JPH0231517A - 高から低への出力遷移期間中に過渡的性能向上を有するｔｔｌ電流シンク回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １夏分更 本発明は、ＴＴＬ出力シンク用トランジスタ要素を組み
込んだＴＴＬ回路における改良に関するものである１本
発明は、出力電流シンク用トランジスタ要素用のベース
駆動において過渡的なオーバーライド電圧信号を与える
ことによってＴＴＬ回路出力において高から低への遷移
をスピードアップさせている。過渡的性能向上は、定常
状態の電力散逸を増加させることなしに達成される。

灸来伎監 出力ノードから電流をシンクする為のプルダウントラン
ジスタ要素を組み込んだ典型的なＴＴＬ回路は、ＴＴＬ
バッファ、ＴＴＬ出力ゲート乃至は装置、ＴＴＬからＥ
ＣＬ及びＥＣＬからＴＴＬへのトランスレータ等を有し
ている。従来のＴＴＬ出力装置乃至は出力回路１０を第
１図に示しである。該回路は、出力ノードｖＯから接地
乃至は低電位へ電流をシンク（吸い込み）するプルダウ
ントランジスタ要素Ｑ５によって特性付けられている。

該回路は、又、プルアップ要素Ｚを有しており、それは
、抵抗乃至はインピーダンスを介して、高電位ＴＴＬ電
源Ｖｃｃから出力ノードＶｏへ電流を供給する為に制御
される。

プルアップ要素Ｚに関して、３つの形態のＴＴＬ出力回
路を大略識別することが可能である。第１に、例えばダ
ーリントントランジスタ対の如き能動トランジスタプル
アップ要素の場合、プルアップ及びプルダウントランジ
スタ要素は、トーテムポール出力端を形成し、それは１
位相分割器と共に又は無しで制御することが可能である
。第２に、第１図の例において、プルアップ要素は１例
えば、抵抗又はリアクタンス等の受動プルアップ要素で
ある。第３に、該回路は、プルアップ位置においてオー
プンコレクタで製造することが可能であり、且つユーザ
は、関連した回路からプルアップ要素、例えば受動プル
アップ要素Ｚを与える。

ベース駆動トランジスタＱ４は、プルダウントランジス
タ要素Ｑ５の導通状態及びプルアップ要素Ｚを介しての
電流のソース即ち供給を制御する。

プルダウントランジスタＱ５及びプルアップ要素Ｚは、
大略、反対の導通状態にある。出力端における能動プル
アップ及びプルダウントランジスタ要素の能動トーテム
ポール形態の場合、ベース駆動トランジスタＱ４は、位
相分割器トランジスタとして形成することが可能である
。第１図の例において、ベース駆動トランジスタＱ４は
、プルダウントランジスタＱ５の導通状態を制御するエ
ミッタホロワトランジスタである。第１図に示した如く
、Ｑ５がオンであると、Ｚを介してＱ５へ且つ接地への
電流の流れがある。

トランジスタＱ４のベースは、入力ベースノードＡにお
いてダイオードＤ１を介して入力Ｖｉｎへ結合している
。直列に結合されたダイオード接続したトランジスタＱ
ｌ、Ｑ２．Ｑ３は、入力ベースノードＡと低電位との間
にクランプ回路網を形成しており、トランジスタＱ４の
ベースを、高レベル電位信号が入力Ｖｉｎに表われる場
合にＱ４をターンオンするのに十分に高い電圧レベルに
保持する。論理高レベル信号が入力ノードＶｉｎに表わ
れると、ＴＴＬ電源Ｖｃｃ乃至は高電位が抵抗Ｒ１乃至
トランジスタＱ４を介してベース駆動電流を供給する。

ベース駆動トランジスタＱ４が導通状態にあると、ソー
ス電流がコレクタを介してプルアップ要素Ｚからエミッ
タホロワベース駆動トランジスタＱ４のエミッタ経路へ
そらされて、プルダウントランジスタ要素Ｑ５をターン
オンさせ。

