JPH0242639A - 半導体レーザ駆動装置 - Google Patents
半導体レーザ駆動装置Info
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- JPH0242639A JPH0242639A JP63192669A JP19266988A JPH0242639A JP H0242639 A JPH0242639 A JP H0242639A JP 63192669 A JP63192669 A JP 63192669A JP 19266988 A JP19266988 A JP 19266988A JP H0242639 A JPH0242639 A JP H0242639A
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Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔並業上の利用分野〕
この発明は、光学的に情報の記録・再生を行う情報記録
・再生装置の光源として用いられる、半導体レーザ駆動
装置1に関し、特に、複数の発光源を有する半導体レー
ザの駆動装置K1mするものである。
・再生装置の光源として用いられる、半導体レーザ駆動
装置1に関し、特に、複数の発光源を有する半導体レー
ザの駆動装置K1mするものである。
第4図は1例えば特開昭60−263349号公報に示
された従来の半導体レーザ駆動装置であり、主として、
発光部(1)、受光部(2)、プリント配線基板(3)
からなっている。まず、発光部(1)において、金属基
板(4)上にヒートシンクとしてヘッダ(5)が取付け
られ、このヘッダ(5)の平面状の上部端面に2例えば
2つの半導体レーザ光源からなる半導体レーザアレイ(
6)が取付けられている。また、円柱状の集光レンズ(
))の下端は金属基板(4)の中心孔(4a)にはめ合
わせられている。3本の第1のステム(8)は、1本は
図示を省略しである。この第1のステム(8)が、半導
体レーザアレイ(6)の各半導体レーザ光源に接続線(
図示省略)を介して接続されている。また、この第1の
ステム(8)は、金属基板(4)のガラス充填材(9)
Kよって充填された透孔(9a)を介して金員基板(4
)の下方に延在し、プリント配線基板(3)K取付けら
れている。パッケージ(10)はその中心孔(10a)
にガラス板(ll)を貼合わせて、ヘッダ(5)を榎う
ように金属基板(4)に(12b)および各後方光(1
3a)(13b)が出射される。各前方光(t2a)(
12b )は情報記録媒体に照射され、これにより情報
の記録・再生が行われる。また、各後方光(13a)(
13b)は、後述するように、各前方光(12a)(1
2b )の光出力の制御に用いられる。
された従来の半導体レーザ駆動装置であり、主として、
発光部(1)、受光部(2)、プリント配線基板(3)
からなっている。まず、発光部(1)において、金属基
板(4)上にヒートシンクとしてヘッダ(5)が取付け
られ、このヘッダ(5)の平面状の上部端面に2例えば
2つの半導体レーザ光源からなる半導体レーザアレイ(
6)が取付けられている。また、円柱状の集光レンズ(
))の下端は金属基板(4)の中心孔(4a)にはめ合
わせられている。3本の第1のステム(8)は、1本は
図示を省略しである。この第1のステム(8)が、半導
体レーザアレイ(6)の各半導体レーザ光源に接続線(
図示省略)を介して接続されている。また、この第1の
ステム(8)は、金属基板(4)のガラス充填材(9)
Kよって充填された透孔(9a)を介して金員基板(4
)の下方に延在し、プリント配線基板(3)K取付けら
れている。パッケージ(10)はその中心孔(10a)
にガラス板(ll)を貼合わせて、ヘッダ(5)を榎う
ように金属基板(4)に(12b)および各後方光(1
3a)(13b)が出射される。各前方光(t2a)(
12b )は情報記録媒体に照射され、これにより情報
の記録・再生が行われる。また、各後方光(13a)(
13b)は、後述するように、各前方光(12a)(1
2b )の光出力の制御に用いられる。
次に、受光部(2)において、透明ブロック(14)の
内部には1対の光検知器(15a’)(15b)が埋め
込まれている。透明ブロック(14)の両端に3本突出
された第2のステム(16)は、その1本を図示省略し
ているが、この第2のステム(16)は。
内部には1対の光検知器(15a’)(15b)が埋め
込まれている。透明ブロック(14)の両端に3本突出
された第2のステム(16)は、その1本を図示省略し
ているが、この第2のステム(16)は。
そり内端部が透明ブロック(14)の内部で光検知器(
15a)(15b)に接続されるとともに、その外端部
がプリント配線基板(3)に取付けられている。
15a)(15b)に接続されるとともに、その外端部
