JPH0242720A - 冷却装置 - Google Patents

冷却装置

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Publication number
JPH0242720A
JPH0242720A JP63192536A JP19253688A JPH0242720A JP H0242720 A JPH0242720 A JP H0242720A JP 63192536 A JP63192536 A JP 63192536A JP 19253688 A JP19253688 A JP 19253688A JP H0242720 A JPH0242720 A JP H0242720A
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JP
Japan
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cooling
vacuum
section
heat generating
thermoelectric material
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Application number
JP63192536A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Saeki
宏 佐伯
Junji Ikeda
順治 池田
Hajime Ishimaru
石丸 肇
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Priority to US07/387,969 priority patent/US5070701A/en
Publication of JPH0242720A publication Critical patent/JPH0242720A/ja
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25BREFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B21/00Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B21/02Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/13Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Devices That Are Associated With Refrigeration Equipment (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、真空装置内における製造プロセスにあるウェ
ハの冷却、真空用モータの冷却、その他の発熱源の冷却
、浮遊分子トラップ用のシュラウドの冷却、真空中に封
入した演算回路の冷却等、真空中の各種発熱源を冷却す
る装置に関する。
従来の技術 従来、例えば真空装置において、製造プロセスにあるウ
ェハを冷却し、または真空用モータを冷却するには、通
常、水冷管、または辷−トパイプ等を用いていた。また
、従来の大型コンピュータの演算回路は真空中に封入す
ることなく、液体窒素を用いて冷却している。以下、従
来の真空装置における冷却装置について第5図を参照し
ながら説明する。
第5図に示すようにチェンバー101のフランジ102
に真空隔壁103がボルト、ナツト(図示省略)により
取り付けられ、フランジlO2と真空隔壁103との間
にOリング104が圧縮状態で介在され、両者間がシー
ルされている。真空隔9103には水冷管105,10
6が気密状態を保って貫通されている。一方、チェンバ
ー101内の発熱源である真空用モータ(図示省略)に
冷却室を有する冷却ブロック107が取り付けられ、冷
却ブロック107の両側部には可撓水冷管108.10
9が連通され、各可撓水冷管108.109はその中間
部にベロー108a、109aが設けられている。水冷
管105.106と可撓水冷管108.109はそれぞ
れチェンバー101内でコネクタ110.111により
連結され、水冷管105.106と可撓水冷管108.
109の端面間にシール材(図示省略)が介在されてい
る。
そして、冷却水を水冷管105.可撓水冷管108、冷
却ブロック107、可撓水冷管lO9、水冷管106に
循環させることにより冷却ブロック107を介して発熱
源を冷却することができる。
発明が解決しようとする課題 しかし、上記従来例の構成では、冷却の応答速度に劣る
ばかりではなく、コネクタ110゜111の接続作業が
不便である。また、発熱源が真空用モータのように可動
