JPH0238885B2 - KIBANJONOHAISENPATAANKENSHUTSUHOHOOYOBISONOSOCHI - Google Patents

KIBANJONOHAISENPATAANKENSHUTSUHOHOOYOBISONOSOCHI

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JPH0238885B2
JPH0238885B2 JP24385083A JP24385083A JPH0238885B2 JP H0238885 B2 JPH0238885 B2 JP H0238885B2 JP 24385083 A JP24385083 A JP 24385083A JP 24385083 A JP24385083 A JP 24385083A JP H0238885 B2 JPH0238885 B2 JP H0238885B2
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wiring
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detection
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Koichi Tsukazaki
Noriaki Ujiie
Akira Sase
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    • G01N21/64Fluorescence; Phosphorescence

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、配線パターンを検出するパターン検
出装置に係り、特にプリント基板の配線パターン
の上部のみ欠けた欠陥や光の反射率の低い短絡欠
陥の検出に好適な基板上の配線パターン検出方法
及びその装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a pattern detection device for detecting wiring patterns, and in particular detects defects in which only the upper part of the wiring pattern of a printed circuit board is chipped and short-circuit defects with low light reflectance. The present invention relates to a method and apparatus for detecting wiring patterns on a substrate suitable for detection.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

従来のパターン検出装置は特願昭56−33909号
で周知の如き、第3図に示すプリント基板1の配
線面2からの反射光を検出器15で検出する方式
である。即ち1はプリント基板を示し、2はプリ
ント基板上の配線パターンを示す。11は光源、
12は光源11からの光を平行光31に変換する
レンズである。13は半透鏡、14は配線面2か
ら反射し、半透明鏡13を介して得られる光像4
1を検出器15に結像させるレンズである。
A conventional pattern detection apparatus, as known from Japanese Patent Application No. 56-33909, uses a detector 15 to detect reflected light from the wiring surface 2 of a printed circuit board 1, as shown in FIG. That is, 1 indicates a printed circuit board, and 2 indicates a wiring pattern on the printed circuit board. 11 is a light source;
12 is a lens that converts the light from the light source 11 into parallel light 31. 13 is a semi-transparent mirror; 14 is an optical image 4 reflected from the wiring surface 2 and obtained through the semi-transparent mirror 13;
1 on the detector 15.

しかしながらこの従来の反射光検出方式の場
合、第1図及び第2図に示すように配線パターン
表面の浅い傷や、よごれ5は虚報として欠陥でも
ないものに欠陥として検出されるし、また光の反
射率の低い短絡欠陥6は検出できないという問題
があつた。
However, in the case of this conventional reflected light detection method, as shown in Figs. 1 and 2, shallow scratches and dirt 5 on the surface of the wiring pattern are falsely detected as defects even though they are not defects. There was a problem that the short-circuit defect 6 having a low reflectance could not be detected.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、上記従来技術の欠点をなく
し、配線パターン上のキズを欠陥として虚報する
ことなく、光の反射率の低い短絡欠陥も、配線パ
ターンの上部のみ欠けた欠陥も検出できる基板上
の配線パターン検出方法及びその装置を提供する
ことにある。
An object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the prior art described above, and to provide a substrate that can detect short-circuit defects with low light reflectance and defects where only the upper part of the wiring pattern is chipped, without falsely reporting scratches on the wiring pattern as defects. An object of the present invention is to provide a method and device for detecting a wiring pattern.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

