JPH0243775A - 光センサの製造方法 - Google Patents
光センサの製造方法Info
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- JPH0243775A JPH0243775A JP63194065A JP19406588A JPH0243775A JP H0243775 A JPH0243775 A JP H0243775A JP 63194065 A JP63194065 A JP 63194065A JP 19406588 A JP19406588 A JP 19406588A JP H0243775 A JPH0243775 A JP H0243775A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ装置や光ディスクなどのＯＡ機
器の画像人力部に用いられる光センサの製造方法に関す
るものである。
器の画像人力部に用いられる光センサの製造方法に関す
るものである。
従来の技術
近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ機器の画像人力部の
小型化や画像ひずみの改善を目上して原稿幅と同一寸法
の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像読
取装置が広く使用されるようになり、さらに現在では性
能面での向上即ち高速化や画品質の向上が強く望まれて
いる。
小型化や画像ひずみの改善を目上して原稿幅と同一寸法
の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像読
取装置が広く使用されるようになり、さらに現在では性
能面での向上即ち高速化や画品質の向上が強く望まれて
いる。
さて、ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳ
ｅを主体として成る光センサは光電流が大きいのが特長
で、このためこのセンサを用いた密着型ラインセンサで
は周辺回路の設計が容易となる。
ｅを主体として成る光センサは光電流が大きいのが特長
で、このためこのセンサを用いた密着型ラインセンサで
は周辺回路の設計が容易となる。
一方、この光センサは光電流Ｊｐの光照射に対する応答
速度が遅く、しかも照射光強度（即ち原稿からの反射光
強度）しに対する比例性に劣るという二つの欠点がある
。すなわち、前者では、Ｊｐの立上がり時間’ｒｒや立
下がり時間τｄが通常使用時のセンサ面強度１００１ｕ
ｘで２〜３ＩＴＩｓｅｃと長く、後者では、ＪｐがＬに
比例するとしたときのγ値が、５０〜１００１ｕｘで０
．６〜０．７５と小さい。
速度が遅く、しかも照射光強度（即ち原稿からの反射光
強度）しに対する比例性に劣るという二つの欠点がある
。すなわち、前者では、Ｊｐの立上がり時間’ｒｒや立
下がり時間τｄが通常使用時のセンサ面強度１００１ｕ
ｘで２〜３ＩＴＩｓｅｃと長く、後者では、ＪｐがＬに
比例するとしたときのγ値が、５０〜１００１ｕｘで０
．６〜０．７５と小さい。
発明が解決しようとする課題
この様に、光センサの光電流の立上がり時間や立下がり
時間が長いと、この先センサを用いたラインセンサの読
取り走査速度が４〜５ｍｓ／ｌ ｉｎｅと制限されてし
まう。またγ値が小さいと、センサ面での光強度に応じ
て生じる光電流すなわち出力信号値がγ＝１．０の場合
は比例しているのに、γ：０．６の場合はひどく比例性
が劣るという事態が生しる。このため中間調の再現に余
分の回路処理を必要とする。
時間が長いと、この先センサを用いたラインセンサの読
取り走査速度が４〜５ｍｓ／ｌ ｉｎｅと制限されてし
まう。またγ値が小さいと、センサ面での光強度に応じ
て生じる光電流すなわち出力信号値がγ＝１．０の場合
は比例しているのに、γ：０．６の場合はひどく比例性
