JPH0244040A - 光ファイバ母材用中間体の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材用中間体の製造方法Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
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- C03B37/01291—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from pulverulent glass by progressive melting, e.g. melting glass powder during delivery to and adhering the so-formed melt to a target or preform, e.g. the Plasma Oxidation Deposition [POD] process
-
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- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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- C03B37/0142—Reactant deposition burners
-
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- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、光ファイバ母材となる中間体の製造方法に
関するもので、特に高速度で製造する技術に関するもの
である。
関するもので、特に高速度で製造する技術に関するもの
である。
(従来の技術)
光ファイバ母材の製造方法として、クラッド用ガラスロ
ッドをプラズマ炎内に送り込んで透明ガラスとなし、こ
れを予め用意された透明なコアロッドもしくはコアーク
ラッド型ロンドの外側に堆積させて母材とする方法があ
る。
ッドをプラズマ炎内に送り込んで透明ガラスとなし、こ
れを予め用意された透明なコアロッドもしくはコアーク
ラッド型ロンドの外側に堆積させて母材とする方法があ
る。
第2図は従来例を示したものでIIは透明なコアークラ
ッド型ロンドで、コアの周りに薄い第1のクラッドが設
けられており、その軸の周りに回転されるとともに長さ
方向にトラバースされるようになされていて、その上に
第1のクラッドと同一組成の透明な第2クラツド12が
堆積される。
ッド型ロンドで、コアの周りに薄い第1のクラッドが設
けられており、その軸の周りに回転されるとともに長さ
方向にトラバースされるようになされていて、その上に
第1のクラッドと同一組成の透明な第2クラツド12が
堆積される。
その堆積方法はプラズマ炎13内に別途側方から第2ク
ラツドとなるガラスロッド14を送り込み、このガラス
ロッド14をプラズマ炎13内で透明ガラス化し、それ
を第1のクラッド上に堆積させている。なお、前記プラ
ズマ炎13は、その周りに高周波コイル15が巻回され
た耐火物パイプ16内にプラズマガスを供給し、コイル
15に高周波を印加することで得られる。なお、17は
ガラスロッド供給バイブである。出発部材となるロッド
はコアークラッド型に限らずコアだけのものでも良いが
、以下の理由により前者の方が望ましい。すなわち、伝
送特性上の観点からコアとクラッドとの間に異物が入ら
ないよう両者を同時に作るべきである。例えば、単一モ
ードファイバでは第3図に示すようにコアaの部分を光
が伝搬するが、実際にはその外側の部分も幾らか光が伝
搬する。それらのことを考慮すると光ファイバの中心部
分のうち不純物の少ないガラスでなければいけない部分
はコアaとこれを取り巻く幾らか光の伝搬する第1のク
ラッドbの部分である。このときコアaの周囲の低損失
であるべきクラッドの直径は、コア径の3倍から7倍程
度といわれている。
ラツドとなるガラスロッド14を送り込み、このガラス
ロッド14をプラズマ炎13内で透明ガラス化し、それ
を第1のクラッド上に堆積させている。なお、前記プラ
ズマ炎13は、その周りに高周波コイル15が巻回され
た耐火物パイプ16内にプラズマガスを供給し、コイル
15に高周波を印加することで得られる。なお、17は
ガラスロッド供給バイブである。出発部材となるロッド
はコアークラッド型に限らずコアだけのものでも良いが
