JPH0237320A - Liquid crystal display device and production thereof - Google Patents

Liquid crystal display device and production thereof

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Publication number
JPH0237320A
JPH0237320A JP63187564A JP18756488A JPH0237320A JP H0237320 A JPH0237320 A JP H0237320A JP 63187564 A JP63187564 A JP 63187564A JP 18756488 A JP18756488 A JP 18756488A JP H0237320 A JPH0237320 A JP H0237320A
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JP
Japan
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liquid crystal
light shielding
transparent substrate
crystal display
light
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Application number
JP63187564A
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Japanese (ja)
Inventor
Hisao Hayashi
久雄 林
Yuji Hayashi
祐司 林
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPH0237320A publication Critical patent/JPH0237320A/en
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Abstract

PURPOSE:To enhance light shieldability in spite of an excellent opening rate and to allow liquid crystal display with high image quality by forming a light shielding part based on a mark part formed by self-alignment to the point opposite to the metallic wiring layer constituting the element on the rear surface side of one of transparent substrates facing each other. CONSTITUTION:The element having at least metallic wiring layer 13 on the outer side surface of one transparent substrate 1 of the transparent substrates 1, 2 facing each other is provided. The metallic wiring layer 13 and the mark part 16 by the self-alignment are provided to the outer side surface of the one substrate 1 and the light shielding part 4 which shields the element is provided based on said mark part 16. The light shielding part 4 formed on the rear surface side of the substrate 1 is formed with the mark part 26 provided by the self-alignment as a reference. Coating of the desired part of the element with high accuracy is possible in this way and the high light shieldability is obtd. even if the opening rate is high. The light shielding part 4 is formed on the rear surface of the substrate 1 formed with the element and notching is formed on the light shielding 2 side facing said substrate with a liquid crystal in-between; therefore, the transparent substrates facing each other can be easily stuck to each other.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、対向する透明基板の一方の透明基板の内側面
に金属配線層を存した液晶駆動用素子を有し、外側面に
遮光部を有してなる透過型の液晶表示装置及びその製造
方法に関するものである。
Detailed Description of the Invention [Industrial Application Field] The present invention has a liquid crystal driving element having a metal wiring layer on the inner surface of one of the opposing transparent substrates, and a light shielding portion on the outer surface. The present invention relates to a transmissive liquid crystal display device having a transmission type liquid crystal display device and a method for manufacturing the same.

〔発明の慨要〕[Summary of the invention]

本発明は、対向する透明基板の一方の透明基板内側面に
少なくとも金属配線層を存した素子が設けられてなる液
晶表示装置において、上記一方の透明基板の外側面に遮
光部を設けたことにより、開口率に優れるにもかかわら
ず遮光性が高く、画質の向上が図れる液晶表示装置を提
供しようとするものである。
The present invention provides a liquid crystal display device in which an element having at least a metal wiring layer is provided on the inner surface of one of the opposing transparent substrates, in which a light shielding portion is provided on the outer surface of one of the transparent substrates. The present invention aims to provide a liquid crystal display device which has a high light-shielding property and can improve image quality despite having an excellent aperture ratio.

また本発明は、透明基板の表面側に金属配線層を有した
素子を形成するとともに、上記透明基板の裏面側に半導
体層を形成した後、上記素子の金属配線層とセルファラ
インでマーク部を形成し、その後上記マーク部を基準と
して遮光部を形成することにより、高精度で且つN、a
に遮光部を形成することができるとともに、対向する透
明基板との容易な貼り合わせを行うことができる液晶表
示装置の製造方法を提供するものである。
In addition, the present invention forms an element having a metal wiring layer on the front side of a transparent substrate, and forms a semiconductor layer on the back side of the transparent substrate, and then forms a mark portion with the metal wiring layer of the element and a self-line. By forming a light shielding part using the mark part as a reference, high accuracy and N, a
The present invention provides a method for manufacturing a liquid crystal display device in which a light shielding portion can be formed in the liquid crystal display device and a transparent substrate facing the transparent substrate can be easily bonded to the liquid crystal display device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

