JPH0240552Y2 - - Google Patents
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- JPH0240552Y2 JPH0240552Y2 JP1982142161U JP14216182U JPH0240552Y2 JP H0240552 Y2 JPH0240552 Y2 JP H0240552Y2 JP 1982142161 U JP1982142161 U JP 1982142161U JP 14216182 U JP14216182 U JP 14216182U JP H0240552 Y2 JPH0240552 Y2 JP H0240552Y2
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
本考案は磁気抵抗素子を利用した磁気検出器の
改良に関するものである。 InSb，InSb−NiSb，InAs等のキヤリヤ移動度
が高い半導体又はNi−Co，Ni−Fe，Ni−Fe−
Co等の強磁性体はこれに磁界を作用させたとき
抵抗値が変化するという性質を有し、この性質を
利用して磁気の存在，磁性体の存在，移動の検出
を行う磁気検出器が実用化されている。 第１図は従来の磁気検出器を示す正面断面図で
あり、図中２１は筺体を示している。筺体２１は
プラスチツク成形品であつて、上面に形成した開
口部２１ａはベリリウム−銅製の薄膜よりなる保
護板２２にて閉鎖されている。保護板２２は筺体
２１に一体にモールドされており、その外面には
耐摩耗性向上のために心要に応じてクロムメツキ
が施される。 筺体２１内にはこの保護板２２と適当な間隙を
隔ててセンサユニツト２３が配設されている。セ
ンサユニツト２３は第２図に模式的に拡大して示
すようにフエライト製の磁性体基板２４上に接着
用樹脂２５を用いて磁気抵抗素子２６，２７を並
設したものであり、この磁性体基板２４はプラス
チツク製のマウント基板２８に穿設した穴に嵌合
され、マウント基板２８の下面のリン青銅製の底
板２８′を介して、磁性体基板２４の下面をFe−
Cr−Co磁石等で形成されたバイアス用の永久磁
石２９に対向させてある。マウント基板２８上に
はセンサユニツト２３を囲繞する環状スペーサ３
０が設けられており、開口部２１ａの周縁に該ス
ペーサ３０の上面を接触させて保護板２２と磁気
抵抗素子２６，２７との間隔が所定値になるよう
にしてある。各磁気抵抗素子２６，２７から引き
出されたリード線３１はマウント基板２８上のプ
リント配線を経て外部へ引出されている。 ところで従来の磁気検出器にあつては、永久磁
石２９として鉄−クロム−コバルト等の合金磁石
が用いられているが、可逆透磁率が6.2程度と大
きいために外乱磁界が存在するとき、その磁力線
を第２図に示す如く永久磁石２９側、換言すれば
センサユニツト２３を構成する磁気抵抗素子２
６，２７周辺に引き込み永久磁石２９本来の磁束
密度分布を変化せしめる結果、これが雑音として
捉えられるＳ／Ｎ比（信号対雑音比）が低くなる
という難点があつた。 本考案はかかる事情に鑑みなされたものであつ
て、その目的とするところは複数の磁気抵抗素子
に対してバイアス磁界を与える磁石を可逆透磁率
1.5以下の希土類金属を用いて形成することによ
り、外乱磁界の磁力線に対しての引き込みがなく
磁気抵抗素子前方の磁束密度分布に与える影響を
低減し、Ｓ／Ｎ比の大幅な向上を図り得るように
した磁気検出器を提供するにある。 以下本考案をその実施例を示す図面に基いて具
体的に説明する。第３図は本考案に係る磁気検出
器（以下本案品という）の正面断面図であり、図
中１は筺体、１１は筺体１を構成する本体部分、
１２は同じくキヤツプ部分、１３は底板部分を示
している。本体部分１１は黄銅板を絞り加工して
形成してあつて、四隅部に若千丸味を与えた肉厚
0.5mmの四角筒状に形成されており、その上端部
はここに嵌着したキヤツプ部分１２によつて、ま
た下端部は同じくここに嵌着した底板部分１３に
て夫々閉鎖され、内部にはマウント基板２、セン
サユニツト３、永久磁石４等が配設され、それ以
外の空間部１４には合成樹脂が充填せしめられて
いる。 本体部分１１はその下側過半部分の範囲は断面
一様な矩形状をなし、またキヤツプ部分１２を嵌
着すべき上端部は肉厚を同じにした状態で断面形
状をキヤツプ部分１２の肉厚相当部分だけ縮小形
成され、そして上端末はその周縁部を中心線側に
向けて断面円弧状をなす肩部１１ａを形成するよ
う絞り込み、中央部に縮小された矩形状の開口部
１１ｂを形成せしめてある。 キヤツプ部分１２はリン青銅板を絞り加工して
