JPS63114000A - Control system for dynamic random access memory - Google Patents

Control system for dynamic random access memory

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Publication number
JPS63114000A
JPS63114000A JP61261137A JP26113786A JPS63114000A JP S63114000 A JPS63114000 A JP S63114000A JP 61261137 A JP61261137 A JP 61261137A JP 26113786 A JP26113786 A JP 26113786A JP S63114000 A JPS63114000 A JP S63114000A
Authority
JP
Japan
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refresh
request
unit
memory access
identifier
Prior art date
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Pending
Application number
JP61261137A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Nanba
難波 信治
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPS63114000A publication Critical patent/JPS63114000A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve the executing speed of a memory access by delaying a refreshing operation to a refreshing unit refreshed by a reading/writing and decreasing the number of times of the refreshing operation. CONSTITUTION:When a refreshing request generating circuit 3 is activated and the circuit 3, when the refreshing request is absent to the refreshing unit, stores the data that the refreshing request to the unit is present, to a static RAM5. On the other hand, when the request is present, the circuit 3 requests the refreshing to a refreshing control circuit 6. The circuit 6 obtains a refreshing permission to an arbitrating circuit 8 when the request is executed. The circuit 8 gives the permission of the refreshing operation. The circuit 6 drives a memory control circuit 9 and executes a refreshing operation. According to the above-mentioned control system, the information is not lost. Further, the number of times of a refreshing operation per unit time can be decreased.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ
の制御方式に関し、特にそのリフレツシ二制御方式に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a control method for a dynamic random access memory, and particularly to a refresh control method thereof.

(従来の技1(i) ダイナミック・ランダム・アクセス、メモリ(以下、D
RAMと記す)は、情報をMOSFETのゲート電極下
の容量の電荷として記憶している。この電荷は、リーク
電流のため徐々に失われる。したがって、時間の経過と
共に記憶している情報は失われる。記憶している情報を
失わないためには、この電荷が失われる前に再生してや
る必要がある。一般に、この電荷の再生の操作、すなわ
ち情報の再生操作は、DRAMのリフレッシュと呼ばれ
ている。
(Conventional technique 1 (i) Dynamic random access, memory (hereinafter referred to as D
The RAM (hereinafter referred to as RAM) stores information as a capacitive charge under the gate electrode of a MOSFET. This charge is gradually lost due to leakage current. Therefore, the stored information is lost over time. In order not to lose stored information, it is necessary to regenerate this charge before it is lost. Generally, this charge regeneration operation, that is, information regeneration operation, is called DRAM refresh.

通常のDRAMでは、1回のリフレッシュ操作で再生さ
れる情報は全体の一部分である。1回のリフレッシュ操
作で再生される単位をリフレッシュ単位と呼ぶことにす
る0通常のDRAMは、数百のリフレッシュ単位からな
っており、そのため、すべての情報を再生するには数百
回のリフレッシュ?必要とする。
In a typical DRAM, only a portion of the information is reproduced in one refresh operation. The unit that is reproduced by one refresh operation is called a refresh unit.0 Normal DRAM consists of several hundred refresh units, so it takes several hundred refreshes to reproduce all the information. I need.

さらに、ひとつのリフレッシュ単位に対していえば、1
回のリフレッシュでは充分ではなく、DRAMの仕様で
定められた間隔(以下、最大リフレッシュ間隔と記す)
よりも短い周期で繰り返し繰り返しリフレッシュしなけ
れば、情報は失われてしまう、なぜならば、情報を記憶
している電荷の放電が止まることはないからである。
Furthermore, for one refresh unit, 1
Refreshing once is not enough, but the interval specified by the DRAM specifications (hereinafter referred to as the maximum refresh interval)
If the information is not refreshed repeatedly at a shorter period, the information will be lost because the charge storing the information will never stop discharging.

そういうわけで、通常のD RA Mシステムでは、最
大リフレッシュ間隔よりも短い周期で数百回のリフレッ
シュ操作を繰り返し繰り返し行なっている。
For this reason, in a typical DRAM system, refresh operations are repeatedly performed several hundred times at a cycle shorter than the maximum refresh interval.

(発明が解決しようとする問題点) ところで、1回のリフレッシュ操作に要する時間は、D
RAMへの通常のアクセス1回に要する時間と同じぐら
いである。そして、リフレッシュ中には、通常のアクセ
スを行うことができない。
(Problem to be solved by the invention) By the way, the time required for one refresh operation is D
This is about the same time as one normal access to RAM. During refresh, normal access cannot be performed.

つまり、リフレッシュ操作によってDRAMシステムの
メモリアクセス実行速度が小さく抑えられてしまってい
る。本発明の目的は、リフレッシュ操作の回数を減少さ
せることにより、メモリアクセス実行速度を向上せしめ
るDRAMの制御方式を提供することにある。
In other words, the memory access execution speed of the DRAM system is suppressed by the refresh operation. An object of the present invention is to provide a DRAM control method that improves memory access execution speed by reducing the number of refresh operations.

(問題点を解決するための手段) i′iT述の問題点を解決し上記目的を連成するために
本発明が提供する手段は、 1回のリフレッシュ動作によってリフレッシュされるリ
フレッシュ単位を一つ以上有するDRAMの制御方式で
あって、 各リフレッシュ単位を一意に識別するリフレ・ンシュ単
位識別子を定め、 全てのリフレッシュ単位について、リフレッシュ単位毎
にそのリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求の有
無を表すデータを記憶するリフレッシュ要求記憶手段と
、 与えられたリフレッシュ単位識別子で表されるリフレッ
シュ単位に対するリフレッシュ要求の有無を表す与えら
れたデータをリフレッシュ要求記憶手段に記憶せしめる
リフレッシュ要求設定手段と、 与えられた識別子で表されるリフレ・ソシュ単位に対す
るリフレッシュ要求の有無を表すデータをリフレッシュ
要求記憶手段から取り出すリフレッシュ要求取り出し手
段と、 DRAMのサイクル・タイムよりも充分大きな時間間隔
で、全てのリフレッシュ単位に対するリフレッシュ単位
識別子をあらかじめ定められた順に発生し、発生した各
々のリフレッシュ単位識別子で表されるリフレッシュ単
位に対するリフレッシュ・チェック要求を発生するとい
う動きを、最大リフレッシュ間隔の半分より充分短く、
かつ3分の1よりも充分長い繰り返し周期でもって行う
リフレッシュ・チェック要求手段と、 与えられたリフレッシュ単位識別子で表されるリフレッ
シュ単位に対するリフレッシュ要求の有無を表すデータ
を、リフレッシュ要求取り出し手段によりリフレッシュ
要求記憶手段から取り出し、リフレッシュ要求の有無を
調べ、リフレッシュ要求がない場合には、そのリフレッ
シュ単位に対するリフレッシュ要求が有るというデータ
をリフレッシュ要求設定手段によりリフレッシュ要求記
憶手段に記憶せしめ、リフレッシュ要求が有る場合には
、そのリフレッシュ単位の識別子とともにリフレッシュ
要求を発生するリフレッシュ要求発生手段と、 リフレッシュ要求があったときメモリ・アクセス中でな
いならば直ちにリフレッシュを許可し、メモリ・アクセ
ス中ならばメモリ・アクセスの終了を待ってリフレッシ
ュを許可し、メモリ・アクセス要求があったとき同時に
リフレッシ!、要求がないならば直ちにメモリ・アクセ
スを許可し、リフレッシュ中ならばリフレッシュの終了
を待ってメモリ・アクセスを許可し、もってリフレッシ
ュとメモリ・アクセスとが衝突しないように調停する調
停手段と、 調停手段の許可を得て、リフレッシュ要求記憶手段の発
生したリフレッシュ要求によって与えられる識別子で表
されるリフレッシュ単位をリフレッシュすると共に、リ
フレッシュ要求設定手段によってそのリフレッシュ単位
に対するリフレ・ンシュ要求が無いというデータをリフ
レッシュ要求記憶手段に記憶せしめるリフレッシュ制p
p手段と、外部からメモリへのアクセスが発生すると、
調停手段の許可を得てそのメモリ・アクセスを実行する
と共に、アクセスされるアドレスを含むリフレッシュ単
位の識別子とリフレッシュ要求が無いというデータをリ
フレッシュ要求設定手段に与えて、そのリフレッシュ単
位に対するリフレッシュ要求が無いことをリフレッシュ
要求記憶手段に記憶せしめるメモリ・アクセス制御手段
とを含むことを特徴とする。
(Means for Solving the Problems) The means provided by the present invention in order to solve the problems mentioned above and to combine the above objects is to reduce the number of refresh units refreshed by one refresh operation to one. A DRAM control method having the above, in which a refresh unit identifier is defined to uniquely identify each refresh unit, and data representing the presence or absence of a refresh request for each refresh unit is stored for each refresh unit. refresh request storage means; refresh request setting means for causing the refresh request storage means to store given data representing the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the given refresh unit identifier; refresh request retrieval means for retrieving data representing the presence or absence of a refresh request for the refresh request storage unit from the refresh request storage means; generating refresh check requests for refresh units that occur in the order in which they occurred and are represented by each refresh unit identifier that occurs, and that is sufficiently shorter than half the maximum refresh interval;
and a refresh check requesting means that performs the refresh check with a repetition period sufficiently longer than one-third, and a refresh request retrieving means that retrieves data indicating the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the given refresh unit identifier. It is retrieved from the storage means, checks whether there is a refresh request, and if there is no refresh request, the refresh request setting means stores data indicating that there is a refresh request for the refresh unit in the refresh request storage means, and when there is a refresh request, has a refresh request generating means that generates a refresh request along with an identifier of the refresh unit; and a refresh request generator that immediately permits refresh if memory access is not in progress when a refresh request is received, and terminates memory access if memory access is in progress. Wait and allow refresh, and refresh at the same time when there is a memory access request! , an arbitration means for arbitrating to avoid conflict between refresh and memory access by immediately permitting memory access if there is no request, and permitting memory access after waiting for completion of refresh if refresh is in progress; With the permission of the means, the refresh request storage means refreshes the refresh unit represented by the identifier given by the generated refresh request, and the refresh request setting means refreshes data indicating that there is no refresh request for the refresh unit. Refresh system p stored in the request storage means
p means and when access to memory occurs from outside,
Execute the memory access with permission from the arbitration means, and provide the refresh request setting means with an identifier of the refresh unit including the accessed address and data indicating that there is no refresh request, so that there is no refresh request for the refresh unit. and memory access control means for storing the information in the refresh request storage means.

