JPH02304925A - 半導体ウェハ乾燥装置 - Google Patents
半導体ウェハ乾燥装置Info
- Publication number
- JPH02304925A JPH02304925A JP12424189A JP12424189A JPH02304925A JP H02304925 A JPH02304925 A JP H02304925A JP 12424189 A JP12424189 A JP 12424189A JP 12424189 A JP12424189 A JP 12424189A JP H02304925 A JPH02304925 A JP H02304925A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- clean gas
- hole
- holes
- lower purified
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 14
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 55
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
- 210000000936 intestine Anatomy 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は半導体製造プロセスに使用される半導体ウェハ
乾燥装置に関する。
乾燥装置に関する。
（従来の技術）
半導体プロセスに使用される半導体ウェハ乾燥装置とし
ては、例えば特開昭８３−２２７０２３号公報記載のも
のが知られている。これを第２図に示す。
ては、例えば特開昭８３−２２７０２３号公報記載のも
のが知られている。これを第２図に示す。
半導体ウェハ２１を乾燥させる場合、装置下部中央に設
けた排水口２２から半導体ウェハ２１に付着していた水
滴を排水する。また、装置下部に設けた下部吹き出し孔
２３より上部方向に第１の清浄気体２４を吹き出し、装
置上部に設けた上部吹き出し孔２５より下部方向に第２
の清浄気体２６を吹き出す。そして、装置上部、下部吹
き出し孔２３．２５より吹き出された第１．第２の清浄
気体２４．２６装置内壁に設けた排気用スリット２７か
ら排気することにより、半導体ウェハ２１を装置内部で
排気用スリット２７とほぼ同じ高さの空中に一定時間浮
遊させることができる。
けた排水口２２から半導体ウェハ２１に付着していた水
滴を排水する。また、装置下部に設けた下部吹き出し孔
２３より上部方向に第１の清浄気体２４を吹き出し、装
置上部に設けた上部吹き出し孔２５より下部方向に第２
の清浄気体２６を吹き出す。そして、装置上部、下部吹
き出し孔２３．２５より吹き出された第１．第２の清浄
気体２４．２６装置内壁に設けた排気用スリット２７か
ら排気することにより、半導体ウェハ２１を装置内部で
排気用スリット２７とほぼ同じ高さの空中に一定時間浮
遊させることができる。
以上の様な半導体ウェハ乾燥装置では、半導体ウェハ２
１は装置上部下部吹き出し２３．２５より吹き出された
第１．第２の清浄気体２４．２６以外に接触していない
ため、半導体ウェハ２１全面を乾燥させることができる
。
１は装置上部下部吹き出し２３．２５より吹き出された
第１．第２の清浄気体２４．２６以外に接触していない
ため、半導体ウェハ２１全面を乾燥させることができる
。
しかしながら、この様な半導体ウェハ乾燥装置では、半
導体ウェハ２１が装置中に浮遊しており、第１．第２の
清浄気体２４．２６の流量を精密にコントロールしなけ
れば、半導体ウェハ２１は安定して浮遊せず装置との接
触等により半導体ウェハ２１破損の危険があった。
導体ウェハ２１が装置中に浮遊しており、第１．第２の
清浄気体２４．２６の流量を精密にコントロールしなけ
れば、半導体ウェハ２１は安定して浮遊せず装置との接
触等により半導体ウェハ２１破損の危険があった。
（発明が解決しようとする課題）
以上の様に、従来の半導体ウェハ乾燥装置では、半導体
ウェハが装置中に浮遊しており、上下方向から吹き出す
清浄気体の流量を精密にコントロールしなければ半導体
ウェハは安定して浮遊せず装置との接触等により半導体
ウエノ１破損の危険があった。
ウェハが装置中に浮遊しており、上下方向から吹き出す
清浄気体の流量を精密にコントロールしなければ半導体
ウェハは安定して浮遊せず装置との接触等により半導体
ウエノ１破損の危険があった。
本発明は、この様な課題を解決する半導体ウェハ乾燥装
置を提供することを目的とする。
置を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、容器と、こ
の容器上部に設けられた清浄ガス上部流入穴と、この容