の場合には、可撓水冷管108.109を用いる必要が
あるが、ウェハ等の製造工程における応力、熱的影響に
より、ベロー108a、109aにクラックが生じると
共に、水冷管105.106と可撓水冷管108.10
9とのシール材に漏れが発生しやすい、これらクラック
部やコネクタ110.111から水漏れを生じると、真
空装置内を汚染し、致命的な打撃を与える。また、大型
コンピュータの演算回路を液体窒素で冷却する場合、液
体窒素の消費量が多く、また、それに伴う設備の規模が
大きくなり、小型化に限界があり、しかも、高価である
本発明は、上記従来技術の課題を解決するものであり、
冷却の応答速度を向上させることができ、また、コスト
の低下を図ることができ、また、真空内の汚染を防止す
ることができるようにした冷却装置を提供し、また、発
熱源との接続作業を容易に行うことができるようにした
冷却装置を提供し、また、付帯設備を少なくして冷却す
ることができるようにした冷却装置を提供することを目
的とするものである。
課題を解決するための手段 本発明は、上記目的を達成するため、熱電材料を用いて
回路を形成し、上記熱電材料を真空隔壁に貫通させ、上
記回路のペルチェ効果による冷却部と発熱部をそれぞれ
真空中と大気中に配置し、上記回路に大気中で直流電源
を接続したものである。
そして、上記熱電材料を線状に形成し、また、線状の熱
電材料を金属シースにより被覆し、また、熱電材料を基
板上に薄膜状に設けるのが好ましい。
また、上記発熱部に冷却手段を設けたものである。
作用 本発明は、上記構成により次のような作用を有する。
熱電材料を用いて形成した回路に直流電源により電流を
供給することにより、真空中に配置したペルチェ効果に
よる冷却部で発熱源を電子冷却することができる。
また、熱電材料を線状に形成し、また、線状の熱電材料
を金属シースにより被覆し、また、熱電材料を基板上に
薄膜状に設けることにより、これらを途中で分断して冷
却部側を発熱源に接続した後、真空隔壁の外部、若しく
は外部付近で、互いに接続することができ、または。
それらの可撓性を利用して冷却部を発熱源に接続するこ
ともできる。
また、真空中では対流がないので、冷却部による発熱源
の冷却効率は向上するが、上記回路の発熱部を冷却手段
で冷却することにより、この発熱部の熱が熱電材料によ
り冷却部へ伝達するのを少なく抑えることができ、冷却
効率を一層向上させることができる。
実施例 以下1本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
まず1本発明の第1の実施例について説明する。第1図
は本発明の第1の実施例における冷却装置を示す原理説
明用の要部の断面図である。
第1図に示すように真空となるチェンバー1のフランジ
2に真空隔壁3がポルト4とナツト5により取り付けら
れ、フランジ2と真空隔壁3との間に0リング6が圧縮
状態で介在され、両者間がシールされている。第1と第
2の熱電材料7と8は異種の材料、例えばsbとBiに
より形成され、これら第1と第2の熱電材料7と8の端
部間が接続されて回路が形成されている。
第1と第2の熱電材料7と8は真空隔壁3に貫通され、
エポキシ系接着剤により固定されると共に、気密状態に
保持され、ペルチェ効果による冷却部9と発熱部10が
それぞれチェンバー1内と大気中に配置されている。第
1の熱電材料7には大気中でその途中に直流電源11が
挿入されている。そして、冷却部9が発熱源(図示省略
)に接続されている。
以上の構成において、以下、その動作について説明する
直流電源11により第1、第2の熱電材料7.8を用い
た回路に電流を供給すると、ペルチェ効果により冷却部
9が冷却され、発熱部10が発熱する。そして、冷却部
9の冷却により発熱源を電子冷却することができる。こ
のとき、真空中は対流が少ないので、冷却部9による発
熱源の冷却効率を向上させることができる。また、上記
のように電子冷却であるので、従来例の水冷方式等に比
べて冷却の応答速度を向上させることができる。
次に本発明の第2の実施例について説明する。第2図(
L)ないしくC)は本発明の第2の実施例における冷却
装置を示し、同図(a)は要部の断面図、同図(b)は
同図(a)のIIb −II b矢視図、同図(C)は
同図(a)の左側面図である。
第2図(a)ないしくC)に示すように真空となるチェ
ンバー21のフランジ22に真空隔壁23がポルト24
とナツト25により取り付けられ、フランジ22と真空
隔壁23との間に0リング26が圧縮状態で介在され、
両者間がシールされている。第1と第2の熱電材料27
と28は例えばBi2Te3+ Sb2Te3、B+ 
2Tea + B I 2Se3の半導体により線状に
形成されている。そして、好ましくは金属シースにより
