JPH0241108B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0241108B2
JPH0241108B2 JP56099200A JP9920081A JPH0241108B2 JP H0241108 B2 JPH0241108 B2 JP H0241108B2 JP 56099200 A JP56099200 A JP 56099200A JP 9920081 A JP9920081 A JP 9920081A JP H0241108 B2 JPH0241108 B2 JP H0241108B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
refresh
access
time monitoring
monitoring means
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP56099200A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS581887A (en
Inventor
Takashi Chiba
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP56099200A priority Critical patent/JPS581887A/en
Publication of JPS581887A publication Critical patent/JPS581887A/en
Publication of JPH0241108B2 publication Critical patent/JPH0241108B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は、ダイナミツク型MOS RAMを用い
たメインメモリのリフレツシユ制御方式に関す
る。 一般の汎用計算機システムに於けるメインメモ
リのリフレツシユ制御は、できるだけ処理装置
(例えば中央処理装置CPU或いはチヤネルプロセ
ツサCHP)のアクセスの支障とならない様に低
い優先度でインターリーブ単位に行なわれ、ある
一定の期間内に1LN(LNはライン)分が終了する
様に時間監視を行なつている。ここでインターリ
ーブとは、経済性等の理由で比較的動作速度の遅
いRAMを用いたときに、スループツトを向上さ
せる目的でメインメモリを個々に制御可能な多数
のブロツクに分割して扱う、その各ブロツクを指
し、1IL(ILはインターリーブ)は例えば8B(Bは
バイト)毎の区切りと定義される。また1LMとは、
例えば64KRAMであれば256LM×256b(bはビツ
ト)のマトリクスで構成されるのでそのうちの
1LM、つまり256bのセル列を指す。但し、一般に
大容量のメインメモリは多数のRAM素子(64K
RAM等を指す)を用いるので、各RAM素子に
共通のラインを総称して単に1LMという。 上述したリフレツシユ制御方式は、時間監視の
結果残りの時間が少なくなつてくると、低い優先
度を高い方へ変更し、一定期間内にリフレツシユ
が終了する事を保障している。ところがこのリフ
レツシユ方式を科学技術専用の特殊な計算機、例
えばベクトルプロセツサにそのまゝ適用すると次
の様な問題を生じる。(1)一般にベクトル演算に於
けるメインメモリのアクセスは、アドレス上連続
するデータを高速に、かつ高いスループツトでア
クセスする事が要求される。しかし、リフレツシ
ユをインターリーブ単位で行なうと、上期一定期
間に於て全インターリーブ数と等しい回数だけ特
定インターリーブを“BUSY”にしなければな
らない。従つて、ベクトルユニツトからメインメ
モリへのアクセスがリフレツシユによつて邪魔さ
れる確率は汎用計算機と比較して高くなる。(2)し
かも、ベクトルプロセツサではメインメモリへの
アクセスのスループツトを向上させるために、イ
ンターリーブ数を増加する傾向にあるので(1)の問
題がより大きくなる。 本発明は、ベクトルプロセツサのようにメイン
メモリに頻繁にアクセスする性質を持つシステム
で、該アクセスに対する妨害を極力抑圧する形で
リフレツシユしようとするもので、その特徴とす
るところはダイナミツク型のランダムアクセスメ
モリ素子で構成されたメインメモリを複数のイン
ターリーブに分割して各インターリーブを独立に
アクセス可能としたシステムの該メインメモリの
リフレツシユ制御方式において、リフレツシユ時
には全てのインターリーブに同時にアクセスして
各メモリ素子内のセルをライン単位でリフレツシ
ユするようにし、また各ライン毎に割当てられた
一定のリフレツシユ周期内では必ず一回該当する
ラインのリフレツシユを行い、更に、予め決めら
れた第1のサイクル数を必要とするメモリアクセ
スが、前記サイクル間行われなかつたことを判定
する第1の時間監視手段と、前記第1のサイクル
数と異なる第2のサイクル数を必要とするメモリ
アクセスが、前記第2のサイクル間に行われなか
つたことを判定する第2の時間監視手段を設け、
該リフレツシユ周期を3期間に区切り、前記通常
のメモリアクセスに対するリフレツシユの優先度
を、前記区切られた3期間毎に優先度を設け、前
記区切られた3期間の内の先頭の第1期間は、メ
モリへのアクセスを優先し、前記第1の時間監視
手段及び第2の時間監視手段が、それぞれアクセ
スが行われなかつたことを判定した時にリフレツ
シユを行い、前記区切られた3期間の内の第2の
期間に於いて第1の時間監視手段又は第2の時間
監視手段何れかがアクセスが行われていないこと
を検出した時に、メモリへのアクセスを禁止し、
その後前記第1の時間監視手段およひ第2の時間
監視手段が、それぞれアクセスが行われなかつた
ことを判定した時にリフレツシユを行い、前記区
切られた3期間の内の最後の第3期間では、第2
の期間で第1の時間監視手段と第2の時間監視手
段が、何れもアクセスが行われていないことを検
出しなかつた時に、メモリに対するアクセスを禁
止し、その後前記第1の時間監視手段及び第2の
時間監視手段が、それぞれアクセスが行われなか
つたことを判定した時にリフレツシユを行い、通
常のメモリアクセスに対するリフレツシユの優先
度を該リフレツシユ周期の始めは低くそして終わ
りにかけて高くなる様にして、該リフレツシユ周
期内の最適リフレツシユ時期を決定する点にあ
る。以下、図示の実施例を参照しながらこれを詳
細に説明する。 前述したように64KビツトRAM素子は256LM×
256bのマトリクスで構成され、1回のリフレツシ