が劣るという事態が生しる。このため中間調の再現に余
分の回路処理を必要とする。
ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅを主
体として成る半導体薄膜をＣｄＣｌ２蒸気中で活性化熱
処理した光導電型センサの場合、γ値を大きくすること
は、例えば増感不純物であるＣｕ濃度を高くするなとの
方法によって実現される。ただ同時に光電流の立下がり
時間τｄは小さくなるが、立上がり時間Ｔ、が大きくな
り、全体としての光応答速度が遅くなるとともに光電流
Ｊｐも小さくなるという大きな欠点がある。この欠点を
なくすため、先願発明（特願昭６２−２５６５５３）に
おいては、半導体薄膜を活性化熱処理した後、増感不純
物としてのＣｕを表面に付着させ、２５０℃以下で加熱
拡散せしめて後電極を形成し、高速でかつ高γ値の光セ
ンサを製造した。ただ２５０°Ｃ以−ヒの加熱では、Ｊ
ｐの著しい減少が見られた。
体として成る半導体薄膜をＣｄＣｌ２蒸気中で活性化熱
処理した光導電型センサの場合、γ値を大きくすること
は、例えば増感不純物であるＣｕ濃度を高くするなとの
方法によって実現される。ただ同時に光電流の立下がり
時間τｄは小さくなるが、立上がり時間Ｔ、が大きくな
り、全体としての光応答速度が遅くなるとともに光電流
Ｊｐも小さくなるという大きな欠点がある。この欠点を
なくすため、先願発明（特願昭６２−２５６５５３）に
おいては、半導体薄膜を活性化熱処理した後、増感不純
物としてのＣｕを表面に付着させ、２５０℃以下で加熱
拡散せしめて後電極を形成し、高速でかつ高γ値の光セ
ンサを製造した。ただ２５０°Ｃ以−ヒの加熱では、Ｊ
ｐの著しい減少が見られた。
本発明は、このような従来技術の課題に鑑み、光電流、
Ｊ ｐを小さくせずして光応答速度を速くし、しかもγ
値を大きくすることの出来る光センサの製造方法を提供
することを目的とする。
Ｊ ｐを小さくせずして光応答速度を速くし、しかもγ
値を大きくすることの出来る光センサの製造方法を提供
することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは固
溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅで成る半導体薄膜を形成し、前記
薄膜を高温でＣｄ Ｃｌ ２の蒸気に暴露、熱処理し充
電的に活性化して後対向電極を設け、さら【こ保護膜を
形成する光センサの製造方法において、前記活性化熱処
理の後電極形成の前に少量のＣｕを前記半導体薄膜に付
着させ２５０〜５５０℃て３０ｍ ｉ ｎ以上熱処理し
膜中に拡散させることにより、光電流を小さくせずして
その光応答速度を著しく速くし、しかもγ値を大きくす
るものである。
溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅで成る半導体薄膜を形成し、前記
薄膜を高温でＣｄ Ｃｌ ２の蒸気に暴露、熱処理し充
電的に活性化して後対向電極を設け、さら【こ保護膜を
形成する光センサの製造方法において、前記活性化熱処
理の後電極形成の前に少量のＣｕを前記半導体薄膜に付
着させ２５０〜５５０℃て３０ｍ ｉ ｎ以上熱処理し
膜中に拡散させることにより、光電流を小さくせずして
その光応答速度を著しく速くし、しかもγ値を大きくす
るものである。
作用
本発明の方法によれば、ＣｄＳ系光導電型センサの光電
流値が大きいという特徴を損なわずして、しかもその光
応答速度を著しく速くし、さらにγ値を大きくすること
ができる。２５０〜５５０℃にて３０ｍｍｉｎ以上Ｃｕ
を熱処理拡散したセンサは、２５０℃以下で熱処理拡散
したセンサ（先願発明）に較べて安定性において一段と
優れている。光電流は、その立下がり時間τｄにほぼ比
例するものであるが、この立下がり時間が短くなっても