、以下の理由により前者の方が望ましい。すなわち、伝
送特性上の観点からコアとクラッドとの間に異物が入ら
ないよう両者を同時に作るべきである。例えば、単一モ
ードファイバでは第3図に示すようにコアaの部分を光
が伝搬するが、実際にはその外側の部分も幾らか光が伝
搬する。それらのことを考慮すると光ファイバの中心部
分のうち不純物の少ないガラスでなければいけない部分
はコアaとこれを取り巻く幾らか光の伝搬する第1のク
ラッドbの部分である。このときコアaの周囲の低損失
であるべきクラッドの直径は、コア径の3倍から7倍程
度といわれている。
ここに3倍から7倍と大きな開きがあるのは、この第1
のクラッドの外側に配置する第2のクラッドCの特性、
特に含有する不純物の濃度によるからである。問題とな
る不純物としては011基、鉄や銅等の遷移金属とされ
ている。これらの不純物は、光ファイバ母材を製造する
過程でガラス母材に加えられる熱により母材の中心部に
拡散して行く。
のクラッドの外側に配置する第2のクラッドCの特性、
特に含有する不純物の濃度によるからである。問題とな
る不純物としては011基、鉄や銅等の遷移金属とされ
ている。これらの不純物は、光ファイバ母材を製造する
過程でガラス母材に加えられる熱により母材の中心部に
拡散して行く。
第1のクラッドbの厚さが不十分な場合にはコアの近傍
にまで拡散して最終的には光ファイバの伝送特性に影響
を与える。以上のことからコアaと少なくともクラッド
の一部分すとは同時に製造される。しかしながら、光フ
ァイバの断面において最も面積が大きいのは第2のクラ
ッドCであり、この部分のガラスを効率良(製造するこ
とが高速製造技術の決め手といえる。
にまで拡散して最終的には光ファイバの伝送特性に影響
を与える。以上のことからコアaと少なくともクラッド
の一部分すとは同時に製造される。しかしながら、光フ
ァイバの断面において最も面積が大きいのは第2のクラ
ッドCであり、この部分のガラスを効率良(製造するこ
とが高速製造技術の決め手といえる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、従来の方法では出発部材である前記ロッ
ドか細いため、初期の段階では堆積されるクラフト用透
明ガラスの付着効率が低くせいぜい50%程度であるた
め、所定の外径にするまで長時間を要していた。
ドか細いため、初期の段階では堆積されるクラフト用透
明ガラスの付着効率が低くせいぜい50%程度であるた
め、所定の外径にするまで長時間を要していた。
(課題を解決するための手段〕
この発明は、以上の観点から予め用意されたクラッド用
ガラスロッドを火炎内に送り込み、微粒子のまま少なく
ともコアとなる部分を含むガラスロッドの周りに付着さ
せて不透明な多孔質焼結体として堆積させるようにした
ものである。
ガラスロッドを火炎内に送り込み、微粒子のまま少なく
ともコアとなる部分を含むガラスロッドの周りに付着さ
せて不透明な多孔質焼結体として堆積させるようにした
ものである。
なお、予め用意さるべきクラッド用ガラスロッドの粒子
径は1〜200μmより好ましくは5〜100μmであ
る。粒子径が1μm未満では堆積効率が低く、200μ
mを超えると透明ガラス化時の脱泡がしにくくなるから
である。また火炎の温度は送り込まれたガラスロッドを
透明化させることなく微粒子が相互に融着する程度の温
度であって、およそ600〜1100℃程度をいう。
径は1〜200μmより好ましくは5〜100μmであ
る。粒子径が1μm未満では堆積効率が低く、200μ
mを超えると透明ガラス化時の脱泡がしにくくなるから
である。また火炎の温度は送り込まれたガラスロッドを
透明化させることなく微粒子が相互に融着する程度の温
度であって、およそ600〜1100℃程度をいう。
(作 用)
クランド用ガラスロッドを透明なコアロフト、もしくは
コアークラッド型ロッドの外側に不透明ガラス状の多孔
質焼結体として堆積させることにより、ガラスロッドの
原形は維持されたままであるので、透明ガラスと比較す
るとカサが大きく最初はロッドの周囲への堆積速度はそ
れほどではないが、次第に増して所定の外径に到達する
時間を短縮して母材の製造速度を速めることができる。
コアークラッド型ロッドの外側に不透明ガラス状の多孔
質焼結体として堆積させることにより、ガラスロッドの
原形は維持されたままであるので、透明ガラスと比較す
るとカサが大きく最初はロッドの周囲への堆積速度はそ
れほどではないが、次第に増して所定の外径に到達する
時間を短縮して母材の製造速度を速めることができる。
(実施例)
第1図はこの発明による光ファイバ母材用中間体の製造