がプリント配線基板(3)に取付けられている。
また、プリント配線基板(3)には、金属基板(4)の
中心孔(4a)VC対応する透孔(3a)が設けられて
いる。
中心孔(4a)VC対応する透孔(3a)が設けられて
いる。
以上の構成により、発光部(1)の金属基板(4)の中
心孔(4a)およびプリント配線基板(3)の透孔(3
a)に対応する位置に、受光部(2)の1対の光検知器
(15a)(15b)が位置決めされており、半導体レ
ーザアレイ(6)から出射された後方光(13a )(
13b)は、円柱状の集光レンズ(7)によって分離さ
れ、それぞれ別々に光検知器(15a)(15b)に入
射して、焦点を結ぶ。従って、半導体レーザアレイ(6
)の各半導体レーザ光源から出射される前方光(12a
)(12b)の光出力の制御を、後方光(13a)(1
3b)を受光する1対の光検知器(15a)(15b)
の出力信号を用いて、各々の半導体レーザ光源の駆動回
路(図示せず)を動作させることにより達成することが
できる。
心孔(4a)およびプリント配線基板(3)の透孔(3
a)に対応する位置に、受光部(2)の1対の光検知器
(15a)(15b)が位置決めされており、半導体レ
ーザアレイ(6)から出射された後方光(13a )(
13b)は、円柱状の集光レンズ(7)によって分離さ
れ、それぞれ別々に光検知器(15a)(15b)に入
射して、焦点を結ぶ。従って、半導体レーザアレイ(6
)の各半導体レーザ光源から出射される前方光(12a
)(12b)の光出力の制御を、後方光(13a)(1
3b)を受光する1対の光検知器(15a)(15b)
の出力信号を用いて、各々の半導体レーザ光源の駆動回
路(図示せず)を動作させることにより達成することが
できる。
従来の半導体レーザ駆動装置は以上のように構成されて
いるので、光検知器(15a)(15b)に後方光(1
3a)(13b)を集光させるためK、集光レンズ(7
)をパッケージ(10)の狭い内部に位置決めする必要
があり、この作業が大変困難で著しく量産性に欠けると
いう問題点があった。
いるので、光検知器(15a)(15b)に後方光(1
3a)(13b)を集光させるためK、集光レンズ(7
)をパッケージ(10)の狭い内部に位置決めする必要
があり、この作業が大変困難で著しく量産性に欠けると
いう問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、狭いパッケージ内部における集光レンズの位
置決め工程を回避し、を産性のある半導体V−ザ駆動装
置を得ることを目的とする。
たもので、狭いパッケージ内部における集光レンズの位
置決め工程を回避し、を産性のある半導体V−ザ駆動装
置を得ることを目的とする。
CvA題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザ駆動装曾は、複数の半導体
レーザ光源からの複数の後方光を一括して受光する2分
割光検知器を設け、この2分割光検知器からの光出力信
号を演算することによって、複数の半導体V−ザ光源の
前方光出力を各別に検出するようにしたものである。
レーザ光源からの複数の後方光を一括して受光する2分
割光検知器を設け、この2分割光検知器からの光出力信
号を演算することによって、複数の半導体V−ザ光源の
前方光出力を各別に検出するようにしたものである。
この発明においては、複数の半導体レーザ光源の光出力
の検出が複数の後方光を一括して2分割光検知器で受光
することによって行われるため。
の検出が複数の後方光を一括して2分割光検知器で受光
することによって行われるため。
複数の後方光を各別に分離して検出する必要がなく、従
ってパッケージ内に集光レンズを設ける必要がなくなる
。
ってパッケージ内に集光レンズを設ける必要がなくなる
。
以下、この発明の一実施例を第1図〜第3図について説
明する。
明する。
第1図、第2図において、受光部(17)を構成する符
号(4)、(5)、(6)、(9)、 (9a)、(1
0)、(10a)。
号(4)、(5)、(6)、(9)、 (9a)、(1
0)、(10a)。
(11)および半導体レーザアレイ(6)の前方光(1
2a)。
2a)。
(12b)、後方光(13a)、(13b)は、第4図
のものと同様または相当するものである。半導体レーザ
アレイ(6)の複数の光源を各別に動作させるための電
流を供給する接続線(18a)、 (18b)は、一端
が半導体レーザアレイ(6)に、他端が第1のステム(
8a)、(8b)にそれぞれ接続されている。2分割光
検知器(19)は、後方光(13a)、(13b)を−
括して受光するようにヘッダ(5)上に配設されており
、受光面(19a)、N5b)の検出信号を各別に出力
する第2のステム(20a)、(20b) Kそれぞれ
接続1m(21a )e (2l b )を介して接続
されている。
のものと同様または相当するものである。半導体レーザ