光電流が小さくならないのは、本発明の方法により半導
体薄膜中の光キャリア（電子）の移動度が大きくなるた
めである。
流値が大きいという特徴を損なわずして、しかもその光
応答速度を著しく速くし、さらにγ値を大きくすること
ができる。２５０〜５５０℃にて３０ｍｍｉｎ以上Ｃｕ
を熱処理拡散したセンサは、２５０℃以下で熱処理拡散
したセンサ（先願発明）に較べて安定性において一段と
優れている。光電流は、その立下がり時間τｄにほぼ比
例するものであるが、この立下がり時間が短くなっても
光電流が小さくならないのは、本発明の方法により半導
体薄膜中の光キャリア（電子）の移動度が大きくなるた
めである。
実施例
以下に、本発明の詳細な説明する。
ガラスなどの絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは
Ｃｄ５−Ｃ’ｄＳｅを主体として成る半導体薄膜を真空
蒸着法などの方法によって形成する。
Ｃｄ５−Ｃ’ｄＳｅを主体として成る半導体薄膜を真空
蒸着法などの方法によって形成する。
この薄膜を５００℃程度の高温にてＣｄ ＣＩ ２の蒸
気に水霧し、活性化熱処理を施す。その後少量のＣＩＩ
を前記半導体薄膜に付着せしめ中性または少量の酸素を
含む雰囲気中２５０〜５５０’Ｃにて３０ｍｍｉｎ以り
熱処理し膜中に拡散させる。しかる後、ＮｉＣｒ／ＡＩ
Ｊの蒸着形成膜などで対向電極を形成し、さらにシリコ
ン樹脂やポリイミドなどの１呆護膜を形成し光センサを
完成する。
気に水霧し、活性化熱処理を施す。その後少量のＣＩＩ
を前記半導体薄膜に付着せしめ中性または少量の酸素を
含む雰囲気中２５０〜５５０’Ｃにて３０ｍｍｉｎ以り
熱処理し膜中に拡散させる。しかる後、ＮｉＣｒ／ＡＩ
Ｊの蒸着形成膜などで対向電極を形成し、さらにシリコ
ン樹脂やポリイミドなどの１呆護膜を形成し光センサを
完成する。
ＣＵの付着は真空蒸着法や化学的付着法による。
化学的付着法とは例えばＣｕイオンイオンを含む水溶液
に半導体薄膜を浸漬腰 下導体薄膜表面にＣｕを付着さ
せる方法である。
に半導体薄膜を浸漬腰 下導体薄膜表面にＣｕを付着さ
せる方法である。
また、活性化熱処理前の半導体薄膜中には少量の増感不
純物ＣＩＩやＡｇを添加しておいても良い。
純物ＣＩＩやＡｇを添加しておいても良い。
増感不純物としては増感効果すなわち光電流を大きくし
、光電流と暗電流の比いわゆる明暗比を大きくするもの
ならどのようなものでも良いが、特にＣＩＩやＡｇがそ
の効果が大きい。このときのＣｕやＡｇの分量は母体の
半導体に対し−ｃｏ、０１５モル％以下であることを要
する。この様な増感不純物の添加は、特性すなわち高速
光応答性などの点ては必ずしも好ましくはないが、多素
子センサなとの場合、特性の均一性の点では優れる。こ
の分量が０．０１５モル％を越えると高速化、高γ値化
など、特性の改善が難しくなる。
、光電流と暗電流の比いわゆる明暗比を大きくするもの
ならどのようなものでも良いが、特にＣＩＩやＡｇがそ
の効果が大きい。このときのＣｕやＡｇの分量は母体の
半導体に対し−ｃｏ、０１５モル％以下であることを要
する。この様な増感不純物の添加は、特性すなわち高速
光応答性などの点ては必ずしも好ましくはないが、多素
子センサなとの場合、特性の均一性の点では優れる。こ
の分量が０．０１５モル％を越えると高速化、高γ値化
など、特性の改善が難しくなる。
さて、先願発明の第１表データにその傾向が見られる様
に、Ｃｕを付着後拡散させる熱処理温度が２５０℃以上
の場合は光電流Ｊｐが著しく小さい。
に、Ｃｕを付着後拡散させる熱処理温度が２５０℃以上
の場合は光電流Ｊｐが著しく小さい。
これは、特に記載しなかったが、熱処理時間が１５ｍ
ｌ １１と短かったためである。ＣｄＳ系半導体薄膜で
は熱処理によって特性が変わるが、普通にはｌ０ｍｍｉ
ｎもすれば変化は飽和する。
ｌ １１と短かったためである。ＣｄＳ系半導体薄膜で