上記目的を達成するために、本発明は反射光検
出方式と螢光検出方式を併用し、互いの長所を利
用する検出方式に特徴を有するものである。螢光
検出は配線パターンが基材と接合した部分のパタ
ーン像が検出され、反射光検出は配線パターンの
上部のパターン像が検出されるため、両者のパタ
ーン像のパターン寸法は異なりそのままでは合成
できないため、螢光検出によるパターン像を縮小
し、反射光検出によるパターン像と合成する方式
を発明した。また本発明は螢光検出方式と反射光
検出方式をひとつの検出光学系で構成するため、
赤外反射光を利用する検出方式に特徴を有するも
のである。詳しくは本発明は、プリント基板やセ
ラミツク基板の配線面に光を照射する第1の光源
と、プリント基板やセラミツク基板の基材から発
生する螢光を検出するための第1の検出器と、前
記光源からの光を螢光が発生しやすい波長に限定
するためのフイルタと、前記プリント基板やセラ
ミツク基板の配線面からの反射光をカツトし、基
材から発生する螢光を透過するフイルタと、前記
検出器に配線パターン像を結像するための第1の
結像レンズと、前記第1の光源からの光をプリン
ト基板の配線面に向け、前記基材から発生する螢
光を前記結像レンズおよび検出器へ導く第1の半
透鏡と、螢光検出パターン像をA/D変換し2値
化する第1の電気回路と、これを記憶する第1の
メモリと、該第1のメモリに記憶したパターン像
を白黒反転し、かつ縮小したパターンを得るため
の電気回路と、これを記憶する第2のメモリと、
別にプリント基板やセラミツク基板の配線面に光
を照射する第2の光源と、プリント基板やセラミ
ツク基板の配線面からの反射光を検出するための
第2の検出器と、該検出器に配線パターン像を結
像するための第2の結像レンズと、前記第2の光
源からの光をプリント基板の配線面に向け、該配
線面からの反射光を第2の結像レンズおよび第2
の検出器へ導く第2の半透鏡と、反射光検出パタ
ーン像をA/D変換して2値化する第2の電気回
路と、これを記憶する第3のメモリと、前記第1
の螢光検出器で検出した螢光パターン像と第2の
反射光検出器で検出した反射光パターン像が、プ
リント基板の同一箇所の配線面のパターン像であ
るように成すための手段と、前記第2のメモリの
内容で第3のメモリの内容をマスキングする電気
回路とマスキングしたパターン像から欠陥を抽出
する電気回路から成り、螢光検出によつて得た螢
光パターン像の縮小パターン像で反射光検出によ
つて得た同一箇所の反射光検出パターン像をマス
キングすることによつて欠陥を検出することを特
徴とするパターン検出装置である。
In order to achieve the above object, the present invention is characterized by a detection method that uses both a reflected light detection method and a fluorescent light detection method, and takes advantage of each other's strengths. Fluorescence detection detects the pattern image of the part where the wiring pattern is joined to the base material, and reflected light detection detects the pattern image on the top of the wiring pattern, so the pattern dimensions of the two pattern images are different and cannot be combined as is. Therefore, we invented a method in which the pattern image obtained by fluorescence detection is reduced in size and combined with the pattern image obtained by reflected light detection. Furthermore, since the present invention configures the fluorescent light detection method and the reflected light detection method in one detection optical system,
It is characterized by a detection method that uses reflected infrared light. Specifically, the present invention includes: a first light source that irradiates light onto the wiring surface of a printed circuit board or ceramic substrate; a first detector that detects fluorescence generated from the base material of the printed circuit board or ceramic substrate; a filter for limiting the light from the light source to a wavelength at which fluorescence is likely to be generated; a filter for cutting reflected light from the wiring surface of the printed circuit board or ceramic substrate and transmitting fluorescence generated from the base material; a first imaging lens for forming a wiring pattern image on the detector; and a first imaging lens for directing light from the first light source toward the wiring surface of the printed circuit board to direct fluorescence generated from the base material into the a first semi-transparent mirror that guides the image lens and the detector; a first electric circuit that A/D converts and binarizes the fluorescence detection pattern image; a first memory that stores the same; an electric circuit for reversing black and white of a pattern image stored in a memory and obtaining a reduced pattern, and a second memory for storing this;
Separately, a second light source that irradiates light onto the wiring surface of a printed circuit board or ceramic substrate, a second detector that detects reflected light from the wiring surface of the printed circuit board or ceramic substrate, and a wiring pattern on the detector. A second imaging lens for forming an image, directing light from the second light source toward the wiring surface of the printed circuit board, and directing light reflected from the wiring surface to the second imaging lens and the second imaging lens.
a second semi-transparent mirror that guides the reflected light detection pattern image to the detector, a second electric circuit that A/D converts the reflected light detection pattern image and converts it into a binary value, a third memory that stores this;
means for making the fluorescent light pattern image detected by the second fluorescent light detector and the reflected light pattern image detected by the second reflected light detector be pattern images of the wiring surface at the same location on the printed circuit board; A reduced pattern image of a fluorescent pattern image obtained by fluorescence detection, comprising an electric circuit that masks the contents of the third memory with the contents of the second memory and an electric circuit that extracts defects from the masked pattern image. This pattern detection device detects defects by masking a reflected light detection pattern image at the same location obtained by reflected light detection.

また本発明は上記パターン検出装置において螢
光検出系と反射光検出系の光源および結像レンズ
および半透鏡をひとつの光源および結像レンズお
よび半透鏡でなすことを特徴とするパターン検出
装置である。
The present invention also provides a pattern detection device characterized in that the light source, imaging lens, and semi-transparent mirror of the fluorescent light detection system and the reflected light detection system are formed by one light source, imaging lens, and semi-transparent mirror. .

また本発明は、上記パターン検出装置におい
て、プリント基板やセラミツク基板の配線面に光
を照射する光源に超高圧水銀灯を使用することを
特徴とするパターン検出装置である。
Further, the present invention is a pattern detecting device characterized in that an ultra-high pressure mercury lamp is used as a light source for irradiating light onto the wiring surface of a printed circuit board or a ceramic substrate.

また本発明は上記パターン検出装置において光
源からの光をプリント基板の配線面に向け、基材
から発生する螢光および配線面からの反射光を結
像レンズおよび検出器へ導く半透鏡として45度青
反射赤透過ダイクロイツクミラーを使用すること
を特徴とするパターン検出装置である。
The present invention also provides a semi-transparent mirror that directs the light from the light source toward the wiring surface of the printed circuit board and guides the fluorescent light generated from the base material and the reflected light from the wiring surface to the imaging lens and the detector in the pattern detection device. This is a pattern detection device characterized by using a blue-reflecting, red-transmitting dichroic mirror.

