JPH0229713A - 光ビーム合成装置 - Google Patents
光ビーム合成装置Info
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- JPH0229713A JPH0229713A JP63182165A JP18216588A JPH0229713A JP H0229713 A JPH0229713 A JP H0229713A JP 63182165 A JP63182165 A JP 63182165A JP 18216588 A JP18216588 A JP 18216588A JP H0229713 A JPH0229713 A JP H0229713A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学式情報記録再生装置等において使用され
る光ビーム合成装置に関し、特に、レーザ光の光量損失
を軽減した光ビーム合成装置に関する。
る光ビーム合成装置に関し、特に、レーザ光の光量損失
を軽減した光ビーム合成装置に関する。
光ディスク装置！等の光学式情報記録再生装置において
は、記録再生用、ビームの他に消去用ビームが必要とな
る。この記録再生用ビームと消去用ビームの光源は独立
しているが、これらのビームの光軸は一致させる必要が
あるため、光ビーム合成装置が使用される。
は、記録再生用、ビームの他に消去用ビームが必要とな
る。この記録再生用ビームと消去用ビームの光源は独立
しているが、これらのビームの光軸は一致させる必要が
あるため、光ビーム合成装置が使用される。
第８図は、従来例における光ビーム合成装置の主要部の
模式図である。この光ビーム合成装置は、光源として、
波長λ、を持つ第１の半導体レーザｌと、波長λ、を持
つ第２の半導体レーザ２とを備えている。第１の半導体
レーザ１は記録再生用として、第２の半導体レーザ２は
消去用としてそれぞれ使用する。
模式図である。この光ビーム合成装置は、光源として、
波長λ、を持つ第１の半導体レーザｌと、波長λ、を持
つ第２の半導体レーザ２とを備えている。第１の半導体
レーザ１は記録再生用として、第２の半導体レーザ２は
消去用としてそれぞれ使用する。
第８図において、第１の半導体レーザ１から出射された
レーザ光と、第２の半導体レーザ２から出射されたレー
ザ光とは、それぞれコリメートレンズ３．・４により平
行光となり、ダイクロイックミラー５に対し４５＠の角
度で入射する。ここで、このダイクロイックミラー５は
、波長λ１ の光は透過し、波長λ、の光は反射するよ
うに誘電体多層膜が形成されているので、第１の半導体
レーザ１から出射されたレーザ光と、第２の半導体装置
ザ２から出射されたレーザ光とは、ダイクロイックミラ
ー５により合成される。
レーザ光と、第２の半導体レーザ２から出射されたレー
ザ光とは、それぞれコリメートレンズ３．・４により平
行光となり、ダイクロイックミラー５に対し４５＠の角
度で入射する。ここで、このダイクロイックミラー５は
、波長λ１ の光は透過し、波長λ、の光は反射するよ
うに誘電体多層膜が形成されているので、第１の半導体
レーザ１から出射されたレーザ光と、第２の半導体装置
ザ２から出射されたレーザ光とは、ダイクロイックミラ
ー５により合成される。
なお、ここで言うダイクロイックミラーとは、屈折率の
異なる誘電体の多層膜により、特定の波長域の光を反射
し、他の波長域の光を透過する光学素子を意味するもの
とする。
異なる誘電体の多層膜により、特定の波長域の光を反射
し、他の波長域の光を透過する光学素子を意味するもの
とする。
このように波長λ１と波長λ２の光を合成するとき、ダ
イクロイックミラー５において波長λ嶌 の光が透過し
、波長λ２の光が反射するようにする必要がある。そこ
で、ダイクロイックミラー５に要求される分光特性は、
第９図（ａ）、（５）に示す分光特性の何れかとなる。
イクロイックミラー５において波長λ嶌 の光が透過し
、波長λ２の光が反射するようにする必要がある。そこ
で、ダイクロイックミラー５に要求される分光特性は、
第９図（ａ）、（５）に示す分光特性の何れかとなる。
なお、図においては、波長λ１．λ２は、半導体レーザ
１，２の発振波長が温度によって変化することを考慮に
いれて幅を持たせた形で書いである。また、Ｔ＋は波長
λ、の光に対する透過率、Ｔ２は波長λ２の光に対する
透過率である。
１，２の発振波長が温度によって変化することを考慮に
いれて幅を持たせた形で書いである。また、Ｔ＋は波長
λ、の光に対する透過率、Ｔ２は波長λ２の光に対する
透過率である。
ダイクロイックミラー５を製造する際に、透過率Ｔ１を
小さくすること、透過率Ｔ、を大きくすること、及び、