(作用) DRAMのリフレッシュ操作は、リフレッシュするリフ
レッシュ単位を指定して、そのリフレッシュ単位をリフ
レッシュする。リフレッシュされるリフレッシュ単位の
リフレッシュ屯位識別子は、通常の読みだし書き込みの
際に使われるアドレス信号(f!数個)の内の7〜10
個の信号(以下、リフレッシュ単位識別信号と記す)を
使ってDRAMに与えらえる。リフレッシュ単位識別信
号は、DRAMの品種ごとに異なっている。
(Operation) In the DRAM refresh operation, a refresh unit to be refreshed is specified and that refresh unit is refreshed. The refresh level identifier of the refresh unit to be refreshed is 7 to 10 of the address signals (f! several) used during normal reading and writing.
(hereinafter referred to as a refresh unit identification signal) is used to provide the data to the DRAM. The refresh unit identification signal differs depending on the type of DRAM.

−MにDRAMは、リフレッシュ操作時だけではなく、
読みだし書き込みの際にも同時にリフレッシュが行われ
る。このときリフレッシュされるのは、読みだしまたは
書き込みが行われたアドレスにある情報だけでなく、そ
のアドレスを含む一つのリフレッシュ単位内のすべての
情報である。
-DRAM in M is used not only during refresh operation, but also when
Refreshing is performed at the same time when reading and writing. What is refreshed at this time is not only the information at the read or write address, but also all the information within one refresh unit that includes that address.

このときリフレッシュされるリフレッシュ単位は、読み
だしまたは書き込みが行われるアドレスを指定するため
に使われるアドレス信号の内で、リフレッシュ操作時に
リフレッシュ単位を指定するリフレッシュ単位識別信号
のために共用されるアドレス信号によって指定される。
The refresh unit that is refreshed at this time is an address signal that is shared for the refresh unit identification signal that specifies the refresh unit during a refresh operation among the address signals used to specify the address to be read or written. specified by.

本発明に係るDRAMの制御方式は、読みだし書き込み
の操作とは独立に定期的にリフレッシュを行うという従
来の方式の代わりに、読みだし書き込みによってリフレ
ッシュされたリフレッシュ単位に対するリフレッシュ操
作をできるだけ遅らせることにより、リフレッシュ操作
の回数を減少せしめる。
The DRAM control method according to the present invention, instead of the conventional method of periodically performing refreshes independently of read and write operations, delays refresh operations for refresh units refreshed by read and write operations as much as possible. , which reduces the number of refresh operations.

すなわち、本発明に係るDRAM制御方式のメモリ・ア
クセス制御手段は、外部からの要求によって、読みだし
書き込み操作を行うと、その時リフレッシュされたリフ
レッシュ単位(アクセスされたアドレスを含む)の識別
子とリフレッシュ要求が無いというデータをリフレッシ
ュ要求設定手段に与えて、そのリフレッシュ単位に対す
るリフレッシュ要求が無いことをリフレッシュ要求記憶
手段に記憶せしめる。またリフレッシュ制御手段は、リ
フレッシュ操作を行うと同時に、リフレッシュ要求設定
手段によってそのリフレッシュ単位に対するリフレッシ
ュ要求が無いというデータをリフレッシュ要求記憶手段
に記憶せしめる。
That is, when the memory access control means of the DRAM control system according to the present invention performs a read/write operation in response to an external request, the identifier of the refresh unit (including the accessed address) that was refreshed at that time and the refresh request. Data indicating that there is no refresh request is given to the refresh request setting means to cause the refresh request storage means to store that there is no refresh request for the refresh unit. Further, at the same time as the refresh operation is performed, the refresh control means causes the refresh request setting means to store data indicating that there is no refresh request for the refresh unit in the refresh request storage means.

簡単のため、ひとつのリフレッシュ単位に着目して説明
をする。リフレッシュ・チェック要求手段は、最大リフ
レッシュ間隔の半分より充分鰹く、かつ3分の1よりも
充分長い繰り返し周期でもって、このリフレッシュ単位
識別子と共にリフレッシュ・チェック要求を発生する。
For simplicity, the explanation will focus on one refresh unit. The refresh check request means generates a refresh check request with this refresh unit identifier at a repetition period that is sufficiently longer than half of the maximum refresh interval and sufficiently longer than one third.

リフレッシュ要求発生手段は、このリフレッシュ単位識
別子と共にリフレッシュ・チェック要求を受は取ると、
このリフレッシュ単位識別子で表されるリフレッシュ単
位に対するリフレッシュ要求の有無を表すデータを、リ
フレッシュ要求取り出し手段によりリフレッシュ要求記
憶手段から取り出し、リフレッシュ要求の有無を調べる
。リフレッシュ要求がない場合には、このリフレッシュ
単位に対するリフレッシュ要求が有るというデータをリ
フレッシュ要求設定手段によりリフレッシュ要求記憶手
段に記憶せしめ、リフレッシュ要求が有る場合には、こ
のリフレッシュ単位の識別子とともにリフレッシュ要求
を発生する。リフレッシュ要求が発生すると、リフレッ
シュ制御手段は調停手段の許可を得て、このリフレッシ
ュ単位識別子で示されるリフレッシュ単位をリフレッシ
ュすると共に、このリフレッシュ単位に対するリフレッ
シュ要求が無いことをリフレッシュ要求記憶手段に記憶
せしめる。
When the refresh request generation means receives a refresh check request together with this refresh unit identifier,
Data representing the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by this refresh unit identifier is retrieved from the refresh request storage means by the refresh request retrieval means, and the presence or absence of a refresh request is checked. If there is no refresh request, the refresh request setting means stores data indicating that there is a refresh request for this refresh unit in the refresh request storage means, and if there is a refresh request, a refresh request is generated together with the identifier of this refresh unit. do. When a refresh request is generated, the refresh control means, with permission from the arbitration means, refreshes the refresh unit indicated by the refresh unit identifier and causes the refresh request storage means to store that there is no refresh request for this refresh unit.

一つのリフレッシュ単位について、最大リフレッシュ間
隔の半分より充分短く、かつ3分の1よりも充分長い繰
り返し周期でもって、このような動作を繰り遅し操り返
し行うことになる。さらに、−周期の間には、すべての
リフレッシュ単位について、あらかじめ定められた順で
、上記動作を行う。
For one refresh unit, such an operation is repeatedly performed at a repetition period that is sufficiently shorter than half of the maximum refresh interval and sufficiently longer than one-third of the maximum refresh interval. Furthermore, during the - period, the above operations are performed for all refresh units in a predetermined order.

また、調停手段は、リフレッシュ制御手段のリフレッシ
ュとメモリ・アクセス手段のメモリ・アクセスとが衝突
しないようにメモリ・アクセスおよびリフレッシュを許
可する。メモリ・アクセス制御手段は、調停手段からの
許可を待って、メモリ・アクセスとリフレッシュ要求記
憶手段への前述の操作を行う。
Further, the arbitration means permits memory access and refresh so that refresh by the refresh control means and memory access by the memory access means do not conflict. The memory access control means waits for permission from the arbitration means and performs the aforementioned operations on the memory access and refresh request storage means.

本発明にかかるDRAM制御方式は、以上のように動作
してリフレッシュ操作の回数を減少させる。
The DRAM control method according to the present invention operates as described above to reduce the number of refresh operations.

(実施例) つぎに、本発明の実施例について図面を参照して詳細に
説明する。
(Example) Next, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.

第1図のD RA M III御方式は、256にビッ
トのDRAM32個を制御して、1ワードが32ビツト
、全体で256にワードのメモリシステムを構成するた
めのものであり、32個のDRAMを含んでいる。
The DRAM III control method shown in Fig. 1 is for controlling 32 DRAMs of 256 bits to configure a memory system of 32 bits per word and 256 words in total. Contains.

この256にビットDRAMのリフレッシュ単位は、全
部で256個であり、その識別子は8ビツトで構成され
る。
There are a total of 256 refresh units in this 256-bit DRAM, and their identifiers are composed of 8 bits.

外部から供給されるクロック信号CLには、周波数f=
10MHz、すなわち周期T=100nSでもって第1
図のメモリシステムをドライブする。このメモリシステ
ムは、1ワ一ド単位に読み書きを行うことができる。す
なわち、メモリアクセス信号HACCを“1′°にした
後あらかじめ定められた時間間隔でアドレス信号へ〇に
読み書きを行うアドレスを、読み書き制御信号R八に読
み書きの別を、書くときには、データ信号りに書き込み
データをそれぞれセットすることにより1ワ一ド単位に
読み書きを行うことができる。読み書きの動作の完了は
、レディ信号RDYの値によって知ることができる0例
えば、レディ信号RDYが“1°°になった時に動作が
完了し、読みだしの場合には、データ信号りに読みだし
た1ワードのデータが得られる。
The clock signal CL supplied from the outside has a frequency f=
10MHz, that is, the period T=100nS.
Drive memory system in diagram. This memory system can read and write in units of one word. In other words, when writing the address for reading and writing to the address signal ○ at predetermined time intervals after setting the memory access signal HACC to "1'°," and writing the read/write information to the read/write control signal R8, the data signal is By setting each write data, it is possible to read and write one word at a time.The completion of the reading and writing operation can be known by the value of the ready signal RDY.For example, when the ready signal RDY reaches “1°°” When this happens, the operation is completed, and in the case of reading, one word of data read out according to the data signal is obtained.