また本発明は、上記パターン検出装置におい
て、螢光検出系と反射光検出系をひとつにまとめ
ることを特徴とするパターン検出装置である。ま
た本発明は上記パターン検出装置において、光源
からの光を螢光が発生しやすい波長に限定するた
めのフイルタからもれる赤外光による配線面から
の反射光を検出するための検出器となし、螢光と
赤外反射光を分離し、螢光を螢光検出用検出器へ
導き、赤外反射光を赤外反射光検出用検出器へ導
くために赤外反射ミラーを新たに設けることによ
り、ひとつの光源からの光で基材から発生する螢
光を螢光検出用検出器で検出し、配線面からの赤
外反射光を赤外反射光検出用検出器で検出するこ
とを特徴とするパターン検出装置である。また本
発明は上記パターン検出装置において、螢光と赤
外反射光を分離するためのミラーとして赤外透過
ミラーを用いることを特徴とするパターン検出装
置である。
Further, the present invention is a pattern detection device characterized in that the fluorescence detection system and the reflected light detection system are integrated into one in the pattern detection device. The present invention also provides a detector for detecting reflected light from a wiring surface due to infrared light leaking from a filter for limiting light from a light source to wavelengths where fluorescence is likely to occur in the pattern detection device. , an infrared reflecting mirror is newly provided to separate fluorescent light and infrared reflected light, guide the fluorescent light to the fluorescent light detection detector, and guide the infrared reflected light to the infrared reflected light detection detector. The feature is that the fluorescent light generated from the base material with light from one light source is detected by the fluorescent light detection detector, and the infrared reflected light from the wiring surface is detected by the infrared reflected light detection detector. This is a pattern detection device. The present invention also provides a pattern detection device characterized in that an infrared transmitting mirror is used as a mirror for separating fluorescent light and infrared reflected light.

また本発明は上記パターン検出装置において、
螢光検出用検出器として分光感度波長域が500n
mから700nmにある高感度検出器、例えばサチ
コン撮像管あるいはプランビコン撮像管を使用す
ることを特徴とするパターン検出装置である。
The present invention also provides the above pattern detection device,
Spectral sensitivity wavelength range is 500n as a detector for fluorescence detection
This pattern detection device is characterized by using a high-sensitivity detector ranging from m to 700 nm, such as a Sachicon image pickup tube or a Plumbicon image pickup tube.

また本発明は、上記パターン検出装置におい
て、赤外反射光検出用検出器として分光感度波長
域が700nmから1100nmにある高感度検出器、例
えばシリコンビジコン撮像管を使用することを特
徴とするパターン検出装置である。
Further, the present invention provides a pattern detection device characterized in that, in the pattern detection device, a highly sensitive detector having a spectral sensitivity wavelength range of 700 nm to 1100 nm, for example, a silicon vidicon image pickup tube, is used as a detector for detecting infrared reflected light. It is a device.

また本発明は上記パターン検出装置において光
源からの光を螢光が発生しやすい波長の光に限定
し、かつ赤外域の光を少量透過させる特性を有す
るフイルタ、例えば青フイルタB370あるいは
B390等を使用することを特徴とするパターン検
出装置である。
The present invention also provides a filter, such as a blue filter B370 or
This is a pattern detection device characterized by using B390 or the like.

また本発明は、上記パターン検出装置におい
て、プリント基板やセラミツク基板の基材から螢
光を発生させるための強力な励起光による配線面
からの反射光をカツトし基材から発生する螢光と
配線面から反射する赤外光を透過する特性を有す
るフイルタ、例えば480nmから560nmの範囲の
黄あるいはオレンジ色のガラスを使用することを
特徴とするパターン検出装置である。
In addition, the present invention provides the above-mentioned pattern detection device in which the reflected light from the wiring surface due to the strong excitation light for generating fluorescent light from the base material of the printed circuit board or the ceramic board is cut out, and the fluorescent light generated from the base material and the wiring are removed. This pattern detection device is characterized by using a filter having a property of transmitting infrared light reflected from a surface, for example, yellow or orange glass in the range of 480 nm to 560 nm.

また本発明は、上記パターン検出装置におい
て、螢光パターン像の縮小パターンと反射光パタ
ーン像とを合成することによつて欠陥を検出する
ことを特徴とするパターン検出装置である。
The present invention also provides a pattern detecting device characterized in that defects are detected by combining a reduced pattern of a fluorescent pattern image and a reflected light pattern image.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下本発明の一実施例を第4図乃至第22図を
用いて詳細に説明する。第4図は本発明に係る螢
光検出装置を示したものである。即ちプリント基
板やレジストパターンあるいはセラミツク基板の
配線面に紫系の強い光を照射すると、基材やレジ
ストから螢光が発生することが判り、これを検出
することにより、検出対象である配線パターンの
ネガチブ像が得られることを見い出した。
An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. 4 to 22. FIG. 4 shows a fluorescence detection device according to the present invention. In other words, when strong violet light is irradiated onto the wiring surface of a printed circuit board, resist pattern, or ceramic substrate, it has been found that fluorescence is generated from the base material or resist. We found that a negative image can be obtained.

