JPH0238305A - 太陽電池用のシリコン、その製造方法及びその使用 - Google Patents

太陽電池用のシリコン、その製造方法及びその使用

Info

Publication number
JPH0238305A
JPH0238305A JP1142303A JP14230389A JPH0238305A JP H0238305 A JPH0238305 A JP H0238305A JP 1142303 A JP1142303 A JP 1142303A JP 14230389 A JP14230389 A JP 14230389A JP H0238305 A JPH0238305 A JP H0238305A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
oxygen
carbon
content
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1142303A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0559042B2 (ja
Inventor
Ingo Schwirtlich
インゴ・シユビルトリツヒ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bayer AG
Original Assignee
Bayer AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bayer AG filed Critical Bayer AG
Publication of JPH0238305A publication Critical patent/JPH0238305A/ja
Publication of JPH0559042B2 publication Critical patent/JPH0559042B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264Inorganic materials
    • H01L31/028Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/0288Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table characterised by the doping material
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は改善された光電池特性を持ったシリコン、その
製造方法及び太陽電池の製造にそれを使用する方法に関
する。
本発明を要約すると以下のとおりである。本発明に従え
ば、酸素及び炭素の合計含有率が3−200 ppmで
あり、赤外線分析により決定しI;酸素:炭素の比が2
:l以下であるシリコンは、太陽光から電流を発生させ
るのに高度に効率が良く、従って太陽電池に有用な材料
である。
シリコンは、多様な用途に使用されている。電子工業に
おいては、目的に合うように調整された電子工学的性質
を持った高純度シリコン結晶が使用される。これらの結
晶の製造に伴う高いコストは、それから製造される個々
の電子工学的部品の低面積要求のために、個々の部品の
全体のコストに僅かに寄与するだけである。光電池工学
におけるシリコンの用途として、ハイパワーの濃縮電池
(concentrator cell)の製造にやは
り高純度シリコンが使用される。この場合に、純度は、
金属異物原子、アルカリ土金属元素、ホウ素及びリンに
関係するのみならず、炭素及び酸素にも関係する。
広範な文献があるにもかかわらず、太陽電池の電気的性
質に対する酸素及び炭素の作用に関しては余り詳細には
知られていない。かくしてこれらの2つの元素は著名な
トラブルメーカーとして知られている。[デイ・ヘルム
ライヒ、エイチ・ザイデルのデイ・ツバ−及びアール・
ワーリッヒ、太陽光利用″シリコンにおける欠陥相互作
用、アイ・イー・イー・イー1982.405ff頁(
D。
Hermreich、 H,5eiter、 D、 H
uber and R,Wahlich。
Defect Interaction in“5ol
ar” 5ilicon、 IEEE1982、 pa
ges 405 fD参照]。
大規模光電池工業技術に対する経済的要求を満足させる
ことを目的とする地上太陽電池用の多結晶シリコンにお
いては、電子工業用の高純度単結晶よりもいくらか高い
酸素及び炭素含有率が許容されなければならない。しか
しながら、経済的に製造することができるこれらの材料
は、比較的効率が低いという欠点を有する。
故に、本発明の目的は、効率の改良を達成することがで
きると共に経済的に得ることができる、光電池工業に適
したシリコンを提供することである。
驚くべきことに、シリコンの効率に不利な影響を与える
のは酸素及び炭素の絶対濃度のみではなく、それらの相
互の割合も又重要であることが見出だされた。驚くべき
ことに、酸素:炭素濃度比が2以下であれば、2つの元
素の濃度が比較的高くても高い効率が得られる。本発明
で使用する濃度は赤外線吸収により決定された値である
添付図面は、太陽電池中の種々のシリコン材料の酸素対
炭素の比に対する百分率効率をグラフで示す。
故に、本発明は、IRにより決定した酸素及び炭素含有
率の濃度比が2:1以下であり、酸素及び炭素不純物の
合計濃度が33−200ppであるシリコンに関する。
特に好ましい本発明に従うシリコンは、酸素及び炭素不
純物の合計濃度が55−1O0ppであるシリコンであ
る。前記濃度比が約1であり、元素酸素及び炭素の絶対
濃度が約2o ppmであるシリコンを使用すると、特
に良好な結果が得られる。
本発明は、本発明に従うシリコンの製造方法にも関する
。本発明に従うシリコンは、好ましくは、最初にシリコ
ンの炭素含有率を減少させ、次いで酸素ガスを除去する
ことにより酸素含有率を調節する方法により製造される
