SU792290A1 - Device for control of regeneration of information in dynamic memory units - Google Patents
Device for control of regeneration of information in dynamic memory units Download PDFInfo
- Publication number
- SU792290A1 SU792290A1 SU782596728A SU2596728A SU792290A1 SU 792290 A1 SU792290 A1 SU 792290A1 SU 782596728 A SU782596728 A SU 782596728A SU 2596728 A SU2596728 A SU 2596728A SU 792290 A1 SU792290 A1 SU 792290A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- regeneration
- memory
- inputs
- address
- elements
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dram (AREA)
Description
Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для использования в полупроводниковых запоминающих устройствах с динамическими запоминающими элементами.The invention relates to computer technology and is intended for use in semiconductor memory devices with dynamic memory elements.
Одно из известных устройств для управления регенерацией информации в динамической памяти использует., особенность этой памяти, заключающуюся в том, что все ячейки выбранной строки автоматически регенерируются при любом обращении к строке. 'One of the known devices for controlling the regeneration of information in dynamic memory uses., A feature of this memory, which is that all cells of the selected row are automatically regenerated upon any access to the row. ''
Устройство содержит селектор адресов строк, счетчик, индикатор регенерации и блок управления; пропускается очередная регенерация информации в строке в том случае, если перед запросом на регенерацию к этой строке было ’ обращение в течение интервала 7 - , гдеThe device contains a line address selector, counter, regeneration indicator and control unit; the next information regeneration in the line is skipped if, before the request for regeneration, this line was ’accessed during interval 7 -, where
ТХр — допустимый период хранения информации между очередными регенерациями; R — количество строк в памяти [1]. ;T X p - the permissible period of storage of information between successive regenerations; R is the number of lines in memory [1]. ;
Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство, в котором отменяется очередная регенерация, если зафикси2 ровано обращение к строке в течение интервала времени*Τχρ/2 Оно содержит селектор адреса строки, выходы которого подключены ко входам дешифратора адреса строки, выходы которого подсоединены ко входам установки в ”0” элементов памяти, выходы которых подключены к первым входам соответствующих элементов И и к элементу ИЛИ, выход которого подключен ко входу блока управления, и сигнализирует о наличии строк динамической памяти, подлежащих регенерации. Входы установки ”1” всех элементов памяти объединены и соединены с выходом ’’Сброс” блока управления [2].The closest in technical essence to the invention is a device in which the next regeneration is canceled if an access to the line is fixed during the time interval * Τ χ ρ / 2 It contains a line address selector, the outputs of which are connected to the inputs of the line address decoder, the outputs of which are connected to the installation inputs to ”0” memory elements, the outputs of which are connected to the first inputs of the corresponding AND elements and to the OR element, the output of which is connected to the input of the control unit, and signals the presence of lines dynamic memory to be regenerated. The setting inputs “1” of all memory elements are combined and connected to the “Reset” output of the control unit [2].
Недостатки этого устройства, снижающие его быстродействие, следующие: период принудительной регенерации каждой строки равен З’кр/Й ,что приводит к избыточным циклам регенерации; обращения к ЗУ запрещаются во время опроса элементов памяти.The disadvantages of this device, reducing its performance, are as follows: the period of forced regeneration of each line is equal to Z'kr / Y, which leads to excessive regeneration cycles; access to the memory is prohibited during the interrogation of memory elements.
Целью изобретения является повышение бы стродействия устройства для управления регенерацией в динамической памяти.The aim of the invention is to increase the speed of the device for controlling regeneration in dynamic memory.
Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для управления регенерацией информации в блоках динамической памяти, содержащем первый блок адреса строки, первый вход которого подключен к адресным $ шинам, а второй - к первому выходу блока управления, второй выход которого соединен с первыми входами элементов памяти, выходы которых подключены соответственно к первым входам первых элементов И, выходы которых ю через элемент ИЛИ соединены с входом блока управления, и дешифратор адреса строки, введены вторые элементы И, второй блок адреса строки и счетчик адреса строки, соединенный с блоком управления и третьими входами бло- 15 ков адреса строки, первый и второй входы второго блока адреса строки соединены соответственно с выходом первого блока адреса строки и третьим выходом блока управления, а выход через дешифратор адреса строки — со 20 вторыми входами первых и вторых элементов И, первые входы вторых элементов И подключены к четвертому выходу блока управления, выходы вторых элементов И соединены соответственно со вторыми входами элементов 25 памяти.This goal is achieved by the fact that in the device for controlling the regeneration of information in blocks of dynamic memory containing the first block of the line address, the first input of which is connected to the address bus, and the second to the first output of the control unit, the second output of which is connected to the first inputs of memory elements the outputs of which are connected respectively to the first inputs of the first AND elements, the outputs of which through the OR element are connected to the input of the control unit, and a line address decoder, the second AND elements are entered, the second block is the address and the line and the line address counter connected to the control unit and the third inputs of the line address block 15, the first and second inputs of the second line address block are connected respectively to the output of the first line address block and the third output of the control unit, and the output through the line address decoder is with 20 second inputs of the first and second elements AND, the first inputs of the second elements AND are connected to the fourth output of the control unit, the outputs of the second elements AND are connected respectively to the second inputs of the memory elements 25.
На чертеже представлена блок-схема устройства.The drawing shows a block diagram of a device.
Предлагаемое устройство содержит блок 1 управления, счетчик 2 адресов строк, первый 30 блок 3 адреса строки, второй блок 4 адреса строки, дешифратор 5 адреса строки, первые элементы И 6, элементы 7 памяти, вторые элементы И 8, элемент ИЛИ 9, шины 10 адреса. 35The proposed device contains a control unit 1, a counter 2 line addresses, a first 30 block 3 line addresses, a second block 4 line addresses, a decoder 5 line addresses, the first elements AND 6, memory elements 7, second elements AND 8, element OR 9, bus 10 addresses. 35
По способу организации логических связей элементы 7 памяти являются D-триггерами.By the method of organizing logical connections, memory elements 7 are D-triggers.
Устройство для управления регенерацией посылает в процессор сигналы требования на цикл регенерации и принимает сигналы вы- 40 полнения циклов обращения в ЗУ.The device for controlling the regeneration sends to the processor signals of the demand for the regeneration cycle and receives signals for completing circulation cycles in the memory.
При отсутствии обращений к ЗУ и когда нет сигналов запроса периодической регенерации, вырабатываемых блоком 1 управления с частотой 2R блок управления держит на 45 первых входах вторых элементов И 8 уровень ”0”, запрещая прием информации в элементы 7 памяти.In the absence of accesses to the memory and when there are no signals of the request for periodic regeneration generated by the control unit 1 with a frequency of 2R, the control unit holds at the first 45 inputs of the second elements AND the 8 level is “0”, prohibiting the reception of information in the memory elements 7.
При каждом обращении к ЗУ и отсутствии 5θ сигналов запроса регенерации блок 1 управления устанавливает на управляющих входах блоков 3 и 4 логические уровни, подключающие шины 10 адреса к соответствующим адресным входам ЗУ и ко входам дешифратора 5. При этом код 5J адреса подается через первый блок 3 адреса строки и через второй блок 4 адреса строки на входы дешифратора 5 адреса строки. На информационные входы элементов 7 памяти и на первые входы вторых элементов И 8 с соответствующих выходов блока управления подается ”1” и таким образом происходит запись ”1” в элемент 7 памяти, адрес которого соответствует выбранной строке.Each time the memory is accessed and there are no 5 θ regeneration request signals, the control unit 1 sets the logic levels at the control inputs of blocks 3 and 4 that connect the address buses 10 to the corresponding address inputs of the memory and to the inputs of the decoder 5. In this case, the address code 5J is supplied through the first block 3 line addresses and through the second block 4 line addresses to the inputs of the decoder 5 line addresses. On the information inputs of the memory elements 7 and on the first inputs of the second elements And 8 from the corresponding outputs of the control unit is fed “1” and thus the record “1” in the memory element 7, the address of which corresponds to the selected line.