1は基材から螢光が発生するプリント基板また
はセラミツク基板である。2はCuやCr等で形成
された配線パターンである。11は高輝度光源、
12はコンデンサレンズ、16はフイルタ、16
は半透明鏡、18はフイルタ、14結像レンズ、
19は検出器である。従つて高輝度光源11から
発した光31はコンデンサレンズ12を通りフイ
ルタ16へ入る。フイルタ16はプリント基板や
セラミツク基板1の基材あるいはレジストから螢
光が発生しやすいように、高輝度光源11から発
した光31の波長を限定するためのフイルタで、
一般にブルーフイルタB370と呼称されているも
ので、透過率の最大が波長370nmにあり、波長
300nmから460nmまでの波長の光のみを透過さ
せるものである。限定された波長の光は半透明鏡
17で光路を90度変更されて基板1を照射し、基
材あるいはレジストから螢光を発生させるための
励起光として働く。基材あるいはレジストから発
生した螢光と配線面2での反射光の合わさつた光
42は、再度半透明鏡17を通過してフイルタ1
8に入る。フイルタ18は基板1の配線面2の表
面で反射した反射光と螢光とを分離するため前記
励起光32の限定された波長域以外の螢光43の
みを透過させるもので一般にイエローフイルタ
Y50と呼称されているもので、波長500nm以下の
光を反射し、波長500nm以上の光を透過させる
ものである。フイルタ18で配線面2からの反射
光と分離された螢光43は、結像レンズ14で検
出器19の光電変換面に結像されるため、基板1
の配線パターンのネガチブなパターン像が得られ
る。第4図に示した本発明の一実施例ではプリン
ト基板やレジストパターンあるいはセラミツク基
板の基材やレジストから発生する螢光を検出する
パターン検出装置として作用するので、第1図及
び第2図に示した配線パターン2上に存在する傷
5の影響はなく、また、配線パターンに光沢があ
つても問題なく配線パターンのネガチブパターン
の検出が可能である。更に、第1図及び第2図に
示した様な基材4の表面上に反射率の小さい残銅
6が存在する基材4から発する螢光が遮断される
ため、その部分の螢光は検出されず、従つて欠陥
ありとして検出される。しかしこの螢光検出方式
の場合配線パターン2の上部のみ欠けた欠陥7の
検出ができないという問題がある。この問題をも
解決したパターン検査装置について第5図乃至第
22図にもとづいて具体的に説明する。
Reference numeral 1 denotes a printed circuit board or a ceramic substrate in which fluorescence is generated from the base material. 2 is a wiring pattern formed of Cu, Cr, or the like. 11 is a high brightness light source;
12 is a condenser lens, 16 is a filter, 16
is a semi-transparent mirror, 18 is a filter, 14 is an imaging lens,
19 is a detector. Therefore, the light 31 emitted from the high-intensity light source 11 passes through the condenser lens 12 and enters the filter 16. The filter 16 is a filter for limiting the wavelength of the light 31 emitted from the high-intensity light source 11 so that fluorescence is likely to be generated from the base material or resist of the printed circuit board or the ceramic substrate 1.
It is generally called blue filter B370, and its maximum transmittance is at a wavelength of 370 nm.
It allows only light with wavelengths between 300nm and 460nm to pass through. The optical path of the light having a limited wavelength is changed by 90 degrees by a semi-transparent mirror 17, and the light is irradiated onto the substrate 1, thereby serving as excitation light for generating fluorescent light from the substrate or resist. Light 42, which is a combination of the fluorescent light generated from the base material or resist and the reflected light from the wiring surface 2, passes through the semi-transparent mirror 17 again and passes through the filter 1.
Enter 8. The filter 18 allows only the fluorescent light 43 outside the limited wavelength range of the excitation light 32 to pass through in order to separate the fluorescent light from the reflected light reflected on the surface of the wiring surface 2 of the substrate 1, and is generally a yellow filter.
It is called Y50 and reflects light with a wavelength of 500 nm or less and transmits light with a wavelength of 500 nm or more. The fluorescent light 43 separated from the reflected light from the wiring surface 2 by the filter 18 is imaged on the photoelectric conversion surface of the detector 19 by the imaging lens 14, so that the fluorescent light 43 is separated from the reflected light from the wiring surface 2.
A negative pattern image of the wiring pattern can be obtained. One embodiment of the present invention shown in FIG. 4 functions as a pattern detection device for detecting fluorescent light generated from a printed circuit board, a resist pattern, or a base material or resist of a ceramic substrate. There is no effect of the scratches 5 existing on the wiring pattern 2 shown, and even if the wiring pattern is glossy, it is possible to detect the negative pattern of the wiring pattern without any problem. Furthermore, as shown in FIGS. 1 and 2, the fluorescence emitted from the base material 4 where residual copper 6 with a low reflectance exists on the surface of the base material 4 is blocked, so that the fluorescence in that area is Not detected and therefore detected as defective. However, this fluorescence detection method has a problem in that it cannot detect a defect 7 in which only the upper part of the wiring pattern 2 is chipped. A pattern inspection apparatus that also solves this problem will be specifically explained based on FIGS. 5 to 22.