。炭素含有率は、西ドイツ公告公報第3.627.62
4号に記載の方法により有利に減少させることができる
。この方法に対応して、溶融シリコンが入っているるつ
ぼにおいて底部側と上部側の間に温度こう配を生じさせ
る。溶融物中に存在する炭素は、低温側に析出する。他
の可能な方法としては、西ドイツ公告公報第3,635
,064号、第3,727.646号及び第3,727
,647号に記載の如く、シリコン溶融物に反応性ガス
を通すことである。
酸素含有率は、溶融物から約1ミリバールの圧力で脱ガ
スすることにより対応して調節することができる。[ア
イ・ニー・アミック、ジェー・ピー・ディスムケス、ア
ール・ダブリュ・7ランシス、エル・ピー・フント等、
光電池のための材料及び新規な加工技術に関する談話会
議事録1983年、83−11巻、ザ・エレクトロケミ
カル・ソサイエティ・インコーホレーテッド、ニューシ
ャーシー州、ペニントン、サウス・メイン・ストリー 
ト 10 、 67 頁(f、  A、  Am1ck
、   J、  P、  Dismukes。
R,W、 Francis、 L、 P、 Hunt 
et al、 Proc、 of theSymp、 
on Materials and New’ Oro
cessing Technologies for 
Photovoltaics 1983+ Vo、 8
3−11゜The Electrochemical 
5ociety Inc、、 10 SouthMai
n St、、 Pennington、 N、 J、、
 pp、 67)]。
本発明に従う好ましい態様においては、シリコンは、固
体アルミニウムを使用してガス状四塩化ケイ素を還元す
ることにより製造される。この種の方法はEP−B  
123.100に開示されている。
第1図から分かるとおり、本発明に従うシリコン材料は
、非常に良好な効率を示す。効率は、酸素:炭素比が2
より大きくなると有意に減少する。
第1図には、多数の試料の平均効率と表1に示された値
が酸素:炭素比の関数としてプロットされている。平均
効率の増加は2で始まり、■で最大値に達する。
これらの良好な効率により、本発明に従うシリコンは、
太陽電池の製造に非常に好適である。故に、本発明は、
太陽電池を製造するためのシリコンの使用に関する。
本発明を実施例により以下に説明するが、これは本発明
を限定することを示すものではない。
下記実施例において、10%及びそれ以上の効率を有す
る太陽電池を製造した3つのシリコン試料の分析データ
を示す。酸素及び炭素の値はppmaで与えられたIR
データであり、他の元素の濃度は原子発光線(atom
ic emission 1ines)により決定され
た。これらの値の濃度はppmgで与えられている。黒
丸は表1からのデータであり、白丸は平均値により得ら
れた結果である。
本発明の主なる特徴及び態様は以下のとおりである。
1、酸素及び炭素含有率の合計が33−200ppであ
り、赤外線分析で決定した酸素:炭素の比が2.1以下
であるシリコン。
2、酸素及び炭素不純物の合計濃度が5−100 pp
mである、上記1に記載のシリコン。
3、酸素:炭素比が約1であり、元素炭素及び酸素の絶
対濃度が約20ppmである、上記1に記載のシリコン
4、最初にシリコンの炭素含有率を減少させ、次いで酸
素ガスを除去することにより酸素含有率を調節する上記
lに記載のシリコンを製造する方法。
5、溶融したシリコンが入っているるつぼ中の2つの点
の間に温度勾配を生じさせ、そして溶融シリコンのは度
を調節し、それにより存在する炭素を前記温度勾配の低
温側に析出させることにより、シリコンの炭素含有率を
減少させる、上記4に記載の方法。
6、シリコン溶融物を炭素と反応性のガスと接触させる
ことにより、シリコンの炭素含有率を減少させる、上記
4に記載の方法。
7、溶融したシリコンを減圧下に脱ガスすることにより
酸素を除去する、上記4に記載の方法。
8、前記減圧が約1ミリバールである、上記7に記載の
方法。
9、シリコンが、固体アルミニウムを使用してガス状四
塩化ケイ素を還元することにより製造されたものである
上記4に記載の方法。
10、電流を発生するための光電池手段としてシリコン
を含む太陽電池において、該シリコンが上記lに記載の
シリコンであることを特徴どする改良さ(tだ太陽電池
【図面の簡単な説明】
第1図は多数のシリコン試料の平均効率及び表1に示さ
れた効率の値を酸素:炭素比の関数としてプロットした
グラフ図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、酸素及び炭素の合計含有率が3−200ppmであ
    り、赤外線分析で決定した酸素:炭素の比が2:1以下
    であるシリコン。 2、最初にシリコンの炭素含有率を減少させ、次いで酸
    素ガスを除去することにより酸素含有率を調節する特許
    請求の範囲第1項記載のシリコンを製造する方法。 3、電流を発生するための光電池手段としてシリコンを
    含む太陽電池において、該シリコンが特許請求の範囲第
    1項記載のシリコンであることを特徴とする改良された
    太陽電池。
JP1142303A 1988-06-10 1989-06-06 太陽電池用のシリコン、その製造方法及びその使用 Granted JPH0238305A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3819778.2 1988-06-10
DE3819778A DE3819778A1 (de) 1988-06-10 1988-06-10 Silicium fuer solarzellen, verfahren zu seiner herstellung sowie dessen verwendung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0238305A true JPH0238305A (ja) 1990-02-07
JPH0559042B2 JPH0559042B2 (ja) 1993-08-30