方法を示したもので、従来法との差異はプラズマ炎に代
えて低温の炎を用いたことである。
方法を示したもので、従来法との差異はプラズマ炎に代
えて低温の炎を用いたことである。
図において、コアとなる部分の周りに第1クラツドとな
る部分を有する出発部材lがその軸の周りに回転される
とともにその長さ方向にトラバースされる。一方酸水素
バーナ2がこの部材1に直交するように対峙されて、そ
の火炎3内に別途用意された第2クラツドとなるガラス
ロッド4が送り込まれ、出発部材1上に堆積されて第2
クラツドとなる多孔質の不透明焼結体5が形成される。
る部分を有する出発部材lがその軸の周りに回転される
とともにその長さ方向にトラバースされる。一方酸水素
バーナ2がこの部材1に直交するように対峙されて、そ
の火炎3内に別途用意された第2クラツドとなるガラス
ロッド4が送り込まれ、出発部材1上に堆積されて第2
クラツドとなる多孔質の不透明焼結体5が形成される。
次いでこれを高温の加熱炉内で加熱して全体に透明な光
ファイバ母材とする。このとき必要に応じて加熱炉雰囲
気にハロゲン含有ガスを含ませることにより、母材に含
まれるOH基や遷移金属等を塩素化もしくはフン素化し
て除去する。
ファイバ母材とする。このとき必要に応じて加熱炉雰囲
気にハロゲン含有ガスを含ませることにより、母材に含
まれるOH基や遷移金属等を塩素化もしくはフン素化し
て除去する。
なお、6はガラスロッド供給パイプである。
(実施例)
いわゆるVAD法を用いて、直径4Bのコアとなるべき
ゲルマニウムドープシリカガラスの周囲に、シリカから
なる第1のクラッドとなる部分が設けられた外径20+
+nのロッドを用意し、この上に第1図の方法を用いて
表1の条件の下に第2のクラッドとなるシリカ微粒子か
らなる多孔質層を形成し、外径100龍、長さ600鶴
の光ファイバ用中間体を製造した。
ゲルマニウムドープシリカガラスの周囲に、シリカから
なる第1のクラッドとなる部分が設けられた外径20+
+nのロッドを用意し、この上に第1図の方法を用いて
表1の条件の下に第2のクラッドとなるシリカ微粒子か
らなる多孔質層を形成し、外径100龍、長さ600鶴
の光ファイバ用中間体を製造した。
表 1
0ンドの回転速度 30 rpm同トラバ
ース速度 4Q wm/1IIirl酸水素
バーナ内への 水素供給量 501’/win酸素供
給1 30 l/lll1nシリ力微
粒子平均粒径 20μm同供給速度
12 gr/lll1n堆積時間
120 ll1n従来、この母材の外径にす
るには堆積時間が約4時間であったが、その半分に時間
短縮できたことになる。こうして得られた多孔質母材を
加熱炉に導入して表2の条件の下に処理して不純物の除
去を行った。
ース速度 4Q wm/1IIirl酸水素
バーナ内への 水素供給量 501’/win酸素供
給1 30 l/lll1nシリ力微
粒子平均粒径 20μm同供給速度
12 gr/lll1n堆積時間
120 ll1n従来、この母材の外径にす
るには堆積時間が約4時間であったが、その半分に時間
短縮できたことになる。こうして得られた多孔質母材を
加熱炉に導入して表2の条件の下に処理して不純物の除
去を行った。
表 2
加熱炉温度 850℃炉内供給ヘリ
ウムガス 5ff/win同塩素ガス
50 cc/1lIin処理時間
6 hr引き続いてこの不純物の除去
を終えた多孔質母材を同じ加熱炉を用い、炉内温度を更
に上げて完全な透明ガラス化を行ない、直径501−1
長さ600mの母材とした。この時の加熱条件を表3に
示す。
ウムガス 5ff/win同塩素ガス
50 cc/1lIin処理時間
6 hr引き続いてこの不純物の除去
を終えた多孔質母材を同じ加熱炉を用い、炉内温度を更
に上げて完全な透明ガラス化を行ない、直径501−1
長さ600mの母材とした。この時の加熱条件を表3に
示す。
表 3
加熱炉内温度 1600℃炉内供給ヘリ
ウムガス 51/1Ilin加熱時間
3 hr最後にこの母材を約220
0℃の高温の加熱炉で線引きしてファイバとした。
ウムガス 51/1Ilin加熱時間
3 hr最後にこの母材を約220
0℃の高温の加熱炉で線引きしてファイバとした。
このファイバの諸元を表4に示す。
表 4
ファイバの直径 125 μm同コ
ア径 約9.5 μm比屈折率差
約0.32%伝送損失
0.38 dB/k111(波長1.3μm) この特性は、従来の方法による光ファイバのそれと何等
遜色がなく優れたものである。
ア径 約9.5 μm比屈折率差
約0.32%伝送損失
0.38 dB/k111(波長1.3μm) この特性は、従来の方法による光ファイバのそれと何等