即ち第5図において、プリント基板1、高輝度
光源11、コンデンサレンズ12、第1のフイル
タ16、半透鏡17、第2のフイルタ18、結像
レンズ14、螢光検出器19は第3図および第4
図に示したパターン検出装置の同一符号のものと
同じ構成である。第6図において、第3図におけ
る反射光検出器15に対して特に赤外光に対する
感度の良い検出器という意味でダツシユを符した
赤外反射光検出器15′と赤外反射ミラー20を
新たに設けてある。高輝度光源11から発した光
31は、第1のフイルタ16により基材の螢光を
発生させやすい波長の短かい光32になつて半透
鏡17によつて90゜向きを変えられて配線面2を
照射する。第1のフイルタ16は螢光励起用フイ
ルタとしての機能を有するのみならず、赤外域の
光を少量透過させる特性を有するフイルタで、例
えば青フイルタB370あるいはB390等である。半
透鏡17は波長の短かい光を反射し、螢光や赤外
光等のような波長の長い光を透過させる働きのあ
る45度青反射赤透過ダイクロイツクミラーが適当
である。基材から発生した螢光と、波長の短かい
強大な反射光および赤外光による反射光の合わさ
つた光42は今度は半透過鏡17を透過して第2
のフイルタ18を通り波長の短かい強大な反射光
がカツトされた光43になる。第2のフイルタ1
8は励起光と螢光を効率良く分離する黄色の色ガ
ラスY50等が適当である。結像レンズ14を通つ
た光43は赤外反射ミラー20によつて赤外反射
光45と螢光44に分臨される。赤外反射光45
は赤外反射光検出器15′によつて検出されて反
射光のパターン像が得られ、螢光44は螢光検出
器19によつて検出されて螢光によるパターン像
が得られる。
That is, in FIG. 5, the printed circuit board 1, high-intensity light source 11, condenser lens 12, first filter 16, semi-transparent mirror 17, second filter 18, imaging lens 14, and fluorescence detector 19 are arranged as shown in FIG. Fourth
It has the same configuration as the pattern detection device shown in the figure with the same reference numeral. In FIG. 6, in contrast to the reflected light detector 15 in FIG. 3, an infrared reflected light detector 15' and an infrared reflective mirror 20, which are marked with a dot to indicate that they are particularly sensitive to infrared light, are newly added. It is provided in The light 31 emitted from the high-intensity light source 11 is converted by the first filter 16 into light 32 with a short wavelength that is likely to generate fluorescence in the base material, and the direction is changed by 90 degrees by the semi-transparent mirror 17 to the wiring surface. Irradiate 2. The first filter 16 not only functions as a fluorescence excitation filter, but also has a characteristic of transmitting a small amount of light in the infrared region, such as a blue filter B370 or B390. The semi-transparent mirror 17 is suitably a 45 degree blue reflective red transmitting dichroic mirror which functions to reflect short wavelength light and transmit long wavelength light such as fluorescent light or infrared light. The light 42, which is a combination of the fluorescent light generated from the base material, the strong reflected light with a short wavelength, and the reflected light due to infrared light, is transmitted through the semi-transmissive mirror 17 and becomes the second light.
The intense reflected light with a short wavelength becomes cut light 43 after passing through the filter 18 . Second filter 1
8 is suitably made of yellow colored glass Y50, etc., which efficiently separates excitation light and fluorescent light. Light 43 passing through the imaging lens 14 is split into infrared reflected light 45 and fluorescent light 44 by an infrared reflecting mirror 20. Infrared reflected light 45
is detected by the infrared reflected light detector 15' to obtain a reflected light pattern image, and the fluorescent light 44 is detected by the fluorescent light detector 19 to obtain a pattern image of the fluorescent light.

第6図から第10図までの図は、構成要素の特
性を詳細に示した図であり、第6図は第1のフイ
ルタ16の分光透過率特性を示し、第7図は第2
のフイルタ18の分光透過率特性を示し第8図は
螢光検出器19の分光感度特性を示し第9図は赤
外反射ミラー20の分光透過率特性を示し、第1
0図は赤外反射光検出器15′の分光感度特性を
示す。
The figures from FIG. 6 to FIG. 10 are diagrams showing the characteristics of the constituent elements in detail. FIG. 6 shows the spectral transmittance characteristics of the first filter 16, and FIG. 7 shows the characteristics of the second filter.
8 shows the spectral sensitivity characteristics of the fluorescent detector 19, and FIG. 9 shows the spectral transmittance characteristics of the infrared reflecting mirror 20.
Figure 0 shows the spectral sensitivity characteristics of the infrared reflected light detector 15'.

第11図は本発明の他の実施例を示す。第11
図において、赤外透過ミラー21以外の構成は第
5図における構成と同じであるが、螢光検出器1
9と赤外反射光検出器15′の位置、および螢光
44と赤外反射光45の位置が第6図の位置とそ
れぞれ入れ替わつている点が異なる。またその動
作は、第11図における赤外透過ミラー21が第
5図における赤外反射ミラー20と正反対の機能
を有しているため透過と反射が逆になる違いがあ
るだけで他の動作は第5図における動作と変わり
ないためここでは説明を省略する。第12図は赤
外透過ミラー21の分光透過率特性を示す。
FIG. 11 shows another embodiment of the invention. 11th
In the figure, the configuration other than the infrared transmitting mirror 21 is the same as the configuration in FIG.
The difference is that the positions of 9 and the infrared reflected light detector 15', and the positions of the fluorescent light 44 and the infrared reflected light 45 are swapped with those in FIG. 6, respectively. In addition, since the infrared transmitting mirror 21 in FIG. 11 has the opposite function to the infrared reflecting mirror 20 in FIG. 5, the only difference in its operation is that transmission and reflection are reversed; Since the operation is the same as that shown in FIG. 5, the explanation will be omitted here. FIG. 12 shows the spectral transmittance characteristics of the infrared transmitting mirror 21.