被覆されている。第1と第2の熱電材料27と28の一
方の端部間にCuからなる電極板29がIn基のはんだ
により接合され、第1と第2の熱電材料27と28の各
他端にCuからなる電極板30と31がIn基のはんだ
により接合され、電極板30.31よりCu線32が取
り出されて回路が形成されている。そしてペルチェ効果
により第1、第2の熱電材料27.28と電極板29と
の接合部が冷却部33となり、第1、第2の熱電材料2
7.28と電極板30.31との接合部が発熱部34と
なるように設定されている。第1、第2の熱電材料27
.28は真空隔壁23に貫通されてエポキシ系接着剤に
より固定されると共に、気密状態に保持され、上記冷却
部33と発熱部34がそれぞれチェンバー21内と大気
中に配置されている。発熱部34を構成する電極板30
.31より取り出されたCu線32の途中には直流電源
35が挿入されている0発熱部34.34間に跨ってこ
れら発熱部34.34を冷却する冷却ブロック36が設
けられている。
すなわち、冷却ブロック36の一側にはステー37の一
側が取り付けられ、ステー37の他側がボルト38より
真空隔壁23に取り付けられ、冷却ブロック36は真空
隔壁23に対して支持され、発熱部34.34に接触状
態に保持されている。冷却ブロック36は内部に冷却室
39を有し、この冷却室39に冷却媒体の循環用管40
.41の各一端が連通され、各循環用管40.41の他
端がポンプ(図示省略)に連通されている。冷却ブロッ
ク36の外面には空冷フィン42が取り付けられている
。そして。
冷却部33が発熱源(図示省略)に接続されている。
以上の構成において、以下、その動作について説明する
直流電源35により第1.第2の熱電材料27.28を
用いた回路に電流を供給すると、ペルチェ効果により冷
却部33が冷却され、発熱部34が発熱する。そして、
冷却部33の冷却により発熱源を電子冷却することがで
きる。このとき、真空中は対流がないので、冷却部33
による発熱源の冷却効率を向上させることができる。一
方、ポンプの駆動により冷却水を循環用管40、冷却ブ
ロック36の冷却室39、循環用管41に循環させ、こ
の冷却ブロック36により空冷フィン42と共に発熱部
34を冷却することにより1発熱部34の熱が第1、第
2の熱電材料27.28により冷却部33へ伝達するの
を少なく抑えることができ、冷却効率を一層向上させる
ことができる。また、上記のように電子冷却であるので
、従来の水冷式等に比べて冷却の応答速度を向上させる
ことができる。また、上記のように第1、第2の熱電材
料27.28を線状に形成し、また、線状の第1、第2
の熱電材料27.28を全シースにより被覆することに
より、これらを途中で分断し、一方の冷却部33側を発
熱源に接続した後、互いに真空隔壁23の外部、若しく
は外部付近で接続することができ、また、それらの可撓
性を利用して冷却部33を発熱源に接続することもでき
、発熱源との接続作業を容易に行うことができる。
次に本発明の第3の実施例について説明する。第3図(
&)、(b)は本発明の第3の実施例における冷却装置
を示し、同図(a)は要部の断面図、同図(b)は同図
(a)のmb矢視図である。
第3図(a)、(b)に示すように真空となるチェンバ
ー51のフランジ52に真空隔壁53がポルト54とナ
ツト55により取り付けられ、フランジ52と真空隔壁
53との間に0リング56が圧縮状態で介在され、両者
間がシールされている0、第1と第2の熱電材料57と
58は例えばBi2Te3+Sb2↑e3、B12T8
3+ Bt2Se3により電極59.60.61と共に
肉薄の基板62上に薄膜状に設けられる。すなわち、エ
ポキシ樹脂、若しくはガラス等からなる基板62上の一
側端部に真空蒸着等により電極59が設けられ、他側端
部に真空蒸着等により一対の電極60.61がそれぞれ
長辺に沿うように設けられている。基板62および電極
59,60.61上には基板62の長辺に沿うように第
1と第2の熱電材料57と58が真空蒸着等により設け
られている。好ましくは基板62が変形可能な材料によ
り形成され、第1、第2の熱電材料57.58.基板6
2等が自由に変形可能に構成される。電極60.61よ
りCu線63が取り出されて回路が形成されている。そ
してペルチェ効果により、第1、第2の熱電材料57.
58と電極59との接合部が冷却部64となり、第1、
第2の熱電材料57.58と電極板60.61との接合
部が発熱部65となるように設定されている。第1、第
2の熱電材料57.58は真空隔壁53に貫通されてエ
ポキシ系接着剤により固定されると共に、気密状態に保
持され、上記冷却部64と発熱部65がそれぞれチェン
バー51内と大気中に配置されている0発熱部65を構
成する電極板so、stより取り出されたCu線63の
途中には直流電源66が挿入されている0発熱部65.