例えばアクティブマトリクス透過型液晶表示装置は、共
通基板上にマトリクス電極が設けられた液晶表示部と液
晶駆動回路として機能する薄膜トランジスタが設けられ
、これら素子の形成された基板と対向して表面に対向電
橋を設けた基板との間に液晶が挟み込まれて構成されて
いる。
For example, an active matrix transmission type liquid crystal display device has a liquid crystal display section with a matrix electrode provided on a common substrate and a thin film transistor functioning as a liquid crystal drive circuit, and a counter electrode is placed on the surface opposite the substrate on which these elements are formed. It consists of a liquid crystal sandwiched between a substrate provided with a bridge.

ところが上記液晶表示装置においては、薄膜トランジス
タが液晶表示部に比べて凸状となっているため、薄膜ト
ランジスタに電圧がかかった場合、液晶表示部の液晶ば
かりでなく薄膜トランジスタ上の液晶も配向してしまい
液晶表示の劣化を招くことになる。
However, in the above-mentioned liquid crystal display device, the thin film transistor has a convex shape compared to the liquid crystal display part, so when a voltage is applied to the thin film transistor, not only the liquid crystal in the liquid crystal display part but also the liquid crystal on the thin film transistor is aligned, causing the liquid crystal to become oriented. This will lead to deterioration of the display.

また、薄膜トランジスタを構成する電極としてAp電i
を使用しているため、強い光が入射した場合には、その
人j!電極で入射光が反射してしまい、反射光が液晶表
示部に漏れて液晶表示のコントラストの低下を招いてし
まう。
In addition, Ap electrodes are used as electrodes constituting thin film transistors.
If strong light is incident on the person, the j! Incident light is reflected by the electrodes, and the reflected light leaks into the liquid crystal display section, resulting in a decrease in the contrast of the liquid crystal display.

さらには、非常に強度な光が入射した場合には、ゲート
のリークも発生し、液晶表示に支障を来す結果となる。
Furthermore, if very intense light is incident, gate leakage will also occur, resulting in problems with liquid crystal display.

そこで従来、上述の諸問題を解決する目的で、第3図に
示すように、相対向する透明基板101゜102の一方
の透明基板101の一側面101aに金属配線層103
を有した素子104を形成するとともに、他の透明基板
102の一側面102aであって、上記金属配線層10
3を有した素子104に対応する位置に遮光部105を
形成し、これらを間に液晶106を挾み込み液晶表示部
と重ならないように精度よく位置合わせして貼り合わせ
て形成される液晶表示装置が提案されている。
Conventionally, in order to solve the above-mentioned problems, as shown in FIG.
In addition to forming an element 104 having a
A liquid crystal display is formed by forming a light shielding part 105 at a position corresponding to an element 104 having a light shielding part 3, and inserting a liquid crystal 106 between these parts, aligning them with precision so as not to overlap with the liquid crystal display part, and bonding them together. A device has been proposed.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、上記液晶駆動用の素子104が形成された透
明基板101と、該液晶駆動用の素子104から漏れる
光を遮蔽する遮光部105を設けた透明基板102とを
貼り合わせるに際して、接着剤の膨張、収縮、貼り合わ
せ時の温度変化による膨張誤差やその他貼り合わせの際
の各種条件により液晶駆動用の素子104と遮光部10
5との間で貼り合わせズレが起こり、液晶駆動用の素子
104と遮光部105とを精度よく貼り合わせることが
非常に困難である。
However, when bonding together the transparent substrate 101 on which the liquid crystal driving element 104 is formed and the transparent substrate 102 provided with the light shielding part 105 that blocks light leaking from the liquid crystal driving element 104, the adhesive expands. , contraction, expansion errors due to temperature changes during bonding, and other various conditions during bonding, the liquid crystal driving element 104 and light shielding portion 10
5, and it is very difficult to accurately bond the liquid crystal driving element 104 and the light shielding part 105 together.