さて、リフレッシュ要求記憶手段は、256x 1ビツ
トのスタティックRAM (以下、SRAMと記す)5
からなる。SRAM5のアクセスタイムは、例えば20
nSである。SRAM5の各アドレスには、そのアドレ
スの値と同一の値をリフレッシュ単位識別子の値として
持つリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求の有無
を表すデータが記憶される0例えば、記憶されているデ
ータの値が、“0″ならばリフレッシュ要求が無いこと
を示し、“1”ならばリフレッシュ要求が有ることを示
す。
Now, the refresh request storage means is a 256x 1-bit static RAM (hereinafter referred to as SRAM) 5
Consisting of The access time of SRAM5 is, for example, 20
It is nS. Each address in the SRAM 5 stores data indicating the presence or absence of a refresh request for a refresh unit whose refresh unit identifier value is the same as the value of that address.0 For example, if the value of the stored data is “ 0'' indicates that there is no refresh request, and "1" indicates that there is a refresh request.

識別子信号10をアドレス端子へ〇 〜へ〇 に与え、
O7 書き込み許可端子W、に値“0”の書き込み制御信号W
RITEを与えると、識別子信号ID上のリフレッシュ
単位識別子で表されるリフレッシュ単位に対するリフレ
ッシュ要求の有無を表すデータが、要求信号RQとして
データ出力端子D に得られる。
Give the identifier signal 10 to the address terminals 〇 to 〇,
O7 Write control signal W with value “0” to write enable terminal W
When RITE is applied, data indicating the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the refresh unit identifier on the identifier signal ID is obtained at the data output terminal D as a request signal RQ.

また、識別子信号10をアドレス端子へ〇 〜へD7に
与え、書き込み許可端子WEに値“1”の書き込み制御
信号WRITEを与えると、識別子信号10上のリフレ
ッシュ単位識別子で表されるリフレッシュ単位に対する
リフレッシュ要求の有無を表すデータとして、データ入
力端子D1に与えられているデータ信号DATAの値を
記憶する。
Furthermore, when the identifier signal 10 is applied to the address terminal D7 and the write control signal WRITE with the value "1" is applied to the write enable terminal WE, the refresh unit represented by the refresh unit identifier on the identifier signal 10 is refreshed. The value of the data signal DATA applied to the data input terminal D1 is stored as data representing the presence or absence of a request.

リフレッシュ要求設定手段とリフレッシュ要求取り出し
手段は、設定読みだし回11@ 4がらなり、つぎの4
つの動作を行う。
The refresh request setting means and the refresh request retrieving means consist of the setting reading time 11@4, and the following 4.
perform one action.

■識別子信号ID、上のリフレッシュ単位識別子で表さ
れるリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求の有無
を表すデータを要求信号RQ  に出力する。すなわち
、読みだし要求信号RDRQが“1″になると、書き込
み制御信号−RITEに“0”を、識別子信号10に識
別子信号10  の値を出力し、S】 RAM5から識別子信号10  上のリフレッシュ単位
識別子で表されるリフレッシュ単位に対するリフレッシ
ュ要求の有無を表すデータを要求信号RQに得、その値
を要求信号RQ  に出力する。
(2) Identifier signal ID: Outputs data indicating the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the above refresh unit identifier to the request signal RQ. That is, when the read request signal RDRQ becomes "1", "0" is output to the write control signal -RITE, the value of the identifier signal 10 is output to the identifier signal 10, and the refresh unit identifier on the identifier signal 10 is output from the RAM 5. Data indicating the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by is obtained as a request signal RQ, and the value is outputted as a request signal RQ.

■識別子信号ID  上のリフレッシュ単位識別子で表
されるリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求の有
無を表すデータとして、リフレッシュ要求有りというデ
ータをSRAM5に記憶せしめる。すなわち、セット要
求信号5ETRQが“1”になると、識別子信号IDに
識別子信号ID  の値を、】 データ信号り八TAに“1”を、書き込み制御信号WR
ITEに“1”をそれぞれ出力し、識別子信号10、上
のリフレッシュ単位識別子で表されるリフレッシュ単位
に対するリフレッシュ要求の有無を表すデータとして、
リフレッシュ要求有りというデータをSRAM5に記憶
せしめる。
(2) Identifier Signal ID Data indicating that there is a refresh request is stored in the SRAM 5 as data representing the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the above refresh unit identifier. That is, when the set request signal 5ETRQ becomes "1", the value of the identifier signal ID is set to the identifier signal ID, "1" is set to the data signal RI8TA, and the write control signal WR is set to "1".
"1" is output to each ITE, and the identifier signal 10 is used as data indicating the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the above refresh unit identifier.
Data indicating that there is a refresh request is stored in the SRAM 5.

■第一のリセット識別子R3TID  上のリフレッ】 シュ単位識別子で表されるリフレッシュ単位に対するリ
フレッシュ要求の有無を表すデータとして、リフレッシ
ュ要求無しというデータをS RAM 5に記憶せしめ
る。すなわち、第一のリセット要求信号R8TRQ  
が1“になると、識別子信号10に第一のリセット識別
子R3TID  の値を、データ化号DATへに“0′
″を、書き込み制御信号WRITEに1′°をそれぞれ
出力し、第一のリセット識別子R3TID  上のリフ
レッシュ単位識別子で表されるリフレッシュ単位に対す
るリフレッシュ要求の有無を表すデータとして、リフレ
ッシュ要求無しというデータをSRAM5に記憶せしめ
る。
(Refresh on first reset identifier R3TID) Data indicating that there is no refresh request is stored in the S RAM 5 as data representing the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the reset unit identifier. That is, the first reset request signal R8TRQ
becomes 1", the value of the first reset identifier R3TID is set to the identifier signal 10, and the value of the first reset identifier R3TID is set to "0' to the data code DAT.
'' and 1'° to the write control signal WRITE, and output data indicating no refresh request to the SRAM 5 as data representing the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the refresh unit identifier on the first reset identifier R3TID. to be memorized.

■第二のリセット識別子R8TID2上のリフレッシュ
単位識別子で表されるリフレッシュ単位に対するリフレ
ッシュ要求の有無を表すデータとして、リフレッシュ要
求無しというデータをS RAM 5に記憶せしめる。
(2) Data indicating that there is no refresh request is stored in the SRAM 5 as data representing the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the refresh unit identifier on the second reset identifier R8TID2.

すなわち、第二のリセット要求信号R3TRQ2が“1
′°になると、識別子信号IDに第二のリセット識別子
R8TID2の値を、データ信号DATAに°゛0″を
、書き込み制御信号誓RITEに“1パをそれぞれ出力
し、第二のリセット識別子R8T ID2上のリフレッ
シユフF位識別子で表されるリフレッシュ単位に対する
リフレッシュ要求の有無を表すデータとして、リフレッ
シュ要求無しというデータをSRAM5に記憶せしめる
That is, the second reset request signal R3TRQ2 is “1”.
'°, outputs the value of the second reset identifier R8TID2 to the identifier signal ID, °'0' to the data signal DATA, '1' to the write control signal RITE, and outputs the value of the second reset identifier R8TID2 to the data signal DATA. Data indicating that there is no refresh request is stored in the SRAM 5 as data representing the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the above refresh F rank identifier.

設定読みだし回路4は、クロック信号CLにに同期して
動作する。クロック信号CLにの値が“1”の間に■ま
なは■の動作を行い、°゛0”の間に■または■の動作
を行う。
The setting reading circuit 4 operates in synchronization with the clock signal CL. While the value of the clock signal CL is "1", the operation shown in (1) or (2) is performed, and while the value of the clock signal CL is "1", the operation (2) or (2) is performed.

リフレッシュチェック要求手段は、72分の1分周器1
と 256進カウンタ2とからなり、“0”から1ずつ
増えて°’ 255”まで行きまた“0′°に戻るとい
う順で、7.2μsごとにリフレッシュ屯位識別千〇K
IDとチェック要求信号CKRQを発生し、リフレッシ
ュチェック要求を行う。すなわち、72分の1分周器1
は、供給されたクロック信号CLにを72分の1に分周
してチェック要求信号CKRQを発生すると同時に25
6進カウンタ2をドライブする。256進カウンタ2は
チェック要求信号CKRQをカウントし8ビツトのリフ
レッシュ単位識別子CKIDを発生する。
The refresh check request means is a 1/72 frequency divider 1.
and a 256-decimal hex counter 2, which increments by 1 from "0" until it reaches °'255" and returns to "0'°, and the refresh level identification is performed every 7.2 μs.
It generates an ID and a check request signal CKRQ, and issues a refresh check request. That is, 1/72 frequency divider 1
divides the supplied clock signal CL by 1/72 to generate the check request signal CKRQ, and at the same time divides the supplied clock signal CL by 1/72 to generate the check request signal CKRQ.
Drive hexadecimal counter 2. The 256 hexadecimal counter 2 counts the check request signal CKRQ and generates an 8-bit refresh unit identifier CKID.