65間に跨ってこれら発熱部65.65を冷却する冷却
ブロック67が設けられている。冷却ブロック67は上
記第2の実施例と同様に内部に冷却室を有し、この冷却
室に循環用管68.69の各一端が連通され、各循環用
管68.69の他端がポンプ(図示省略)に連通されて
いる。そして、冷却部64が発熱源(図示省略)に接続
されている。
以上の構成において、以下、その動作について説明する
直流電源66により第1、第2の熱電材料57.58を
用いた回路に電流を供給すると、ペルチェ効果により冷
却部64が冷却され1発熱部65が発熱し、冷却部64
の冷却により発熱源を電子冷却することができる。この
とき、真空中は対流がないので、冷却部64による発熱
源の冷却効率を向上させることができる。−方、ポンプ
の駆動により冷却を循環用管68、冷却ブロック67の
冷却室、循環用管69に循環させ、この冷却ブロック6
7により発熱部65を冷却することにより、発熱部65
の熱が第1、第2の熱電材料57.58により冷却部6
4へ伝達するのを少なく抑えることができ、冷却効率を
一層向上させることができる。また、上記のように電子
冷却であるので、従来の水冷式等に比べて冷却の応答速
度を向上させることができる。また、上記のように第1
、第2の熱電材料57.58を基板62上に薄膜状に設
けることにより、これらを途中で分断し、一方の冷却部
64側を発熱源に接続した後、真空隔壁53の外部、若
しくは外部付近で互いに接続することができ、また、そ
れらの可撓性を利用して冷却部64を発熱源に接続する
こともでき、発熱源との接続作業を容易に行うことがで
きる。
なお1本実施例においても上記第2の実施例と同様に冷
却ブロック67に空冷フィンを組合わせて用いてもよい
次に本発明の第4の実施例について説明する。第4図は
本発明の第4の実施例における冷却装置を示す要部の断
面図である。
本実施例においては、大型コンピュータの演算部の冷却
に実施したものであり、第4図に示すように演算回路7
1は絶縁基板72上に回路パターン73が設けられ、こ
の回路パターン73が絶縁WA74により被覆されてい
る0回路パターン73には端子75が接続されている。
上記演算回路71は真空隔壁76内に真空状態で封入さ
れ、端子75が真空隔壁76より外方へ気密状態を保っ
て挿通されている。第1と第2の多数の熱電材料77と
78は例えばBi2Te3+Sb2↑e3、B i 2
Te3+ B 12Se3の半導体により線状に形成さ
れている。各第1と第2の熱電材料77と78の一方の
端部間にCuからなる電極板79がはんだ付けされ、第
1と第2の熱電材料77と78の各他端にCuからなる
電極板80と81がはんだ付けされ、電極板80.81
よりCu線82が取り出されて回路が形成されている。
そしてペルチェ効果により第1.第2の熱電材料77.
78と電極板79との接合部が冷却部83となり、第1
、第2の熱電材料77.78と電極板80.81との接
合部が発熱部84となるように設定されている。第1.
第2の熱電材料77.78は真空隔壁76に気密状態を
保って貫通され、上記冷却部83を形成する電極79が
真空中で絶縁基板72における発熱部に接続され、発熱
部84が大気中に配置されている6発熱部84を構成す
る電極板80.81より取り出されたCu線82の途中
には直流電源85が挿入されている0発熱部84.84
間に跨ってこれら発熱部84.84を冷却する冷却ブロ
ック86が設けられている。冷却ブロック86は内部に
冷却室を有し、この冷却室に循環用管87.88の各一
端が連通され、各循環用管87.88の他端がポンプ(
図示省略)に連通されている。
以上の構成において、以下、その動作について説明する
直流電源85により第1、第2の熱電材料77.78を
用いた回路に電流を供給すると、ペルチェ効果により冷
却部83が冷却され、発熱部84が発熱する。そして、
冷却部83の冷却により演算回路71の発熱部を電子冷
却することができる。このとき、真空中は対流がないの
で、冷却部83による発熱部の冷却効率を向上させるこ
とができる。一方、ポンプの駆動により冷却水を循環用
管87、冷却ブロック86、循環用管88に循環させ、
この冷却ブロック86により発熱部84を冷却すること
により、発熱部84の熱が第1、第2の熱電材料77.
78により冷却部83へ伝達するのを少なく抑えること
ができ、冷却効率を一層向上させることができる。また
、上記のように電子冷却であるので、従来の水冷式等に
比べて冷却の応答速度を向上させることができる。また
、上記のように第1、第2の熱電材料77.78を線状
に形成することにより、これらを途中で分断し、9方の
冷却部83側を演算回路71の発熱部に接続した後、真
空隔壁76の外部で互いに接続することができ、冷却部
83を演算回路71の発熱部に容易に接続することがで
きる。
なお、上記第2の実施例と同様に冷却ブロック86に空
冷フィンを組合わせて用いてもよい。
上記第2、第3、第4の実施例において循環用管40.
