JPH0237790A - 半導体レーザ選別方法 - Google Patents
半導体レーザ選別方法Info
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- JPH0237790A JPH0237790A JP63187008A JP18700888A JPH0237790A JP H0237790 A JPH0237790 A JP H0237790A JP 63187008 A JP63187008 A JP 63187008A JP 18700888 A JP18700888 A JP 18700888A JP H0237790 A JPH0237790 A JP H0237790A
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- Japan
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- semiconductor laser
- signal
- amplifier
- semiconductor
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 238000010187 selection method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、アナログ光通信システムに光源として用いる
半導体レーザの良否選別方法に関するものである。
半導体レーザの良否選別方法に関するものである。
（従来の技術）
光通信システムに用いる光源として半導体レーザに要求
される特性は、高出力、低しきい値電流。
される特性は、高出力、低しきい値電流。
高い温度安定性などがある。アナログ直接強度変調方式
を用いる場合には、さらに、低雑音、低歪という特性が
要求される。従来より、アナログ光通信システムに用い
る半導体レーザの選別方法は、たとえば、特開昭５８−
２１５１３９号公報記載の構成が知られている。以下、
第４図を用いて、簡単にその構成を説明する。アナログ
電気信号源４０１の出力を結合器４０３によりパイロッ
ト信号源４０２の出力と結合する６結合器４０３の出力
は、増幅器４０４を介し、発光素子４０５に与えられ、
これにより、発光素子４０５は、強度変調された光出力
を出す。
を用いる場合には、さらに、低雑音、低歪という特性が
要求される。従来より、アナログ光通信システムに用い
る半導体レーザの選別方法は、たとえば、特開昭５８−
２１５１３９号公報記載の構成が知られている。以下、
第４図を用いて、簡単にその構成を説明する。アナログ
電気信号源４０１の出力を結合器４０３によりパイロッ
ト信号源４０２の出力と結合する６結合器４０３の出力
は、増幅器４０４を介し、発光素子４０５に与えられ、
これにより、発光素子４０５は、強度変調された光出力
を出す。
強度変調された発光素子４０５の光出力の一部を受光素
子４０６で受光し、受光素子４０６の出力は、増幅器４
０７を介し帯域フィルタ４０８を通過する際に。
子４０６で受光し、受光素子４０６の出力は、増幅器４
０７を介し帯域フィルタ４０８を通過する際に。
例えば、パイロット信号源４０２から出力されたパイロ
ット信号の２倍の周波数成分が変調歪成分として抽出さ
れる。帯域フィルタ４０８の出力は、整流回路４０９で
整流され、判別回路４１０で歪波レベルの変化を監視す
る。この半導体レーザ選別方法は。
ット信号の２倍の周波数成分が変調歪成分として抽出さ
れる。帯域フィルタ４０８の出力は、整流回路４０９で
整流され、判別回路４１０で歪波レベルの変化を監視す
る。この半導体レーザ選別方法は。
何１運用中でも発光素子４０５の変調歪特性の劣化が検
出できるものである。しかし、変調歪の小さい半導体レ
ーザの選別に際しては、第４図で示したような発光素子
のアナログ変調歪レベル監視装置は、実際の運用システ
ムに近い状態で評価することが必要であった。
出できるものである。しかし、変調歪の小さい半導体レ
ーザの選別に際しては、第４図で示したような発光素子
のアナログ変調歪レベル監視装置は、実際の運用システ
ムに近い状態で評価することが必要であった。
（発明が解決しようとする課題）
従来の半導体レーザの選別方法は、実際に用いる光通信