Состояние счетчика 2 адреса строк меняется с частотой по сигналам блока 1 управления. С этой же частотой в конце каждого интервала состояния счетчика 2 блок управ1 ; ления вырабатывает сигнал запроса периодической регенерации, по которому на вторых входах вторых элементов И 8 устанавливается ”0”, запрещая прием информации в элементы 7 памяти, а на управляющем входе второго блока 4 адреса строки устанавливается логический уровень, коммутирующий адрес, содержащийся в счетчике 2, на входы дешифратора 5 адреса строки через второй блок 4 адреса строки. Если при этом из адресуемого элемента 7 памяти через соответствующий элемент Иби элемент ИЛИ 9 на вход блока 1 управления поступает ”1”, то блок управления не возбуждает требования регенерации, а проводит запись ”0” в тот же элемент памяти, для чего на первых входах вторых элементов И 8 устанавливается уровень ”1”, а на информационных входах элементов 7 памяти ”0”.The status of the counter 2 of the line address changes with frequency according to the signals of the control unit 1. With the same frequency, at the end of each interval of the status of counter 2, control unit 1 ; the line generates a request signal for periodic regeneration, according to which on the second inputs of the second elements And 8 is set to “0”, prohibiting the reception of information in the elements 7 of the memory, and at the control input of the second block 4 of the line address is set to a logical level, the switching address contained in the counter 2, to the inputs of the decoder 5 addresses of the line through the second block 4 of the address of the line. If at the same time “1” is received from the addressed memory element 7 through the corresponding Ibi element OR 9 to the input of the control unit 1, the control unit does not initiate regeneration requirements, but writes “0” to the same memory element, for which purpose at the first inputs of the second elements And 8 the level is set to “1”, and at the information inputs of the elements 7 of the memory is “0”.
При выполнении обращений к памяти во время действия сигнала запроса регенерации кодовые шины JO адреса подключаются к соответствующим адресным входам ЗУ через, блок 3.When performing memory accesses during the operation of the regeneration request signal, the code bus JO addresses are connected to the corresponding address inputs of the memory through block 3.
Если же при запросе регенерации из адресуемого элемента 7 памяти на вход блока 1 управления поступает ”0”, то воздужается требование цикла регенерации, запрещающее обращение к ЗУ. В этом случае на выходы блоков 3 и 4 с выходов счетчика 2 коммутируется адрес строки, подлежащей принудительной регенерации, путем подачи соответствующих логических уровней из блока управления на управляющие входы этих селекторов. Одновременно с циклом регенерации проводится запись ”1” в адресуемый элемент 7 памяти таким же образом, как и при обычном обращении к ЗУ.If, when requesting regeneration, “0” is received from the addressable memory element 7 at the input of control unit 1, then the requirement of the regeneration cycle is forbidden, which prohibits access to the memory. In this case, at the outputs of blocks 3 and 4 from the outputs of counter 2, the address of the line to be forced regenerated is switched by supplying the corresponding logic levels from the control unit to the control inputs of these selectors. Simultaneously with the regeneration cycle, “1” is written to the addressable memory element 7 in the same way as during normal access to the memory.
После включения устройства, когда элементы 7 памяти могут находиться в произвольных состояниях, при работающем блоке управления во всех строках ЗУ будет проведена регенерация через ТХр.After the device is turned on, when the memory elements 7 can be in arbitrary states, when the control unit is working, regeneration will be carried out in all lines of the memory through T X p.
Как видно из изложения принципа функционирования устройства, факт обращений к каждой строке фиксируется соответствующим элементом 7 памяти в течение интервала ТХр/2 между очередными запросами на регенерацию этой строки.As can be seen from the description of the principle of operation of the device, the fact of accesses to each row is fixed by the corresponding memory element 7 during the interval T X p / 2 between successive requests for regeneration of this row.
Если обращения к данной строке отсутствуют в течение интервала ТХр^после принудитель-. ной регенерации этой строки, то при очередном запросе на регенерацию будет произведена запись ”0” в соответствующий элемент па- 5 мята без проведения цикла регенерации и только через два интервала т.е. с частотой 1/ТХр .будет производиться регенерация с установкой элемента памяти в ”1”.If access to this line is absent during the interval T X p ^ after forced-. hydrochloric regeneration of this row, then the next request for regeneration be recorded is "0" in the corresponding element of PA-5 mint without regeneration cycle and only after two intervals i.e. with a frequency of 1 / T X r. regeneration will be carried out with the memory element set to “1”.