肉厚が0.1mmの四角形の皿鉢状に形成してあつて、
前記本体部分１１の開口部１１ｂと対向する部分
は平坦面に、また肩部１１ａと対向する部分はこ
れと面接触するよう同様の曲率をもつ円弧状の肩
部１２ａが形成されており、本体部分１１の上端
に密接状態で外嵌され、全周にわたつて、或いは
適数個所をスポツト的に本体部分１１に溶接され
ている。底板部分１３は例えばプラスチツク成形
品であつて、本体部分１１の下端開口部に嵌合固
定されている。 マウント基板２は前記した各部材によつて形成
される筺体１内に本体部分１１の開口部１１ｂに
面して位置し、スペーサ５を介してキヤツプ部分
１２の下方にこれと所要の間隔を隔てて配設さ
れ、中央には上下に貫通する穴が穿設され、下面
には穴を閉鎖する態様でリン青銅製の底板２′が
固定されており、上面側から前記穴にセンサユニ
ツト３が挿入固定され、また下面の底板２′には
センサユニツト３と対応させてその直下に
SmCo5，Sm2CO17等の希土類金属の低透磁率材
料を用いて形成した円柱状の永久磁石４の一磁極
端面が固定されている。センサユニツト３は第４
図に示す如くマウント基板２の穴内に固定したシ
リコン等の非磁性体基板６上に合成樹脂接着剤６
ａを用いて２個の磁気抵抗素子７，８を並列固定
して形成され、各磁気抵抗素子７，８から引き出
したリードはマウント基板２に穿つた孔を通して
その下面に導かれ、ここでリード板９ａの一端に
接続されており、その他端は底板部分１３に穿つ
た孔を通してその下方に所要長にわたつて延在さ
れている。９ｂは筺体１の本体部分１１内面に一
端を接続されたアース用のリード板であつてその
他端は同じく底板部分１３に穿つた孔を通してそ
の下方に延在せしめられている。 而して上述の如く構成した本案品にあつては永
久磁石４は希土類磁石等を用いた低透磁率の材料
にて形成されているから、外乱磁界が存在してい
ても、その磁力線を磁気抵抗素子７，８前方に引
き込むことがなく、第４図に示す如く外乱磁界に
よる磁力線はセンサユニツト３の周辺においても
略均一に分布する結果、バイアス磁界の磁束密度
分布に与える影響が著しく低減され、雑音に煩わ
されることなく磁気抵抗素子の抵抗値変化を的確
に捉え得、Ｓ／Ｎ比が大幅に向上し得ることとな
る。ちなみに永久磁石４として可逆透磁率1.1の
SmCo5磁石を用いた場合には可逆透磁率6.2のFe
−Cr−Co磁石を用いた場合に比較してＳ／Ｎ比
が1.5倍向上し得ることが確認された。 なお上記希土類磁石は希土類金属（Ｙ，La，
Pr，Nd，Sm，Gd）Ｒと遷移金属（Fe，Co，Ni
等）Ｒとの金属間化合物、例えばRT2，RT3，
RT5，R2T7，R2T17，R3T，R5T19，R9T4等を
素材とする磁石を含むものである。ちなみに各種
永久磁石と可逆透磁率，Ｓ／Ｎ比の関係を表すと
表１の如くになる。
改良に関するものである。 InSb，InSb−NiSb，InAs等のキヤリヤ移動度
が高い半導体又はNi−Co，Ni−Fe，Ni−Fe−
Co等の強磁性体はこれに磁界を作用させたとき
抵抗値が変化するという性質を有し、この性質を
利用して磁気の存在，磁性体の存在，移動の検出
を行う磁気検出器が実用化されている。 第１図は従来の磁気検出器を示す正面断面図で
あり、図中２１は筺体を示している。筺体２１は
プラスチツク成形品であつて、上面に形成した開
口部２１ａはベリリウム−銅製の薄膜よりなる保
護板２２にて閉鎖されている。保護板２２は筺体
２１に一体にモールドされており、その外面には
耐摩耗性向上のために心要に応じてクロムメツキ
が施される。 筺体２１内にはこの保護板２２と適当な間隙を
隔ててセンサユニツト２３が配設されている。セ
ンサユニツト２３は第２図に模式的に拡大して示
すようにフエライト製の磁性体基板２４上に接着
用樹脂２５を用いて磁気抵抗素子２６，２７を並
設したものであり、この磁性体基板２４はプラス
チツク製のマウント基板２８に穿設した穴に嵌合
され、マウント基板２８の下面のリン青銅製の底
板２８′を介して、磁性体基板２４の下面をFe−
Cr−Co磁石等で形成されたバイアス用の永久磁
石２９に対向させてある。マウント基板２８上に
はセンサユニツト２３を囲繞する環状スペーサ３
０が設けられており、開口部２１ａの周縁に該ス
ペーサ３０の上面を接触させて保護板２２と磁気
抵抗素子２６，２７との間隔が所定値になるよう
にしてある。各磁気抵抗素子２６，２７から引き
出されたリード線３１はマウント基板２８上のプ
リント配線を経て外部へ引出されている。 ところで従来の磁気検出器にあつては、永久磁