次に第13図以下を用いて欠陥検出原理を説明
する。第13図は欠陥検出回路ユニツトの構成を
示す図である。螢光検出器19で検出された螢光
パターン像の検出信号71は、A/D変換52お
よび2値化53されて第1のメモリ54に記憶さ
れる。この第1のメモリ54は例えば特開昭48−
98886号に記載されている第22図に示す構成で
ある。第14図に第1のメモリ54に記憶された
螢光パターン像を示す。一方、赤外反射光検出器
15′で検出された反射光パターン像の検出信号
71′は、同様にA/D変換52′および2値化5
3′されて第3のメモリ54′に記憶される。この
第3のメモリ54′も例えば特開昭48−98886号に
記載されている第22図に示す構成である。第1
6図に第3図のメモリ54′に記憶された赤外反
射光パターン像を示す。第1のメモリ54に記憶
された螢光パターン像は反転縮小パターン形成回
路55によつて白黒反転された後、縮小され第2
のメモリ56に記憶される。但し、この第2のメ
モリ56は第22図に示すようになくすことも可
能である。第15図に第2のメモリ56に記憶さ
れた反転縮小パターン像を示す。第3のメモリ5
4′に記憶された赤外反射光パターン像は第2の
メモリ56に記憶された反転縮小パターン像をマ
スキングパターンとしてマスキング回路57でマ
スキングされる。このマスキング回路57は例え
ば第22図に示すように単なるAND回路で構成
できる。第17図はそのマスキングされたときの
様子を模式的に示した図である。即ち、反転縮小
パターン像の配線パターンを表わす部分以外の領
域がマスクされる。欠陥抽出手段58では、反転
縮小パターンの配線パターン部において、赤外反
射光パターン像の配線パターンでない部分が表わ
れた場合、それを欠陥として抽出し、欠陥出力手
段59で出力する。第18図は欠陥抽出手段58
で抽出された欠陥のパターン像を示す。
Next, the defect detection principle will be explained using FIG. 13 and subsequent figures. FIG. 13 is a diagram showing the configuration of the defect detection circuit unit. A detection signal 71 of the fluorescent pattern image detected by the fluorescent detector 19 is A/D converted 52 and binarized 53 and stored in the first memory 54 . This first memory 54 is, for example,
This is the configuration shown in FIG. 22 described in No. 98886. FIG. 14 shows a fluorescent pattern image stored in the first memory 54. On the other hand, the detection signal 71' of the reflected light pattern image detected by the infrared reflected light detector 15' is similarly converted to A/D converter 52' and binarized 52'.
3' and stored in the third memory 54'. This third memory 54' also has the structure shown in FIG. 22, which is described in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 48-98886. 1st
FIG. 6 shows an infrared reflected light pattern image stored in the memory 54' of FIG. 3. The fluorescent pattern image stored in the first memory 54 is inverted in black and white by an inversion/reduction pattern forming circuit 55, and then reduced in size to the second image.
is stored in the memory 56 of. However, this second memory 56 can also be omitted as shown in FIG. FIG. 15 shows an inverted and reduced pattern image stored in the second memory 56. third memory 5
The infrared reflected light pattern image stored in the second memory 56 is masked by a masking circuit 57 using the inverted and reduced pattern image stored in the second memory 56 as a masking pattern. This masking circuit 57 can be constructed of a simple AND circuit as shown in FIG. 22, for example. FIG. 17 is a diagram schematically showing the masked state. That is, the area other than the portion representing the wiring pattern of the inverted and reduced pattern image is masked. In the defect extracting means 58, when a portion that is not the wiring pattern of the infrared reflected light pattern image appears in the wiring pattern portion of the inverted and reduced pattern, it is extracted as a defect, and the defect outputting means 59 outputs it. FIG. 18 shows defect extraction means 58
The pattern image of the defect extracted in is shown.

一般にプリント基板の配線パターンの断面形状
は基材に接合した部分の幅が上部の幅よりも長い
台形形状をしており、螢光パターン像は基材に接
合した部分のパターン像を示し、赤外反射光パタ
ーン像は上部のパターン像を示すためそのままで
はマスキング作用ができない。従つて螢光検出パ
ターン像の縮小が必要になる。縮小パターン形成
回路55の例を第22図に示す。この図は2ビツ
ト縮小の図である。四角のマス目のひとつずつは
検出信号71のビツト分に相当する。AND回路
1ケへの5ケの入力信号は十字形を形作る5ケの
マス目、即ち5ビツト分に相当し、これらの5ビ
ツト分の入力信号がすべて“1”の信号であると
きのみ出力を“1”とする。この出力信号を元の
入力信号の十字形の中央の信号と置き換えて形成
したパターン像が縮小パターン像であり第2のメ
モリ56に記憶される。但し第22図に示す回路
構成の場合、55aはインバータで、反転するも
のである。また縮小パターン形成回路55におい
ては時間的遅れはないものとして示してある。
In general, the cross-sectional shape of the wiring pattern on a printed circuit board is a trapezoid in which the width of the part bonded to the base material is longer than the width of the upper part, and the fluorescent pattern image shows the pattern image of the part bonded to the base material. Since the externally reflected light pattern image shows the upper pattern image, the masking effect cannot be performed as it is. Therefore, it is necessary to reduce the size of the fluorescent detection pattern image. An example of the reduced pattern forming circuit 55 is shown in FIG. This figure is a 2-bit reduction figure. Each square square corresponds to a bit of the detection signal 71. The 5 input signals to one AND circuit correspond to 5 squares forming a cross, that is, 5 bits, and are output only when all of these 5 bits of input signals are "1" signals. is set to “1”. A pattern image formed by replacing this output signal with the signal at the center of the cross of the original input signal is a reduced pattern image and is stored in the second memory 56. However, in the case of the circuit configuration shown in FIG. 22, 55a is an inverter that performs inversion. Further, it is assumed that there is no time delay in the reduced pattern forming circuit 55.