ユで1LM(256b)がリフレツシユされる。従つて1
個のRAM素子全体をリフレツシユしようとする
と256回のリフレツシユが必要となる。例えば1
個のRAM素子全体のリフレツシユ間隔が最大
16msとすれば、このRAM素子に対して16ms内に
256回、つまり62〓s内に1回の割合で各ラインに
対するリフレツシユ処理を順番に行なわなければ
ならない。一般のリフレツシユ時間監視制御は、
ハードウエア量の減少と制御の簡単化のために
1IL単位に行なわれている。つまり、システム内
に存在するすべての上記RAM素子の1LMが62〓s
リフレツシユされるように制御する。 第1図は256MB容量(MBはメガバイト)のメ
インメモリMSの構成図で、256ILに分割された例
である。1ILは8B(本例では72ビツト)であり、ま
た斜線部は1個の64KbRAM素子である。従つて
32ILは32×8B×2×64Kビツトである。メモリコン
トロールユニツトMCUからメインメモリMSへ
のアクセススループツトは8B×8/サイクルであ
り、各メモリアクセスコントローラMACはそれ
ぞれ32ILを制御対象とする。MCUには256IL
“BUSY”状態を個々に監視する。256ビツトの
“BUSY”フラグFG0〜FG255があつて、このフラ
グが“オフ”にインターリーブに対してのみアク
セスを起動する事ができる。8台のMAC#0〜
#7はMCUによつて指定されたアドレスを使つ
て各32ILの中の1個に対して毎サイクル8B単位の
アクセスを起動する事ができる。 本発明では1度に256IL×8B(72ビツト)×2を
リフレツシユする。この領域が破線で示すAR1
AR2であり、1回のリフレツシユでは従来の256
倍に相当する。MCUが8台のMAC#0〜#7に
対して同時にリフレツシユを起動すると、それぞ
れのMACは自分自身に接続されている32IL×8B
(72ビツト)×2のすべてのRAM素子の1LNをリフ
レツシユする。このときMCUはリフレツシユに
よる“BUSY”が解除されるまでの一定期間メ
インメモリMSへのアクセスを禁止する。又、
MCUはリフレツシユを起動する際にも一定期間
メインメモリMSのアクセスを禁止する。これは
リフレツシユが通常のアクセスと重ならないよう
にするためであるが、あまり禁止する時間が長く
なると性能上の問題が生じるため、MCUがメイ
ンメモリMSに対してアクセスを起動していない
期間を時間監視して、できるだけ空き時間を使つ
てリフレツシユするようにする。 第2図はMCUがアクセスを起動していない期
間の時間監視回路である。メインメモリを構成す
る1個のインターリーブのサイクルタイムを24サ
イクルとすると、パーシヤルライトでは48サイク
ルとなる。第2図の回路ではパーシヤルライトが
48サイクル起動されなかつたことをカウンタ
CNT1で、またすべてのアクセスが24サイクル起
動されなかつたことをカウンタCNT2で検出す
る。リフレツシユを起動する際には、すべてのイ
ンターリーブが“BUSY”でない状態を作る必
要があるため、最悪では48サイクルの間メインメ
モリMSへのアクセスを禁止しなければならな
い。この禁止期間を短縮化するため、ある一定期
間(本例では62に〓s)に上記アクセスが起動され
ていないサイクル数を検出することにより、空き
時間に積極的にリフレツシユを起動する。第3図
はこのリフレツシユの起動アルゴリズムを表わし
たものである。つまりNPW検出用カウンタ
CNT1はオアゲートG1の出力が0のときにカウン
トアツプ(+1)し、1のときにセツトされる
(ALL“0”が書込まれる)。オアゲートG1のの出
力が0となるのは2入力PW G、+REF G
が共に0のときで、これ以外では出力は1であ
る。+PW Gはパーシヤルライトが起動された
ときに1になり、また+REF Gはリフレツシ
ユが起動されたときに1となる。従つてカウンタ
CNT1の出力NPW48はパーシヤルライトが起動
されない期間が連続して48サイクルになると1と
なる。これに対してNMA検出用カウンタCNT2
はパーシヤルライト、ストア、フルストア、フエ
ツチ等の全てのアクセスを監視するもので、オア
ゲートG2の0出力でカウントアツプ(+1)し、
1出力でリセツトされる(ALL“0”が書込まれ
る)。オアゲートG2の2入力は+MA Gであ
り、+MA Gは何らかのメモリアクセスがあれ
ば1となる。従つて、カウンタCNT2の出力
NMA24は全てのアクセスがない期間が連続して
24サイクルに達すると1になる。 第3図に示すリフレツシユの起動アルゴリズム
は3種類のモード(期間)A、B、Cを有する。
期間はAは62〓sの最も早い時期であり、この間は
リフレツシユの優先度を最も低くして、他のアク
セスを優先する。但し、この期間でも他のアクセ
スが全くなければリフレツシユしてもよいので、
NPW48、NMA24が共に1となれば全インター
リーブが“BUSY”でないので直ちにリフレツ
シユする。この時はリフレツシユ起動のためにア
クセスを禁止する期間は下表に示すように不要で
ある。
The present invention relates to a main memory refresh control method using dynamic MOS RAM. Main memory refresh control in general-purpose computer systems is performed in interleave units at a low priority so as not to impede access to the processing unit (for example, central processing unit CPU or channel processor CHP) as much as possible. The time is monitored so that 1 LN (LN is line) is completed within the period of . Here, interleaving refers to the process of dividing main memory into a large number of individually controllable blocks for the purpose of improving throughput when using relatively slow RAM for reasons such as economy. It refers to a block, and 1 IL (IL is interleaved) is defined as a division of, for example, 8 B (B is byte). Also, 1 LM is