は熱処理によって特性が変わるが、普通にはｌ０ｍｍｉ
ｎもすれば変化は飽和する。
ところが本発明のセンサては、この飽和に３０ｍ ｉ
ｎを要するのである。熱処理り月５ｍｍｉｎだとセンサ
表面に高抵抗層かでき、その後に電極を形成すると光電
流が著しく小さくなったものである。従ってこの熱処理
時間は３０ｍｍｉｎ以上を要する。そして実用的にはＩ
Ｈ程度までで充分である。２５０〜５５０℃で拡散熱
処理したセンサは先願発明のセンサよりも１呆存寿命な
どの安定性が一段と優れている。
ｎを要するのである。熱処理り月５ｍｍｉｎだとセンサ
表面に高抵抗層かでき、その後に電極を形成すると光電
流が著しく小さくなったものである。従ってこの熱処理
時間は３０ｍｍｉｎ以上を要する。そして実用的にはＩ
Ｈ程度までで充分である。２５０〜５５０℃で拡散熱
処理したセンサは先願発明のセンサよりも１呆存寿命な
どの安定性が一段と優れている。
次ぎに更に、具体例を説明する。
ガラス基板（コーニング社、＃ ７０５９．２３０Ｘ２
５ｘ １．２ｍｍ３） ｌζこ厚さ４０００ＡのＣｄ
Ｓ ｓ、ｅｓ ｅ ［１，４の蒸着膜を形成し、フォト
エツチングによ主走査方向に島状（９０Ｘ３５０μｌ１
１２）に８ビット／ｍｍの割合で１７２８ビツト配置す
る。この島状のＣｄ Ｓｅ、ａＳ ｅＬ１４膜を５００
℃でＣｄＣｌ２の飽和蒸気中で加熱処理して充電的に活
性化して光導電体膜にした後、母体であるＣｄ５５．ａ
Ｓｅ６４膜に対して、０．００５〜Ｏ６１モル％のＣｕ
を蒸着拡散させる。Ｃｕｆｌが、０．００５モル％より
少ないと効果が小さく、０．１モル％以上だと立１がり
特性が悪くなる。Ｃｕ蒸着時の基板温度は室温〜４００
℃とする。基板温度が４００℃を超えろと特性のバラツ
キを生し好ましくない。Ｃｕ蒸着後さらに中性または少
量の酸素を含む雰囲気中、２５０〜５５０℃で３０ｍ
ｉ ｎの加熱処理を施す。この加熱温度が５５０℃を超
えるとセンサは低抵抗となり光感度を示さなくなる。そ
の後、その島状の膜の各々に対向電極（ＮｉＣｒ／Ａｕ
蒸着膜）すなわち共通電極と個別電極を形成する。対向
電極のギャップは６０μｍである。その後シリコン樹脂
やポリイミドなとの保護膜を形成しラインセンサを完成
する。これらラインセンサのうちｌビットの特性を調へ
Ｃｕ蒸着時の基板温度が１５０℃でボリイミトイ呆護膜
の場合の結果を第１表にまとめる。
５ｘ １．２ｍｍ３） ｌζこ厚さ４０００ＡのＣｄ
Ｓ ｓ、ｅｓ ｅ ［１，４の蒸着膜を形成し、フォト
エツチングによ主走査方向に島状（９０Ｘ３５０μｌ１
１２）に８ビット／ｍｍの割合で１７２８ビツト配置す
る。この島状のＣｄ Ｓｅ、ａＳ ｅＬ１４膜を５００
℃でＣｄＣｌ２の飽和蒸気中で加熱処理して充電的に活
性化して光導電体膜にした後、母体であるＣｄ５５．ａ
Ｓｅ６４膜に対して、０．００５〜Ｏ６１モル％のＣｕ
を蒸着拡散させる。Ｃｕｆｌが、０．００５モル％より
少ないと効果が小さく、０．１モル％以上だと立１がり
特性が悪くなる。Ｃｕ蒸着時の基板温度は室温〜４００
℃とする。基板温度が４００℃を超えろと特性のバラツ
キを生し好ましくない。Ｃｕ蒸着後さらに中性または少
量の酸素を含む雰囲気中、２５０〜５５０℃で３０ｍ
ｉ ｎの加熱処理を施す。この加熱温度が５５０℃を超
えるとセンサは低抵抗となり光感度を示さなくなる。そ
の後、その島状の膜の各々に対向電極（ＮｉＣｒ／Ａｕ
蒸着膜）すなわち共通電極と個別電極を形成する。対向
電極のギャップは６０μｍである。その後シリコン樹脂
やポリイミドなとの保護膜を形成しラインセンサを完成
する。これらラインセンサのうちｌビットの特性を調へ
Ｃｕ蒸着時の基板温度が１５０℃でボリイミトイ呆護膜
の場合の結果を第１表にまとめる。
比較のため、通常のＣｄ Ｓｔ！、ＦＩＳ ｅｓ、ａ：
Ｃｕ（０，０３モル％）蒸着膜を上記同様活性比熱処
理後電極形成したセンサについても調べである。なお特