そこで、貼り合わせ時のズレを見込んで遮光部105を
形成した透明基板102と液晶駆動用の素子104を形
成した透明基板lotとを貼り合わせて液晶表示装置を
作製した場合には、ズレを見込んで作製された遮光部1
05が液晶表示の有効部と重なることとなるため、開口
率が低下して明るさが減少し画質の劣化を招くという聞
届がある。
Therefore, if a liquid crystal display device is manufactured by bonding the transparent substrate 102 on which the light-shielding portion 105 is formed and the transparent substrate lot on which the liquid crystal driving element 104 is formed, taking into account the misalignment during bonding, the misalignment is anticipated. Light shielding part 1 made with
05 overlaps with the effective area of the liquid crystal display, it is reported that the aperture ratio decreases, brightness decreases, and image quality deteriorates.

上述の問題を改善するために、例えば、遮光部を液晶駆
動用の素子上に重ねて形成する方法がある。この方法で
は遮光部と素子との重ね合わせの精度は非常に良好なも
のとなる反面、遮光部の材料が導体であることから素子
を構成するゲート電極やAl電極等との間で短絡を起こ
す可能性が高いこと、また素子と基板との間で凹凸があ
るためその部分で光の漏れがあること等の間8点がある
In order to improve the above-mentioned problem, for example, there is a method of forming a light shielding part so as to overlap the liquid crystal driving element. In this method, the accuracy of overlapping the light-shielding part and the element is very good, but since the material of the light-shielding part is a conductor, short circuits may occur between the gate electrode, Al electrode, etc. that make up the element. There are 8 points, including that there is a high possibility of this, and that there is unevenness between the element and the substrate, causing light leakage in that area.

そこで、本発明は開口率が高く、コントラストが良好な
液晶表示装置を提供するとともに・、素子と遮光板とを
精度良く重ね合わせることができ、対向する透明基板と
容易且つ良好に貼り合わせることが可能な液晶表示装置
の製造方法を提供するものである。
Therefore, the present invention provides a liquid crystal display device with a high aperture ratio and good contrast, and also allows elements and a light-shielding plate to be overlapped with high precision, and can be easily and favorably bonded to an opposing transparent substrate. The present invention provides a possible manufacturing method for a liquid crystal display device.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明は、対向する透明基板の一方の透明基板内側面に
少なくとも金属配線層を有した素子が設けられてなる液
晶表示装置において、上記一方の透明基板の外側面に上
記金属配&1lJiiとセルファラインでマーク部が設
けられ、そのマーク部を基準に上記素子を遮光する遮光
部が設けられてなることを特徴とするものである。
The present invention provides a liquid crystal display device in which an element having at least a metal wiring layer is provided on the inner surface of one of the transparent substrates facing each other, wherein the metal wiring and the self-alignment line are provided on the outer surface of one of the transparent substrates. The device is characterized in that a mark portion is provided, and a light shielding portion is provided for shielding the element from light based on the mark portion.

また本発明は、透明基板の表面側に金属配線層を有した
素子を形成するとともに、上記透明基板の裏面側に半導
体層を形成する工程と、上記半導体層に素子の金属配線
層とセルファラインでマーク部を形成する工程と、上記
マーク部を基準として遮光部を形成する工程とからなる
ことを特徴とするものである。
The present invention also includes a step of forming an element having a metal wiring layer on the front side of a transparent substrate, and forming a semiconductor layer on the back side of the transparent substrate, and a step of forming a metal wiring layer of the element and a self-line in the semiconductor layer. The method is characterized in that it comprises a step of forming a mark portion, and a step of forming a light shielding portion with reference to the mark portion.