器内に、半導体ウェハ下に位置して設けられた、複数の
凸構造を有する治具と、この治具の前記複数の凸構造間
に設けられた清浄ガス下部流入穴と、前記凸構造夫々に
設けられ、凸構造の側壁を貫通し上部に穴の開いた、水
分を除去する清浄ガス下部流出穴とを具備したことを特
徴とする半導体ウェハー乾燥装置を提供する。
の容器上部に設けられた清浄ガス上部流入穴と、この容
器内に、半導体ウェハ下に位置して設けられた、複数の
凸構造を有する治具と、この治具の前記複数の凸構造間
に設けられた清浄ガス下部流入穴と、前記凸構造夫々に
設けられ、凸構造の側壁を貫通し上部に穴の開いた、水
分を除去する清浄ガス下部流出穴とを具備したことを特
徴とする半導体ウェハー乾燥装置を提供する。
（作 用）
この様に、本発明では、上部清浄ガス及び下部清浄ガス
を用いて半導体ウェハを浮遊させると共に、治具に下部
清浄ガス流入穴と側壁貫通穴をもった凸構造の水滴・下
部清浄ガス流出穴を設けることにより、下部清浄ガスが
側壁穴より吸出されると同時にこの吸引力により半導体
つｊ−／＼をトレイ近傍に安定して保持することができ
る。
を用いて半導体ウェハを浮遊させると共に、治具に下部
清浄ガス流入穴と側壁貫通穴をもった凸構造の水滴・下
部清浄ガス流出穴を設けることにより、下部清浄ガスが
側壁穴より吸出されると同時にこの吸引力により半導体
つｊ−／＼をトレイ近傍に安定して保持することができ
る。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明の実施例の半導体ウエノ１乾燥装置で
ある。
ある。
半導体ウェハ１として例えば４インチのＧａＡｓウェハ
がステンレス等のメタルより成るトレイ２の上に置かれ
ている。また、トレイ２の幅は半導体ウェハ１の径より
も十分に大きなものである。トレイ２上には、２ｃｍ間
隔で穴径が２１の下部清浄ガス流入穴３が設けられてい
る。また、この下部清浄ガス流入穴３に挾まれて、その
中間位置には高さが０．１鰭の凸構造で上部の穴径が２
關の水滴φ下部清浄ガス流出穴４が設けられている。こ
の凸構造の水滴・下部清浄ガス流出穴４の側壁部には半
導体ウエノ１１の裏面５の水滴６と共に下部清浄ガス７
を外へ吹き出すために穴径が０．５ ｍ腸の側壁穴８が
貫通して設けられている。また、水滴・下部清浄ガス流
出穴４は凸構造の上面に開口している。また、装置の容
器１１上部には上部清浄ガス流入穴９が、半導体ウニノ
ー％１近傍の容器１１側面部には上部清浄ガス流出穴１
０が設けられている。
がステンレス等のメタルより成るトレイ２の上に置かれ
ている。また、トレイ２の幅は半導体ウェハ１の径より
も十分に大きなものである。トレイ２上には、２ｃｍ間
隔で穴径が２１の下部清浄ガス流入穴３が設けられてい
る。また、この下部清浄ガス流入穴３に挾まれて、その
中間位置には高さが０．１鰭の凸構造で上部の穴径が２
關の水滴φ下部清浄ガス流出穴４が設けられている。こ
の凸構造の水滴・下部清浄ガス流出穴４の側壁部には半
導体ウエノ１１の裏面５の水滴６と共に下部清浄ガス７
を外へ吹き出すために穴径が０．５ ｍ腸の側壁穴８が
貫通して設けられている。また、水滴・下部清浄ガス流
出穴４は凸構造の上面に開口している。また、装置の容
器１１上部には上部清浄ガス流入穴９が、半導体ウニノ
ー％１近傍の容器１１側面部には上部清浄ガス流出穴１
０が設けられている。
以上の様な構造の半導体ウェハ乾燥装置では、半導体ウ
ェハ１はトレイ２の凸部近傍で浮遊した状態で保持され
ている。即ち、半導体ウニノー１に上部清浄ガス流入穴
９から流入した上部清浄ガスおよび下部清浄ガス流入穴
３から流入した下部清浄ガス６がふきあてると共に、更
にトレイ２凸部の水滴・下部清浄ガス流出穴４の上面開
口より下部清浄ガス６を吸い出す様にしているため、半
導体ウェハ１をトレイ２の凸部近傍で安定して浮遊させ
た状態で保持することができる。また下部清浄ガス流入
穴３から流入した下部清浄ガス６は半導体ウェハ１の裏
面５の水滴をトレイ２凸部付近へ移動させると共に、裏
面５を乾燥させる。また、トレイ２凸部付近へ移動した
水滴は側壁穴８より吹出される。また、半導体ウェハ１
の表面は、上部清浄ガス流入穴９より流入した上部清浄
ガスにより乾燥される。また上部清浄ガスは上部清浄ガ
ス流出穴８より吹出される。
ェハ１はトレイ２の凸部近傍で浮遊した状態で保持され
ている。即ち、半導体ウニノー１に上部清浄ガス流入穴
９から流入した上部清浄ガスおよび下部清浄ガス流入穴
３から流入した下部清浄ガス６がふきあてると共に、更
にトレイ２凸部の水滴・下部清浄ガス流出穴４の上面開
口より下部清浄ガス６を吸い出す様にしているため、半
導体ウェハ１をトレイ２の凸部近傍で安定して浮遊させ
た状態で保持することができる。また下部清浄ガス流入
穴３から流入した下部清浄ガス６は半導体ウェハ１の裏
