JPH01149233A - 半導体レーザ光源装置 - Google Patents
半導体レーザ光源装置Info
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- JPH01149233A JPH01149233A JP62304458A JP30445887A JPH01149233A JP H01149233 A JPH01149233 A JP H01149233A JP 62304458 A JP62304458 A JP 62304458A JP 30445887 A JP30445887 A JP 30445887A JP H01149233 A JPH01149233 A JP H01149233A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- light
- plural
- laser light
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
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- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光学的に情報の記録・再生を行う情報記録
・再生装置等の光源として用いられる、半導体レーザ光
源装置に関するものである。
・再生装置等の光源として用いられる、半導体レーザ光
源装置に関するものである。
第３図は、例えば特開昭６０−２６３３４９号公報に示
された従来の半導体レーザ光源装置を示し、図において
、発光部（１）と受光部（２）の間にプリント配線基板
（３）が配置されている。まず、発光部（１）において
、円形の金属基板（４）上にヒートシンクとしてヘッダ
（５）が取り付けられ、このヘッダ（５）の平面状の上
部端面Ｋ、例えば２つの半導体Ｖ−ザ光源からなる半導
体レーザアレイ（６）が取り付けられている。円柱状の
集光レンズ（７）はその下端が金属基板（４）の中心孔
（４ａ）Ｋはめ合わせ支持されている。
された従来の半導体レーザ光源装置を示し、図において
、発光部（１）と受光部（２）の間にプリント配線基板
（３）が配置されている。まず、発光部（１）において
、円形の金属基板（４）上にヒートシンクとしてヘッダ
（５）が取り付けられ、このヘッダ（５）の平面状の上
部端面Ｋ、例えば２つの半導体Ｖ−ザ光源からなる半導
体レーザアレイ（６）が取り付けられている。円柱状の
集光レンズ（７）はその下端が金属基板（４）の中心孔
（４ａ）Ｋはめ合わせ支持されている。
３本の第１のステム（８）は、１本は図示を省略してあ
り、この第１のステム（８）が半導体レーザアレイ（ｅ
）の各半導体レーザ光源に接続線（図示省略）を介して
接続されている。また、第１のステム（８）は、金属基
板（４）のガラス充填材（９）Ｋよって充填された透孔
（９ａ）を介して金属基板（４）の下方に延在し、プリ
ント配線基板（３）Ｋ取り付けられる。金属基板（４）
Ｋ固定されたパッケージ（１０）は、その中心孔（１０
ａ）にガラス板（１１）を貼合わせてヘッダ（５）を覆
うている。そして、半導体レーザアレイ（６）の２つの
半導体レーザ光源から、各前方光（１２ａ） 。
り、この第１のステム（８）が半導体レーザアレイ（ｅ
）の各半導体レーザ光源に接続線（図示省略）を介して
接続されている。また、第１のステム（８）は、金属基
板（４）のガラス充填材（９）Ｋよって充填された透孔
（９ａ）を介して金属基板（４）の下方に延在し、プリ
ント配線基板（３）Ｋ取り付けられる。金属基板（４）
Ｋ固定されたパッケージ（１０）は、その中心孔（１０
ａ）にガラス板（１１）を貼合わせてヘッダ（５）を覆
うている。そして、半導体レーザアレイ（６）の２つの
半導体レーザ光源から、各前方光（１２ａ） 。
（１２ｂ）および各後方光（１３ａ）、（１３ｂ）が出
射される。各前方光（１２ａ）、（１２ｂ）は情報記録
媒体に照射され、これにより情報の記録Φ再生が行われ
る。また、各後方光（１３ａＬ（１３ｂ）は後述するよ
うに、各前方光（１２ａＬ（１２ｂ）の光出力の制御に
用いられる。
射される。各前方光（１２ａ）、（１２ｂ）は情報記録
媒体に照射され、これにより情報の記録Φ再生が行われ
る。また、各後方光（１３ａＬ（１３ｂ）は後述するよ
うに、各前方光（１２ａＬ（１２ｂ）の光出力の制御に
用いられる。
次に、受光部（２）において、透明ブロック（１４）の
内部には１対の光検知器（１５ａ ）＋ （１５ｂ ）
が埋め込まれている。（１６）は透明ブロック（１４）
の両端に３本突出された第２のステムである（１本は図
示省略）。この第２のステム（１６）は、七〇内端部が
透明ブロック（１４）の内部で光検知器（１５ａ）。
内部には１対の光検知器（１５ａ ）＋ （１５ｂ ）
が埋め込まれている。（１６）は透明ブロック（１４）
の両端に３本突出された第２のステムである（１本は図
示省略）。この第２のステム（１６）は、七〇内端部が
透明ブロック（１４）の内部で光検知器（１５ａ）。
（１５ｂ）に接続されるとともに、その外端部がプリン
ト配線基板（３）に取り付けられている。また、プリン
ト配線基板（３）には、金属基板（４）の中心孔（４ａ
）に対向して透孔（３ａ）が設けられている。
ト配線基板（３）に取り付けられている。また、プリン
ト配線基板（３）には、金属基板（４）の中心孔（４ａ
）に対向して透孔（３ａ）が設けられている。
以上の構成により、発光部（１）の金属基板（４）の中
心孔（４ａ）およびプリント配線基板（３）の透孔（３
ａ）Ｋ対応する位置に、受光部（２１の１対の光検知器
（１５ａＬ（１５ｂ）が位置決めされており、半導体レ
ーザアレイ（６）から出射された後方光（１３ａ）、（
１３ｂ）は、円柱状の集光レンズ（７）によって分離さ
れ、それぞれ別々に光検知器（１５ａ）、 （１５ｂ）
に入射して焦点を結ぶようＫされている。従って、半導
体Ｖ−ザアレイ（６）の各半導体レーザ光源から出射さ
れる前方光（１２ａ）、（１２ｂ）の光出力の制御を、
後方光（１３ａＬ（１３ｂ）を受光する１対の光検知器
（１５ａ）。
心孔（４ａ）およびプリント配線基板（３）の透孔（３
ａ）Ｋ対応する位置に、受光部（２１の１対の光検知器
（１５ａＬ（１５ｂ）が位置決めされており、半導体レ
ーザアレイ（６）から出射された後方光（１３ａ）、（
１３ｂ）は、円柱状の集光レンズ（７）によって分離さ
れ、それぞれ別々に光検知器（１５ａ）、 （１５ｂ）
に入射して焦点を結ぶようＫされている。従って、半導
体Ｖ−ザアレイ（６）の各半導体レーザ光源から出射さ
れる前方光（１２ａ）、（１２ｂ）の光出力の制御を、
後方光（１３ａＬ（１３ｂ）を受光する１対の光検知器
（１５ａ）。
（１５ｂ）の出力信号を用いて、各々の半導体レーザ光
源の駆動回路（図示せず）を動作させることにより達成
することができる。
源の駆動回路（図示せず）を動作させることにより達成
することができる。
従来の半導体レーザ光源装置は以上のように構成されて
いるので、発光部（１）と受光ｍ（２）がプリント配線
基板（３）Ｋステム（８Ｌ（１６）だけで別々に固定さ
れていることから、発光部（１）と受光部（２）の相対
的位置ずれが起こりやすく、また、小形化することが困
難であるなどの問題点があった。
いるので、発光部（１）と受光ｍ（２）がプリント配線
基板（３）Ｋステム（８Ｌ（１６）だけで別々に固定さ
れていることから、発光部（１）と受光部（２）の相対
的位置ずれが起こりやすく、また、小形化することが困
難であるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、複数の半導体レーザ光源の後方光発光部と受
光部の相対的位置ずれが起こりＫ＜＜、確実に後方光の
分離、個別検出することで前方光出力が制御できるとと
もに、小形化が容易な半導体レーザ光源装置を得ること
を目的とする。
たもので、複数の半導体レーザ光源の後方光発光部と受
光部の相対的位置ずれが起こりＫ＜＜、確実に後方光の
分離、個別検出することで前方光出力が制御できるとと
もに、小形化が容易な半導体レーザ光源装置を得ること
を目的とする。
この発明に係る半導体レーザ光源装置は、複数の半導体
レーザ光源からの後方光発光点の境に反射膜面がくるよ
うに反射膜面な有する複合光学素子を取り付け、この複
合光学素子に入射した複数の後方光は隣接光と合成する
ことなく出射され、複数の光検知器に個別に入射される
よ）に同一パッケージ内に収納されている。
レーザ光源からの後方光発光点の境に反射膜面がくるよ
うに反射膜面な有する複合光学素子を取り付け、この複
合光学素子に入射した複数の後方光は隣接光と合成する
ことなく出射され、複数の光検知器に個別に入射される
よ）に同一パッケージ内に収納されている。
この発明においては、複数の光検知器で検出された光出
力は複数の半導体レーザ光源の後方光に隣接光と合成さ
れず個別のものであり、ｖ４接光の影響を受けることは
ない。また、後方光発光部と受光部が同一パッケージ内
にあり相対的位置ずれが起こりＫく（、かつ、小形化が
容易になる。
力は複数の半導体レーザ光源の後方光に隣接光と合成さ
れず個別のものであり、ｖ４接光の影響を受けることは
ない。また、後方光発光部と受光部が同一パッケージ内
にあり相対的位置ずれが起こりＫく（、かつ、小形化が
容易になる。
第１図はこの発明の一実施例を示し、図において、嗜キ
嘲中４千符号（４）〜（６１、（９）〜（１３）、（１
５）は第３図におけると同様の部分である。ステム（８
）は６本を備えており、うち４本は図示を省略している
。ステム（８）の３本は半導体レーザアレイ（６）の２
つの半導体レーザ光源とコモンに、あとの３本は２つの
光検知器（１５ａ ）ａ （１５ｂ ）とコモンに、そ
れぞれ接続線（図示省略）を介して接続されている。ヘ
ッダ（５）内には複合光学素子であるプリズム（１７）
が設けられており、プリズム（１７）に入射された半導
体レーザアレイ（６）の各後方光（１３ａＬ（１３ｂ）
はプリズム（１７）Ｋ設けられた反射膜面（１７ａ）に
より合成することなく出射され、光検知器（１５ａＬ（
１５ｂ）Ｋそれぞれ入射される。
嘲中４千符号（４）〜（６１、（９）〜（１３）、（１
５）は第３図におけると同様の部分である。ステム（８
）は６本を備えており、うち４本は図示を省略している
。ステム（８）の３本は半導体レーザアレイ（６）の２
つの半導体レーザ光源とコモンに、あとの３本は２つの
光検知器（１５ａ ）ａ （１５ｂ ）とコモンに、そ
れぞれ接続線（図示省略）を介して接続されている。ヘ
ッダ（５）内には複合光学素子であるプリズム（１７）
が設けられており、プリズム（１７）に入射された半導
体レーザアレイ（６）の各後方光（１３ａＬ（１３ｂ）
はプリズム（１７）Ｋ設けられた反射膜面（１７ａ）に
より合成することなく出射され、光検知器（１５ａＬ（
１５ｂ）Ｋそれぞれ入射される。
次に動作について説明する。半導体レーザアレイ（６）
の２つの半導体レーザ光源から出射された後方光（１３
ａＬ（１３ｂ）は発散光束であり、そのままでは後方光
（１３ａ）と後方光（１３ｂ）が合成される部分があり
、後方光（１３ａＬ（１３ｂ）発光面から後方光（１３
ａ）、（１３ｂ）の合成する点までの距離より近＜Ｋ、
後方光（１３ａ）、（１３ｂ）の光束径より大きい直径
のプリズム（１７）を、後方光（１３ａ）。
の２つの半導体レーザ光源から出射された後方光（１３
ａＬ（１３ｂ）は発散光束であり、そのままでは後方光
（１３ａ）と後方光（１３ｂ）が合成される部分があり
、後方光（１３ａＬ（１３ｂ）発光面から後方光（１３
ａ）、（１３ｂ）の合成する点までの距離より近＜Ｋ、
後方光（１３ａ）、（１３ｂ）の光束径より大きい直径
のプリズム（１７）を、後方光（１３ａ）。
（１３ｂ）のどちらか一方だけ、例えば第１図に示すよ
うに、後方光（１３ｂ）を入射するようにヘッダ（５）
に取り付けることで、後方光（１３ａ）、（１３ｂ）は
プリズム（１７）の反射膜面（１７ａ）で反射する。
うに、後方光（１３ｂ）を入射するようにヘッダ（５）