アレイ(6)の複数の光源を各別に動作させるための電
流を供給する接続線(18a)、 (18b)は、一端
が半導体レーザアレイ(6)に、他端が第1のステム(
8a)、(8b)にそれぞれ接続されている。2分割光
検知器(19)は、後方光(13a)、(13b)を−
括して受光するようにヘッダ(5)上に配設されており
、受光面(19a)、N5b)の検出信号を各別に出力
する第2のステム(20a)、(20b) Kそれぞれ
接続1m(21a )e (2l b )を介して接続
されている。
2分割光検知器(19)の受光面(19b)の出力信号
は、第2のステム(20b)から取出され電流電圧変換
器(22)で電圧信号に変換されて次段の増幅器(23
)K接続され、さらK、増幅器(23)の出力は差動演
算器(24)の加算入力端子に接続されている。また、
2分割光検知器(19)の受光面(19a)の出力信号
は、別の第2のステム(20a)から取出され、電流電
圧変換器(25)で電圧信号に変換されて差動演算器(
24)の減算入力端子および増幅器(26)にそれぞれ
接続されている。さらK、増幅器(26)の出力は差動
演算器(27)の加算入力端子に接続されている。一方
、差動演算器(24)の次段に増幅器(28)が接続さ
れており、この出力は増幅器(29)およびレーザ駆動
回路(30b)にそれぞれ接続されている。増幅器(2
9)の出力は差動演算器(27)の減算入力端子に接続
されており、この出力はレーザ駆動回路(30a)に接
続されている。レーザ駆動回路(30a’)e(30b
)はそれぞれ第1のステム(8aL(8b)に接続され
ている。
は、第2のステム(20b)から取出され電流電圧変換
器(22)で電圧信号に変換されて次段の増幅器(23
)K接続され、さらK、増幅器(23)の出力は差動演
算器(24)の加算入力端子に接続されている。また、
2分割光検知器(19)の受光面(19a)の出力信号
は、別の第2のステム(20a)から取出され、電流電
圧変換器(25)で電圧信号に変換されて差動演算器(
24)の減算入力端子および増幅器(26)にそれぞれ
接続されている。さらK、増幅器(26)の出力は差動
演算器(27)の加算入力端子に接続されている。一方
、差動演算器(24)の次段に増幅器(28)が接続さ
れており、この出力は増幅器(29)およびレーザ駆動
回路(30b)にそれぞれ接続されている。増幅器(2
9)の出力は差動演算器(27)の減算入力端子に接続
されており、この出力はレーザ駆動回路(30a)に接
続されている。レーザ駆動回路(30a’)e(30b
)はそれぞれ第1のステム(8aL(8b)に接続され
ている。
次に動作につい・て説明する。半導体レーザアVイ(6
)の複数の光源において、接続線(18a)側の光源を
LDa 、接続線(18b)側の光源なLDbとし、そ
れぞれの光出力をPa、Pbとする。また、2分割光検
知器(19)およびこの2分割光検知器(19)の出力
信号演算回路部の動作説明のための第3図において、光
スボツ) (31a)は2分割光検知器(19)面上で
の光源LDaの後方光(13a)に対応し、光スポット
(31b)は光源LDbの後方光(13b)に対応する
ものである。光源LDaからの後方光(13a)の受光
面(19a)までのパワー伝達率をTat、受光面(1
9b)までのパワー伝達率をTa2、また、光源LDb
からの後方光(13b)の受光面(19a)までのパワ
ー伝達率をTbt、受光m (19b)までのパワー伝
達率をTbzとする( 0 < Tat 、Taz+T
b1. Tbz < 1 )。なお、直線(32)は光
スポット(31aL(31b)の中心を結ぶ直線で、T
al Tbx であり、■式が成立するように光スポットの中心線(3
2)K対して、2分割光検知器(19)の分割@ (1
9c )の角度θが決められている(θ\0)。
)の複数の光源において、接続線(18a)側の光源を
LDa 、接続線(18b)側の光源なLDbとし、そ
れぞれの光出力をPa、Pbとする。また、2分割光検
知器(19)およびこの2分割光検知器(19)の出力
信号演算回路部の動作説明のための第3図において、光
スボツ) (31a)は2分割光検知器(19)面上で
の光源LDaの後方光(13a)に対応し、光スポット
(31b)は光源LDbの後方光(13b)に対応する
ものである。光源LDaからの後方光(13a)の受光
面(19a)までのパワー伝達率をTat、受光面(1
9b)までのパワー伝達率をTa2、また、光源LDb
からの後方光(13b)の受光面(19a)までのパワ
ー伝達率をTbt、受光m (19b)までのパワー伝
達率をTbzとする( 0 < Tat 、Taz+T
b1. Tbz < 1 )。なお、直線(32)は光
スポット(31aL(31b)の中心を結ぶ直線で、T
al Tbx であり、■式が成立するように光スポットの中心線(3