〔作用〕[Effect]

透明基板の裏面側に形成された遮光部は、セルファライ
ンで設けられたマーク部を基準として形成されるため、
素子の所望する部分を高精度に覆うことが可能となり、
開口率に優れるにもかかわらず遮光性が高い。
The light shielding part formed on the back side of the transparent substrate is formed based on the mark part provided by the Selfa line, so
It becomes possible to cover the desired part of the element with high precision,
Despite its excellent aperture ratio, it has high light-shielding properties.

また、素子を形成した透明基板の裏面側に遮光部が形成
されており、液晶を挟んで対向する透明基板側には何も
形成していないので、対向する3明基板同士の貼り合わ
せが容易に行える。
In addition, a light-shielding part is formed on the back side of the transparent substrate on which the element is formed, and nothing is formed on the transparent substrate side that faces the liquid crystal, making it easy to bond the opposing three-light substrates together. can be done.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明を適用した実施例について図面を参照しな
がら説明する。
Embodiments to which the present invention is applied will be described below with reference to the drawings.

本発明にかかる液晶表示装置は、第1図に示すように、
液晶駆動用の素子3と遮光部4が形成された透明基板1
と対向電極5が形成された透明基板2とを上記透明基板
1の素子3と上記透明基板20対閏電極5とが相対向す
るように液晶6を間に挟んで貼り合わせて構成されるも
のである。
As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device according to the present invention has the following features:
A transparent substrate 1 on which a liquid crystal driving element 3 and a light shielding part 4 are formed.
and a transparent substrate 2 on which a counter electrode 5 is formed are pasted together with a liquid crystal 6 sandwiched between them so that the element 3 of the transparent substrate 1 and the transparent substrate 20 and the interdigital electrode 5 face each other. It is.

本実施例においては上記透明基板1.2としては、とも
にガラス基板を用いているが、その他通常透明基板の材
料として使用されるものであればいずれのものも使用可
能である。
In this embodiment, glass substrates are used as the transparent substrates 1 and 2, but any other material that is normally used as a material for transparent substrates can be used.

上記透明基板1の内側側1aに形成された液晶駆動用の
素子3は、液晶表示装置の駆動回路として機能する薄膜
トランジスタであり、透明基板1の内側面la上にはソ
ース領域及びドレイン領域が形成される活性層7が設け
られ、その上部にはゲート絶!!l!I8を介してゲー
ト電極9が形成されている。そして、上記活性層7及び
ゲート電極9等を含み透明基板1の内側面1a全面に亘
って絶縁膜10が形成されている。この絶縁膜10の上
記活性層7のソース領域及びドレイン領域の形成部分に
該当する箇所には開口部11.12が形成されており、
一方の開口部11には八!よりなる金属配線層13が形
成され、もう一方の開口部12には透明基板1上に形成
された絶縁膜10を含んでマトリクス電極14が形成さ
れている。上述のような構成で示される素子3を形成し
た透明基板1の内側面側には、配向層15が形成されて
いる。
The liquid crystal driving element 3 formed on the inner side 1a of the transparent substrate 1 is a thin film transistor that functions as a driving circuit of a liquid crystal display device, and a source region and a drain region are formed on the inner side la of the transparent substrate 1. An active layer 7 is provided on which the gate is disconnected. ! l! A gate electrode 9 is formed via I8. An insulating film 10 is formed over the entire inner surface 1a of the transparent substrate 1, including the active layer 7, gate electrode 9, etc. Openings 11 and 12 are formed in the insulating film 10 at locations corresponding to the formation portions of the source and drain regions of the active layer 7,
Eight in one opening 11! A metal wiring layer 13 is formed, and a matrix electrode 14 including an insulating film 10 formed on the transparent substrate 1 is formed in the other opening 12. An alignment layer 15 is formed on the inner side of the transparent substrate 1 on which the element 3 having the above-described structure is formed.