抵抗Ｒ２を介してベース駆動電流が流れる。プルダウン
トランジスタ要素Ｑ５は、出力ノードＶ。

から電流をシンクし、該出力は論理低レベル電位にある
。

論理低レベル信号が入力ノードＶｉｎに表われる。

と、トランジスタＱ４からベース駆動電流が取り除かれ
且つターンオフする。プルダウントランジスタＱ５はタ
ーンオフし、且つプルアップ要素Ｚは出力Ｖｏへ電流を
供給し、出力は論理高レベル電位にある。従って、第１
図の図示したＴＴＬ出力回路は反転型である。

入力Ｖｉｎにおいて低から高レベル電位への遷移期間中
、入力ベースノードＡにおける電圧ｖＡは、第２Ａ図及
び第２Ｂ図における例によって示した如く、ノードＡに
おける接合部に関連する容量及びＲ１の抵抗値に依存す
る速度で上昇する。出力負荷及び出力ノードＶｏの容量
に関連する遅れと結合したノードＡにおける電圧ｖＡの
上昇における遅れは、第２Ｃ図に示した如く、出力ｖＯ
における高から低電位への遷移において全時間遅れＴＤ
となる。出力における高から低への変位の速度を増加さ
せる為に、Ｒ１の抵抗は、−層大きな定常状態電力消費
の付＃ｉ的な欠点と共に値を減少させねばならない。

且−眞 本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、ＴＴＬ回路による定
常状態電力散逸を増加させること無しに出力において高
から低への遷移期間中に向上した速度で改良したＴＴＬ
電流シンク用回路を提供することである０本発明の別の
目的とするところは、入力端における論理低から高レベ
ル電位及び出力端における論理高から低レベル電位への
遷移期間中に過渡的オーバーライド電圧を与えることに
より過渡的性能向上を持ったＴＴＬ出力電流シンク用回
路を提供することを目的とする。本発明の更に別の目的
とするところは、バイポーラ接合ウェハ製造から得られ
る部品パラメータを最適化するＴＴＬ集積回路において
過渡的性能向上を与えることである。

盈−双 本発明によれば、出力電流シンク用トランジスタ要素、
入力ベースノードにおける高及び低レベル電子入力信号
に応答して出力トランジスタ電流シンク用要素を駆動す
る入力ベースノード、入力ベースノードにおいてクラン
プ電圧レベルを維持する為に入力ベースノードと低電位
との間に動作結合されている電圧クランプ回路網を有す
るＴＴＬＩ流シンク用回路における改良を提供している
。

本発明によれば、過渡的電圧差要素が電圧クランプ回路
網と直列に動作結合されている。過渡的電圧差要素は、
クランプ電圧へ過渡的な電圧差を付加し且つ入力端にお
いて低から高レベル電位への遷移期間中に入力ベースノ
ードＡにおけるベース駆動電圧を過渡的に増加させるべ
く構成されている。この構成の利点は、過渡的オーバー
ドライブ電圧即ち向上したベース駆動電圧が、定常状態
電力消費を増加させることなしに、出力ノードにおける
高から低レベル電位への遷移を加速させることである。

本発明は、通常、出力ノードから低電位へ電流をシンク
する為のプルダウントランジスタ要素及び電流シンク用
プルダウントランジスタ要素のベースを駆動するべく動
作結合されたエミッタを持ったベース駆動トランジスタ
を持ったＴＴＬ＠路において適用可能である。ベース駆
動トランジスタのベースは、入力ベースノードにおいて
高及び低レベル電位の入力信号を受け取るべく動作結合
されている。従来の電圧クランプは、大略、論理高レベ
ル信号が入力端において表われる場合に、ベース駆動ト
ランジスタのターンオンの為に十分なレベルに入力ペー
スノードにおける電位をクランプさせる為に入力ベース
ノードと低電位との間に結合されている。