For example, a 64 K RAM consists of a matrix of 256 LM × 256 b (b is bit), so
1 LM , or 256 b cell rows. However, large-capacity main memory generally has a large number of RAM elements ( 64K
RAM, etc.), so the lines common to each RAM element are collectively referred to as 1 LM . The above-mentioned refresh control system changes a lower priority to a higher priority when the remaining time becomes short as a result of time monitoring, thereby ensuring that the refresh is completed within a certain period of time. However, if this refresh method is directly applied to special computers used for science and technology, such as vector processors, the following problems arise. (1) In general, main memory access in vector operations requires accessing consecutive data at high speed and throughput. However, when refreshing is performed in units of interleave, a specific interleave must be set to "BUSY" a number of times equal to the total number of interleaves in a certain period of the first half. Therefore, the probability that access from the vector unit to the main memory will be interrupted by refresh is higher than in a general-purpose computer. (2) Moreover, in vector processors, the number of interleaves tends to be increased in order to improve the throughput of access to the main memory, so the problem (1) becomes even more serious. The present invention attempts to perform refresh in a system that frequently accesses main memory, such as a vector processor, in a manner that suppresses interference with the access as much as possible, and is characterized by a dynamic random In a main memory refresh control method of a system in which a main memory composed of access memory elements is divided into a plurality of interleaves and each interleave can be accessed independently, during refresh, all interleaves are simultaneously accessed and each memory element is The cells within the line are refreshed line by line, and the corresponding line is refreshed once within a certain refresh period assigned to each line, and a predetermined first number of cycles is required. a first time monitoring means for determining that a memory access for which the specified time is not performed during the cycle; and a memory access that requires a second number of cycles different from the first number of cycles; providing a second time monitoring means for determining what has not been done between cycles;
The refresh cycle is divided into three periods, the priority of the refresh with respect to the normal memory access is set for each of the three divided periods, and the first period at the beginning of the three divided periods is: Prioritizing access to the memory, the first time monitoring means and the second time monitoring means each perform a refresh when it is determined that no access has been made, and Prohibits access to the memory when either the first time monitoring means or the second time monitoring means detects that no access is performed during the period 2;