上述のような構成で示される素子3を形成した透明基板
1の外側面1bには、上記素子3を構成する金属配線層
13とセルファラインで設けられたマーク部16が設け
られている。このマーク部16は、素子3を構成するゲ
ート電極9を形成する際に同時に透明基板1の外側面1
bに形成されたポリシリコン膜を利用して素子3を構成
する金属配線層13とセルファラインで形成されるもの
である。
On the outer surface 1b of the transparent substrate 1 on which the element 3 having the above-mentioned structure is formed, a mark portion 16 is provided which is formed by a self-alignment with the metal wiring layer 13 constituting the element 3. This mark portion 16 is formed on the outer surface 1 of the transparent substrate 1 at the same time when forming the gate electrode 9 constituting the element 3.
Using the polysilicon film formed in b, the metal wiring layer 13 constituting the element 3 and the self-line are formed.

そして、このマーク部16上には、該マーク部16を基
準としてその表面側に遮光部4が形成されている。特に
、本実施例においては遮光部4は、光が透過することに
より生じる金属配線層13からの光の反射を防止する目
的で金属配線1’i13に該当する箇所のみに形成され
ている。
A light shielding portion 4 is formed on the mark portion 16 on the front surface side with the mark portion 16 as a reference. In particular, in this embodiment, the light shielding portions 4 are formed only at locations corresponding to the metal wiring 1'i13 for the purpose of preventing reflection of light from the metal wiring layer 13 caused by transmission of light.

しかし、ゲートのリークによるコントラストの低下や、
液晶表示部以外の部分の液晶が配向して生ずる画面の劣
化、等を防止する目的で透明基板Iの内側面1aに形成
した素子3全体を覆うように透明基板1の外側面1bで
あって、素子3と対向する部分に該素子3全体が覆われ
るように遮光部4を形成してもよい。
However, the contrast decreases due to gate leakage,
The outer surface 1b of the transparent substrate 1 is arranged so as to cover the entire element 3 formed on the inner surface 1a of the transparent substrate I for the purpose of preventing screen deterioration caused by alignment of the liquid crystal in parts other than the liquid crystal display section. , the light shielding part 4 may be formed in a portion facing the element 3 so as to cover the entire element 3.

一方、上記素子3と遮光部4が形成された透明基板lに
対向して液晶6を間に挟み込んで貼り付は形成されてい
る透明基板2の内側面2aには、上記素子3が形成され
た透明基板1のマトリクス電極14に対向して全面に対
向電極5が形成されている。そして、上記対向電極5の
表面には配向層17が全面に亘って形成されている。上
記配向層17は、素子3が形成された透明基板1の配向
層15とともに液晶6の配向性を向上させる目的から形
成さるものである。
On the other hand, the element 3 is formed on the inner surface 2a of the transparent substrate 2, which faces the transparent substrate l on which the element 3 and the light shielding part 4 are formed, and is attached with the liquid crystal 6 sandwiched therebetween. A counter electrode 5 is formed on the entire surface of the transparent substrate 1 facing the matrix electrode 14 . An alignment layer 17 is formed over the entire surface of the counter electrode 5. The alignment layer 17 is formed for the purpose of improving the alignment of the liquid crystal 6 together with the alignment layer 15 of the transparent substrate 1 on which the element 3 is formed.

このように素子の金属配線層とセルファラインで形成し
たマーク部を基準として形成した遮光部は、素子の所望
する部分を高精度で光遮蔽することが可能である。
In this way, the light-shielding portion formed based on the mark portion formed by the metal wiring layer of the element and the self-alignment line can shield a desired portion of the element from light with high precision.

なお、上述のように透明基板1の外面側1bに遮光部4
を形成するとともに、対向する透明基板2の内面側2a
の素子3と対向する箇所に遮光部を形成する構成として
もよい。
In addition, as mentioned above, the light shielding part 4 is provided on the outer surface side 1b of the transparent substrate 1.
and the inner surface 2a of the opposing transparent substrate 2.
A structure may be adopted in which a light shielding portion is formed at a location facing the element 3 .

