JPH02297871A - 光蓄電池 - Google Patents
光蓄電池Info
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- JPH02297871A JPH02297871A JP11658089A JP11658089A JPH02297871A JP H02297871 A JPH02297871 A JP H02297871A JP 11658089 A JP11658089 A JP 11658089A JP 11658089 A JP11658089 A JP 11658089A JP H02297871 A JPH02297871 A JP H02297871A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M14/00—Electrochemical current or voltage generators not provided for in groups H01M6/00 - H01M12/00; Manufacture thereof
- H01M14/005—Photoelectrochemical storage cells
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はハロゲン化銀の感光性を利用した光充電可能な
２次電池、すなわち光蓄電池に関するものである。
２次電池、すなわち光蓄電池に関するものである。
本発明はハロゲン化銀を利用した光蓄電池において、透
明基板に透明基板より低屈折率の物質をλ／（４ｎ）の
厚みで形成しくλは波長、ｎは屈折率）単層の光学薄膜
でハロゲン化銀の分光特性に適合し、かつ透明基板から
の反射を低減させることにより、変換効率のすぐれた光
蓄電池を得ることを可能とするものである。
明基板に透明基板より低屈折率の物質をλ／（４ｎ）の
厚みで形成しくλは波長、ｎは屈折率）単層の光学薄膜
でハロゲン化銀の分光特性に適合し、かつ透明基板から
の反射を低減させることにより、変換効率のすぐれた光
蓄電池を得ることを可能とするものである。
ハロゲン化銀の感光性とイオン導電性を利用した光蓄電
池は従来、ガラス基板に酸化インジウムスズ等の酸化物
及び光を透過する数１００人の薄さの銀等よりなる透明
電極、臭ヨウ化銀などのハロゲン化銀及びカーボンなど
のハロゲン捕捉電極より形成されており、たとえば特開
昭６０−１７０１７３などに例がある。
池は従来、ガラス基板に酸化インジウムスズ等の酸化物
及び光を透過する数１００人の薄さの銀等よりなる透明
電極、臭ヨウ化銀などのハロゲン化銀及びカーボンなど
のハロゲン捕捉電極より形成されており、たとえば特開
昭６０−１７０１７３などに例がある。
このハロゲン化銀を利用した光蓄電池では、ハロゲン化
銀の光吸収が近紫外域によっており、太陽光スペクトル
とはずれており、そのため可視光での反射による損失は
変換効率を大きくするための大きな障害となっている。
銀の光吸収が近紫外域によっており、太陽光スペクトル
とはずれており、そのため可視光での反射による損失は
変換効率を大きくするための大きな障害となっている。
本発明では透明基板の光入射面に透明基板より低屈折率
の物質をλ／（４ｎ）の厚みで形成する。
の物質をλ／（４ｎ）の厚みで形成する。
この際λはハロゲン化銀の光吸収に合わせて４００ナノ
メートルから５５０ナノメートルとする。
メートルから５５０ナノメートルとする。
上記のような光学薄膜を形成することにより、簡易に反
射を少なく、太陽光スペクトルとハロゲン化銀の分光特
性とを適合させ、それに従い変換効率の向上がはかられ
る。
射を少なく、太陽光スペクトルとハロゲン化銀の分光特
性とを適合させ、それに従い変換効率の向上がはかられ
る。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第１図に断面図で示すように本発明の光蓄電池はガラス
基板２の光入射面にＭ ｇ Ｆ ＊膜ｌを形成し、反対
側の面に酸化インジウムスズ透明電極３、更にその上に
約１５０人の透明な銀層４を形成し、その上に臭化銀層
５を形成し、これにハロゲン捕捉電極として炭素繊維電
極６をはり合わせた構造となっている。
基板２の光入射面にＭ ｇ Ｆ ＊膜ｌを形成し、反対
側の面に酸化インジウムスズ透明電極３、更にその上に
約１５０人の透明な銀層４を形成し、その上に臭化銀層
５を形成し、これにハロゲン捕捉電極として炭素繊維電
極６をはり合わせた構造となっている。
透明基板としてはＢＫ７を素材とするガラス基板２を使
用し、低屈折率物質としてはｎ−１，３８のＭｇＦ、を
蒸着法により８１０人形成した。
用し、低屈折率物質としてはｎ−１，３８のＭｇＦ、を
蒸着法により８１０人形成した。
この場合λ−４５０ナノメートルとした。
透明電極としての酸化インジウムスズ電極はスパッタ法