性は印加電圧ＤＣＩ ＯＶ、光照射は緑色Ｌ Ｅ Ｄ光
（５７０ｎｍ、 １００１ｕｘ）をｌ Ｈｚ （０，５
ｓｅｃずつ）で点滅して測定した。応答時間は光電流ｊ
ｐが、０から飽和値の５０％に上がるまでの時間を立ト
がり時間τ１、Ｊｐが飽和（１αからその５０％に下が
るまでの時間を立下がり時間Ｔ、とした。またγ値は５
０〜１００１１ＪＸ間での平均値である。
Ｃｕ（０，０３モル％）蒸着膜を上記同様活性比熱処
理後電極形成したセンサについても調べである。なお特
性は印加電圧ＤＣＩ ＯＶ、光照射は緑色Ｌ Ｅ Ｄ光
（５７０ｎｍ、 １００１ｕｘ）をｌ Ｈｚ （０，５
ｓｅｃずつ）で点滅して測定した。応答時間は光電流ｊ
ｐが、０から飽和値の５０％に上がるまでの時間を立ト
がり時間τ１、Ｊｐが飽和（１αからその５０％に下が
るまでの時間を立下がり時間Ｔ、とした。またγ値は５
０〜１００１１ＪＸ間での平均値である。
（以下余白）
第１表
（以下余白）
この様に、光電流を数１１へ以−Ｌと大きく保ったまま
立下がり時間τｄを０ 、５ ｍ５ｅｃ程度にまで小さ
く、γ値も０．７０以上、多くは０．８０以上と大きく
できる。−力先電流の立上がり時間τ、は、通常センサ
の場合と違ってτｄが小さくなっても大きくならず、実
際にラインセンサとして用いる場合には原稿黒字でも存
在する反射光（少なくとも３％はある）がバイアス光と
なり、これが常時センサに照射されるため、実効的立上
がり時間τ、°は箸しく小さくなる。その効果を第２表
にて示す。
立下がり時間τｄを０ 、５ ｍ５ｅｃ程度にまで小さ
く、γ値も０．７０以上、多くは０．８０以上と大きく
できる。−力先電流の立上がり時間τ、は、通常センサ
の場合と違ってτｄが小さくなっても大きくならず、実
際にラインセンサとして用いる場合には原稿黒字でも存
在する反射光（少なくとも３％はある）がバイアス光と
なり、これが常時センサに照射されるため、実効的立上
がり時間τ、°は箸しく小さくなる。その効果を第２表
にて示す。
この程度のバイアス光照射による他の特性（Ｊｐ、τい
γ）の変化は殆どない。
γ）の変化は殆どない。
第２表
この様にＣｄ Ｓｌ！、６Ｓ ｅａ、ａ蒸着膜のＣ（Ｉ
Ｃ１２蒸気中での活性化熱処理後Ｃｕを付着拡散させる
ことにより優れた特性が得られる。
Ｃ１２蒸気中での活性化熱処理後Ｃｕを付着拡散させる
ことにより優れた特性が得られる。
本実施例ではＣｄ Ｓｅ、６Ｓ ｅｓ、ａを例にとった
がＣｄＳ、ＣｄＳｅや他の組成比の固溶体Ｃｄ５ＣｄＳ
ｅでも同様の効果が得られる。また本発明のセンサは先
願発明のセンサに較べて安定性においても優れている。
がＣｄＳ、ＣｄＳｅや他の組成比の固溶体Ｃｄ５ＣｄＳ
ｅでも同様の効果が得られる。また本発明のセンサは先
願発明のセンサに較べて安定性においても優れている。
すなわち、例えば先願発明の実施例のセンサ（その明ｉ
１ｔ！Ｆの第１表、左側上から５番目）と本発明の実施
例のセンサ（第１表、−Ｌから４番目）を暗中で６０℃
にて２０００時間保存した場合、その光電流Ｊ ｐは初
期値が何れも２４１ｉ Ａであったのが先願発明センサ
ては１０％減少したが、本発明センサでは３％の減少に
とどまった。
１ｔ！Ｆの第１表、左側上から５番目）と本発明の実施
例のセンサ（第１表、−Ｌから４番目）を暗中で６０℃
にて２０００時間保存した場合、その光電流Ｊ ｐは初
期値が何れも２４１ｉ Ａであったのが先願発明センサ
ては１０％減少したが、本発明センサでは３％の減少に
とどまった。
発明の効果
本発明によれば、光電流１１αが大きいままで光応答速
度が著しく速く、γ値が大で、しかも安定性に優れた光
センサを実現することが可能となる。
度が著しく速く、γ値が大で、しかも安定性に優れた光
センサを実現することが可能となる。
これより、中間調再現に優れた、高速の画像読取装置を
製造することが出来る。
製造することが出来る。