好適実施例によれば、過渡的電圧差要素は、ＲＣ回路網
によって与えられ、該ＲＣ回路網における抵抗は入力ベ
ースノードと低電位との間の電圧クランプの電位差に直
列した電位差を与えるべく動作結合されている。ＲＣ回
路網の容量は、該抵抗と低電位との間に動作結合されて
おり、従って該容量は、入力ベースノードにおいて低か
ら高レベル電位への遷移期間中にＲＣ回路網の抵抗を介
して充電する。

本回路構成の特徴及び利点は、入力ベースノードにおけ
る低から高レベル電位への遷移期間中においてのみ、Ｒ
Ｃ回路網の抵抗の両端に電圧降下が表われるということ
である。過渡的電圧降下は、出力ノードにおいて高から
低レベル電位の遷移の向上及び過渡的スピードアップの
為の入力ベースノードにおけるクランプ電圧のレベルを
超えての過渡的電圧向上を確立する。

好適実施例によれば、ＲＣ回路網の容量は、ダイオード
接続したトランジスタ、特にコレクタとエミッタを短絡
したダイオード接続したトランジスタによって与えられ
る。共通コレクタエミッタノードは、ＲＣ回路網の抵抗
へ結合されており、一方そのベースは低電位へ結合され
ており、ダイオード接続したトランジスタ装置の接合部
から得られる容量を最大とし且つ該容量を充電する為の
該装置を介しての電流の流れを制限する。ＲＣ回路網の
抵抗は、入力ベースノードと容量との間に結合されてお
り、且つ同時に、電圧クランプ回路網に直列接続されて
いる。

典型的な電圧クランプ回路網は、低電位を超えた所望の
電圧クランプレベルを確立する為に直列結合した複数個
のダイオードを有しており、且つ該ダイオードは、例え
ば、ダイオード接続したトランジスタとすることが可能
である。好適実施例においては、クランプトランジスタ
がダイオード接続したトランジスタと直列結合しており
、該クランプトランジスタを横断してのベース対エミッ
タ電圧降下ＶＩＩＥは電圧クランプ回路網の電圧降下の
一部を形成する。クランプトランジスタのベースは、Ｒ
Ｃ回路網の抵抗と容量との間のノードへ結合されており
、ＲＣ回路網の抵抗はクランプトランジスタを横断して
のベース対エミッタ電圧降下ｖ９Ｅと直列であり、且つ
該電圧クランプの電位差と直列である。入力端における
低から高レベル電位への遷移期間中のＲＣ回路網の抵抗
の両端における過渡的電圧降下は、ＲＣ回路網の容量の
過渡的充電の期間中、クランプ電圧を超える入力ベース
ノードにおける電圧過渡的向上を与える。

去］１釘 以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
について詳細に説明する。

本発明の過渡的性能向上を組み込んだ改良型ＴＴＬ出力
回路を第３図に示しである。第１図のＴＴＬ出力回路内
に示したものと同一の機能を達成する構成要素には同一
の参照番号を付しである。

更に、抵抗Ｒ４で示した過渡的性能向上ＲＣ回路網及び
ダイオード接続乃至は接合接続したトランジスタＱ６を
付加しである。抵抗Ｒ４及びトランジスタＱ６は、ＲＣ
回路網の抵抗及び容量を夫々与えている。トランジスタ
Ｑ６は、トランジスタＲ４へ接続した共通ノードにおい
てコレクタとエミッタとが短絡して接続しており、従っ
てトランジスタＱ６はコンデンサとして作用する。更に
。