第19図は本発明の他の実施例を示す。 FIG. 19 shows another embodiment of the invention.

第19図において、第11図における同一符号
で表わす構成はすべて同じ機能であることを示
す。また、その動作も同じであるため説明は省略
し、第12図と異なる構成のみを説明する。縮小
パターン形成回路60は第12図における反転縮
小パターンの反転を行わなかつたもので白黒が逆
になつている点が異なる。具体的な電気回路も第
22図に示すものと同じである。形成された縮小
パターンは第2のメモリ61に記憶される。第2
0図は第2のメモリ61に記憶された縮小パター
ン像を示す。次に、第2のメモリ61に記憶され
た縮小パターン像と第3のメモリ54′に記憶さ
れた赤外反射光パターン像を合成回路62で合成
する。第21図は合成したときの様子を模式的に
示した図である。欠陥抽出手段58において、縮
小パターン像の配線パターンを表わす領域と赤外
反射光パターン像の配線パターン以外を表わす領
域の重なつた部分を欠陥として抽出し欠陥出力手
段59で出力する。第21図において、互いに90
方向の異なる斜線が重なつた部分が欠陥として出
力されることになり、出力された結果は第18図
に示した欠陥パターン像と同じものが得られる。
In FIG. 19, all components represented by the same reference numerals in FIG. 11 have the same functions. Further, since the operation is the same, the explanation will be omitted, and only the configuration different from that in FIG. 12 will be explained. The reduced pattern forming circuit 60 does not perform the inversion of the inverted reduced pattern shown in FIG. 12, except that black and white are reversed. The specific electric circuit is also the same as that shown in FIG. The formed reduced pattern is stored in the second memory 61. Second
FIG. 0 shows a reduced pattern image stored in the second memory 61. FIG. Next, a combining circuit 62 combines the reduced pattern image stored in the second memory 61 and the infrared reflected light pattern image stored in the third memory 54'. FIG. 21 is a diagram schematically showing the state when combined. The defect extracting means 58 extracts as a defect the overlapping portion of the area representing the wiring pattern in the reduced pattern image and the area representing other than the wiring pattern in the infrared reflection pattern image, and outputs it as a defect. In Figure 21, 90 to each other
A portion where diagonal lines in different directions overlap will be output as a defect, and the output result will be the same as the defect pattern image shown in FIG. 18.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、プリント基板や
セラミツク基板の基材から発生する螢光を検出す
る螢光検出方式と、配線面からの赤外反射光を検
出する反射光検出方式を併用するパターン検出方
法であるため、パターン表面のキズによる虚報を
なくし、光の反射率の低い短絡欠陥および配線パ
ターンの上部のみ欠けた欠陥の検出が可能となる
効果を奏する。
As explained above, the present invention provides a pattern that uses both a fluorescence detection method that detects fluorescence generated from the base material of a printed circuit board or a ceramic board, and a reflected light detection method that detects infrared light reflected from a wiring surface. Since this is a detection method, it has the effect of eliminating false alarms due to scratches on the pattern surface and making it possible to detect short-circuit defects with low light reflectance and defects where only the upper part of the wiring pattern is chipped.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はプリント基板の平面図。第2図はプリ
ント基板の断面図であり、aは第1図のA−A線
断面図、bはB−B線断面図、cはC−C線断面
図、第3図は従来の反射光検出方式のパターン検
出装置を示す側面図、第4図は本発明に係る螢光
検出方式のパターン検出装置を示す側面図、第5
図は本発明の一実施例を示すパターン検出装置の
側面図、第6図、及び第7図はフイルタの分光透
過率特性を示す図、第8図、及び第10図は撮像
管の分光感度特性を示す図、第9図、及び第12
図はミラーの分光透過率特性を示す図、第11図
は本発明の他の一実施例を示すパターン検出装置
の側面図、第13図は本発明の一実施例を示す欠
陥検出回路ユニツトのブロツク図、第14図、第
15図、第16図、第17図、第18図、第20
図、及び第21図はパターン像を示す図、第19
図は本発明の他の実施例を示す欠陥検出回路ユニ
ツトのブロツク図、第22図はメモリや縮小パタ
ーン形成回路等の一実施例を示す電気回路図であ
る。 1……プリント基板、2……配線パターン、4
……基材、11……高輝度光源、12……コンデ
ンサレンズ、13……半透過、14……結像レン
ズ、15……反射光検出器、15′……赤外反射
光検出器、16……第1のフイルタ、17……ダ
イクロイツクミラー、18……第2のフイルタ、
19……螢光検出器、20……赤外反射ミラー、
21……赤外透過ミラー、41……反射光、45
……赤外反射光、51,51′……検出器ドライ
バ、52,52′……A/D変換器、53,5
3′……2値化回路、54……第1のメモリ、5
4′……第3のメモリ、55……反転縮小パター
ン形成回路、56……第2のメモリ、57……マ
スキング回路、58……欠陥抽出手段、59……
欠陥出力手段、60……縮小パターン形成回路、
61……第2のメモリ、62……合成回路、7
1,71′……検出信号。
FIG. 1 is a plan view of the printed circuit board. Figure 2 is a cross-sectional view of the printed circuit board, where a is a cross-sectional view taken along the line A-A in Figure 1, b is a cross-sectional view taken along the B-B line, c is a cross-sectional view taken along the C-C line, and Figure 3 is a conventional reflective FIG. 4 is a side view showing a pattern detection device using a photodetection method; FIG. 4 is a side view showing a pattern detection device using a fluorescence detection method according to the present invention; FIG.