面５の水滴をトレイ２凸部付近へ移動させると共に、裏
面５を乾燥させる。また、トレイ２凸部付近へ移動した
水滴は側壁穴８より吹出される。また、半導体ウェハ１
の表面は、上部清浄ガス流入穴９より流入した上部清浄
ガスにより乾燥される。また上部清浄ガスは上部清浄ガ
ス流出穴８より吹出される。
［発明の効果］
以上述べた様に、本発明の半導体ウェハ乾燥装置は、治
具に下部清浄ガス流入穴と側壁穴をもった凸構造の水滴
・下部清浄ガス流出穴を設けることにより、下部清浄ガ
スが吸収されると同時に吸引力により半導体ウェハを治
具上に保持することができ、容易にしかも安定に半導体
ウェハを固定することが可能となる。
具に下部清浄ガス流入穴と側壁穴をもった凸構造の水滴
・下部清浄ガス流出穴を設けることにより、下部清浄ガ
スが吸収されると同時に吸引力により半導体ウェハを治
具上に保持することができ、容易にしかも安定に半導体
ウェハを固定することが可能となる。
第１図は、本発明の実施例の半導体ウェハ乾燥装置、第
２図は従来例の半導体ウェハ乾燥装置である。 図において、 １・・・半導体ウェハ、２・・・トレイ、３・・・下部
清浄ガス流入穴、４・・・水滴・下部清浄ガス流出穴、
５・・・裏面、６・・・水滴、７・・・下部清浄ガス、
８・・・側壁穴、９・・・上部清浄ガス流入穴、１０・
・・上部清浄ガス流出穴、１１・・・容器、２１・・・
半導体ウェハ、２２・・・排水口、２３・・・下部吹き
出し孔、２４・・・第１の清浄気体、２５・・・上部吹
き出し孔、２６・・・第２の清浄気体、２７・・・排気
用スリット。
２図は従来例の半導体ウェハ乾燥装置である。 図において、 １・・・半導体ウェハ、２・・・トレイ、３・・・下部
清浄ガス流入穴、４・・・水滴・下部清浄ガス流出穴、
５・・・裏面、６・・・水滴、７・・・下部清浄ガス、
８・・・側壁穴、９・・・上部清浄ガス流入穴、１０・
・・上部清浄ガス流出穴、１１・・・容器、２１・・・
半導体ウェハ、２２・・・排水口、２３・・・下部吹き
出し孔、２４・・・第１の清浄気体、２５・・・上部吹
き出し孔、２６・・・第２の清浄気体、２７・・・排気
用スリット。
Claims (1)
- 容器と、この容器上部に設けられた清浄ガス上部流入穴
と、この容器内に、半導体ウェハ下に位置して設けられ
た、複数の凸構造を有する治具と、この治具の前記複数
の凸構造間に設けられた清浄ガス下部流入穴と、前記凸
構造夫々に設けられ、凸構造の側壁を貫通し上部に穴の
開いた、水分を除去する清浄ガス下部流出穴とを具備し
たことを特徴とする半導体ウェハ乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12424189A JPH02304925A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 半導体ウェハ乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12424189A JPH02304925A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 半導体ウェハ乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304925A true JPH02304925A (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14880462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12424189A Pending JPH02304925A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 半導体ウェハ乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02304925A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590943U (ja) * | 1992-05-01 | 1993-12-10 | 株式会社カイジョー | 半導体基板自動処理装置 |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP12424189A patent/JPH02304925A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590943U (ja) * | 1992-05-01 | 1993-12-10 | 株式会社カイジョー | 半導体基板自動処理装置 |
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