41.68.69.87.88と冷却ブロック36.6
7.86に冷却水に替え、例えば液体窒素を循環させる
ようにしてもよく、この液体窒素を用いることにより1
発熱源を液体ヘリウムを用いて冷却した場合と同じ程度
の温度に冷却することができる。
発明の効果 以上述べたように本発明によれば、熱電材料を用いて形
成した回路に直流電源より電流を供給することにより、
真空中に配置したペルチェ効果による冷却部で発熱源を
電子冷却するようにしているので、冷却の応答速度を向
上させることができ、また、構成が簡単となり、コスト
の低下を図ることができる。また、従来のように水漏れ
等のおそれがないので、真空部内の汚染を防止すること
ができる。
また、熱電材料を線状に形成し、また、線状の熱電材料
を金属シースにより被覆し、また、熱電材料を基板上に
薄膜状に設けることにより、これらを途中で分断して冷
却部側を発熱源に接続した後、真空隔壁の外部、若しく
は外部付近で互いに接続することができ、または、それ
らの可撓性を利用して冷却部を発熱源に接続することも
でき、冷却部を発熱源に容易に接続することができる。
また、真空中では対流がないので、冷却部による発熱源
の冷却効率は向上するが、上記回路の発熱部を冷却手段
で冷却することにより、この発熱部の熱が熱電材料によ
り冷却部へ伝達するのを少なく抑えることができ、冷却
効率を一層向上させることができ、付帯設備を少なくす
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例における冷却装置を示す
原理説明用の要部の断面図、第2図(a)ないしくC)
は本発明の第2の実施例における冷却装置を示し、同図
(IL)は要部の断面図、同図(b)は同図(a)のn
b−nb矢視図、同図(C)は同図(a)の左側面図、
第3図(L)、(b)は本発明の第3の実施例における
冷却装置を示し、同図(L)は要部の断面図、同図(b
)は同図(a)のmb矢視断面図、第4図は本発明の第
4の実施例における冷却装置を示す要部の断面図、第5
図は従来の冷却装置を示す要部の一部破断側面図である
。 1・・・チェンバー、3・・・真空隔壁、7・・・第1
の熱電材料、8・・・第2の熱電材料、9・・・冷却部
、IO・・・発熱部、11・・・直流電源、21・・・
チェンバ−,23・・・真空隔壁、27・・・第1の熱
電材料、28・・・第2の熱電材料、29.30.31
・・・電極板、33・・・冷却部、34・・・発熱部、
35・・・直流電源、36・・・冷却ブロック、40.
41・・・水冷管、42・・・冷却フィン、51・・・
チェ71<−153・・・真空隔壁、57・・・第1の
熱電材料、57・・・第1の熱電材料、58・・・第2
の熱電材料、59.60.61・・・電極、62・・・
基板、64・・・冷却部、65・・・発熱部、67・・
・冷却ブロック、68.69・・・水冷管、71・・・
演算部、76・・・真空隔壁、77・・・第1の熱電材
料、78・・・第2の熱電材料、79.80.81・・
・電極板、83・・・冷却部、84・・・発熱部、85
・・・直流電源、86・・・冷却ブロック、87.88
・・・水冷管。 第1図 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名f−−−−
rxシバー 3− 爽’;lj%型 7−−−オ1−号摂1【淳τ1−1 8−オ2祠響賃済科 9−ヰ坪舒

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)熱電材料を用いて回路を形成し、上記熱電材料を
    真空隔壁に貫通させ、上記回路のペルチェ効果による冷
    却部と発熱部をそれぞれ真空中と大気中に配置し、上記
    回路に大気中で直流電源を接続した冷却装置。 (2)熱電材料が線状である請求項1記載の冷却装置。 (3)線状の熱電材料が金属シースにより被覆されてい
    る請求項2記載の冷却装置。 (4)熱電材料が基板上に設けた薄膜である請求項1記
    載の冷却装置。 (5)発熱部に冷却手段を設けた請求項1ないし4のい
    ずれかに記載の冷却装置。 (8)冷却手段が冷却室を有する冷却ブロックと、この
    冷却ブロックの冷却室に連通する冷却媒体の循環用管を
    有する請求項5記載の冷却装(7)冷却手段が空冷フィ
    ンである請求項5記載の冷却装置。 (8)冷却手段が冷却室を有する冷却ブロックと、この
    冷却ブロックの冷却室に連通する冷却媒体の循環用管と
    、上記冷却ブロックに取り付けられた空冷フィンを有す
    る請求項5記載の冷却装置。
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