石２９として鉄−クロム−コバルト等の合金磁石
が用いられているが、可逆透磁率が6.2程度と大
きいために外乱磁界が存在するとき、その磁力線
を第２図に示す如く永久磁石２９側、換言すれば
センサユニツト２３を構成する磁気抵抗素子２
６，２７周辺に引き込み永久磁石２９本来の磁束
密度分布を変化せしめる結果、これが雑音として
捉えられるＳ／Ｎ比（信号対雑音比）が低くなる
という難点があつた。 本考案はかかる事情に鑑みなされたものであつ
て、その目的とするところは複数の磁気抵抗素子
に対してバイアス磁界を与える磁石を可逆透磁率
1.5以下の希土類金属を用いて形成することによ
り、外乱磁界の磁力線に対しての引き込みがなく
磁気抵抗素子前方の磁束密度分布に与える影響を
低減し、Ｓ／Ｎ比の大幅な向上を図り得るように
した磁気検出器を提供するにある。 以下本考案をその実施例を示す図面に基いて具
体的に説明する。第３図は本考案に係る磁気検出
器（以下本案品という）の正面断面図であり、図
中１は筺体、１１は筺体１を構成する本体部分、
１２は同じくキヤツプ部分、１３は底板部分を示
している。本体部分１１は黄銅板を絞り加工して
形成してあつて、四隅部に若千丸味を与えた肉厚
0.5mmの四角筒状に形成されており、その上端部
はここに嵌着したキヤツプ部分１２によつて、ま
た下端部は同じくここに嵌着した底板部分１３に
て夫々閉鎖され、内部にはマウント基板２、セン
サユニツト３、永久磁石４等が配設され、それ以
外の空間部１４には合成樹脂が充填せしめられて
いる。 本体部分１１はその下側過半部分の範囲は断面
一様な矩形状をなし、またキヤツプ部分１２を嵌
着すべき上端部は肉厚を同じにした状態で断面形
状をキヤツプ部分１２の肉厚相当部分だけ縮小形
成され、そして上端末はその周縁部を中心線側に
向けて断面円弧状をなす肩部１１ａを形成するよ
う絞り込み、中央部に縮小された矩形状の開口部
１１ｂを形成せしめてある。 キヤツプ部分１２はリン青銅板を絞り加工して
肉厚が0.1mmの四角形の皿鉢状に形成してあつて、
前記本体部分１１の開口部１１ｂと対向する部分
は平坦面に、また肩部１１ａと対向する部分はこ
れと面接触するよう同様の曲率をもつ円弧状の肩
部１２ａが形成されており、本体部分１１の上端
に密接状態で外嵌され、全周にわたつて、或いは
適数個所をスポツト的に本体部分１１に溶接され
ている。底板部分１３は例えばプラスチツク成形
品であつて、本体部分１１の下端開口部に嵌合固
定されている。 マウント基板２は前記した各部材によつて形成
される筺体１内に本体部分１１の開口部１１ｂに
面して位置し、スペーサ５を介してキヤツプ部分
１２の下方にこれと所要の間隔を隔てて配設さ
れ、中央には上下に貫通する穴が穿設され、下面
には穴を閉鎖する態様でリン青銅製の底板２′が
固定されており、上面側から前記穴にセンサユニ
ツト３が挿入固定され、また下面の底板２′には
センサユニツト３と対応させてその直下に
SmCo5，Sm2CO17等の希土類金属の低透磁率材
料を用いて形成した円柱状の永久磁石４の一磁極
端面が固定されている。センサユニツト３は第４
図に示す如くマウント基板２の穴内に固定したシ
リコン等の非磁性体基板６上に合成樹脂接着剤６
ａを用いて２個の磁気抵抗素子７，８を並列固定
して形成され、各磁気抵抗素子７，８から引き出
したリードはマウント基板２に穿つた孔を通して
その下面に導かれ、ここでリード板９ａの一端に
接続されており、その他端は底板部分１３に穿つ
た孔を通してその下方に所要長にわたつて延在さ
れている。９ｂは筺体１の本体部分１１内面に一
端を接続されたアース用のリード板であつてその
他端は同じく底板部分１３に穿つた孔を通してそ
の下方に延在せしめられている。 而して上述の如く構成した本案品にあつては永
久磁石４は希土類磁石等を用いた低透磁率の材料
にて形成されているから、外乱磁界が存在してい
ても、その磁力線を磁気抵抗素子７，８前方に引
き込むことがなく、第４図に示す如く外乱磁界に
よる磁力線はセンサユニツト３の周辺においても
略均一に分布する結果、バイアス磁界の磁束密度
分布に与える影響が著しく低減され、雑音に煩わ
されることなく磁気抵抗素子の抵抗値変化を的確
に捉え得、Ｓ／Ｎ比が大幅に向上し得ることとな
る。ちなみに永久磁石４として可逆透磁率1.1の
SmCo5磁石を用いた場合には可逆透磁率6.2のFe
−Cr−Co磁石を用いた場合に比較してＳ／Ｎ比
が1.5倍向上し得ることが確認された。 なお上記希土類磁石は希土類金属（Ｙ，La，
Pr，Nd，Sm，Gd）Ｒと遷移金属（Fe，Co，Ni
等）Ｒとの金属間化合物、例えばRT2，RT3，