Thereafter, when the first time monitoring means and the second time monitoring means each determine that no access has been made, the refresh is performed, and in the third and final period of the three divided periods, , second
When neither the first time monitoring means nor the second time monitoring means detects that there is no access during the period, access to the memory is prohibited, and then the first time monitoring means and the second time monitoring means prohibit access to the memory. The second time monitoring means performs refresh when determining that no access has been performed, and the priority of refresh over normal memory access is low at the beginning of the refresh period and becomes high toward the end; The point is to determine the optimum refresh time within the refresh cycle. This will be explained in detail below with reference to illustrated embodiments. As mentioned above, a 64 K -bit RAM element is 256 LM ×
It consists of a matrix of 256 b , and 1 LM (256 b ) is refreshed in one refresh. Therefore 1
If you try to refresh an entire RAM element, it will take 256 refreshes. For example 1
Maximum refresh interval for all RAM elements
16 ms , for this RAM element within 16 ms .
Refresh processing for each line must be sequentially performed 256 times, that is, once every 62 seconds . General refresh time monitoring control is
To reduce the amount of hardware and simplify control
This is done in units of 1 IL . In other words, control is performed so that 1 LM of all the RAM elements existing in the system are refreshed in 62 s . Figure 1 is a configuration diagram of a main memory MS with a capacity of 256 MB (MB is megabyte), and is an example of a main memory MS divided into 256 ILs . One IL is 8 B (72 bits in this example), and the shaded area is one 64 Kb RAM element. Accordingly
32 IL is 32 x 8 B x 2 x 64 K bits. The access throughput from the memory control unit MCU to the main memory MS is 8 B x 8/cycle, and each memory access controller MAC controls 32 IL . The MCU individually monitors the “BUSY” status of 256 ILs . There is a 256-bit "BUSY" flag FG 0 to FG 255 , and when this flag is "off", access can only be activated for interleaving. 8 MAC #0~
#7 can initiate an 8 B unit access every cycle to one of each 32 IL using the address specified by the MCU. In the present invention, 256 IL x 8 B (72 bits) x 2 are refreshed at one time. This region is indicated by the dashed line AR 1 ,
It is AR 2 , and in one refresh, the conventional 256
Equivalent to twice as much. When the MCU activates refresh for 8 MACs #0 to #7 at the same time, each MAC has 32 IL × 8 B connected to itself.