代理人の氏名 弁理士 栗野重孝
ほか１名
Claims (3)
- （１）絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅ或は固溶体Ｃｄ
Ｓ−ＣｄＳｅを主体として成る半導体薄膜を形成し、前
記半導体薄膜を高温でＣｄＣｌ＿２の蒸気に暴露し充電
的に活性化熱処理した後、対向電極を設け、さらに保護
膜を形成する光センサの製造方法において、前記活性化
熱処理の後電極形成の前に少量のＣｕを前記半導体薄膜
に付着せしめ、２５０〜５５０℃で３０ｍｉｎ以上熱処
理し薄膜中に拡散させることを特徴とする光センサの製
造方法。 - （２）活性化熱処理前の前記半導体薄膜中に、０．０１
５モル％以下のＣｕが添加されていることを特徴とする
請求項１記載の光センサの製造方法。 - （３）付着Ｃｕの分量が母体の半導体に対して、０．０
０５〜０．１モル％であることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194065A JPH07109900B2 (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194065A JPH07109900B2 (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 光センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243775A true JPH0243775A (ja) | 1990-02-14 |
| JPH07109900B2 JPH07109900B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=16318369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63194065A Expired - Fee Related JPH07109900B2 (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109900B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57129827A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-12 | Canon Inc | Manufacture of photoconductive cadmium sulfide |
| JPS6323374A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Fujitsu Ltd | 光導電膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP63194065A patent/JPH07109900B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57129827A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-12 | Canon Inc | Manufacture of photoconductive cadmium sulfide |
| JPS6323374A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Fujitsu Ltd | 光導電膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109900B2 (ja) | 1995-11-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |