料として使用することが出来る。従って、光学
素子材料の選択度が大きく、例えば用途に応じて透過波
長領域の大なる材料、高屈折率材料を選択できる。また
、無機材料の場合、材質の特性上、ガスが出ない許かり
でなく、温度変化による体積変化、及び屈折率変化が小
さく、また吸水、吸湿性が小さく、且つ耐熱温度が高い
ため、理想的な光学素子を作製し得る。更に、この光学
素子作製方法では、真空薄膜成形技術を使用するため、
スタンパに対し光学素子材料(無機材料)を分子オーダ
ーで堆積させることが出来るから、作製時、ゴミ等の不
純物が混入する虞れがなく、光学素子の屈折率等、材質
の均一性が良く、超微細パターンが良好に転写できる等
、発明目的を達成した優れた効果を有する。
第1図(A)、第1図(B)、第1図(C)、第1図(
D)、第1図(E)、第1図(F)、第1図(G)及び
第1図(H)は、実施例光学素子作製方法の作製工程を
示す工程図、第2図(A)、第2図(B) 、第2図(
C)、第2図(D)、第2図(E)、第2図(F)及び
第2図(G)は、実施例光学素子作製方法により作製さ
れる各種光学素子を示す説明図、第3図は、実施例光学
素子作製方法で使用される無機材料(蒸着物質)の透過
波長領域を示す説明図、第4図(A)、第4図(B)、
第4図(C)、第4図(D)及び第4図(E)は、従来
の光学素子作製方法を示す工程図である。 5ニスタンパ、 6:フレネルレンズ、61:無機
材料。 第2図(A) 第2図(E) 特許出願人 立石電機株式会社代理人 弁理
士 中 村 茂 信 二一ヲ〒コ 第 図 (A) 第 (B) 第 図 (D) 第 図 第 図 (’E) 第 ズ (F) 弔 図 (G) 第 図 (H) 第 図 (A) 第 図 (B) 第 図(C)
D)、第1図(E)、第1図(F)、第1図(G)及び
第1図(H)は、実施例光学素子作製方法の作製工程を
示す工程図、第2図(A)、第2図(B) 、第2図(
C)、第2図(D)、第2図(E)、第2図(F)及び
第2図(G)は、実施例光学素子作製方法により作製さ
れる各種光学素子を示す説明図、第3図は、実施例光学
素子作製方法で使用される無機材料(蒸着物質)の透過
波長領域を示す説明図、第4図(A)、第4図(B)、
第4図(C)、第4図(D)及び第4図(E)は、従来
の光学素子作製方法を示す工程図である。 5ニスタンパ、 6:フレネルレンズ、61:無機
材料。 第2図(A) 第2図(E) 特許出願人 立石電機株式会社代理人 弁理
士 中 村 茂 信 二一ヲ〒コ 第 図 (A) 第 (B) 第 図 (D) 第 図 第 図 (’E) 第 ズ (F) 弔 図 (G) 第 図 (H) 第 図 (A) 第 図 (B) 第 図(C)
Claims (1)
- (1)光学素子の型となるスタンパに、光学素子無機材
料を真空薄膜成形法により堆積させ、この堆積させた光
学素子無機材料をスタンパより剥離させることで光学素
子を作製する光学素子の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19516488A JPH0244302A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 光学素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19516488A JPH0244302A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 光学素子の作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0244302A true JPH0244302A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16336494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19516488A Pending JPH0244302A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 光学素子の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0244302A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1294439C (zh) * | 2002-11-14 | 2007-01-10 | 三星电子株式会社 | 平面透镜及其形成方法 |
KR101024135B1 (ko) * | 2010-06-30 | 2011-03-22 | 김충현 | 태양에너지 집열집광장치 및 이를 구비한 태양열 모듈 |
-
1988
- 1988-08-04 JP JP19516488A patent/JPH0244302A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1294439C (zh) * | 2002-11-14 | 2007-01-10 | 三星电子株式会社 | 平面透镜及其形成方法 |
KR101024135B1 (ko) * | 2010-06-30 | 2011-03-22 | 김충현 | 태양에너지 집열집광장치 및 이를 구비한 태양열 모듈 |
WO2012002719A2 (ko) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | 솔라시도(주) | 태양에너지 집열집광장치 및 이를 구비한 태양열 모듈 |
WO2012002719A3 (ko) * | 2010-06-30 | 2012-05-03 | 솔라시도(주) | 태양에너지 집열집광장치 및 이를 구비한 태양열 모듈 |
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