The figure is a side view of a pattern detection device showing an embodiment of the present invention, Figures 6 and 7 are diagrams showing the spectral transmittance characteristics of the filter, and Figures 8 and 10 are the spectral sensitivity of the image pickup tube. Diagrams showing characteristics, Figures 9 and 12
11 is a side view of a pattern detection device showing another embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a diagram showing a defect detection circuit unit showing another embodiment of the present invention. Block diagram, Fig. 14, Fig. 15, Fig. 16, Fig. 17, Fig. 18, Fig. 20
19 and 21 are diagrams showing pattern images, and FIG.
This figure is a block diagram of a defect detection circuit unit showing another embodiment of the present invention, and FIG. 22 is an electric circuit diagram showing one embodiment of a memory, a reduced pattern forming circuit, etc. 1...Printed circuit board, 2...Wiring pattern, 4
... Base material, 11 ... High-intensity light source, 12 ... Condenser lens, 13 ... Semi-transmissive, 14 ... Imaging lens, 15 ... Reflected light detector, 15' ... Infrared reflected light detector, 16...first filter, 17...dichroic mirror, 18...second filter,
19... Fluorescence detector, 20... Infrared reflecting mirror,
21... Infrared transmission mirror, 41... Reflected light, 45
...Infrared reflected light, 51,51'...Detector driver, 52,52'...A/D converter, 53,5
3'...Binarization circuit, 54...First memory, 5
4'...Third memory, 55...Inversion reduction pattern forming circuit, 56...Second memory, 57...Masking circuit, 58...Defect extraction means, 59...
Defect output means, 60...reduced pattern forming circuit,
61...Second memory, 62...Synthesizing circuit, 7
1,71'...Detection signal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 配線を有する基板の基材またはレジスト等か
ら発生する螢光像を検出してこの螢光パターンの
光像を縮小し、上記螢光検出と同じ箇所について
上記基板の配線面からの反射光像を検出し、この
検出によつて得られる反射光検出パターン像を上
記縮小螢光パターンでマスキングして上記配線の
欠陥を検出することを特徴とする基板上の配線パ
ターン検出方法。 2 配線を有する基板の基材またはレジスト等か
ら発生する螢光像を検出する螢光検出手段と、該
螢光検出手段から検出される螢光検出パターン像
を縮小する縮小手段と、基板の配線面からの反射
光像を検出する反射光検出手段と、該反射光検出
手段によつて検出される反射光検出パターン像を
上記縮小手段で得られる縮小螢光パターンでマス
キングするマスキング手段と該マスキング手段で
マスキングされたパターンから配線の欠陥を検出
する欠陥検出手段とを備え付けたことを特徴とす
る基板上の配線パターン検出装置。 3 上記縮小手段に、螢光検出パターンの白黒を
反転する反転手段を備え付けたことを特徴とする
特許請求の範囲第2項記載の基板上の配線パター
ン検出装置。
[Scope of Claims] 1. Detecting a fluorescent image generated from a base material, resist, etc. of a substrate having wiring, reducing the optical image of this fluorescent pattern, and detecting the wiring of the substrate at the same location where the fluorescent light was detected. Wiring pattern detection on a substrate, characterized in that defects in the wiring are detected by detecting a reflected light image from a surface and masking the reflected light detection pattern image obtained by this detection with the reduced fluorescent pattern. Method. 2. Fluorescence detection means for detecting a fluorescence image generated from a base material or resist, etc. of a substrate having wiring, a reduction means for reducing a fluorescence detection pattern image detected by the fluorescence detection means, and wiring of the substrate. A reflected light detection means for detecting a reflected light image from a surface, a masking means for masking a reflected light detection pattern image detected by the reflected light detection means with a reduced fluorescence pattern obtained by the reduction means, and the masking. 1. A wiring pattern detection device on a substrate, comprising: defect detection means for detecting defects in wiring from a pattern masked by the means. 3. The wiring pattern detection device on a substrate according to claim 2, wherein the reduction means is equipped with inversion means for inverting black and white of the fluorescent detection pattern.
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