コレクタ・エミッタ短絡カップリングは、集積回路トラ
ンジスタ装置のＰＮ接合から得られる容量を最大とする
。

コンデンサＭ［Ｑ６は、入力ベースノードＡにおいての
低から高レベル電位への遷移期間中に発生される過渡的
充電電流によって抵抗Ｒ４を介して充電される。Ｒ４を
横断して過渡的電圧降下は、遷移期間中にノードＡにお
いて表われるクランプ電圧を超えるオーバーライド電圧
である。コンデンサ装置Ｑ６の容量が完全に充電すると
、過渡的容量充電電流及び抵抗Ｒ４を横断しての過渡的
電圧降下はゼロへ復帰する。抵抗Ｒ４を横断して何等別
の向上用電圧降下は形成されず、且つ入力ベースノード
Ａにおける電圧レベルｖＡはクランプ電圧レベルへ復帰
する。ノードＡにおけるクランプ電圧レベルは、ダイオ
ード接続したトランジスタＱｌ、Ｑ２．Ｑ３のベース・
エミッタ接合を横断して約３ｖ８．であり、Ｖ　＠　ｔ
の電圧降下に比較して、Ｑｌ乃至Ｒ４のベース電流によ
って発生される電圧降下を無視する。

入力Ｖｉｎにおける低から高レベル電圧への遷移期間中
に入力ノードＡに表われる電圧レベルｖＡにおける過渡
的オーバーライド電圧又は過渡的電圧スパイクを第４Ａ
図及び第４Ｂ図に示しである・ベース駆動トランジスタ
Ｑ４へのベース駆動電圧における過渡的オーバーライド
電圧スパイクの結果、第４Ｃ図に示した出力ｖＯにおけ
る高から低レベル電圧への遷移における全時間遅れＴＤ
である遷移時間は、遷移時間及び第２Ｃ図に示した従来
の出力回路の全遅れ時間と比較して、減少されている。

例として、出力端における高から低レベル電位への遷移
速度は増加され、且つＲ４＝１０に且つＱ６の容量が３
−５９ＦのＲＣ回路網に対する典型的な値の場合、第３
図の回路において１２５℃で１．７ｎｓだけ且つ０℃及
び２７℃において１゜２ｎｓだけ時間遅れが減少されて
いる。Ｑ６を充電する過渡的充電電流エエは、クランプ
電圧に関して、例えば、１乃至２■−ｔのオーダでＲ４
Ｉアの過渡的オーバーライド電圧を発生する。入力ベー
スノードＡにおけるピークｖＡは約３．２乃至４ｖであ
る。ＲＣ回路網のパラメータ及びＲＣ回路網の時定数は
、勿論、装置の速度及び所要の過渡的オーバーライドの
量に従って選択することが可能である。例えば、より大
きな出力負荷を有するＴＴＬ回路に対し、−層大きな過
渡的オーバーライド電圧が必要とされることがある。

第３図の実施例において、直列ダイオードクランプ回路
網のダイオード接続したトランジスタの１つが修正され
て、電圧クランプの電圧降下と直列であるＲＣ回路、網
の抵抗Ｒ４を受け入れている。

第３図に示した如く、トランジスタＱ１のダイオード接
続は修正されて、ＲＣ回路網の抵抗Ｒ４及び容量Ｑ６の
間のノードに結合したトランジスタＱ１のベースを有す
るクランプトランジスタを与えている。その結果、ＲＣ
回路網の抵抗Ｒ４は。

夫々のトランジスタＱｌ、Ｑ２．Ｑ３のベース対エミッ
タ電圧降下Ｖ□と直列して結合されている。

同時に、抵抗Ｒ４も、入力ベースノードＡと低電位との
間のコンデンサ装置Ｑ６と直列に結合されている。

ダイオード接続した抵抗Ｑ２及びＱ３と直列なりランプ
トランジスタＱ１を有する電圧クランプ回路網のこの構
成によって、ＲＣ回路網及び電圧クランプ回路網が共に
実効的に、抵抗Ｒ４から入力ベースノードＡを介して「
Ｙ」回路網を与えている。過渡的充電電流が、７回路網
の１つのアームを介して流れ、コンデンサ装置Ｑ６を充
電し、且つ抵抗Ｒ４を横断しての過渡的な電圧降下を確
立する。入力ベースノードＡにおける向上したオーバー
ライド電圧レベルｖＡは、トランジスタＱ１、Ｑ２．Ｑ
３のＲ４及び３■、を横断しての電圧降下を介して７回
路網の他の分岐部を介して確立される。