Family

ID=6356275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1142303A Granted JPH0238305A (ja) 1988-06-10 1989-06-06 太陽電池用のシリコン、その製造方法及びその使用

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5431743A (ja)
EP (1) EP0345596B1 (ja)
JP (1) JPH0238305A (ja)
AU (1) AU621624B2 (ja)
DE (2) DE3819778A1 (ja)
ES (1) ES2041890T3 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008137870A (ja) * 2006-12-05 2008-06-19 Osaka Titanium Technologies Co Ltd シリコン塩化物の製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090266396A1 (en) * 2005-03-29 2009-10-29 Kyocera Corporation Polycrystalline Silicon Substrate, Method for Producing Same, Polycrystalline Silicon Ingot, Photoelectric Converter and Photoelectric Conversion Module
DE102006062117A1 (de) * 2006-12-22 2008-06-26 Schott Solar Gmbh Verfahren zum Herstellen kristallisierten Siliciums sowie kristallisiertes Silicium

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6350308A (ja) * 1986-08-14 1988-03-03 バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト 溶融ケイ素からの炭素の除去方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3504723A1 (de) * 1985-02-12 1986-08-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum reinigen von silicium
DE3635064A1 (de) * 1986-10-15 1988-04-21 Bayer Ag Verfahren zur raffination von silicium und derart gereinigtes silicium

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6350308A (ja) * 1986-08-14 1988-03-03 バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト 溶融ケイ素からの炭素の除去方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008137870A (ja) * 2006-12-05 2008-06-19 Osaka Titanium Technologies Co Ltd シリコン塩化物の製造方法
JP4664892B2 (ja) * 2006-12-05 2011-04-06 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ シリコン塩化物の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0345596A3 (en) 1990-06-27
EP0345596B1 (de) 1993-05-12
DE3819778A1 (de) 1989-12-21
DE58904313D1 (de) 1993-06-17
EP0345596A2 (de) 1989-12-13
ES2041890T3 (es) 1993-12-01
US5431743A (en) 1995-07-11
JPH0559042B2 (ja) 1993-08-30
AU3607389A (en) 1989-12-14
AU621624B2 (en) 1992-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Istratov et al. Control of metal impurities in “dirty” multicrystalline silicon for solar cells
Geerligs et al. Base doping and recombination activity of impurities in crystalline silicon solar cells
Sarti et al. Silicon feedstock for the multi-crystalline photovoltaic industry
He et al. The effect of calcium oxide addition on the removal of metal impurities from metallurgical-grade silicon by acid leaching
Satpathy et al. Solar PV power: design, manufacturing and applications from sand to systems
CN106115717B (zh) 一种去除冶金级硅中杂质的方法
CN106946233B (zh) 一种粗硒物料真空精炼提纯的方法
CN101007633A (zh) 光伏产业用硅制备方法
Pizzini Solar grade silicon as a potential candidate material for low-cost terrestrial solar cells
Yasuda et al. Electrolytic reduction of a powder-molded SiO2 pellet in molten CaCl2 and acceleration of reduction by Si addition to the pellet
Mauk Silicon solar cells: Physical metallurgy principles
CN101850975A (zh) 一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法
CN108611500A (zh) 一种低熔点金属提纯方法
JPH0238305A (ja) 太陽電池用のシリコン、その製造方法及びその使用
CN109852847B (zh) 制氢用的Al-Ga-In-Sn-Cu合金及其制备方法、在燃料电池中的应用
Traoré et al. Preparation of silicon from rice husk as renewable energy resource by the use of microwave ashing and acid digestion
CN101302012A (zh) 太阳能电池用光伏硅提纯工艺
Geerligs et al. solar-grade silicon by a direct route based on carbothermic reduction of silica: requirements and production technology.
CN109988943A (zh) 制氢用的Al-Ga-In-Sn-Mg合金及其制备方法
CN1990380B (zh) 单晶硅制备中稀土镧系基合金吸气剂提纯氩气与氩气回收工艺
Tarasenko et al. Manufacturing technologies for photovoltaics and possible means of their development in Russia (Review). Part 1: General approach to the development of photoelectric converters and basic silicon technologies
Shchukin et al. Metallurgical silicon refining using electron-beam plasma
Khattak et al. Production of low-cost solar grade (SOG) silicon feedstock
Ma et al. Electrodeposition of Si from Silicate Ions at Graphite and Liquid Zn Electrodes in Molten CaCl2
CN110537272A (zh) 用于生产所选粒度分布的硅颗粒的方法