次に、上記液晶表示装置の製造方法について説明する。Next, a method for manufacturing the above liquid crystal display device will be explained.

先ず、第2図aに示すように、対向する透明基板の一方
の透明基板21表面側21a上に常法により液晶駆動用
素子22を形成する。この素子22は、ソース、ドレイ
ン領域とゲート電極25を有した薄膜トランジスタであ
り、配線層としてAlよりなる金属配線層29が形成さ
れている。
First, as shown in FIG. 2a, the liquid crystal driving element 22 is formed on the surface side 21a of one of the opposing transparent substrates 21 by a conventional method. This element 22 is a thin film transistor having source and drain regions and a gate electrode 25, and a metal wiring layer 29 made of Al is formed as a wiring layer.

そして、透明基Fi21の表面側21aに形成された素
子22と絶縁膜26を含んで全面にマトリクス電橋30
を形成する。
Then, a matrix electric bridge 30 is formed over the entire surface including the element 22 and the insulating film 26 formed on the surface side 21a of the transparent base Fi21.
form.

特に、上記素子22を構成するゲート電極25は、作製
する際にCVD法により行われているため、上記透明基
板21の裏面側21bにはゲート電極25の作製と同時
にポリシリコン層31が形成される。
In particular, since the gate electrode 25 constituting the element 22 is manufactured by the CVD method, the polysilicon layer 31 is formed on the back side 21b of the transparent substrate 21 at the same time as the gate electrode 25 is manufactured. Ru.

次に、第2図すに示すように、透明基板21の裏面側2
1bであって、ポリシリコン層31の表面にポジタイプ
のフォトレジスト層を形成する。
Next, as shown in FIG. 2, the back side 2 of the transparent substrate 21 is
1b, a positive type photoresist layer is formed on the surface of the polysilicon layer 31.

そして、透明基Fi21の素子22側から紫外線を照射
する。薄膜トランジスタを構成する金属配線層29は、
紫外線を透過させないためこの金属層vA1129とセ
ルファラインで金属配線N29直下のフォトレジスト層
が未露光となる。これを現像することによりこのフォト
レジスト層の一部を残存させレジストマスク32を形成
する。
Then, ultraviolet rays are irradiated from the element 22 side of the transparent base Fi21. The metal wiring layer 29 constituting the thin film transistor is
Since ultraviolet rays are not transmitted through this metal layer vA1129 and the photoresist layer directly under the metal wiring N29 in the self-line is left unexposed. By developing this, a portion of this photoresist layer remains to form a resist mask 32.

続いて、第2図Cに示すように、上記セルファラインで
形成したレジストマスク32を用いてポリシリコン層3
1をエツチングして、上記レジストマスク32が形成さ
れた部分以外のポリシリコンN31を除去する。その後
、レジストマスク32を除去してポリシリコンよりなる
マーク部33を形成する。このマーク部33は、素子2
2を構成する金属配線層29と対応した位置に形成され
ている。
Subsequently, as shown in FIG.
1 is etched to remove the polysilicon N31 other than the portion where the resist mask 32 is formed. Thereafter, the resist mask 32 is removed to form a mark portion 33 made of polysilicon. This mark portion 33 is
It is formed at a position corresponding to the metal wiring layer 29 forming part 2.

上述のように透明基板21の裏面側21bにマーク部3
3を形成した後、第2図dに示すように、該透明基板2
1の裏面側21b全面に亘って、高反射率を有する金属
層34を葎着形成し、その表面にフォトレジスト層35
を形成する。上記金属層34の材料としては、光の入射
を高効率で反射することが可能な材料であることが好ま
しく、例えばAl、Cr、 Au、Pt等の材料が使用
可能である。
As described above, the mark portion 3 is formed on the back side 21b of the transparent substrate 21.
After forming the transparent substrate 2, as shown in FIG.
A metal layer 34 having a high reflectance is formed over the entire back side 21b of the photoresist layer 35 on the surface of the metal layer 34.
form. The material for the metal layer 34 is preferably a material that can reflect incident light with high efficiency; for example, materials such as Al, Cr, Au, and Pt can be used.

