JPH02308219A - 液晶電気光学素子 - Google Patents
液晶電気光学素子Info
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- JPH02308219A JPH02308219A JP13066189A JP13066189A JPH02308219A JP H02308219 A JPH02308219 A JP H02308219A JP 13066189 A JP13066189 A JP 13066189A JP 13066189 A JP13066189 A JP 13066189A JP H02308219 A JPH02308219 A JP H02308219A
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- Japan
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- liquid crystal
- optically anisotropic
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- crystal cell
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- Pending
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- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 claims abstract description 29
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 abstract description 2
- TYCFGHUTYSLISP-UHFFFAOYSA-N 2-fluoroprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)=C TYCFGHUTYSLISP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は液晶電気光学素子に関する。
[従来の技術]
従来のホモジニアス方式のECBモードは、液晶の複屈
折を制御して表示を行なっているために、表示の色づき
が避けられない。この色づきを解消する目的で、液晶セ
ルとは別に、光学的異方体を備えることが従来から提案
されている。また本出願人が先に特願昭63−1985
06号で提案したように、屈折率N3eが屈折率N1o
、N2oよりも小さく、かつその屈折率N3eに対応す
る軸が、液晶セルの基板表面に対してほぼ水平な方向に
ある光学的異方体を用いることで、より広い視角の表示
が可能である。
折を制御して表示を行なっているために、表示の色づき
が避けられない。この色づきを解消する目的で、液晶セ
ルとは別に、光学的異方体を備えることが従来から提案
されている。また本出願人が先に特願昭63−1985
06号で提案したように、屈折率N3eが屈折率N1o
、N2oよりも小さく、かつその屈折率N3eに対応す
る軸が、液晶セルの基板表面に対してほぼ水平な方向に
ある光学的異方体を用いることで、より広い視角の表示
が可能である。
第5図に、従来のECBモードを利用した液晶電気光学
素子の断面図を示す。図中、501は上側偏光板、50
2は液晶セル、503は光学的異方体、504は下側偏
光板である。
素子の断面図を示す。図中、501は上側偏光板、50
2は液晶セル、503は光学的異方体、504は下側偏
光板である。
液晶セルには、チッソ社製の液晶(Δn=0゜15)を
用いて、2枚の透明電極基板間にホモジニアス配向させ
た。また液晶層厚dは、リターデーションΔndが0.
90μmになるよう、6゜0μmに設定した。一方、光
学的異方体には、住友化学工業社製の一軸延伸フィルム
を用いた。この−軸延伸フィルムはポリカーボネイトを
主成分とする高分子フィルムであり、そのリタデーショ
ンは0.90μmである。
用いて、2枚の透明電極基板間にホモジニアス配向させ
た。また液晶層厚dは、リターデーションΔndが0.
90μmになるよう、6゜0μmに設定した。一方、光
学的異方体には、住友化学工業社製の一軸延伸フィルム
を用いた。この−軸延伸フィルムはポリカーボネイトを
主成分とする高分子フィルムであり、そのリタデーショ
ンは0.90μmである。
以上の条件で作製した、従来の液晶電気光学素子を用い
た液晶電気光学装置は、極めて色づきの少ない電気光学
特性が得られる。
た液晶電気光学装置は、極めて色づきの少ない電気光学
特性が得られる。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、従来のECBモードを利用した液晶電気
光学素子は、バックライトを備えたときに次に示すよう
な課題があった。
光学素子は、バックライトを備えたときに次に示すよう
な課題があった。