以上、本発明の具体的実施の態様に付いて詳細に説明し
たが１本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
では無く、本発明の技術的範囲を逸脱すること無しに種
々の変形が可能であることは勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図は一般化した従来のＴＴＬ出力回路の概略回路図
、第２Ａ図乃至第２Ｃ図は第１図の従来のＴＴＬ出力回
路の時間に関しての入力Ｖｉｎにおける電圧と入力ベー
スノードＡにおける電圧ｖＡと出力Ｖｏにおける電圧レ
ベルの変化を夫々示した各概略グラフ図、第３図は本発
明に基づく過渡的性能向上を持った改良型ＴＴＬ出力回
路の概略回路図、第４Ａ図乃至第４Ｃ図は第３図の改良
型ＴＴＬ出力回路に対しての入力Ｖｉｎにおける電圧レ
ベルと入力ベースノードＡにおける電圧レベルｖＡと出
力Ｖｏにおける電圧レベルとを夫々示した各概略グラフ
図、である。 （符号の説明） Ｒ：抵抗 Ｑ：トランジスタ ＦＩＧ、　１ 特許出願人　　　　ナショナル　セミコンダクタ　コー
ボレーシ五ン

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、出力電流シンク用トランジスタ手段と、入力ベース
   ノードにおける高及び低レベル電位入力信号に応答して
   出力トランジスタ電流シンク用手段を駆動する為の入力
   ベースノードと、入力ベースノード及び入力ベースノー
   ドにおいてクランプ電圧レベルを維持する為の低電位の
   間に動作結合された電圧クランプ回路網とを有するＴＴ
   Ｌ電流シンク用回路において、前記電圧クランプ回路網
   と直列に動作結合されている過渡的電圧差手段が設けら
   れており、前記過渡的電圧差手段は、入力ベースノード
   において低から高レベル電位への遷移期間中に、過渡的
   電位差をクランプ電圧に加え且つクランプ電圧を超える
   レベルへ入力ベースノードにおける電圧を過渡的に増加
   させるべく構成されていることを特徴とするＴＴＬ電流
   シンク用回路。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記過渡的電圧差
   手段が、電圧クランプ回路網と直列に動作結合された抵
   抗及び前記抵抗及び低電位の間に動作結合された容量を
   具備するＲＣ回路網を有することを特徴とするＴＴＬ電
   流シンク用回路。 ３、ＴＴＬ出力電流シンク用トランジスタ手段と、高及
   び低レベル電位入力信号に応答して出力電流シンク用ト
   ランジスタ手段を駆動する為の入力ベースノードと、入
   力ベースノードにおいてクランプ電圧を確立する低電位
   と入力ベースノードとの間に動作結合された電圧クラン
   プ手段とを有するＴＴＬ電流シンク用回路用の過渡的性
   能向上回路において、入力ベースノードと低電位との間
   に過渡的電圧降下手段及び過渡的電流発生手段が結合さ
   れており、前記過渡的電圧降下手段は電圧クランプ手段
   と直列に動作結合されており、前記過渡的電圧降下手段
   は、過渡的電流が過渡的電流発生手段によって発生され
   る場合、クランプ電圧を超えて入力ベースノードにおい
   て過渡的オーバードライブ電圧を与えることを特徴とす
   る過渡的性能向上回路。 ４、特許請求の範囲第３項において、前記過渡的電流発
   生手段は容量を有しており、且つ前記過渡的電圧降下手
   段は抵抗を有しており、前記抵抗及び容量はＲＣ回路網
   を形成していることを特徴とする過渡的性能向上回路。 ５、出力ノードから低電位へ電流をシンクする為の出力
   シンク用トランジスタ要素と、前記シンク用トランジス
   タ要素のベースを駆動する為に動作結合されており論理