遜色がなく優れたものである。
以上、この発明の実施例では単一モードファイバ母材用
の例を示したが、グレーデッド型ファイバ母材の製造に
も適用できることはいうまでもない。
の例を示したが、グレーデッド型ファイバ母材の製造に
も適用できることはいうまでもない。
(発明の効果)
この発明は、以上のように少なくともコア用となる透明
ガラスロッドの周囲に、別途用意されたクラフトとなる
ガラスロッドを火炎内に導入加熱した上で多孔質焼結体
として堆積させる方法であるので、堆積速度が速く母材
の高速製造が可能となる。
ガラスロッドの周囲に、別途用意されたクラフトとなる
ガラスロッドを火炎内に導入加熱した上で多孔質焼結体
として堆積させる方法であるので、堆積速度が速く母材
の高速製造が可能となる。
第1図はこの発明方法の概略説明図、第2図は従来法の
概略説明図、第3図は光ファイバの断面図である。 ■・・・出発部材、4・・・第2クラツドとなるガラス
ロッド、5・・・第2クラツドとなる多孔質の不透明焼
結体。 地1図 代理人 弁理士 竹 内 守
概略説明図、第3図は光ファイバの断面図である。 ■・・・出発部材、4・・・第2クラツドとなるガラス
ロッド、5・・・第2クラツドとなる多孔質の不透明焼
結体。 地1図 代理人 弁理士 竹 内 守
Claims (1)
- 石英を主成分とするクラッド用ガラス微粒子を火炎中に
送り込み、このガラス微粒子を少なくともコアとなる部
分を含む透明ガラスロッドの外周面に不透明ガラス状の
多孔質焼結体として堆積させることを特徴とする光ファ
イバ母材用中間体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19270888A JP2618260B2 (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 光ファイバ母材用中間体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19270888A JP2618260B2 (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 光ファイバ母材用中間体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0244040A true JPH0244040A (ja) | 1990-02-14 |
JP2618260B2 JP2618260B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=16295734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19270888A Expired - Fee Related JP2618260B2 (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 光ファイバ母材用中間体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2618260B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003072517A1 (de) * | 2002-02-27 | 2003-09-04 | S & S Technologie- Und Investitionsgesellschaft Gmbh | Herstellung von hüllglas für lichtwellenleiter |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP19270888A patent/JP2618260B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003072517A1 (de) * | 2002-02-27 | 2003-09-04 | S & S Technologie- Und Investitionsgesellschaft Gmbh | Herstellung von hüllglas für lichtwellenleiter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2618260B2 (ja) | 1997-06-11 |
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