で２８０人形成し、更に蒸着法で１５０人の銀を形成し
た。
で２８０人形成し、更に蒸着法で１５０人の銀を形成し
た。
更に臭化銀を蒸着法で２μｍ形成した。
これに炭素繊維の表面にペリレンを溶媒により付着させ
ハロゲン捕捉電極を形成した。
ハロゲン捕捉電極を形成した。
第２図は臭化銀の吸収スペクトルを示す図であり、５０
０ナノメートル付近から低波長にかけて吸収が立ち上が
っていることがわかる。
０ナノメートル付近から低波長にかけて吸収が立ち上が
っていることがわかる。
第３図はガラス基板の透過スペクトルを示す図であり、
コーティングなしの場合７では透過率は９５％程度であ
るが、ＭｇＦ、コーティングの場合８では透過率は９９
％程度となり、なおかつ臭化銀の吸収スペクトルと適合
したものとなっている。
コーティングなしの場合７では透過率は９５％程度であ
るが、ＭｇＦ、コーティングの場合８では透過率は９９
％程度となり、なおかつ臭化銀の吸収スペクトルと適合
したものとなっている。
ハロゲン化銀としては上記臭化銀の他に、塩化銀、ヨウ
化銀あるいはこれらを混晶させたものも使用できる。こ
の場合、各々の吸収スペクトルは異なり、それに合わせ
て形成する低屈折率物質の厚みも変化させる必要がある
。
化銀あるいはこれらを混晶させたものも使用できる。こ
の場合、各々の吸収スペクトルは異なり、それに合わせ
て形成する低屈折率物質の厚みも変化させる必要がある
。
また低屈折率物質としてはその他にＳ ｉ Ｏｔなども
使用できる。
使用できる。
以上述べたように本発明では透明基板の光入射面に、透
明基板より低屈折率の物質を単層形成することにより、
所定の領域での反射率を大きく低下させ、従って簡易に
臭化銀の吸収スペクトルを太陽光の分光特性と適合させ
ることにより、変換効率の向上がはかられる。
明基板より低屈折率の物質を単層形成することにより、
所定の領域での反射率を大きく低下させ、従って簡易に
臭化銀の吸収スペクトルを太陽光の分光特性と適合させ
ることにより、変換効率の向上がはかられる。
第１図は本発明の光蓄電池の一実施例を示す断面図であ
り、第２図は臭化銀の吸収スペクトルを示す図であり、
第３図はガラス基板の透過スペクトルを示す図である。 １・・・ＭｇＦ言膜 ２・・・ガラス基板 ３・・・酸化インジウムスズ透明電極 ４・・・銀層 ５・・・臭化銀層 ６・・・炭素繊維電極 ７・・・コーティングなしの透過スペクトル曲線 ８・・・ＭｇＦ１コーティングの透過 スペクトル曲線 以上
り、第２図は臭化銀の吸収スペクトルを示す図であり、
第３図はガラス基板の透過スペクトルを示す図である。 １・・・ＭｇＦ言膜 ２・・・ガラス基板 ３・・・酸化インジウムスズ透明電極 ４・・・銀層 ５・・・臭化銀層 ６・・・炭素繊維電極 ７・・・コーティングなしの透過スペクトル曲線 ８・・・ＭｇＦ１コーティングの透過 スペクトル曲線 以上
Claims (1)
- 透明基板上に透明電極、ハロゲン化銀層、ハロゲン捕捉
電極を順次形成してなる光蓄電池において、透明基板の
光入射面に透明基板より低屈折率の物質をλ／（４ｎ）
の厚みで形成することを特徴とする光蓄電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11658089A JPH02297871A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 光蓄電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11658089A JPH02297871A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 光蓄電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02297871A true JPH02297871A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14690644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11658089A Pending JPH02297871A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 光蓄電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02297871A (ja) |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP11658089A patent/JPH02297871A/ja active Pending
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