(72 bits) Refresh 1 LN of all 2 RAM elements. At this time, the MCU prohibits access to the main memory MS for a certain period of time until "BUSY" due to refresh is released. or,
The MCU also prohibits access to the main memory MS for a certain period of time when starting refresh. This is to prevent refresh from overlapping with normal access, but if it is prohibited for too long, performance problems will occur. Monitor and use your free time to refresh as much as possible. FIG. 2 shows a time monitoring circuit during a period when the MCU is not initiating access. Assuming that the cycle time of one interleave that constitutes the main memory is 24 cycles, the partial write takes 48 cycles. In the circuit shown in Figure 2, the partial light is
Counter that 48 cycles were not activated
CNT 1 and counter CNT 2 detect that all accesses have not been activated for 24 cycles. When starting refresh, all interleaves must be in a non-BUSY state, so in the worst case, access to the main memory MS must be prohibited for 48 cycles. In order to shorten this prohibition period, refresh is actively activated during free time by detecting the number of cycles in which the above-mentioned access is not activated within a certain fixed period (62 s in this example). FIG. 3 shows the refresh activation algorithm. In other words, the counter for NPW detection
CNT1 counts up (+1) when the output of OR gate G1 is 0, and is set when it is 1 (ALL "0" is written). The output of OR gate G1 is 0 when there are 2 inputs PW G, +REF G
are both 0, otherwise the output is 1. +PW G becomes 1 when partial write is activated, and +REF G becomes 1 when refresh is activated. Therefore the counter
The output NPW48 of CNT 1 becomes 1 when the period in which partial write is not activated reaches 48 consecutive cycles. On the other hand, NMA detection counter CNT 2
monitors all accesses such as partial write, store, full store, fetish, etc. It counts up (+1) at the 0 output of OR gate G2 ,
It is reset with 1 output (ALL "0" is written). The two inputs of the OR gate G2 are +MAG, and +MAG becomes 1 if there is any memory access. Therefore, the output of counter CNT 2
NMA24 has consecutive periods with no access.
It becomes 1 when it reaches 24 cycles. The refresh activation algorithm shown in FIG. 3 has three types of modes (periods) A, B, and C.
Period A is the earliest period of 62 seconds , and during this period, refresh is given the lowest priority and other accesses are prioritized. However, if there is no other access during this period, you can refresh it.
If both NPW48 and NMA24 become 1, all interleaves are not "BUSY", so refresh is performed immediately. In this case, the period in which access is prohibited for refreshing activation is unnecessary as shown in the table below.

【表】 期間Bは62μsの中間的な期間で、期間Aよりは
リフレツシユの優先度を高くする。つまり、
NPW48、NMA24の一方が1になつたら以後の
アクセスを禁止し、その後NPW48、NMA24が
共に1になつた時点でリフレツシユを起動する。
従つて、この場合にはリフレツシユ起動のための
アクセス禁止期間は上表に示すように1〜24サイ
クルであり、この期間が時間監視される。期間C
は62〓sの最終的な期間で、最も優先度が高い。つ
まり、期間A、Bで見送られたリフレツシユは、
期間Cで必ず実行しなければならない。このため
にはNPW48、NMA24が上表に示すように共に
0でも強制的に以後のメモリアクセスを禁止し、
その後2〜48サイクルを経てNPW48、NMA24
が共に1になつたらリフレツシユを起動する。 以上述べたように本発明によれば、リフレツシ
ユを起動した際のプロセツサに対する1回の影響
度は大きくなるが、その回数は減少するので、全
体としての悪影響は小さくなる。特にベクトルプ
ロセツサにように、常時メインメモリに対しアク
セスする可能性の高いシステムに於ては、その効
果が大きい。またベクトルプロセツサでは、メイ
ンメモリへのアクセスのスループツト向上をさせ
るため、インターリーブ数を大きな値に設定する
が、本発明によればインターリーブ数に無関係に
リフレツシユを行なうので、インターリーブ数増
加による悪影響はなくなる。 また第2図、第3図で説明したようにメモリア
クセス状態を検出し、リフレツシユ周期を3期間
A、B、Cに分けて、経過時間とメモリアクセス
状態に応じて、アクセス禁止時間を設定しまたは
せずに、リフレツシユ起動を制御するようにした
ので、結果としてメモリアクセスを禁止する時間
が短くなり、性能の向上を図ることができる。
[Table] Period B is an intermediate period of 62 μs, and has a higher refresh priority than period A. In other words,
When one of NPW48 and NMA24 becomes 1, subsequent access is prohibited, and when both NPW48 and NMA24 become 1, refresh is started.
Therefore, in this case, the access prohibition period for starting the refresh is 1 to 24 cycles as shown in the table above, and this period is time-monitored. Period C
is the final period of 62〓 s and has the highest priority. In other words, refreshments that were postponed during periods A and B are
Must be executed in period C. To do this, as shown in the table above, even if both NPW48 and NMA24 are 0, future memory access is forcibly prohibited.
After that, after 2 to 48 cycles, NPW48, NMA24
When both become 1, refresh is activated. As described above, according to the present invention, the degree of influence on the processor when refreshing is activated once is large, but the number of refresh operations is decreased, so that the overall negative effect is small. This is particularly effective in systems such as vector processors, which are likely to constantly access main memory. In addition, in vector processors, the number of interleaves is set to a large value in order to improve the throughput of access to the main memory, but according to the present invention, refresh is performed regardless of the number of interleaves, so there is no negative effect due to an increase in the number of interleaves. . In addition, as explained in FIGS. 2 and 3, the memory access state is detected, the refresh cycle is divided into three periods A, B, and C, and the access prohibition time is set according to the elapsed time and the memory access state. Since the refresh activation is controlled without using the refresh function, the time during which memory access is inhibited is shortened, and performance can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す説明図、第2
図は時間監視回路の構成図、第3図はリフレツシ
ユの起動アルゴリズムを示す説明図である。 図中、MSはメインメモリ、ILはインターリー
ブである。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a block diagram of the time monitoring circuit, and FIG. 3 is an explanatory diagram showing the refresh activation algorithm. In the figure, MS is main memory and IL is interleave.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ダイナミツク型のランダムアクセスメモリ素
子で構成されたメインメモリを複数のインターリ
ーブに分割して各インターリーブを独立にアクセ
ス可能としたシステムの該メインメモリのリフレ
ツシユ制御方式において、 リフレツシユ時には全てのインターリーブに同
時にアクセスして各メモリ素子内のセルをライン
単位でリフレツシユするようにし、 また各ライン毎に割当てられた一定のリフレツ
シユ周期内では必ず一回該当するラインのリフレ
ツシユを行い、 更に、予め決められた第1のサイクル数を必要
とするメモリアクセスが、前記サイクル間行われ
なかつたことを判定する第1の時間監視手段と、 前記第1のサイクル数と異なる第2のサイクル
数を必要とするメモリアクセスが、前記第2のサ
イクル間に行われなかつたことを判定する第2の
時間監視手段を設け、 該リフレツシユ周期を3期間に区切り、前記通
常のメモリアクセスに対するリフレツシユの優先
度を、前記区切られた3期間毎に優先度を設け、 前記区切られた3期間の内の先頭の第1期間
は、メモリへのアクセスを優先し、前記第1の時
間監視手段及び第2の時間監視手段が、それぞれ
アクセスが行われなかつたことを判定した時にリ
フレツシユを行い、 前記区切られた3期間の内の第2の期間に於い
て第1の時間監視手段又は第2の時間監視手段何
れかがアクセスが行われていないことを検出した
時に、メモリへのアクセスを禁止し、その後前記
第1の時間監視手段およひ第2の時間監視手段
が、それぞれアクセスが行われなかつたことを判
定した時にリフレツシユを行い、 前記区切られた3期間の内の最後の第3期間で
は、第2の期間で第1の時間監視手段と第2の時
間監視手段が、何れもアクセスが行われていない
ことを検出しなかつた時に、メモリに対するアク
セスを禁止し、その後前記第1の時間監視手段及
び第2の時間監視手段が、それぞれアクセスが行
われなかつたことを判定した時にリフレツシユを
行い、 通常のメモリアクセスに対するリフレツシユの
優先度を該リフレツシユ周期の始めは低くそして
終わりにかけて高くなる様にして、該リフレツシ
ユ周期内の最適リフレツシユ時期を決定すること
を特徴とするメインメモリのリフレツシユ制御方
式。
[Scope of Claims] 1. In a main memory refresh control method of a system in which a main memory constituted by dynamic random access memory elements is divided into a plurality of interleaves and each interleave can be accessed independently, All interleaves are accessed simultaneously to refresh the cells in each memory element line by line, and the corresponding line is refreshed once within a certain refresh period assigned to each line, and further, a first time monitoring means for determining that a memory access requiring a predetermined first number of cycles has not been performed during the cycle; A second time monitoring means is provided for determining whether a required memory access has not been performed during the second cycle, the refresh cycle is divided into three periods, and the priority of the refresh with respect to the normal memory access is determined. A priority is set for each of the three divided periods, and in the first period of the three divided