に取り付けることで、後方光（１３ａ）、（１３ｂ）は
プリズム（１７）の反射膜面（１７ａ）で反射する。
そうしてプリズム（１７）の反射膜面（１７ａ）に２つ
の光検知器（１５ａ ） ａ （１５ｂ ）の分割線が
かさなるようにヘッダ（５）に取り付けることで、後方
光（１３ａ）は光検知器（１５ａ）に後方光（１３ｂ）
はプリズム（１７）を透過して光検知器（１５ｂ）にそ
れぞれ個別に入射する。
の光検知器（１５ａ ） ａ （１５ｂ ）の分割線が
かさなるようにヘッダ（５）に取り付けることで、後方
光（１３ａ）は光検知器（１５ａ）に後方光（１３ｂ）
はプリズム（１７）を透過して光検知器（１５ｂ）にそ
れぞれ個別に入射する。
また、光検知器（１５ａ ） ＃ （１５ｂ ）がパッ
ケージ（１０）内に納められているため、半導体レーザ
アレイ（６）の２つの半導体レーザ光源から出射される
後方光（１３ａ ）＋ （１３ｂ ）の発光点と２つの
光検知器（１５ａＬ（１５ｂ）の受光面の相対的位置ず
れは起こりに＜＜、半導体レーザアレイ（６）の２つの
半導体レーザ光源から出射される前方光（１２ａＬ（１
２ｂ）の個別の光出力は、後方光（１３ａ）、（１３ｂ
）を個別に２つの光検知器（１５ａ）、（１５ｂ）で検
出することで制御することができる。
ケージ（１０）内に納められているため、半導体レーザ
アレイ（６）の２つの半導体レーザ光源から出射される
後方光（１３ａ ）＋ （１３ｂ ）の発光点と２つの
光検知器（１５ａＬ（１５ｂ）の受光面の相対的位置ず
れは起こりに＜＜、半導体レーザアレイ（６）の２つの
半導体レーザ光源から出射される前方光（１２ａＬ（１
２ｂ）の個別の光出力は、後方光（１３ａ）、（１３ｂ
）を個別に２つの光検知器（１５ａ）、（１５ｂ）で検
出することで制御することができる。
なお、上記実施例では半導体レーザアレイ（６）に２つ
の半導体レーザ光源でなるものを示したが、３つの半導
体レーザ光源とした場合は、第２図に示すように、半導
体Ｖ−ザアレイ（６）の３つの半導体レーザ光源から各
前方光（１２ａ） ｔ （１２ｂ）、（１２ｃ）および
各後方光（１３ａ） 、 （１３ｂ）、 （１３ｃ）が
出射されている。そして、ステム（８）は８本あり、６
本は図示省略しである。このステム（８）の４本は半導
体Ｖ−ザアレイ（６）の３つの半導体レーザ光源とコモ
ンＫ、もう４本は各後方光（１３ａ）−（１３ｂ）ｔ（
１３ｃ）を受光する１対の３つの光検知器（１５ａ）、
（１５ｂ）、（１５ｃ）とコモンＫ、それぞれ接続ＩＱ
（図示省略）を介して接続されている。（１７）は反射
膜面（１７ａ）、（１７ｂ）。
の半導体レーザ光源でなるものを示したが、３つの半導
体レーザ光源とした場合は、第２図に示すように、半導
体Ｖ−ザアレイ（６）の３つの半導体レーザ光源から各
前方光（１２ａ） ｔ （１２ｂ）、（１２ｃ）および
各後方光（１３ａ） 、 （１３ｂ）、 （１３ｃ）が
出射されている。そして、ステム（８）は８本あり、６
本は図示省略しである。このステム（８）の４本は半導
体Ｖ−ザアレイ（６）の３つの半導体レーザ光源とコモ
ンＫ、もう４本は各後方光（１３ａ）−（１３ｂ）ｔ（
１３ｃ）を受光する１対の３つの光検知器（１５ａ）、
（１５ｂ）、（１５ｃ）とコモンＫ、それぞれ接続ＩＱ
（図示省略）を介して接続されている。（１７）は反射
膜面（１７ａ）、（１７ｂ）。
（１７ｃ ）ｓ （１７ｄ ）を有する複合プリズムで
ある。
ある。
動作は、上記一実施例と同様であり、説明を省略する。
以上のようＫ、この発明は、複数の半導体レーザ光源の
前方光出力を個別に制御できるように後方光を個別に複
数の光検知器で検出するように同一パッケージに収めた
ので、複数の半導体レーザ光源の発光点と複数の光検知
器の受光面の相対的位置ずれが起こりにくいので信頼性
が高く、かつ、小形化することが容易で集積度の高いも
のを得る効果がある。
前方光出力を個別に制御できるように後方光を個別に複
数の光検知器で検出するように同一パッケージに収めた