システム、もしくはそれに近い伝送系を用いて行なわな
くてはならないという問題があった。
システム、もしくはそれに近い伝送系を用いて行なわな
くてはならないという問題があった。
本発明は、以上のような、複雑な通信システムを用いて
半導体レーザの選別を行なわなければならないという点
に鑑み、変調歪の小さい半導体レーザを容易に選別でき
る半導体レーザ選別方法を提供することを目的とする。
半導体レーザの選別を行なわなければならないという点
に鑑み、変調歪の小さい半導体レーザを容易に選別でき
る半導体レーザ選別方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するため、本発明の技術的解決手段は、
半導体レーザの静特性のひとつである電流−微分量子特
性と、その半導体レーザを組み込んだ半導体レーザモジ
ュールのアナログ直接強度変調時の２次相互変調歪との
間の関連を求めることにより、静特性から変調歪の小さ
い半導体レーザを選別する。
半導体レーザの静特性のひとつである電流−微分量子特
性と、その半導体レーザを組み込んだ半導体レーザモジ
ュールのアナログ直接強度変調時の２次相互変調歪との
間の関連を求めることにより、静特性から変調歪の小さ
い半導体レーザを選別する。
まず、半導体レーザの直流−微分量子効率を測定するこ
とから、しきい値以上の電流領域において、グラフを直
線近似することにより最大値からの落ち込み量を用いて
、半導体レーザの電流−光出力特性の直線性を示すパラ
メータを導入する。
とから、しきい値以上の電流領域において、グラフを直
線近似することにより最大値からの落ち込み量を用いて
、半導体レーザの電流−光出力特性の直線性を示すパラ
メータを導入する。
このパラメータと半導体レーザモジュールの２次相互変
調歪の大きさとを実験的に求めることから、アナログ光
伝送時の変調歪の小さい半導体レーザを選別する。
調歪の大きさとを実験的に求めることから、アナログ光
伝送時の変調歪の小さい半導体レーザを選別する。
（作 用）
本発明は、前記の方法によりアナログ直接強度変調方式
を用いる光通信システムにおける。半導体レーザモジュ
ールの選別方法において、半導体レーザの電流−微分量
子効率特性を測定することにより、半導体レーザモジュ
ールにおける変調歪成分の小さいものの選別を容易にす
る。
を用いる光通信システムにおける。半導体レーザモジュ
ールの選別方法において、半導体レーザの電流−微分量
子効率特性を測定することにより、半導体レーザモジュ
ールにおける変調歪成分の小さいものの選別を容易にす
る。
（実施例）
以下に本発明の一実施例を第１図ないし第３図を参照し
つつ説明する。
つつ説明する。
第１図は、半導体レーザの電流−微分量子効率特性の一
例を示す図である。半導体レーザの電流（Ｉｏρ）〉シ
きい値電流（Ｉ ｔｈ）領域での図を直線近似した時、
Ｉｏｐ＝ 工ｔｈ＋Ｉｏ ｍＡにおける微分量子効率の
最大値からの落込み量を最大値で規格化し、Δ（ｄＬ／
ｄＩ） ／ （ｄＬ／ｄＩ）ｍａｘ というパラメータ
を導入する６ すなわち、このパラメータは以下で定義される。
例を示す図である。半導体レーザの電流（Ｉｏρ）〉シ
きい値電流（Ｉ ｔｈ）領域での図を直線近似した時、
Ｉｏｐ＝ 工ｔｈ＋Ｉｏ ｍＡにおける微分量子効率の
最大値からの落込み量を最大値で規格化し、Δ（ｄＬ／
ｄＩ） ／ （ｄＬ／ｄＩ）ｍａｘ というパラメータ
を導入する６ すなわち、このパラメータは以下で定義される。
Δ（ｄＬ／ｄＩ）／ （ｄＬ／ｄＩ）ｍａｘ ＝ （（
ｄＬ、’ｄＩ）ｍａｘ−（ｄＬ／ｄＩ） Ｉ ｏｐ）
／ （ｄｌ、／ｄＴ）ｍａｘまた、このようにして測定
した半導体レーザを組み込んだ半導体レーザモジュール
のアナログ直接強度変調時の２次相互変調歪の大きさを
第２図の測定系で求める。
ｄＬ、’ｄＩ）ｍａｘ−（ｄＬ／ｄＩ） Ｉ ｏｐ）
／ （ｄｌ、／ｄＴ）ｍａｘまた、このようにして測定
した半導体レーザを組み込んだ半導体レーザモジュール
のアナログ直接強度変調時の２次相互変調歪の大きさを
第２図の測定系で求める。
第２図はアナログ直接強度変調時の変調歪の大きさを測
定する系の概略図を示す。２０１．２０２は信号発生器
（ＳＧＩ、５Ｇ２） 、２０３は結合器、２０４は減衰
器（ＡＴＴ）、２０５は温度制御回路（ＡＴＣ） 、２
０６は光出力制御回路（Ａ Ｐ Ｃ） 、 ２０７はバ