   高及び低レベル電位の入力信号を受け取るべく結合され
   ている入力ベースを持っているベース駆動トランジスタ
   要素と、ベース駆動トランジスタをターンオンさせるの
   に十分な電位レベルを入力ベースノードにおいて維持す
   る為に入力ベースノードと低電位との間に結合されてい
   る電圧クランプ回路網とを有するＴＴＬ電流シンク用回
   路において、前記入力ベースノードと低電位との間にＲ
   Ｃ回路網手段が動作結合されており、前記ＲＣ回路網手
   段は抵抗及び容量を有しており、前記抵抗は、ＲＣ回路
   網手段の容量が前記抵抗を介して充電する場合に、過渡
   的なオーバードライブ電圧を入力ベースノードにおける
   クランプ電圧と直列に加える為に、入力ベースノードに
   結合されており且つ電圧クランプ回路網と直列であるこ
   とを特徴とするＴＴＬ電流シンク用回路。 ６、特許請求の範囲第５項において、前記ＲＣ回路網手
   段の容量は、ＲＣ回路網手段の抵抗と低電位との間に結
   合されているダイオード接続されたトランジスタを有す
   ることを特徴とするＴＴＬ電流シンク回路。 ７、特許請求の範囲第６項において、前記ダイオード接
   続したトランジスタは、ＲＣ回路網手段の抵抗へ結合さ
   れた共通コレクタエミッタノードを有すると共に低電位
   へ結合したベースを有するコレクタ・エミッタ短絡した
   トランジスタを有することを特徴とするＴＴＬ電流シン
   ク用回路。 ８、特許請求の範囲第５項において、前記電圧クランプ
   回路網が複数個の直列結合したダイオード手段を有する
   ことを特徴とするＴＴＬ電流シンク用回路。 ９、特許請求の範囲第８項において、前記電圧クランプ
   用回路網のダイオード手段は、ダイオード接続したトラ
   ンジスタを有しており、且つ前記電圧クランプ回路網は
   、更に、前記ダイオード要素と直列でありＲＣ回路網手
   段の抵抗及び容量の間のノードへ動作結合したベースを
   持ったトランジスタ要素を有しており、入力ベースノー
   ドへ結合された抵抗は電圧クランプ用回路網トランジス
   タ要素のベース対エミッタ電圧降下Ｖ＿Ｂ＿Ｅと直列で
   あることを特徴とするＴＴＬ電流シンク用回路。 １０、出力ノードから低電位へ電流をシンクする為のプ
   ルダウントランジスタ要素と、エミッタを電流シンク用
   プルダウントランジスタ要素のベースを駆動する為に動
   作結合しており且つベースを入力ベースノードにおいて
   高及び低レベル電位の入力信号を受け取るべく動作結合
   されているベース駆動トランジスタ手段と、前記ベース
   駆動トランジスタ手段のターンオンの為に十分なレベル
   に前記入力ベースノードにおける電位をクランプする為
   に前記入力ベースノードと低電位との間に動作結合した
   電圧クランプ手段とを有するＴＴＬ回路において、前記
   入力ベースノードと低電位との間の電圧クランプの電位
   差と直列した電位差を与えるべく動作結合した抵抗と前
   記抵抗と低電位との間に動作結合した容量とを具備する
   ＲＣ回路網手段が設けられており、前記入力ベースノー
   ドにおいて低から高レベル電位への遷移期間中に前記容
   量が前記ＲＣ回路網手段の前記抵抗を介して充電し、前
   記出力ノードでの高から低レベル電位への遷移の過渡的
   速度向上の為に前記入力ベースノードにおいて前記電圧
   クランプ手段のレベルを超えて過渡的電圧向上を確立す
   ることを特徴とするＴＴＬ電流シンク用回路。 １１、特許請求の範囲第１０項において、前記電圧クラ
   ンプ手段は、複数個の直列結合されたダイオード手段を
   有することを特徴とするＴＴＬ電流シンク用回路。 １２、特許請求の範囲第１１項において、前記ダイオー