バックライトの発生する熱は、液晶電気光学素子の温度
上昇を引き起こす。第4図に示すように液晶には、温度
の上昇とともに複屈折率Δnが小さくなる性質がある。
上昇を引き起こす。第4図に示すように液晶には、温度
の上昇とともに複屈折率Δnが小さくなる性質がある。
光学的異方体も同様に温度の上昇とともにΔnは小さく
なるが、液晶のΔnの温度変化に比べるとはるかに小さ
な変化である。
なるが、液晶のΔnの温度変化に比べるとはるかに小さ
な変化である。
このため、温度が高いと液晶セルの方が光学的異方体よ
りもΔndが小さくなる。
りもΔndが小さくなる。
第3図に、液晶電気光学素子の温度が一20°C(曲線
301)から0℃(曲線302)、25°C(曲線30
3)、50℃(曲線304)、75℃(曲線305)と
変化したときの、電圧透過率特性の変化を示した。25
℃のとき液晶セルのΔndと光学的異方体のΔndは一
致して完全に補償されている。温度が低くなると液晶セ
ルのΔndは光学的異方体のΔndよりも大きくなり完
全な補償はできないが常にオフ時の漏れ光が極小になる
印加電圧が存在することがこの図から解る。従って、印
加電圧を調整することにより、光学的異方体の温度とは
関係なく、常に充分なコントラストを得ることが可能で
ある。 一方、温度が高くなると液晶セルのΔndは
光学的異方体のΔndよりも小さくなり完全な補償はで
きなくなる、しかもオフ時の漏れ光は極小を持たないか
らどのように印加電圧を調整しても充分なコントラスト
を得ることは不可能である。
301)から0℃(曲線302)、25°C(曲線30
3)、50℃(曲線304)、75℃(曲線305)と
変化したときの、電圧透過率特性の変化を示した。25
℃のとき液晶セルのΔndと光学的異方体のΔndは一
致して完全に補償されている。温度が低くなると液晶セ
ルのΔndは光学的異方体のΔndよりも大きくなり完
全な補償はできないが常にオフ時の漏れ光が極小になる
印加電圧が存在することがこの図から解る。従って、印
加電圧を調整することにより、光学的異方体の温度とは
関係なく、常に充分なコントラストを得ることが可能で
ある。 一方、温度が高くなると液晶セルのΔndは
光学的異方体のΔndよりも小さくなり完全な補償はで
きなくなる、しかもオフ時の漏れ光は極小を持たないか
らどのように印加電圧を調整しても充分なコントラスト
を得ることは不可能である。
そこで本発明では、液晶セルのΔndを光学的異方体の
Δndよりも大きな値に設定をすることで、バックライ
トの発生する熱に表示特性が影響されない液晶電気光学
素子を提供することを目的とするものである。
Δndよりも大きな値に設定をすることで、バックライ
トの発生する熱に表示特性が影響されない液晶電気光学
素子を提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
本発明の液晶電気光学装置は、対向する2枚の電極基板
間にホモジニアス配向した液晶を挟持してなる液晶セル
と、前記液晶に少なくとも一層の光学的異方体と、それ
らを挟んで両側に配置された一対の偏光板とを備えた液
晶電気光学素子において、前記液晶セルのリタデーショ
ンΔndが7゛5°C以下の温度において前記光学的異
方体のリタデーションΔndよりも大きな値であること
を特徴とする。
間にホモジニアス配向した液晶を挟持してなる液晶セル
と、前記液晶に少なくとも一層の光学的異方体と、それ
らを挟んで両側に配置された一対の偏光板とを備えた液
晶電気光学素子において、前記液晶セルのリタデーショ
ンΔndが7゛5°C以下の温度において前記光学的異
方体のリタデーションΔndよりも大きな値であること
を特徴とする。
また、前記光学的異方体が有する3つの主要な屈折率N
1o、N 2o、 N 3eの内、ある1つの屈折
率N3eが他の2つの屈折率N 1o、 N 2oよ
りも小さく、かつその屈折率N3eに対応する軸が、前
記液晶セルの基板表面に対してほぼ水平な方向にあるこ
とを特徴とする。
1o、N 2o、 N 3eの内、ある1つの屈折
率N3eが他の2つの屈折率N 1o、 N 2oよ
りも小さく、かつその屈折率N3eに対応する軸が、前
記液晶セルの基板表面に対してほぼ水平な方向にあるこ
とを特徴とする。
また、前記光学的異方体が、延伸された高分子フィルム
であることを特徴とする。
であることを特徴とする。
[実施例]
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
第1図に、本発明の一実施例における液晶電気光学素子
の断面図を示す。図中、101は上側偏光板、102は
液晶セル、103は光学的異方体、104は下側偏光板
である。
の断面図を示す。図中、101は上側偏光板、102は
液晶セル、103は光学的異方体、104は下側偏光板
である。
液晶セルには、チッソ社製の液晶(Δn=0゜15)を
用いて、2枚の透明電極間にホモジニア・ス配向させた
。また液晶層厚dは、Δndが0゜90μmになるよう
に、6.0μmに設定した。
用いて、2枚の透明電極間にホモジニア・ス配向させた