上述のようにフォトレジスト層35を形成した後、遮光
部を形成する所定箇所にのみフォトレジスト1135を
残存させるためマスクキングを行う。
After forming the photoresist layer 35 as described above, masking is performed so that the photoresist 1135 remains only at predetermined locations where light shielding portions are to be formed.

このとき上記マーク部33が基準となって容易にマスク
キングを行うことができる。
At this time, masking can be easily performed using the mark portion 33 as a reference.

次に、第2図eに示すように、上記マスクを使用してフ
ォトレジスト層35を露光し、これを現像して遮光部形
成箇所にのみフォトレジスト層35を残存させる。
Next, as shown in FIG. 2e, the photoresist layer 35 is exposed to light using the above-mentioned mask, and is developed to leave the photoresist layer 35 only at the portion where the light shielding portion is to be formed.

続いて、第2図rに示すように、上記フォトレジスト層
35をマスクとして金属層34をエツチング除去した後
、フォトレジスト層35を除去して遮光部37を形成す
る。
Subsequently, as shown in FIG. 2R, the metal layer 34 is etched away using the photoresist layer 35 as a mask, and then the photoresist layer 35 is removed to form a light shielding part 37.

上述のようにして素子の金属配線層とセルファラインで
マーク部を形成し、このマーク部を基準として遮光部を
形成しているので、遮光部は非常に容易に且つ遮光すべ
き部分に対して高精度で形成することができる。
As described above, a mark part is formed using the metal wiring layer of the element and the self-line, and a light shielding part is formed using this mark part as a reference. Therefore, the light shielding part can be formed very easily and with respect to the part to be light shielded. Can be formed with high precision.

なお、液晶表示装置の製造方法において、遮光部の形成
方法としては、上述したものの他、例えば、透明基vi
21の裏面側21bにセルファラインで形成したマーク
部32の表面に金属層34を蒸着形成した後、さらにそ
の上部にポジタイプのフォトレジスト層を形成し、透明
基板21の表面側21aから露光して金属配線層29を
利用して自己整合的に遮光部37を形成しようとする箇
所のフォトレジスト層を残存させ、これをマスクに遮光
部37を形成するようにしてもよい。なお、この場合透
明基板21の表面側21aからの露光条件を制御するこ
とにより遮光部37の形成領域を制御する必要がある。
In addition, in the method of manufacturing a liquid crystal display device, in addition to the method described above, the method for forming the light shielding portion may include, for example, using a transparent substrate
After forming a metal layer 34 by vapor deposition on the surface of the mark portion 32 formed on the back side 21b of the transparent substrate 21 by self-line, a positive type photoresist layer is further formed on top of the metal layer 34, and is exposed to light from the front side 21a of the transparent substrate 21. The photoresist layer may be left at a location where the light shielding portion 37 is to be formed in a self-aligned manner using the metal wiring layer 29, and the light shielding portion 37 may be formed using this as a mask. In this case, it is necessary to control the formation area of the light shielding part 37 by controlling the exposure conditions from the front side 21a of the transparent substrate 21.