リフレッシュ要求発生手段は、リフレッシュ要求発生回
路3からなり、チェック要求信号CKRQを受けると、
リフレッシュ単位識別子〇KIDを取り込み、そのリフ
レッシュ単位に対するリフレッシュ要求が有るかないか
を調べる。そのために、取り込んだリフレッシュ単位識
別子CKIDを識別子信号ID  に出力し、読みだし
要求信号RtlRQを“1”にして設定読みだし回路4
に対してリフレッシュ単位識別子CKIDに対するリフ
レッシュ要求の有無を表すデータの読みだしを要求する
。設定読みだし回路4からリフレッシュ単位識別子CK
IDに対するリフレッシュ要求の有無を表すデータを要
求信号RQ、に得ると、その値を調べ、” o ”すな
わち要求がないならば、識別子信号In  にリフレッ
シュ単位識別子CKIDを出力し、セット要求信号SE
Tを“1″にして、このリフレッシュ単位識別子CKI
Dで表されるリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要
求が有るということを表すデータを記憶するように、設
定読みだし回路4に要求する。要求信号RQ、の値が°
゛1″すなわち要求があるならばリフレッシュ単位識別
子信号REFID  にリフレッシュ単位識別子CKI
Dを出力し、リフレッシュ要求信号REFRQ、を″“
1”にして、リフレッシュ単位識別子CKIDで表され
るリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求を発生す
る。
The refresh request generation means includes a refresh request generation circuit 3, and upon receiving the check request signal CKRQ,
The refresh unit identifier 〇KID is taken in and it is checked whether there is a refresh request for that refresh unit. To do this, the fetched refresh unit identifier CKID is output to the identifier signal ID, and the read request signal RtlRQ is set to "1" to set readout circuit 4.
A request is made to read data indicating whether there is a refresh request for the refresh unit identifier CKID. Refresh unit identifier CK from setting readout circuit 4
When data indicating the presence or absence of a refresh request for ID is obtained in the request signal RQ, its value is checked, and if it is "o", that is, there is no request, the refresh unit identifier CKID is output to the identifier signal In, and the set request signal SE is output.
T is set to "1" and this refresh unit identifier CKI
The setting reading circuit 4 is requested to store data indicating that there is a refresh request for the refresh unit represented by D. The value of request signal RQ is °
``1'', that is, if there is a request, the refresh unit identifier CKI is set to the refresh unit identifier signal REFID.
D and refresh request signal REFRQ,
1'' and generates a refresh request for the refresh unit represented by the refresh unit identifier CKID.

調停手段は調停回路8からなり、リフレッシュ要求信号
REFRQ  とメモリ・アクセス要求信号)IARQ
とを受は取り、つぎのように動作してリフレッシュ許可
信号REFACに、メモリ・アクセス許可信号MAAC
Kを発生する。すなわち、リフレッシュ要求信号REF
RQ  の値が“1″、すなわちリフレッシュ要求があ
る場合には、メモリ・アクセス要求の有無にかかわらず
図には示していないが調停回路内にあるメモリ・アクセ
ス中か否かを示す信号を調べる。この信号がメモリ・ア
クセス中でないことを示すならば、直ちに、メモリ・ア
クセス中を示すならば、この信号がメモリ・アクセス中
でないことを示すようになるまで待って、リフレッシュ
許可信号REFACにを発生する。この時、図には示し
ていないが調停回路内にあるリフレッシュ中か否かを示
す信号を、リフレッシュ中であることを示すようにせし
め、リフレッシュ繰作に要する時間の後、リフレッシュ
中でないことを示すようにせしめる。また、リフレッシ
ュ要求信号REFRQ2の値が′0”でメモリ・アクセ
ス要求信号)IARQの値が“1″、すなわちリフレッ
シュ要求が無くて、メモリ・アクセス要求が有る場合に
は、リフレッシュ中か否かを示す信号を調べる。リフレ
ッシュ中でなければ直ちに、リフレッシュ中であれば、
その信号がリフレッシュ中でないことを示すようになる
まで待って、メモリ・アクセス許可信号HAACにを発
生する。この時、前述のメモリ・アクセス中か否かを示
す信号をメモリ・アクセス中であることを示すようにせ
しめ、メモリ・アクセスに要する時間の後、メモリ・ア
クセス中でないことを示すようにせしめる。
The arbitration means consists of an arbitration circuit 8, which outputs a refresh request signal (REFRQ) and a memory access request signal (IARQ).
and operates as follows to set the refresh permission signal REFAC and the memory access permission signal MAAC.
Generates K. That is, the refresh request signal REF
When the value of RQ is "1", that is, there is a refresh request, a signal (not shown in the figure) in the arbitration circuit indicating whether memory access is in progress is checked regardless of whether there is a memory access request. . If this signal indicates that the memory is not being accessed, the refresh permission signal REFAC is generated. do. At this time, although not shown in the figure, a signal in the arbitration circuit indicating whether refresh is in progress is made to indicate that refresh is in progress, and after the time required for the refresh operation, it is determined that refresh is not in progress. I urge you to show me. Also, if the value of the refresh request signal REFRQ2 is '0' and the value of the memory access request signal (IARQ) is '1', that is, there is no refresh request but there is a memory access request, it is determined whether or not refresh is in progress. Check the signal that indicates.If it is not being refreshed, immediately, if it is being refreshed,
It waits until that signal indicates that it is not being refreshed, and then generates the memory access permission signal HAAC. At this time, the signal indicating whether or not memory access is in progress is made to indicate that memory access is in progress, and after the time required for memory access, it is made to indicate that memory access is not in progress.

リフレッシュ制御手段は、リフレッシュ制御回路6から
なり、第一のリフレッシュ要求信号REFRQ  が“
1”になると、第一のリフレッシュ単位識別子REFI
D  を取り込み、第二のリフレッシュ要求信号REF
RQ、を“1″にして、調停回路8に許可を求める。許
可が得られるとリフレッシュ許可信号REFACKが“
1゛′になるので、それを待って後、第二のリフレッシ
ュ要求信号R[FRQ2を′0′”にし、リフレッシュ
単位識別子REFIDに取り込んだ第一のリフレッシュ
単位識別子REFIDの値を出力し、リフレッシュ信号
REFを“1”にし、メモリ制御回路9に対してリフレ
ッシュ操作を起動する。この時同時に、取り込んだ第一
のリフレッシュ単位識別子REFID  の値を第一の
リセット識別子R3TID  に出力し、第一のリセッ
ト要] 求信号R8TRQ  を“1”にして、第一のリフレッ
シュ単位識別子REFID  で表されるリフレッシュ
単位に対するリフレッシュ要求が無いというデータを設
定読みだし回路4を介して、S RA M 5に記憶せ
しめる。
The refresh control means consists of a refresh control circuit 6, and the first refresh request signal REFRQ is “
1”, the first refresh unit identifier REFI
D and outputs the second refresh request signal REF.
RQ is set to "1" to request permission from the arbitration circuit 8. When permission is obtained, the refresh permission signal REFACK becomes “
1'', so after waiting for that, the second refresh request signal R [FRQ2 is set to ``0'', the value of the first refresh unit identifier REFID taken into the refresh unit identifier REFID is output, and the refresh is performed. The signal REF is set to "1" and a refresh operation is started for the memory control circuit 9. At the same time, the value of the first refresh unit identifier REFID that has been taken in is output to the first reset identifier R3TID, and the first Reset request] Set the request signal R8TRQ to "1" and store data indicating that there is no refresh request for the refresh unit represented by the first refresh unit identifier REFID in the SRAM 5 via the setting readout circuit 4. .

メモリ・アクセス制御手段は、メモリアクセス制御回路
7からなり、外部からのメモリ・アクセスを実行する。
The memory access control means includes a memory access control circuit 7, and executes memory access from the outside.

すなわち、メモリアクセス信号MACCが“1′°にな
ると、メモリアクセス制御回U各7はメモリ・アクセス
要求信号HARQを“1′°にして、調停回路8に対し
てメモリ・アクセスの許可をもとめる。それと平行して
、あらかじめ定められた順に与えられるアドレス信号A
D、読み凹き制御信号Rハを、また書き込みの時は、デ
ータ信号りをも取り込む、調停回路8から許可が得られ
メモリ・アクセス許可信号HAACKが1”になると、
メモリアクセス制御回路7はメモリ・アクセス要求信号
14ARQを0′°にし、取り込み終えた、あるいは取
り込み途中のアドレス信号へ〇、読み書き制御信号R/
 W、および書き込みの時は、データ信号りをそれぞれ
アドレス信号へ〇、 、読み書き制御信号R/u+  
、およびデータ信号D に出力し、メモリアクセス信号
HACCを“1”にし、メモリ制御回!189に対して
、メモリ・アクセスを起動する。
That is, when the memory access signal MACC becomes "1'°, each memory access control circuit U 7 sets the memory access request signal HARQ to "1'°, and requests permission for memory access from the arbitration circuit 8. In parallel, address signals A are applied in a predetermined order.
When permission is obtained from the arbitration circuit 8 and the memory access permission signal HAACK becomes 1", the memory access permission signal HAACK becomes 1".
The memory access control circuit 7 sets the memory access request signal 14ARQ to 0'°, and sends the read/write control signal R/ to the address signal that has been read or is being read.
W, and when writing, the data signal is sent to the address signal respectively〇, , read/write control signal R/u+
, and data signal D, sets the memory access signal HACC to "1", and controls the memory control time! 189 to initiate memory access.

メモリ・アクセスに要する時間が゛過ぎると、レディ信
号RDYをあらかじめ定められた間“1”にしてメモリ
・アクセスを完了する。読みだし操作の場合は、データ
信号D に読みだしデータが得られるので、レディ信号
RDYが“1′°の間、データ信号D の値をデータ信
号りに出力する。メモリアクセス制御口l!87はまた
メモリをアクセスしている間に、アドレス信号へりで指
定されるアドレスを含むリフレッシュ単位の識別子を第
二のリセット識別子R8TID  に出力し、第二のリ
セット要求信号R8TR0を“1′°にして、アドレス
信号へ〇で指定されるアドレスを含むリフレッシュ単位
に対するりフレンシュ要求が無いというデータを設定読
みだし回路4を介して、SRAM5に記憶せしめる。
When the time required for memory access has passed, the ready signal RDY is set to "1" for a predetermined period of time to complete the memory access. In the case of a read operation, since the read data is obtained in the data signal D, the value of the data signal D is output to the data signal while the ready signal RDY is "1'°.Memory access control port l!87 Also, while accessing the memory, outputs the refresh unit identifier including the address specified by the edge of the address signal to the second reset identifier R8TID, and sets the second reset request signal R8TR0 to "1'°. , the data indicating that there is no refresh request for the refresh unit including the address specified by ◯ in the address signal is stored in the SRAM 5 via the setting readout circuit 4.