。また液晶層厚dは、Δndが0゜90μmになるよう
に、6.0μmに設定した。
一方、光学的異方体には、ポリα−フルオロアクリル酸
メチル(PMFA)を、100℃に保ったシリコンオイ
ル中で延伸して得た一軸延伸フイルムを用いた。通常の
高分子フィルムは、延伸を行なうと延伸方向の屈折率が
増加する性質があるが、PMFAやポリメタクリル酸メ
チル(PMMA)等は、逆に延伸方向の屈折率が減少す
る性質を持っている。この−軸延伸フィルムの屈折率は
、N1o= 1. 534、N2o=1. 538、N
3e =1゜502である。膜厚は23μmであるので
、Δndは、 0.83μmとなる。
メチル(PMFA)を、100℃に保ったシリコンオイ
ル中で延伸して得た一軸延伸フイルムを用いた。通常の
高分子フィルムは、延伸を行なうと延伸方向の屈折率が
増加する性質があるが、PMFAやポリメタクリル酸メ
チル(PMMA)等は、逆に延伸方向の屈折率が減少す
る性質を持っている。この−軸延伸フィルムの屈折率は
、N1o= 1. 534、N2o=1. 538、N
3e =1゜502である。膜厚は23μmであるので
、Δndは、 0.83μmとなる。
第2図に、本発明の実施例における液晶電気光学素子の
温度が一20℃(曲線201)、0°C(曲線202)
、25℃(曲線203)、50℃(曲線204)、75
℃(曲線205)と変化したときの、電圧透過率特性の
変化を示した。液晶セルのΔndと光学的異方体として
の高分子フィルムのΔndの差は、温度の上昇とともに
小さくなるが、液晶セルのΔndが光学的異方体のΔn
dよりも大きい限り、常にオフ時の漏れ光が極小になる
電圧が存在することがこの図から解る。従って、印加電
圧を調整することにより、温度とは関係なく、常に充分
なコントラストを得ることが可能である。
温度が一20℃(曲線201)、0°C(曲線202)
、25℃(曲線203)、50℃(曲線204)、75
℃(曲線205)と変化したときの、電圧透過率特性の
変化を示した。液晶セルのΔndと光学的異方体として
の高分子フィルムのΔndの差は、温度の上昇とともに
小さくなるが、液晶セルのΔndが光学的異方体のΔn
dよりも大きい限り、常にオフ時の漏れ光が極小になる
電圧が存在することがこの図から解る。従って、印加電
圧を調整することにより、温度とは関係なく、常に充分
なコントラストを得ることが可能である。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、液晶セルのΔndを
光学的異方体のΔndよりも大きな値に設定をすること
で、バックライトの発生する熱が、表示特性に及ぼす影
響を最小限に抑える効果を有する。
光学的異方体のΔndよりも大きな値に設定をすること
で、バックライトの発生する熱が、表示特性に及ぼす影
響を最小限に抑える効果を有する。
第1図は、本発明の一実施例における液晶電気光学素子
の断面図である。 第2図は、本発明の液晶電気光学素子における電圧透過
率曲線の温度依存性を示す図である。 第3図は、従来の液晶電気光学素子における電圧透過率
曲線の温度依存性を示す図である。 第4図は、液晶の複屈折率Δnの温度依存性の一例を示
す図である。 第5図は、従来の液晶電気光学素子の断面図である。 なお、第1図、第5図において、液晶セルの配向層、絶
縁層等は、図が煩雑になるので省略した。 101・・・・・上側偏光板 102・・・・・液晶セル 103・・・・・光学的異方体 104・・・・・下側偏光板 121・・・・・上側透明基板 122・・・・・液晶セルの液晶 123・・・・・透明電極 124・・・・・下側透明基板 201・・・・・液晶電気光学素子の一20℃のときの
電圧透過率曲線。 202・・・・・液晶電気光学素子の0°Cのときの電
圧透過率曲線。 203・・・・・液晶電気光学素子の25℃のときの電
圧透過率曲線。 204・・・・・液晶電気光学素子の50°Cのときの
電圧透過率曲線。 205・・・・・液晶電気光学素子の75°Cのときの
電圧透過率曲線。 301・・・・・液晶電気光学素子の一20°Cのとき
の電圧透過率曲線。 302・・・・・液晶電気光学素子の0°Cのときの電
圧透過率曲線。 303・・・・・液晶電気光学素子の25℃のときの電
圧透過率曲線。 304・・・・・液晶電気光学素子の50°Cのときの
電圧透過率曲線。 305・・・・・液晶電気光学素子の75°Cのときの
電圧透過率曲線。 501・・・・・上側偏光板 502・・・・・液晶セル 503・・・・・光学的異方体 504・・・・・下側偏光板 521・・・・・上側透明基板 522・・・・・液晶セルの液晶 523・・・・・透明電極 524・・・・・下側透明基板 第1図 印加電圧(V) 第2図 印加電圧(V) 第3図 温度(’C) 第4図
の断面図である。 第2図は、本発明の液晶電気光学素子における電圧透過
率曲線の温度依存性を示す図である。 第3図は、従来の液晶電気光学素子における電圧透過率
曲線の温度依存性を示す図である。 第4図は、液晶の複屈折率Δnの温度依存性の一例を示