2)K対して、2分割光検知器(19)の分割@ (1
9c )の角度θが決められている(θ\0)。
光源LDa 、 LDbが同時にそれぞれ光出力Pa
、 Pbで発光している場合に、Ko倍(Ko>0)の
増幅器(23)および電流電圧変換器(25)それぞれ
の出力信号P11P2 について、一般に次のような
関係式が成立する。
、 Pbで発光している場合に、Ko倍(Ko>0)の
増幅器(23)および電流電圧変換器(25)それぞれ
の出力信号P11P2 について、一般に次のような
関係式が成立する。
P1=Ko11Ta1aPa+KoIITb1・Pb
■P2 == Ta2 @ Pa 十Tb2・pb
■上式において、例えば、Tal中Ta
2は一般に等しくないため、 KoTa1= Ta2
■すなわち、 Ta1 となり、■式となるように増幅器(24)の増幅度KO
を調整すると、■−〇の演算によって= K2(Pt
−P2 ) ■ となり、光源LDbの光出力pbは比例定数に2および
増幅器(23)の出力信号P1と電流電圧変換器(25
)の出力信号P2の差の積として検出される。従って、
増幅器(28)の増幅度に2を0式の値となるように′
r4整しておくことKよって、光源LDaの光出力にか
かわらず、光源LDbの光出力が検出でき、レーザ駆動
回路(30b)によって光源LDbの光出力を一定値に
制御することができる。
■P2 == Ta2 @ Pa 十Tb2・pb
■上式において、例えば、Tal中Ta
2は一般に等しくないため、 KoTa1= Ta2
■すなわち、 Ta1 となり、■式となるように増幅器(24)の増幅度KO
を調整すると、■−〇の演算によって= K2(Pt
−P2 ) ■ となり、光源LDbの光出力pbは比例定数に2および
増幅器(23)の出力信号P1と電流電圧変換器(25
)の出力信号P2の差の積として検出される。従って、
増幅器(28)の増幅度に2を0式の値となるように′
r4整しておくことKよって、光源LDaの光出力にか
かわらず、光源LDbの光出力が検出でき、レーザ駆動
回路(30b)によって光源LDbの光出力を一定値に
制御することができる。
次に、0式を0式に代入して整理すると。
Ta2 Ta2
= KIP2 − K12 Pb
■
に1 =□
Ta2
Ta2
となり、光源LDaの光出力Paは比例是数Kl、Kl
2および増幅器(28)の出力信号pbと電流電圧変
換器(25)の出力信号P2の演算で検出される。
2および増幅器(28)の出力信号pbと電流電圧変
換器(25)の出力信号P2の演算で検出される。
従って、増幅器(2fi)、(29)の増幅度Kl 、
Kl 2をそれぞれの式、6式の値となるように調整し
ておくことによって、光源LDaの光出力が検出でき、
レーザ駆動回路(30a)によって、光源LDaの光出
力を一定値に制御することができる。
Kl 2をそれぞれの式、6式の値となるように調整し
ておくことによって、光源LDaの光出力が検出でき、
レーザ駆動回路(30a)によって、光源LDaの光出
力を一定値に制御することができる。
すなわち、以上の演算によって、半導体レーザアレイ(
6)の光源LDa 、 LDbの光出力を各別に検出す
ることができ、各独立の駆動を行い得る。
6)の光源LDa 、 LDbの光出力を各別に検出す
ることができ、各独立の駆動を行い得る。
なお、上記実施例では光スポットの中心線(32)に対
して、2分割光検知器(19)の分1111J4N(1
9c)がある角度θをなしているとしたが、0式の条件
が成立すれは、θ=0であっても上記実施例と同様の効
果を奏する。
して、2分割光検知器(19)の分1111J4N(1
9c)がある角度θをなしているとしたが、0式の条件
が成立すれは、θ=0であっても上記実施例と同様の効
果を奏する。
また、上記実施例では複数の半導体レーザ光源として、
アレイ構造のものを示したが、単一の発光源を同一の発
光部(17)内に近接させて配置したハイブリッド型の
ものであってもよい。
アレイ構造のものを示したが、単一の発光源を同一の発
光部(17)内に近接させて配置したハイブリッド型の
ものであってもよい。
以上のよりK、この発明はり数の半導体レーザ光源から
の複数の後方光ンー括して受光する2分割光検知器を設
け、複数の半導体レーザ光源のうちの一方の光源の2分
割光検知器からの2つの検出信号を一致させる手段と、
2分割光検知器から02つの検出信号を演算する手段に
よって、複数の半導体レーザ光源の光出力を各別に検出
するようKしたので、複数の光ビームを分離する光学系
および光検知器の位置調整が不要で厳しい位置精度が不
要となり、安価で量産性忙富んだ装置が得られる効果が
ある。
の複数の後方光ンー括して受光する2分割光検知器を設
け、複数の半導体レーザ光源のうちの一方の光源の2分
割光検知器からの2つの検出信号を一致させる手段と、
2分割光検知器から02つの検出信号を演算する手段に