イアス回路、２０８は半導体レーザモジュール、２０９
は斜め研磨コネクタ、２１０はシングルモードファイバ
、２１１は受光素子、２１２は増幅器、２１３は信号解
析器（スペクトラムアナライザ） 、 ２１４は制御用
コンピュータである。信号発生器２０１．２０２からの
信号をバイアス回路２０７に加え、半導体レーザモジュ
ール２０８を駆動する。半導体レーザモジュール２０８
の出力は、斜め研磨コネクタ２０９、シングルモードフ
ァイバ２１０を介し、受光素子２１１で受光され、増幅
器２１２で増幅した後、増幅器２１２からの出力信号を
信号解析器２１３で解析する。
定する系の概略図を示す。２０１．２０２は信号発生器
（ＳＧＩ、５Ｇ２） 、２０３は結合器、２０４は減衰
器（ＡＴＴ）、２０５は温度制御回路（ＡＴＣ） 、２
０６は光出力制御回路（Ａ Ｐ Ｃ） 、 ２０７はバ
イアス回路、２０８は半導体レーザモジュール、２０９
は斜め研磨コネクタ、２１０はシングルモードファイバ
、２１１は受光素子、２１２は増幅器、２１３は信号解
析器（スペクトラムアナライザ） 、 ２１４は制御用
コンピュータである。信号発生器２０１．２０２からの
信号をバイアス回路２０７に加え、半導体レーザモジュ
ール２０８を駆動する。半導体レーザモジュール２０８
の出力は、斜め研磨コネクタ２０９、シングルモードフ
ァイバ２１０を介し、受光素子２１１で受光され、増幅
器２１２で増幅した後、増幅器２１２からの出力信号を
信号解析器２１３で解析する。
第３図は、導入したパラメータと２次相互変調歪の大き
さの関係を示す図である。
さの関係を示す図である。
第３図に導入したパラメータΔ（ｄＬ／ｄＩ） ／ （
ｄＬ／ｄＩ）ｗａｘと２次相互変調歪の大きさ（２次相
互変調歪のレベルＩＭ２と、搬送波のレベルＣａとの差
）との関係を示す。なお、この図は測定時の変調度を０
．２に固定して行なったものである。
ｄＬ／ｄＩ）ｗａｘと２次相互変調歪の大きさ（２次相
互変調歪のレベルＩＭ２と、搬送波のレベルＣａとの差
）との関係を示す。なお、この図は測定時の変調度を０
．２に固定して行なったものである。
第３図から明らかなように、第３図に導入したパラメー
タΔ（ｄＬ／ｄＩ） ／ （ｄＬ／ｄＩ）ｗａｘと、半
導体し−ザモジュール作製時の２次相互変調歪の大きさ
との関係から、半導体レーザの測定に際し５電流−微分
量子効率の測定のみにより、変調歪の小さな半導体レー
ザの選別が容易しご可能となることは明らかである。
タΔ（ｄＬ／ｄＩ） ／ （ｄＬ／ｄＩ）ｗａｘと、半
導体し−ザモジュール作製時の２次相互変調歪の大きさ
との関係から、半導体レーザの測定に際し５電流−微分
量子効率の測定のみにより、変調歪の小さな半導体レー
ザの選別が容易しご可能となることは明らかである。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、半導体レーザモジュール
のアナログ直接強度変調時の特性のひとつである変調歪
の大きさを、半導体レーザのチップ段階における簡便な
測定方法で評価する方法を与えるもので、半導体レーザ
モジュール作製時の工程の削減、簡便化等、実用的効果
は大きい。
のアナログ直接強度変調時の特性のひとつである変調歪
の大きさを、半導体レーザのチップ段階における簡便な
測定方法で評価する方法を与えるもので、半導体レーザ
モジュール作製時の工程の削減、簡便化等、実用的効果
は大きい。
第１図は１本発明の実施例における半導体レーザの電流
−微分量子効率特性と導入したパラメータを表わすため
に用いた値を示す図、第２図は、アナログ直接強度変調
時の変調歪の大きさを測定する系の概略図、第３図は導
入したパラメータと２次相互変調歪の大きさの関係を示
す図、第４図は従来例における発光素子のアナログ変調
歪レベル監視装置の概略図を示す。 ２０１、２０２・・・信号発生器、２０３・・・結合器
、２０４・・・減衰器、２０５・・・温度制御回路、２
０６・・・光出力制御回路、２０７・・・バイアス回路
、２０８・・・半導体レーザモジュール、２０９・・・
斜め研磨コネクタ、２１０・・・シングルモードファイ
バ、２１１・・・受光素子、２１２・・・増幅器、２１
３・・・信号解析器、２１４・・・制御用コンピュータ
。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 一一一］ 冒 」 ｉＯｐ （ｍＡ） 第 図 Δ（ｄＬ／ｄｌ）／（ｄＬ／ｄｉ）ｍａｘ（０／。）