ので、複数の半導体レーザ光源の発光点と複数の光検知
器の受光面の相対的位置ずれが起こりにくいので信頼性
が高く、かつ、小形化することが容易で集積度の高いも
のを得る効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の断面図、第２図は他の実
施例の断面図、第３図は従来の半導体レーザ光源装置の
断面図である。 （６） −−半導体Ｖ−ザアＶイ、（１３ａＬ（１３ｂ
）ｅ・後方光、（１５ａＬ（１５ｂ）＠ ＠光検知器、
（１７）１１＠反射膜面（１７ａ）が設けられているプ
リズム（複合光学素子）。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 怖１図 ６−挿木し−サ゛アしイ １２０．１２ｂ：＃左尤 ６３図
施例の断面図、第３図は従来の半導体レーザ光源装置の
断面図である。 （６） −−半導体Ｖ−ザアＶイ、（１３ａＬ（１３ｂ
）ｅ・後方光、（１５ａＬ（１５ｂ）＠ ＠光検知器、
（１７）１１＠反射膜面（１７ａ）が設けられているプ
リズム（複合光学素子）。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 怖１図 ６−挿木し−サ゛アしイ １２０．１２ｂ：＃左尤 ６３図
Claims (1)
- 複数の半導体レーザ光源からなる半導体レーザアレイと
、これらの複数の半導体レーザ光源からの複数の後方光
を個別に入射せしめられ隣接光との合成をさける反射膜
面が設けられた複合光学素子と、この複合光学素子から
出射する前記複数の後方光が個別に入射されて前記複数
の半導体レーザ光源よりの後方光出力を個別に検出する
複数の光検知器とを備えてなる半導体レーザ光源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62304458A JPH01149233A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体レーザ光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62304458A JPH01149233A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体レーザ光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149233A true JPH01149233A (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=17933259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62304458A Pending JPH01149233A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体レーザ光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01149233A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03132933A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-06 | Canon Inc | 半導体レーザ出力安定化装置 |
-
1987
- 1987-12-03 JP JP62304458A patent/JPH01149233A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03132933A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-06 | Canon Inc | 半導体レーザ出力安定化装置 |
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