RT5，R2T7，R2T17，R3T，R5T19，R9T4等を
素材とする磁石を含むものである。ちなみに各種
永久磁石と可逆透磁率，Ｓ／Ｎ比の関係を表すと
表１の如くになる。
【表】
表１から明らかな如く可逆透磁率が低い程、誘
導ノイズが小さく、従つてまたＳ／Ｎ比が高いこ
とが解る。 以上の如く本考案にあつてはバイアス磁界用の
永久磁石を可逆透磁率の低い希土類磁石を用いて
形成したことによつて外乱磁界が永久磁石それ自
体の磁束密度分布に与える影響を可及的に低減し
得、磁気検出を高Ｓ／Ｎ比で行なえる優れた効果
を奏するものである。
導ノイズが小さく、従つてまたＳ／Ｎ比が高いこ
とが解る。 以上の如く本考案にあつてはバイアス磁界用の
永久磁石を可逆透磁率の低い希土類磁石を用いて
形成したことによつて外乱磁界が永久磁石それ自
体の磁束密度分布に与える影響を可及的に低減し
得、磁気検出を高Ｓ／Ｎ比で行なえる優れた効果
を奏するものである。
第１図は従来の磁気検出器を示す正面断面図、
第２図は外乱磁界の磁力線の状態を示す説明図、
第３図は本案品の正面断面図、第４図は本案品に
おける外乱磁界の磁力線の状態を示す説明図であ
る。 １……筺体、２……マウント基板、３……セン
サユニツト、４……永久磁石、５……スペーサ、
６……磁性体基板、７，８……磁気抵抗素子、９
ａ，９ｂ……リード板。
第２図は外乱磁界の磁力線の状態を示す説明図、
第３図は本案品の正面断面図、第４図は本案品に
おける外乱磁界の磁力線の状態を示す説明図であ
る。 １……筺体、２……マウント基板、３……セン
サユニツト、４……永久磁石、５……スペーサ、
６……磁性体基板、７，８……磁気抵抗素子、９
ａ，９ｂ……リード板。
Claims (1)
- 複数の磁気抵抗素子に対してバイアス磁界を与
える磁石を、希土類金属（Ｙ、La、Pr、Nd、
Sm、Gd）と遷移金属（Fe、Co、Ni）との金属
間化合物を用いて形成したことを特徴とする磁気
検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14216182U JPS5945578U (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 磁気検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14216182U JPS5945578U (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 磁気検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945578U JPS5945578U (ja) | 1984-03-26 |
| JPH0240552Y2 true JPH0240552Y2 (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=30317733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14216182U Granted JPS5945578U (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 磁気検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945578U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5178647A (ja) * | 1974-12-29 | 1976-07-08 | Sony Corp |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6245182Y2 (ja) * | 1981-01-06 | 1987-12-02 |
-
1982
- 1982-09-20 JP JP14216182U patent/JPS5945578U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5178647A (ja) * | 1974-12-29 | 1976-07-08 | Sony Corp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5945578U (ja) | 1984-03-26 |
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