よって、複数の半導体レーザ光源の光出力を各別に検出
するようKしたので、複数の光ビームを分離する光学系
および光検知器の位置調整が不要で厳しい位置精度が不
要となり、安価で量産性忙富んだ装置が得られる効果が
ある。
第1図〜第3図はこの発明の一実施例を示し、第1図は
側断面および結線図、第2図は発光部の一部切欠き斜視
図、第3図は出力信号演算回路の結線図、第4図は従来
の半導体レーザ駆動装置の側断面図である。 (a)−−半導体レーザ(アレイ)、 (12a)(1
2b)as前方光、(13a)(13b)拳”後方光、
(19)・・2分割光検知器、(22)(25)・・電
流電圧変換器、(23)(26)(28)(29)・・
増幅器(増幅回路手段、(24)(27)6 ”差動演
算器(演算回路手段)。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 悪1図 6 ゛ ?導4参L−ワ’?Lイ
側断面および結線図、第2図は発光部の一部切欠き斜視
図、第3図は出力信号演算回路の結線図、第4図は従来
の半導体レーザ駆動装置の側断面図である。 (a)−−半導体レーザ(アレイ)、 (12a)(1
2b)as前方光、(13a)(13b)拳”後方光、
(19)・・2分割光検知器、(22)(25)・・電
流電圧変換器、(23)(26)(28)(29)・・
増幅器(増幅回路手段、(24)(27)6 ”差動演
算器(演算回路手段)。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 悪1図 6 ゛ ?導4参L−ワ’?Lイ
Claims (1)
- 複数の半導体レーザ光源からなる半導体レーザと、前記
複数の半導体レーザの複数の後方光を一括して受光する
2分割光検知器と、この2分割光検知器で検出された2
つの出力信号により前記複数の半導体レーザ光源のうち
の一方の前方光出力に一致する出力を求める増幅回路手
段と、前記2分割光検知器で検出された2つの出力信号
に基づいて前記複数の半導体レーザ光源の各別の前方光
出力を検出する演算回路手段とを備えてなる半導体レー
ザ駆動装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63192669A JPH0242639A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 半導体レーザ駆動装置 |
US07/368,034 US4942584A (en) | 1988-06-22 | 1989-06-16 | Semiconductor laser apparatus driving system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63192669A JPH0242639A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 半導体レーザ駆動装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0242639A true JPH0242639A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16295073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63192669A Pending JPH0242639A (ja) | 1988-06-22 | 1988-08-03 | 半導体レーザ駆動装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0242639A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5080847A (en) * | 1989-04-20 | 1992-01-14 | Nittetsu Mining Co., Ltd. | Manufacturing method of filter element for dust collector |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP63192669A patent/JPH0242639A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5080847A (en) * | 1989-04-20 | 1992-01-14 | Nittetsu Mining Co., Ltd. | Manufacturing method of filter element for dust collector |
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