メモリ制御回路9は、DRAM  1000〜DRAM
3j1031を制御して、リフレッシュ操作、読みだし
操作および書き込み操作を行う回路であり、リフレッシ
ュ信号REFの値が“1″になると、リフレッシュ単位
識別子REFIDで表されるリフレッシュ単位を指定し
て、通常RASオンリー・リフレッシュと呼ばれるリフ
レッシュ操作を行う。また、メモリアクセス信号HAC
Cが“1パになると、アドレス信号へ〇  で指定され
たアドレスに対して、読み書き制御信号R/W  で指
定された読みだし、または、書き込み操作を行う。
The memory control circuit 9 includes DRAM 1000 to DRAM
This circuit controls the 3j1031 to perform refresh operations, read operations, and write operations, and when the value of the refresh signal REF becomes "1", it specifies the refresh unit represented by the refresh unit identifier REFID and performs the normal RAS Performs a refresh operation called only refresh. In addition, memory access signal HAC
When C becomes "1", the read or write operation specified by the read/write control signal R/W is performed for the address specified by the address signal.

DRAM  1000〜DRAM3.1031は、 2
56にビットのDRAM−LSIである。このLSIは
、サイクルタイム210n S、アクセスタイム150
nS、ft大ツリフレッシュ間54 m Sで、リフレ
ッシュ単位は256個あり、1つのリフレッシュ単位は
1024ビツトで、いわゆるロウアドレスの上位8ビツ
トで指定される。
DRAM1000~DRAM3.1031 is 2
It is a 56-bit DRAM-LSI. This LSI has a cycle time of 210nS and an access time of 150nS.
There are 256 refresh units in the nS, ft large refresh interval of 54 mS, and one refresh unit is 1024 bits and is specified by the upper 8 bits of the so-called row address.

つぎに、全体の動作を説明する。72分の1分周器1と
 256進カウンタ2は、リフレッシュ単位識別子CK
IDを7.2μsごとに更新し、チェック要求信号CK
RQを発生して、リフレッシュ単位識別子CKIDで表
されるリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求の有
無のチェックを要求する。リフレッシュ要求発生器83
は、チェック要求信号CKRQによって起動され、リフ
レッシュ単位識別子CKIDで表されるリフレッシュ単
位に対するリフレッシュ要求の有無のチェックを行う。
Next, the overall operation will be explained. 1/72 frequency divider 1 and 256-decimal counter 2 are refresh unit identifier CK
ID is updated every 7.2μs and check request signal CK
RQ is generated to request a check for the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the refresh unit identifier CKID. Refresh request generator 83
is activated by the check request signal CKRQ, and checks whether there is a refresh request for the refresh unit represented by the refresh unit identifier CKID.

すなわち、識別子信号10.にリフレッシュ単位識別子
CKIDの値を出力し、読みだし要求信号RDRQを“
1”にして、設定読みだし回路4にリフレッシュ単位識
別子CKIDで表されるリフレッシュ単位に対するリフ
レッシュ要求の有無を表すデータの読みだし要求を行う
That is, the identifier signal 10. outputs the value of the refresh unit identifier CKID to “
1'', a request is made to the setting readout circuit 4 to read out data indicating the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the refresh unit identifier CKID.

設定読みだし回路4とSRAM5とは、前述のように動
作して、リフレッシュ単位識別子〇KIDで表されるリ
フレッシュ単位に対するリフレッシュ要求の有無を表す
データを要求信号RQ  としてリフ】 レッシュ要求発生回路3に返す、リフレッシュ要求発生
回路3は、要求信号RQ  の値を調べる。その値が、
“0″ならばそのリフレッシュ単位に対するリフレッシ
ュ要求がないことを表すデータをSRAM5に書き込む
。すなわち、識別子信号101にリフレッシュ単位識別
子CにI[+の値を出力し、セット要求信号5ETRQ
を“1”にして、設定読みだし回路4に対してリフレッ
シュ単位識別子〇KIDで表されるリフレッシュ単位に
対するリフレッシュ要求がないというデータのセット要
求を行う。
The setting reading circuit 4 and the SRAM 5 operate as described above, and refresh the data indicating the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the refresh unit identifier KID as a request signal RQ to the refresh request generating circuit 3. The refresh request generation circuit 3 then checks the value of the request signal RQ. The value is
If it is "0", data indicating that there is no refresh request for that refresh unit is written into the SRAM 5. That is, the value of I[+ is output to the refresh unit identifier C to the identifier signal 101, and the set request signal 5ETRQ is output.
is set to "1" and requests the setting readout circuit 4 to set data indicating that there is no refresh request for the refresh unit represented by the refresh unit identifier 〇KID.

設定読みだし回路4とSRAM5とは、前述のように動
作してSRAM5にリフレッシュ単位識別子〇KIDで
表されるリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求が
ないというデータを記憶する。そして、動作を終了する
The setting reading circuit 4 and the SRAM 5 operate as described above, and store data indicating that there is no refresh request for the refresh unit represented by the refresh unit identifier 〇KID in the SRAM 5. Then, the operation ends.

ここまで説明した動作をまとめると、つぎのように言う
ことができる。すなわち、チェック要求信号CKRQに
より、リフレッシュ要求発生回路3が起動されると、リ
フレッシュ要求発生回路3はリフレッシュ単位識別子C
KIDで表されるリフレッシュ単位に対するリフレッシ
ュ要求の有無をチェックし、要求が無い場合にはSRA
M5にそのリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求
が有るというデータを記憶させ、終了する。
The operations explained so far can be summarized as follows. That is, when the refresh request generation circuit 3 is activated by the check request signal CKRQ, the refresh request generation circuit 3 generates the refresh unit identifier C.
Checks whether there is a refresh request for the refresh unit represented by KID, and if there is no request, sends SRA
Data indicating that there is a refresh request for the refresh unit is stored in M5, and the process ends.

さて、要求信号RQ、の値が“1パの場合の動作の説明
に戻る。このときには、リフレッシュ要求発生回路3は
、リフレッシュ単位識別子〇KIDの値をリフレッシュ
単位識別子CKID、に出力し、リフレッシュ要求信号
REFRQ、を1″にして、リフレッシュ制御回路6に
対して、リフレッシュ単位識別子CKIDの値で表され
るリフレッシュ単位のリフレッシュを要求する。
Now, returning to the explanation of the operation when the value of the request signal RQ is "1pa", the refresh request generation circuit 3 outputs the value of the refresh unit identifier 〇KID to the refresh unit identifier CKID, and requests a refresh request. The signal REFRQ is set to 1'' to request the refresh control circuit 6 to refresh the refresh unit represented by the value of the refresh unit identifier CKID.

リフレッシュ制御回路6は、リフレッシュ要求信号RE
FRQ  が′1″になったので、つぎのような動作を
開始する。まず、リフレッシュ要求信号REFRQ  
を“1”にして調停回路8にリフレッシュの許可を求め
る。調停回路8は前述のように動作して、リフレッシュ
の操作の許可を与える。すなわち、メモリアクセス中で
なければ、メモリ・アクセス要求信号MARQの値にか
かわらず直ちにリフレッシュ許可信号REFACKの値
を1″にし、メモリアクセス中ならば、メモリアクセス
終了後、直ちにリフレッシュ許可信号REFACにの値
を“1″にする。リフレッシュ制御回路6はリフレッシ
ュ許可信号REFACにの値が“1”になったことを検
出すると、リフレッシュ単位識別子信号REFID  
の値、すなわち、リフレッシュ単位識別子CKIDの値
をリフレッシュ単位識別子REFIDとして出力し、リ
フレッシュ信号REFO値を“1”にして、メモリ制御
回路9を駆動し、リフレッシュ単位識別子CKIDで表
されるリフレッシュ単位に対するリフレッシュ操作を行
う。また、同時に、リフレッシュ単位識別子信号REF
ID  の値、すなわち、リフレッシュ単位識別子Cに
IDの値を第一のリセット識別子R8TID1 として
出力し、第一のリセット要求信号R3TRQ、の値を“
1′′にして、設定読みだし回路4に対して、リフレッ
シュ単位識別子CKIDで表されるリフレッシュ単位に
対するリフレッシュ要求が無いというデータをSRAM
5にさせるよう要求する。設定読みだし回路4とS R
A M 5とは、前述のように動作して、リフレッシュ
単位識別子CKIDで表されるリフレッシュ単位に対す
るリフレッシュ要求が無いというデータを記憶する。そ
して、リフレッシ:L操作が終了するとリフレッシュ要
求信号REFRQ  を°゛0″にする。
The refresh control circuit 6 receives a refresh request signal RE.
Since FRQ becomes '1'', the following operation starts. First, refresh request signal REFRQ
is set to "1" to request permission for refreshing from the arbitration circuit 8. Arbitration circuit 8 operates as described above to grant permission for the refresh operation. That is, if the memory is not being accessed, the value of the refresh permission signal REFACK is immediately set to 1'' regardless of the value of the memory access request signal MARQ, and if the memory is being accessed, the value of the refresh permission signal REFAC is immediately set to 1'' after the memory access is completed. When the refresh control circuit 6 detects that the value of the refresh permission signal REFAC has become "1", it sets the refresh unit identifier signal REFID to "1".
, that is, the value of the refresh unit identifier CKID, is output as the refresh unit identifier REFID, the refresh signal REFO value is set to "1", the memory control circuit 9 is driven, and the refresh unit indicated by the refresh unit identifier CKID is Perform a refresh operation. At the same time, the refresh unit identifier signal REF
The value of ID, that is, the value of ID to the refresh unit identifier C, is output as the first reset identifier R8TID1, and the value of the first reset request signal R3TRQ is output as "
1'', data indicating that there is no refresh request for the refresh unit represented by the refresh unit identifier CKID is sent to the setting readout circuit 4 from the SRAM.
Request to make it 5. Setting readout circuit 4 and S R
A M 5 operates as described above and stores data indicating that there is no refresh request for the refresh unit represented by the refresh unit identifier CKID. Then, when the refresh:L operation is completed, the refresh request signal REFRQ is set to 0.