Таким образом, предлагаемое устройство име-ю ет следующие характеристики:Thus, the proposed device has the following characteristics:
период принудительной регенерации равен Тхр; во время действия сигнала запроса на регенерацию выполнение очередного обращения к ЗУ не запрещается; 15 принуда гельная регенерация строки не производится, если к ней было обращение в течение ТХр/2 перед запросом на регенерацию.the period of forced regeneration is equal to T x p; during the action of the signal of the request for regeneration, the next call to the memory is not prohibited; 15, gel gel regeneration of a row is not performed if it was accessed during T X p / 2 before a request for regeneration.
В предлагаемом устройстве по сравнению с известным понижается частота циклов при- 20 нудительной регенерации и не запрещается выполнение циклов обращений к ЗУ во время действия сигналов запроса на регенерацию, в результате чего повышается быстродействие устройства. Из сравнения с характеристиками 25 известного устройства следует, что затраты времени на управление регенерацией информации с помощью данного устройства, даже без учета выполнения им запросов на регенерацию параллельно с обращениями процессора, зо вдвое меньше, чем в известном устройстве.In the proposed device, compared with the known one, the frequency of forced regeneration cycles is reduced and the cycles of accessing the memory during the action of the regeneration request signals are not prohibited, as a result of which the speed of the device is increased. From a comparison with the characteristics 25 of the known device, it follows that the time spent on managing the regeneration of information using this device, even without taking into account the fulfillment of requests for regeneration in parallel with the processor accesses, is half as much as in the known device.
Повышенное быстродействие предлагаемого устройства позволяет увеличить время доступности запоминающего устройства для процессора и, следовательно, производительность ЭВМ. 35 The increased performance of the proposed device allows to increase the availability time of the storage device for the processor and, therefore, the performance of the computer. 35
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782596728A SU792290A1 (en) | 1978-03-30 | 1978-03-30 | Device for control of regeneration of information in dynamic memory units |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782596728A SU792290A1 (en) | 1978-03-30 | 1978-03-30 | Device for control of regeneration of information in dynamic memory units |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU792290A1 true SU792290A1 (en) | 1980-12-30 |
Family
ID=20756230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782596728A SU792290A1 (en) | 1978-03-30 | 1978-03-30 | Device for control of regeneration of information in dynamic memory units |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU792290A1 (en) |
-
1978
- 1978-03-30 SU SU782596728A patent/SU792290A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0138964B1 (en) | Apparatus for controlling access to a memory | |
US7483331B2 (en) | Semiconductor memory, memory system, and operation method of memory system | |
JPH0212541A (en) | Computing system and operation thereof | |
US5329489A (en) | DRAM having exclusively enabled column buffer blocks | |
US5822265A (en) | DRAM controller with background refresh | |
GB2135086A (en) | Dynamic memory refreshing | |
JPS6242396A (en) | Dynamic memory refresh and parity checking circuit | |
SU792290A1 (en) | Device for control of regeneration of information in dynamic memory units | |
US6862654B1 (en) | Method and system for using dynamic random access memory as cache memory | |
JPH0682339B2 (en) | Memory access system and method | |
JPS61122994A (en) | Dynamic type semiconductor storage device | |
KR20230082529A (en) | Memory device reducing power noise in refresh operation and Operating Method thereof | |
KR930006380B1 (en) | Dynamic ram controller and its method | |
EP0818008B1 (en) | Dynamic ram in a microprocessor system | |
JPS5918792B2 (en) | Refresh read/write control method | |
JPH04245346A (en) | Microcomputer system | |
JPH02130792A (en) | Memory access control circuit | |
JPH0241108B2 (en) | ||
JPS60119694A (en) | Refresh method of dynamic memory | |
JPH09320263A (en) | Semiconductor storage device and its refresh control method | |
JPH0746495B2 (en) | DRAM parity generation / check method | |
JPS6235146B2 (en) | ||
JPS6134618A (en) | Memory clear controlling system | |
JPH07153255A (en) | Memory device | |
JPH0324640A (en) | Debugging system for information processor |