periods, priority is given to accessing the memory, and the first time monitoring means and the second time monitoring means are The time monitoring means performs a refresh when each determines that no access has been made, and the first time monitoring means or the second time monitoring means performs a refresh in the second period of the three divided periods. When one of them detects that no access is being made, access to the memory is prohibited, and thereafter the first time monitoring means and the second time monitoring means each determine that no access is made. The refresh is performed when it is determined, and in the third and final period of the three divided periods, both the first time monitoring means and the second time monitoring means are accessed in the second period. when the first time monitoring means and the second time monitoring means each determine that no access has been made, prohibit access to the memory, and refresh the memory when it is determined that no access has been made, A main memory refresh control method characterized in that the optimum refresh timing within the refresh cycle is determined by setting the priority of refresh over normal memory access low at the beginning of the refresh cycle and increasing toward the end.
JP56099200A 1981-06-26 1981-06-26 Refresh controlling system of main memory Granted JPS581887A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56099200A JPS581887A (en) 1981-06-26 1981-06-26 Refresh controlling system of main memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56099200A JPS581887A (en) 1981-06-26 1981-06-26 Refresh controlling system of main memory

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS581887A JPS581887A (en) 1983-01-07
JPH0241108B2 true JPH0241108B2 (en) 1990-09-14

Family

ID=14241002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56099200A Granted JPS581887A (en) 1981-06-26 1981-06-26 Refresh controlling system of main memory

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS581887A (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59156262A (en) * 1983-02-25 1984-09-05 Eitaro Suzuki Method and apparatus for automatic control of rolling of noodle web
US7617356B2 (en) * 2002-12-31 2009-11-10 Intel Corporation Refresh port for a dynamic memory

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5345944A (en) * 1976-10-06 1978-04-25 Nec Corp Refresh control system
JPS5461845A (en) * 1977-10-27 1979-05-18 Toshiba Corp Refresh control system

Also Published As

Publication number Publication date
JPS581887A (en) 1983-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10311937B2 (en) Method and apparatus for precharge and refresh control
US10049716B2 (en) Refresh request queuing circuitry
US7193919B2 (en) Selective bank refresh
US6446159B2 (en) Semiconductor circuit and method of controlling the same
US6285616B1 (en) Memory refreshing control apparatus comprising a unique refreshing counter
US5822265A (en) DRAM controller with background refresh
JPH0312395B2 (en)
US20020069319A1 (en) Method and apparatus of event-driven based refresh for high performance memory controller
JP4518563B2 (en) Semiconductor memory device
JPH0241108B2 (en)
US6529981B1 (en) Bus arbiter
JPS6212990A (en) Dynamic type semiconductor storage device
JPH1011964A (en) Memory control apparatus and memory control method
JPS61122994A (en) Dynamic type semiconductor storage device
JP2913099B2 (en) DRAM refresh device
JPH0785357B2 (en) DRAM refresh controller
JPS63114000A (en) Control system for dynamic random access memory
SU792290A1 (en) Device for control of regeneration of information in dynamic memory units
JP3202272B2 (en) DMA controller
JPH0962561A (en) Method for refreshing dram
JPH04132078A (en) Memory refresh system
JPH01307997A (en) Memory device
JPH03108186A (en) Method and apparatus for refreshing dynamic ram
KR20230115038A (en) Method and apparatus for controlling refresh peroid of extended memory pool
JPH01290193A (en) Dram refresh control system