以上の動作をまとめると、つぎのように言うことができ
る。すなわち、チェック要求信号CKRQが発生ずると
、リフレッシュ単位識別子CKIDで表されるリフレッ
シュ単位に対するリフレッシュ要求の有無をチェックし
、要求が無い場合にはSRAM5にそのリフレッシュ単
位に対するリフレッシュ要求が有るというデータを記憶
させ、終了する。
The above operations can be summarized as follows. That is, when the check request signal CKRQ is generated, the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the refresh unit identifier CKID is checked, and if there is no request, data indicating that there is a refresh request for the refresh unit is stored in the SRAM 5. and exit.

要求が有る場合にはメモリアクセス中でないならば直ち
に、メモリアクセス中ならばそのアクセスが終了後直ち
に、そのリフレッシュ単位に対するリフレッシュ操作を
行うと共に、SRAM5にそのリフレッシュ単位に対す
るリフレッシュ要求が無いというデータを記憶させ、終
了する。
If there is a request, a refresh operation is performed on the refresh unit immediately if the memory is not being accessed, or immediately after the access is completed if the memory is being accessed, and data is stored in the SRAM 5 indicating that there is no refresh request for the refresh unit. and exit.

このような動作が、すべてのリフレッシュ単位について
、7.2118の時間間隔でリフレッシュ単位識別子の
値が0,1.・・・、  255.0.1.・・・。
This operation is performed for all refresh units when the value of the refresh unit identifier is 0, 1, . ..., 255.0.1. ....

255、0. 1.・・・の順で繰り返される。一つの
りフレンシュ単位についてみると、7.2μsX 25
6=1843.2us、すなわち、1.8432m S
の周期でこの動作が繰り返される。
255, 0. 1. ...is repeated in this order. Regarding one glue french unit, it is 7.2μsX 25
6=1843.2us, i.e. 1.8432m S
This operation is repeated at a cycle of .

つぎに、外部からのメモリアクセス操作の動きについて
説明する。外部からのメモリアクセス操作は、メモリア
クセス信号14ACCの値が′1”になることにより起
動され、あらかじめ定められた順で、アドレス信号AD
、読み書き制御信号R/W、データ信号D(書き込みア
クセス時のみ)が入力される。メモリアクセス制御回路
7は、メモリアク  。
Next, the movement of external memory access operations will be explained. An external memory access operation is started when the value of the memory access signal 14ACC becomes '1', and the address signal AD is activated in a predetermined order.
, read/write control signal R/W, and data signal D (only during write access) are input. The memory access control circuit 7 performs memory access.

セス信号HACCの値が1″になると、メモリ・アクセ
ス要求信号MARQを“1″にして調停回路8にメモリ
アクセスの許可をもとめる。調停回路8は、メモリ・ア
クセス要求信号)’1A110の値が1″になると、前
述のように動作して、メモリアクセスを許可する。すな
わち、リフレッシュ制御回路6がらのリフレッシュ要求
信号REFRQ  の値が“0°。
When the value of the access signal HACC becomes 1", the memory access request signal MARQ is set to "1" to request permission for memory access from the arbitration circuit 8. 1'', it operates as described above and allows memory access. That is, the value of the refresh request signal REFRQ from the refresh control circuit 6 is "0°."

で、かつ、リフレッシュ操作中でなければ、直ちに、そ
うでなければ、要求されている、或は、実行中のリフレ
ッシュ操作が終了し、かつ、その時点で、リフレッシュ
要求信号REFRQ□の値が“0″であるという条件が
成り立つまで待って、メモリ・アクセス許可信号HAA
CKを“1”にする。メモリアクセス制御回路7は、調
停回路8がら許可を受けると、あらかじめ定められたタ
イミングでメモリアクセス信号HACC,、読み書き制
御信号R/W  、アドレス信号へ〇 、データ信号D
 (書き込みアクセス時のみ)をメモリ制御回路9に対
して供給し、所望のアクセスを行う。読みだしアクセス
の時には、データ信号D に読みだしデータが得られる
のでその値をデータ信号りに出力する。このとき、レデ
ィ信号RDYを出力して外部との同期をとる。書き込み
アクセス時も同様にレディ信号RDYを出力して外部と
の同期をとる。
, and if a refresh operation is not in progress, immediately, otherwise the requested or ongoing refresh operation ends, and at that point, the value of the refresh request signal REFRQ□ becomes “ 0'' is satisfied, and the memory access permission signal HAA is
Set CK to “1”. Upon receiving permission from the arbitration circuit 8, the memory access control circuit 7 sends the memory access signal HACC, read/write control signal R/W, address signal 〇, and data signal D at a predetermined timing.
(Only during write access) is supplied to the memory control circuit 9 to perform the desired access. At the time of read access, read data is obtained as the data signal D, and its value is output as the data signal. At this time, a ready signal RDY is output to synchronize with the outside. During write access, the ready signal RDY is similarly output to synchronize with the outside.

また、調停回路8から、許可を得ると、第二のリセット
識別子R3TI(l  にアクセスしているアドレスが
属しているリフレッシユ+B位のりフレンシ二単位議別
子を出力し、第二のリセット要求信号R3TIIQ2を
“1″にして、アクセスしているアドレスが属している
リフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求が無いとい
うデータを記憶するように設定読みだし回i?84に要
求する。設定読みだし回路4とSRAM5とは、前述の
ように動作して、メモリアクセスを行っているアドレス
の属するリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求が
無いというデータをSRAM5に記憶する。そして、メ
モリアクセスが終了すると、メモリ・アクセス要求信号
HAFIQを°°0パにする。
Further, when permission is obtained from the arbitration circuit 8, the second reset identifier R3TI (l) is outputted as a refresh+B rank two-unit identifier to which the address accessing the address belongs, and a second reset request signal is output. Set R3TIIQ2 to "1" and request the setting readout circuit i?84 to store data indicating that there is no refresh request for the refresh unit to which the accessed address belongs. operates as described above, and stores in the SRAM 5 data indicating that there is no refresh request for the refresh unit to which the address that is accessing the memory belongs.Then, when the memory access is completed, the memory access request signal HAFIQ is output. ° Set to 0pa.

以上、述べたメモリアクセスの動作を要約すると、つぎ
のようになる。すなわち、外部からのメモリアクセスは
、リフレッシュ要求がなく、かつリフレッシュ中でもな
いタイミングを選んで実行され、同時にアクセスされた
アドレスを含むリフレッシュ単位に対するリフレッシュ
要求が無いというデータをSRAM5に記憶させる。
The memory access operation described above can be summarized as follows. That is, memory access from the outside is executed by selecting a timing when there is no refresh request and is not in the middle of refresh, and data indicating that there is no refresh request for the refresh unit including the address accessed at the same time is stored in the SRAM 5.

以上が、本実施例の装置の動作説明である。続いて、こ
の装置がいかにして本発明の目的を達成しているかにつ
いて説明する。この装置においては、従来の装置と同様
、情報が失われることはない。さらに、単位時間あたり
のリフレッシュ操作の回数は、従来の装置に比べて減少
する。以下に、図面をう照しながら、上記の二点につい
て説明する。
The above is an explanation of the operation of the apparatus of this embodiment. Next, it will be explained how this device achieves the object of the present invention. In this device, as in conventional devices, no information is lost. Furthermore, the number of refresh operations per unit time is reduced compared to conventional devices. The above two points will be explained below with reference to the drawings.

第2図は、ある一つのリフレッシュ単位に関する本実施
例装置の動作の概略を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an outline of the operation of the apparatus of this embodiment regarding one refresh unit.

横軸は時間であり、CPi、CPi+1、CPi+2、
CPi+3、CPi+4は、それぞれ、このリフレッシ
ュ単位に対する1番目、i+1番目、i+21目、i+
3番目、i+4番目のリフレッシュ・チェック要求の発
生時点を表す(iは正の整数)。この図の(a)、 (
b)、 (c)、 (d)は、それぞれ、メモリアクセ
スとリフレッシュ操作の時間的な組合せの違いによる動
作を示す、これらの図で、「↓」の付いた■は、このリ
フレッシュ単位に対するリフレッシュ操作を表し、「↓
」の付いたΦは、このリフレッシュ単位に属するアドレ
スに対するメモリアクセスを表す。パルス図形は、SR
AM5の保持するこのリフレッシュfii位に対するリ
フレッシュ要求の値を表す。高いレベルで「リフレッシ
ュ要求有り」を表し、低いレベルで[リフレッシュ要求
無し」を表している。以下、(a)、 (b)、 (C
)、 (d)の順に説明する。
The horizontal axis is time, CPi, CPi+1, CPi+2,
CPi+3 and CPi+4 are the 1st, i+1st, i+21st, and i+ for this refresh unit, respectively.
It represents the time point at which the third and i+4th refresh check requests occur (i is a positive integer). In this figure, (a), (
b), (c), and (d) respectively show operations due to different temporal combinations of memory access and refresh operations. In these figures, ■ marked with "↓" indicates refresh for this refresh unit. Represents an operation, “↓
Φ with " is a memory access to an address belonging to this refresh unit. The pulse shape is SR
It represents the value of the refresh request for this refresh position held by AM5. A high level represents "refresh request", and a low level represents "no refresh request". Below, (a), (b), (C
) and (d) will be explained in this order.