す図である。 第5図は、従来の液晶電気光学素子の断面図である。 なお、第1図、第5図において、液晶セルの配向層、絶
縁層等は、図が煩雑になるので省略した。 101・・・・・上側偏光板 102・・・・・液晶セル 103・・・・・光学的異方体 104・・・・・下側偏光板 121・・・・・上側透明基板 122・・・・・液晶セルの液晶 123・・・・・透明電極 124・・・・・下側透明基板 201・・・・・液晶電気光学素子の一20℃のときの
電圧透過率曲線。 202・・・・・液晶電気光学素子の0°Cのときの電
圧透過率曲線。 203・・・・・液晶電気光学素子の25℃のときの電
圧透過率曲線。 204・・・・・液晶電気光学素子の50°Cのときの
電圧透過率曲線。 205・・・・・液晶電気光学素子の75°Cのときの
電圧透過率曲線。 301・・・・・液晶電気光学素子の一20°Cのとき
の電圧透過率曲線。 302・・・・・液晶電気光学素子の0°Cのときの電
圧透過率曲線。 303・・・・・液晶電気光学素子の25℃のときの電
圧透過率曲線。 304・・・・・液晶電気光学素子の50°Cのときの
電圧透過率曲線。 305・・・・・液晶電気光学素子の75°Cのときの
電圧透過率曲線。 501・・・・・上側偏光板 502・・・・・液晶セル 503・・・・・光学的異方体 504・・・・・下側偏光板 521・・・・・上側透明基板 522・・・・・液晶セルの液晶 523・・・・・透明電極 524・・・・・下側透明基板 第1図 印加電圧(V) 第2図 印加電圧(V) 第3図 温度(’C) 第4図
Claims (3)
- (1)対向する2枚の電極基板間にホモジニアス配向し
た液晶を挟持してなる液晶セルと、前記液晶に少なくと
も一層の光学的異方体と、それらを挟んで両側に配置さ
れた一対の偏光板とを備えた液晶電気光学素子において
、前記液晶セルのリタデーションΔndが75℃以下の
温度において前記光学的異方体のリタデーションΔnd
よりも大きな値であることを特徴とする液晶電気光学素
子。 - (2)前記光学的異方体が有する3つの主要な屈折率N
1o、N2o、N3eの内、ある1つの屈折率N3eが
他の2つの屈折率N1o、N2oよりも小さく、かつそ
の屈折率N3eに対応する軸が、前記液晶セルの基板表
面に対してほぼ水平な方向にあることを特徴とする請求
項1記載の液晶電気光学素子。 - (3)前記光学的異方体が、延伸された高分子フィルム
であることを特徴とする請求項1記載の液晶電気光学素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13066189A JPH02308219A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 液晶電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13066189A JPH02308219A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 液晶電気光学素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02308219A true JPH02308219A (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=15039586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13066189A Pending JPH02308219A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 液晶電気光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02308219A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5257123A (en) * | 1990-11-21 | 1993-10-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device with temperature compensation by rotation of compensator |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP13066189A patent/JPH02308219A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5257123A (en) * | 1990-11-21 | 1993-10-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device with temperature compensation by rotation of compensator |
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