また、遮光部37を形成する金属層34は、上述の実施
例のように蒸着により形成してもよいが、例えばスクリ
ーン印刷や金属箔を貼り合わせる等の方法により形成し
てもよい。
Further, the metal layer 34 forming the light shielding part 37 may be formed by vapor deposition as in the above embodiment, but may also be formed by a method such as screen printing or laminating metal foil.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上の説明より明らかなように、本発明にかかる液晶表
示装置は、対向する透明基板の一方の透明基板の裏面側
であって、素子を構成する金属配線層と対向する箇所に
セルファラインで形成したマーク部を基準として遮光部
を形成しているので、素子の所望する部分を高精度に覆
うことができ、開口率に優れるにもかかわらず遮光性を
高くすることができ、高画質の液晶表示装置が提供でき
る。
As is clear from the above description, the liquid crystal display device according to the present invention is formed with a self-line on the back side of one of the opposing transparent substrates, at a location facing the metal wiring layer constituting the element. Since the light-shielding part is formed based on the mark part, it is possible to cover the desired part of the element with high precision, and even though the aperture ratio is excellent, the light-shielding property is high, and high-quality LCD A display device can be provided.

また、素子を形成した透明基板の裏面側に遮光部が形成
されており、液晶を挟んで対向する透明基板側には何も
形成していないので、対向する透明基板同士の貼り合わ
せを容易に行うことができる。
In addition, a light shielding part is formed on the back side of the transparent substrate on which the elements are formed, and nothing is formed on the side of the transparent substrate facing each other with the liquid crystal in between, making it easy to bond opposing transparent substrates together. It can be carried out.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明を適用した液晶表示装置の一例を示す概
略断面図である。 第2図a乃至第2図fは本発明を適用した液晶表示装置
の製造方法を順を追って示す概略断面図である。 第3図は従来の液晶表示装置の一例を示す概略断面図で
ある。 1.2.21・・・透明基板 1a・・・内側面 1b・・・外側面 21a・・・表面側 21b・・・裏面側 3.22・・・素子 4.37・・・遮光部 13.29・・・金属配線層 16.32・・・マーク部 31・・・ポリシリコン層(半導体層)特許出願人  
 ソニー株式会社 代理人  弁理士  小泡  晃 (他二名) η 第2図a 第2図す 第2図C 第3図
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a liquid crystal display device to which the present invention is applied. FIGS. 2a to 2f are schematic sectional views sequentially showing a method of manufacturing a liquid crystal display device to which the present invention is applied. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conventional liquid crystal display device. 1.2.21... Transparent substrate 1a... Inner surface 1b... Outer surface 21a... Front side 21b... Back side 3.22... Element 4.37... Light shielding part 13 .29...Metal wiring layer 16.32...Mark portion 31...Polysilicon layer (semiconductor layer) Patent applicant
Sony Corporation Representative Patent Attorney Akira Koba (and two others) η Figure 2a Figure 2S Figure 2C Figure 3

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)対向する透明基板の一方の透明基板内側面に少な
くとも金属配線層を有した素子が設けられてなる液晶表
示装置において、 上記一方の透明基板の外側面に上記金属配線層とセルフ
ァラインでマーク部が設けられ、そのマーク部を基準に
上記素子を遮光する遮光部が設けられてなる液晶表示装
置。
(1) In a liquid crystal display device in which an element having at least a metal wiring layer is provided on the inner surface of one of the transparent substrates facing each other, the metal wiring layer and the self-line are provided on the outer surface of the one transparent substrate. A liquid crystal display device including a mark portion and a light shielding portion that blocks light from the element based on the mark portion.
(2)透明基板の表面側に金属配線層を有した素子を形
成するとともに、上記透明基板の裏面側に半導体層を形
成する工程と、 上記半導体層に素子の金属配線層とセルファラインでマ
ーク部を形成する工程と、 上記マーク部を基準として遮光部を形成する工程とから
なる液晶表示装置の製造方法。
(2) A step of forming an element having a metal wiring layer on the front side of the transparent substrate and forming a semiconductor layer on the back side of the transparent substrate, and marking the semiconductor layer with the metal wiring layer of the element and self-line. 1. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: forming a light shielding portion with reference to the mark portion.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04294329A (en) * 1991-03-22 1992-10-19 G T C:Kk Liquid crystal display device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH04294329A (en) * 1991-03-22 1992-10-19 G T C:Kk Liquid crystal display device

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