第2図(a)は、リフレッシュ・チェック要求発生時点
CPiで、SRAM5から「リフレッシュ要求有り」と
いう値が読みだされ、直後の■でリフレッシュ操作を行
った後、リフレッシュ・チェック要求発生時点CPi+
2までの間にこのリフレッシュ単位に属するアドレスに
対するメモリアクセスが全く無い場合の動作である。こ
の場合には、■でリフレッシュ操作を行ったときにリフ
レッシュ制御回路6がSRAM5の記憶する値を「リフ
レッシュ要求無し」に変える。リフレッシュ・チェック
要求発生時点CPiからCPi+1までの間にこのリフ
レッシュ単位に対するメモリアクセスが無いので、リフ
レッシュ・チェック要求発生時点CPi+1では、リフ
レッシュ要求発生回路3がSRAM5の記憶する値を「
リフレッシュ要求有り」に変える。さらに、リフレッシ
ュ・チェック要求発生時点CPi+1からCPi+2ま
での間にこのリフレッシュ単位に対するメモリアクセス
が無いので、リフレッシュ・チェック要求発生時点CP
 i ’−,2では、リフレッシュ要求発生回路3がリ
フレッシュを要求し、■でリフレッシュ操作が行われる
。このとき、S RA M 5の記憶する値は、リフレ
ッシュ制御回路6によって、「リフレッシュ要求無し」
に変えられる。
FIG. 2(a) shows that at the refresh check request generation point CPi, the value "refresh request present" is read out from the SRAM 5, and after the refresh operation is performed at the immediately following ■, the refresh check request generation point CPi+
This is the operation when there is no memory access to the address belonging to this refresh unit during the period up to 2. In this case, when the refresh operation is performed in (2), the refresh control circuit 6 changes the value stored in the SRAM 5 to "no refresh request". Since there is no memory access to this refresh unit between refresh check request generation time CPi and CPi+1, at refresh check request generation time CPi+1, refresh request generation circuit 3 changes the value stored in SRAM 5 to "
Change it to "Refresh requested". Furthermore, since there is no memory access to this refresh unit between refresh check request generation time CPi+1 and CPi+2, refresh check request generation time CP
At i'-,2, the refresh request generation circuit 3 requests refresh, and at (2), the refresh operation is performed. At this time, the value stored in SRAM 5 is determined by the refresh control circuit 6 as "no refresh request".
can be changed to

第2図(b)は、リフレッシュ・チェック要求発生時点
CPiで、第2図(a)と同じであり、このリフレッシ
ュm位に属するアドレスに対するメモリアクセスが、リ
フレッシュ・チェック要求発生時点CPiからCP j
、 + 1までの間に1回以上有り、リフレッシュ・チ
ェック要求発生時点CPi+1からCPi+2までの間
に全く無かった場合の図である。さて、・■でメモリア
クセスが行われると、メモリアクセス制御回路7は、S
RAM5に[リフレッシュ要求無しJという値を記憶さ
せる。リフレッシュ・チェック要求発生時点CPi+1
では、図に示すように「リフレッシュ要求無し」という
値が読みだされ、かつ、このリフレッシュ単位に属する
アドレスに対するメモリアクセスがリフレッシュ・チェ
ック要求発生時点CPi+1からCPi+2までの間に
全く無いので、リフレッシュ・チェック要求発生時点C
Pi+1以後の動作は、第2図(a)のリフレッシュ・
チェック要求発生時点CPi+1以後の動作と同じにな
る。なお、SRAM5の保持する値が「リフレッシュ要
求無し」の時に行われるメモリアクセスは、その後の動
作に影響を与えないので、以下の説明では省略すること
にする6 第2図(C)は、リフレッシュ・チェック要求発生時点
CPiでは、第2図(a)と同じであり、このリフレッ
シュ単位に対するメモリアクセスが、リフレッシュ・チ
ェック要求発生時点CPi+1からCPi+2の間に1
回以上有り、リフレッシュ・チェック要求発生時点CP
i+2からCPi+3の間には全く無かった場合を示す
。■は、これらのメモリアクセスの内の最初のアクセス
時点を示す。この時、SRAM5の保持する値は、メモ
リアクセス制御回路7により[リフレッシュ要求無し」
という値に変えられる。そして、図に示すように、リフ
レッシュ・チェック要求発生時点CP i +2では、
「リフレッシユ要求無し」という値が読みだされ、かつ
、リフレッシュ・チェック要求発生時点CPi+3まで
の間に、このリフレッシュ単位に対するメモリアクセス
が全く無いので、リフレッシュ・チェック要求発生時点
CP1 + 2以後の動作は、第2図(a)のCPi+
1以後の動作と同じになる。
FIG. 2(b) shows the refresh check request generation point CPi, which is the same as FIG.
, +1, and there is no refresh check request at all between CPi+1 and CPi+2. Now, when the memory access is performed in ・■, the memory access control circuit 7
The value ``No refresh request J'' is stored in the RAM 5. Refresh check request generation point CPi+1
In this case, as shown in the figure, the value "No refresh request" is read out, and since there is no memory access to the address belonging to this refresh unit between the refresh check request generation time CPi+1 and CPi+2, the refresh check request is not executed. Check request generation point C
The operation after Pi+1 is as shown in FIG. 2(a).
The operation is the same as that after the check request generation point CPi+1. Note that memory access performed when the value held by the SRAM 5 is "no refresh request" does not affect the subsequent operation, so it will be omitted from the following explanation. 6 Figure 2 (C) shows the refresh・The check request generation time point CPi is the same as in FIG.
More than once, CP at the time of refresh check request
The case where there is no data between i+2 and CPi+3 is shown. ■ indicates the first access point among these memory accesses. At this time, the value held in the SRAM 5 is set to "No refresh request" by the memory access control circuit 7.
It can be changed to the value . As shown in the figure, at the refresh check request generation time point CP i +2,
Since the value "No refresh request" is read and there is no memory access to this refresh unit until the refresh check request generation time point CPi+3, the operation after the refresh check request generation time point CP1+2 is , CPi+ in FIG. 2(a)
The operation is the same as after 1.

第2図(d)は、リフレッシュ・チェック要求発生時点
CPiでは、第2図(a)と同じであり、このリフレッ
シュ単位に対するメモリアクセスが、リフレッシュ・チ
ェック要求発生時点CPi+1からCPi+2の間に1
回以上有り、CPi+2からCPi+3の間にも1回以
上有り、リフレッシュ・チェック要求発生時点CPi+
3からCPi+4の間には、全く無かった場合を示す。
FIG. 2(d) is the same as FIG. 2(a) at the refresh check request generation time CPi, and the memory access for this refresh unit is 1 between the refresh check request generation time CPi+1 and CPi+2.
At least once, and at least once between CPi+2 and CPi+3, at the time of refresh check request CPi+
Between 3 and CPi+4, there is no case at all.

■は第2図(C)と同様に、それぞれの期間における最
初のメモリアクセス時点を示す。リフレッシュ・チェッ
ク要求発生時点CPiからCPi+2までの動作は、第
2図(C)と同じである。二つ目の@の時点で、S R
A M 5の値が、[リフレ・ソシュ要求無し」という
値に変えられる。リフレッシュ・チェック要求発生時点
CP i +3以後の動作は、第2図(a)のリフレッ
シュ・チェック要求発生時点CPi+1以後の動作と同
じである。
Similarly to FIG. 2(C), (2) indicates the first memory access time in each period. The operation from the refresh check request generating time point CPi to CPi+2 is the same as that in FIG. 2(C). At the second @, S R
The value of A M 5 is changed to the value ``No Reflet Soche Request''. The operation after the refresh check request generation point CP i +3 is the same as the operation after the refresh check request generation point CPi+1 in FIG. 2(a).

第2図(d)において、リフレッシュ・チェック要求発
生時点CPi+3からCPi+4の間に、このリフレッ
シュ単位に属するアドレスに対するメモリアクセスが有
った場合の動作も同様になる。
In FIG. 2(d), the operation is similar when there is a memory access to an address belonging to this refresh unit between the refresh check request generation time point CPi+3 and CPi+4.

このことから、リフレッシュ操作が行われ、そのつぎの
リフレッシュチェック要求発生時点を含みそれ以後の引
き続くn個(nは2以上の整数)のリフレッシュチェッ
ク要求発生時点で区切られたn−1個の期間の各々の期
間に、このリフレッシュ単位に属するアドレスに対して
少なくとも各1回のメモリアクセスがあると、第2図(
C)、(d)から分かるように二回目のリフレッシュ操
作が行われる時点が、第2図(a)に比べてn−1期間
後ろにずれる。
From this, a refresh operation is performed, and n-1 periods including the next refresh check request generation time and separated by n subsequent refresh check request generation times (n is an integer greater than or equal to 2) If there is at least one memory access to an address belonging to this refresh unit in each period of
As can be seen from C) and (d), the time point at which the second refresh operation is performed is shifted n-1 periods later than in FIG. 2(a).

前述のように、メモリアクセスを行うと、そのアドレス
を含むリフレッシュ単位が自動的にリフレッシュされる
ので、第2図の■の時点では、1つの時点と同様にその
リフレッシュ単位は、リフレッシュされている。第2図
で、引き続く二つのリフレッシュの間、すなわち、引き
続く■と0.10とΦ、■とOlおよび■と・■の間が
一番長いのは、第2図(a)のOと■の間である。この
時間間隔は、3つの引き続くリフレッシュ要求発生時点
間の時間間隔3.6864m Sにほぼ等しい。「はぼ
」というのは、初めの■の時点がメモリアクセスとの競
合で1メモリサイクル(本実施例の装置では、300n
S)遅れたり、二つ目のOの時点がメモリアクセスとの
競合で1メモリサイクル遅れなりすることがあるからで
ある。それでも、最悪値は、3.6867m Sであり
、本実施例のDRAMの定めろ最大リフレッシュ間隔4
 m Sよりも充分短い。全てのリフレッシュ単位につ
いて上に述べたことがいえるので、本実施例の装置にお
いては、IrW啜か失われることはない。
As mentioned above, when a memory access is performed, the refresh unit that includes that address is automatically refreshed, so at the time point ■ in Figure 2, the refresh unit has been refreshed just like at one time point. . In Figure 2, the longest interval between two consecutive refreshes, that is, between the successive ■ and 0.10 and Φ, ■ and Ol, and ■ and ・■, is the longest between O and ■ in Figure 2 (a). It is between. This time interval is approximately equal to the time interval of 3.6864 mS between three successive refresh request occurrences. ``Habo'' means that the first point ◯ is one memory cycle (300n in the device of this embodiment) due to competition with memory access.
S) may be delayed, or the second O may be delayed by one memory cycle due to conflict with memory access. Still, the worst value is 3.6867 mS, which is the maximum refresh interval 4
mSufficiently shorter than S. Since the above is true for all refresh units, no IrW volume is lost in the device of this embodiment.