−微分量子効率特性と導入したパラメータを表わすため
に用いた値を示す図、第２図は、アナログ直接強度変調
時の変調歪の大きさを測定する系の概略図、第３図は導
入したパラメータと２次相互変調歪の大きさの関係を示
す図、第４図は従来例における発光素子のアナログ変調
歪レベル監視装置の概略図を示す。 ２０１、２０２・・・信号発生器、２０３・・・結合器
、２０４・・・減衰器、２０５・・・温度制御回路、２
０６・・・光出力制御回路、２０７・・・バイアス回路
、２０８・・・半導体レーザモジュール、２０９・・・
斜め研磨コネクタ、２１０・・・シングルモードファイ
バ、２１１・・・受光素子、２１２・・・増幅器、２１
３・・・信号解析器、２１４・・・制御用コンピュータ
。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 一一一］ 冒 」 ｉＯｐ （ｍＡ） 第 図 Δ（ｄＬ／ｄｌ）／（ｄＬ／ｄｉ）ｍａｘ（０／。）
Claims (1)
- 光通信システムのうちアナログ直接強度変調を使用する
伝送方式に必要な変調歪成分の少ない半導体レーザの選
別方法において、半導体レーザチップの電流−微分量子
効率特性を測定し、発振しきい値以上の電流領域での微
分量子効率の変化量を利用して半導体レーザチップの選
別を行うことを特徴とする半導体レーザ選別方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187008A JPH0237790A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 半導体レーザ選別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187008A JPH0237790A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 半導体レーザ選別方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0237790A true JPH0237790A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16198588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63187008A Pending JPH0237790A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 半導体レーザ選別方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237790A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6068411A (en) * | 1997-06-10 | 2000-05-30 | Nec Corporation | Distortion characteristic and yield of semiconductor laser module |
| JP2009087991A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュールの製造方法 |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP63187008A patent/JPH0237790A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6068411A (en) * | 1997-06-10 | 2000-05-30 | Nec Corporation | Distortion characteristic and yield of semiconductor laser module |
| JP2009087991A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュールの製造方法 |
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