   ド手段はダイオード接続したトランジスタを有すること
   を特徴とするＴＴＬ電流シンク用回路。 １３、特許請求の範囲第１１項において、前記電圧クラ
   ンプ手段は、前記ダイオード手段と直列しているクラン
   プトランジスタを有しており、前記クランプトランジス
   タはそのベースを前記ＲＣ回路網手段の抵抗と容量との
   間に結合されており、従って前記抵抗は、ＲＣ回路網の
   容量がベースノードでの低から高への遷移期間中に充電
   する場合に、クランプ電圧を超えて前記入力ベースノー
   ドにおける電圧の過渡的向上の為に前記クランプトラン
   ジスタを横断してのベース対エミッタ電圧降下Ｖ＿Ｂ＿
   Ｅと直列であることを特徴とするＴＴＬ電流シンク用回
   路。 １４、特許請求の範囲第１０項において、高電位から出
   力ノードへ電流を供給する為に動作結合された能動プル
   アップトランジスタ要素を有しており、前記ベース駆動
   トランジスタ手段は、前記プルアップ及びプルダウント
   ランジスタ要素の導通状態を制御する為に動作結合した
   位相分割器トランジスタ要素を有することを特徴とする
   ＴＴＬ電流シンク用回路。 １５、特許請求の範囲第１０項において、高電位から前
   記出力ノードへ電流を供給するべく動作結合された受動
   プルアップトランジスタ要素を有しており、前記ベース
   駆動トランジスタ手段は、エミッタホロワ形態を有して
   いることを特徴とするＴＴＬ電流シンク用回路。 １６、特許請求の範囲第１項において、前記ＲＣ回路網
   手段の容量はダイオード接続したトランジスタを有する
   ことを特徴とするＴＴＬ電流シンク用回路。 １７、特許請求の範囲第１６項において、ＲＣ回路網手
   段の容量を具備する前記ダイオード接続したトランジス
   タは、コレクタ・エミッタ短絡ダイオード接続トランジ
   スタであり、その共通コレクタエミッタノードはＲＣ回
   路網手段の抵抗へ結合しており且つそのベースは低電位
   へ結合していることを特徴とするＴＴＬ電流シンク用回
   路。 １８、特許請求の範囲第１０項において、ＲＣ回路網手
   段は、前記ベースノードと低電位との間に結合された直
   列抵抗及び容量を有しており、前記抵抗は前記ベースノ
   ードへ結合されており、前記電圧クランプ手段は、一端
   がＲＣ回路網手段の抵抗と容量との間のノードに動作結
   合されており且つ他端が低電位へ動作結合されている直
   列電圧降下手段のクランプ回路網を有することを特徴と
   するＴＴＬ電流シンク用回路。 １９、出力電流シンク用トランジスタ手段と、入力ベー
   スノードにおいて高及び低レベル電位入力信号に応答し
   て前記出力トランジスタ電流シンク用手段を駆動する為
   の入力ベースノードと、前記入力ベースノードにおいて
   クランプ電圧レベルを維持する為に入力ベースノードと
   低電位との間に動作結合した電圧クランプ回路網とを有
   するＴＴＬ電流シンク用回路において、抵抗が入力ベー
   スノードに結合されておりＲＣ回路網を形成しており入
   力ベースノードと低電位との間に動作結合した抵抗及び
   容量が設けられており、前記抵抗は、前記容量の過渡的
   充電の期間中に前記入力ベースノードにおいてクランプ
   用電圧レベルを超えて過渡的オーバードライブ電圧を与
   える為に前記電圧クランプ回路網と直列結合しているこ
   とを特徴とするＴＴＬ電流シンク用回路。 ２０、特許請求の範囲第１６項において、前記ＲＣ回路
   網及び前記電圧クランプ回路網はＹ回路網を形成してお
   り、共通分岐部が前記ＲＣ回路網の抵抗を介して前記入
   力ベースノードへ結合しており且つ別個の分岐部が低電
   位へ結合していることを特徴とするＴＴＬ電流シンク用
   回路。