また、第2図(C)、(d)のようにリフレッシュ操作
が行われ、そのつぎのリフレッシュチェック要求発生時
点を含みそれ以後の引き続くn個(nは2以上の整数)
のリフレッシュチェック要求発生時点で区切られたn−
1個の期間の各々の期間に、このリフレッシュ単位に属
するアドレスに対して少なくとも各1回のメモリアクセ
スがあると、あるリフレッシュ操作とつぎのリフレッシ
ュ操作との間隔が、第2図(a)にくらべて、((n−
1)x 1.8432) m S長くなる。全てのリフ
レッシュ単位について、このことがいえるので、リフレ
ッシュ操作の頻度も低下することになる。
In addition, refresh operations are performed as shown in FIGS. 2(C) and (d), and the subsequent n times including the time when the next refresh check request is generated (n is an integer of 2 or more)
n- separated at the time the refresh check request is generated
If there is at least one memory access to an address belonging to this refresh unit in each period, the interval between one refresh operation and the next refresh operation will be as shown in FIG. 2(a). In comparison, ((n-
1) x 1.8432) m S becomes longer. Since this is true for all refresh units, the frequency of refresh operations also decreases.

以上述べたことから、本実施例の装置では、DRAMの
債報を失うこと無く、リフレッシュ操作の頻度を少なく
することができメモリアクセス実行速度を向上せしめる
ことができる。
As described above, in the device of this embodiment, the frequency of refresh operations can be reduced and the memory access execution speed can be improved without losing the memory of the DRAM.

なお、本実施例の装置においては、記憶容量が256K
Wであるが、 512KW、IMW、などでも構わない
。この場合には、256にビットのDRAMを二つまた
は、四つのバンクに分けて、アドレスの上位1ビツトま
たは2ビツトをデコードして、読み書きするバンクを選
択する。このとき、選択されなかったバンクに対しては
、そのアドレスの属するリフレッシュ単位に対してRA
Sオンリーリフレッシュを行えばよい、リフレッシュ・
チェックにより起動されるリフレッシュ操作は、全ての
バンクに対して同時に行う。また、−度にアクセスでき
るデータ幅が32ビツトであるが、8ビツト、16ビツ
ト等でも構わない。
Note that in the device of this embodiment, the storage capacity is 256K.
W, but 512KW, IMW, etc. are also acceptable. In this case, the 256-bit DRAM is divided into two or four banks, and the upper one or two bits of the address are decoded to select the bank for reading and writing. At this time, for banks that are not selected, RA is applied to the refresh unit to which the address belongs.
All you need to do is perform an S-only refresh.
A refresh operation triggered by a check is performed on all banks simultaneously. Further, although the data width that can be accessed per time is 32 bits, it may be 8 bits, 16 bits, etc.

(発明の効果) 以上に詳しく説明したように、本発明は、通常のメモリ
アクセスによるリフレッシュの効果を有効に利用するこ
とにより、リフレッシュ操作の回数を誠らすことができ
、メモリアクセスの実行速度を向上させる。
(Effects of the Invention) As explained in detail above, the present invention makes it possible to reduce the number of refresh operations by effectively utilizing the refresh effect of normal memory accesses, thereby increasing the memory access execution speed. improve.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図(
a)〜(d)はその実施例の動作の概要を示すタイミン
グ図である。 1・・・72分の1分周器、2・・・256進カウンタ
、6・・・リフレッシュ要求発生回路、4・・・設定読
みだし回路、5・・・SRAM、6・・・リフレッシュ
制御回路、7・・・メモリアクセス制御回路、8・・・
調停回路、9・・・メモリ制御回路、1000〜103
1・・・DRAM。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG. 2 (
a) to (d) are timing diagrams showing an overview of the operation of the embodiment. 1...1/72 frequency divider, 2...256 hexadecimal counter, 6...Refresh request generation circuit, 4...Setting reading circuit, 5...SRAM, 6...Refresh control Circuit, 7... Memory access control circuit, 8...
Arbitration circuit, 9...Memory control circuit, 1000-103
1...DRAM.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1回のリフレッシュ動作によってリフレッシュされるリ
フレッシュ単位をひとつ以上有するダイナミック・ラン
ダム・アクセス・メモリ・システムの、制御方式におい
て、 各リフレッシュ単位を一意に識別するリフレッシュ単位
識別子を定め、 全てのリフレッシュ単位について、リフレッシュ単位毎
にそのリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求の有
無を表すデータを記憶するリフレッシュ要求記憶手段と
、 与えられたリフレッシュ単位識別子で表されるリフレッ
シュ単位に対するリフレッシュ要求の有無を表す与えら
れたデータをリフレッシュ要求記憶手段に記憶せしめる
リフレッシュ要求設定手段と、 与えられた識別子で表されるリフレッシュ単位に対する
リフレッシュ要求の有無を表すデータをリフレッシュ要
求記憶手段から取り出すリフレッシュ要求取り出し手段
と、 ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリのサイクル
・タイムよりも充分大きな時間間隔で、全てのリフレッ
シュ単位に対するリフレッシュ単位識別子をあらかじめ
定められた順に発生し、発生した各々のリフレッシュ単
位識別子で表されるリフレッシュ単位に対するリフレッ
シュ・チェック要求を発生するという動きを、最大リフ
レッシュ間隔の半分より充分短く、かつ3分の1よりも
充分長い繰り返し周期でもって行うリフレッシュ・チェ
ック要求手段と、 与えられたリフレッシュ単位識別子で表されるリフレッ
シュ単位に対するリフレッシュ要求の有無を表すデータ
を、リフレッシュ要求取り出し手段によりリフレッシュ
要求記憶手段から取り出し、リフレッシュ要求の有無を
調べ、リフレッシュ要求がない場合には、そのリフレッ
シュ単位に対するリフレッシュ要求が有るというデータ
をリフレッシュ要求設定手段によりリフレッシュ要求記
憶手段に記憶せしめ、リフレッシュ要求が有る場合には
、そのリフレッシュ単位の識別子とともにリフレッシュ
要求を発生するリフレッシュ要求発生手段と、 リフレッシュ要求があったときメモリ・アクセス中でな
いならば直ちにリフレッシュを許可し、メモリ・アクセ
ス中ならばメモリ・アクセスの終了を待ってリフレッシ
ュを許可し、メモリ・アクセス要求があったとき同時に
リフレッシュ要求がないならば直ちにメモリ・アクセス
を許可し、リフレッシュ中ならばリフレッシュの終了を
待ってメモリ・アクセスを許可し、もってリフレッシュ
とメモリ・アクセスとが衝突しないように調停する調停
手段と、 調停手段の許可を得て、リフレッシュ要求発生手段の発
生したリフレッシュ要求によって与えられる識別子で表
されるリフレッシュ単位をリフレッシュすると共に、リ
フレッシュ要求設定手段によってそのリフレッシュ単位
に対するリフレッシュ要求が無いというデータをリフレ
ッシュ要求記憶手段に記憶せしめるリフレッシュ制御手
段と、外部からメモリへのアクセスが発生すると、調停
手段の許可を得てそのメモリ・アクセスを実行すると共
に、アクセスされるアドレスを含むリフレッシュ単位の
識別子とリフレッシュ要求が無いというデータをリフレ
ッシュ要求設定手段に与えて、そのリフレッシュ単位に
対するリフレッシュ要求が無いことをリフレッシュ要求
記憶手段に記憶せしめるメモリ・アクセス制御手段とを
含むことを特徴とするダイナミック・ランダム・アクセ
ス・メモリの制御方式。
[Claims] In a control method for a dynamic random access memory system having one or more refresh units that are refreshed by one refresh operation, a refresh unit identifier that uniquely identifies each refresh unit is defined, For all refresh units, a refresh request storage means stores data representing the presence or absence of a refresh request for each refresh unit, and a refresh request storage means stores data representing the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by a given refresh unit identifier. a refresh request setting means for storing the given data in the refresh request storage means; a refresh request retrieval means for retrieving data representing the presence or absence of a refresh request for the refresh unit represented by the given identifier from the refresh request storage means; Generates refresh unit identifiers for all refresh units in a predetermined order at time intervals that are sufficiently larger than the cycle time of the random access memory, and then generates refresh unit identifiers for the refresh units represented by each generated refresh unit identifier. refresh check request means for generating a check request at a repetition period that is sufficiently shorter than half of the maximum refresh interval and sufficiently longer than one-third of the maximum refresh interval; and a refresh indicated by a given refresh unit identifier. The refresh request retrieving means retrieves data indicating whether there is a refresh request for the unit from the refresh request storage means, checks whether there is a refresh request, and if there is no refresh request, refreshes the data indicating that there is a refresh request for the refresh unit. a refresh request generating means for storing the refresh request in the refresh request storage means by the request setting means, and generating a refresh request together with an identifier of the refresh unit when there is a refresh request; Permits refresh immediately, if memory access is in progress, waits for the end of memory access and then allows refresh; if there is a memory access request and there is no refresh request at the same time, immediately permits memory access, and if refresh is in progress Then, there is an arbitration means that waits for the completion of the refresh and then permits memory access, thereby arbitrating so that refresh and memory access do not conflict; and a refresh request generated by the refresh request generation means with permission from the arbitration means. refresh control means for refreshing a refresh unit represented by an identifier given by and causing the refresh request setting means to store data indicating that there is no refresh request for the refresh unit in the refresh request storage means; When a refresh request occurs, the memory access is executed with permission from the arbitration means, and an identifier of the refresh unit including the address to be accessed and data indicating that there is no refresh request are given to the refresh request setting means, and refresh for that refresh unit is performed. 1. A control method for a dynamic random access memory, comprising: memory access control means for causing a refresh request storage means to store that there is no request.
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