分光特性の立ち上がり（立ち下がり）部分の傾きを急峻
にすることは比較的容易である。
小さくすること、透過率Ｔ、を大きくすること、及び、
分光特性の立ち上がり（立ち下がり）部分の傾きを急峻
にすることは比較的容易である。
しかし、立ち上がり（立ち下がり）部分の中心波長λ、
を、正確に波長λ、と波長λ２の中心位置に制御するこ
とは困難であった。
を、正確に波長λ、と波長λ２の中心位置に制御するこ
とは困難であった。
特に、光デイスク用の半導体レーザでは、波長λ１は７
７０〜７９０ｎ＋＋＋、波長λ、は８２０〜８４０ｎｍ
というように二つの波長が接近しているために、ダイ
クロイックミラーの中心波長λＣに対する許容度は小さ
かった。その結果、製造時のロフトによっては仕様に達
しないものが多く、ビーム合成時の光利用効率の低下、
或いは、仕様を満足した素子を選別するための作業によ
るコスト上昇といった問題が発生していた。
７０〜７９０ｎ＋＋＋、波長λ、は８２０〜８４０ｎｍ
というように二つの波長が接近しているために、ダイ
クロイックミラーの中心波長λＣに対する許容度は小さ
かった。その結果、製造時のロフトによっては仕様に達
しないものが多く、ビーム合成時の光利用効率の低下、
或いは、仕様を満足した素子を選別するための作業によ
るコスト上昇といった問題が発生していた。
本発明は、上述の問題点を解決するために案出されたも
のであり、ダイクロイックミラーの分光特性をシフトす
ることにより、選別等によるダイクロイックミラーのコ
スト上昇を招くことなく、互いに異なる波長のレーザ光
を効率よく合成することを目的とする。
のであり、ダイクロイックミラーの分光特性をシフトす
ることにより、選別等によるダイクロイックミラーのコ
スト上昇を招くことなく、互いに異なる波長のレーザ光
を効率よく合成することを目的とする。
本発明の光ビーム合成装置は、この目的を達成するため
に、二つの半導体レーザと、該二つの半導体レーザから
出射されるレーザ光を合成するダイクロイックミラーと
を有する光ビーム合成装置に右いて、少なくとも一方の
半導体レーザから出射されるレーザ光の前記ダイクロイ
ックミラーへの入射角を、前記ダイクロイックミラーを
回転中心として変更する手段を設けたことを特徴とする
。
に、二つの半導体レーザと、該二つの半導体レーザから
出射されるレーザ光を合成するダイクロイックミラーと
を有する光ビーム合成装置に右いて、少なくとも一方の
半導体レーザから出射されるレーザ光の前記ダイクロイ
ックミラーへの入射角を、前記ダイクロイックミラーを
回転中心として変更する手段を設けたことを特徴とする
。
ダイクロイックミラーの誘電体多層膜の分光特性を決定
する一つの要因に膜の光学的厚さ或いは光路差Δと呼ば
れる量がある。これは、膜厚を膜中の光の波長を使って
位相に換算したものであり、入射角が大きくなるとΔは
小さくなり、膜が薄くなったように見える。逆に、換算
の基準となる光の波長で見ると、波長が長くなったのと
等価になる。
する一つの要因に膜の光学的厚さ或いは光路差Δと呼ば
れる量がある。これは、膜厚を膜中の光の波長を使って
位相に換算したものであり、入射角が大きくなるとΔは
小さくなり、膜が薄くなったように見える。逆に、換算
の基準となる光の波長で見ると、波長が長くなったのと
等価になる。
このとき、入射角の変化が小さければ他の要因は殆ど変
化しないので、結果として、分光特性は第２図に示すよ
うに殆ど形が変化することなく波長方向ヘシフトする。
化しないので、結果として、分光特性は第２図に示すよ
うに殆ど形が変化することなく波長方向ヘシフトする。
すなわち、入射角が大きく（４５°十θ）となれば短波
長側にシフトし、入射角が小さり（４５°−θ）となれ
ば長波長側にシフトする。
長側にシフトし、入射角が小さり（４５°−θ）となれ
ば長波長側にシフトする。
本発明においては、ダイクロイックミラーへのレーザ光
の入射角を変化させることにより、ダイクロイックミラ
ーの誘電体多層膜の光学的厚さが実効的に変化し、それ
に対応して上述のようにダイクロイックミラーの分光特
性が殆ど形が変化することなく波長へシフトする。その
ため、ダイクロイックミラーの分光特性の中心波長のば
らつきをカバーして、互いに異なる波長のレーザ光を効
率よく合成することができる。
の入射角を変化させることにより、ダイクロイックミラ
ーの誘電体多層膜の光学的厚さが実効的に変化し、それ
に対応して上述のようにダイクロイックミラーの分光特
性が殆ど形が変化することなく波長へシフトする。その
ため、ダイクロイックミラーの分光特性の中心波長のば
らつきをカバーして、互いに異なる波長のレーザ光を効
率よく合成することができる。
以下、本発明の特徴を、図面に示す実施例に基づいて具
体的に説明する。
体的に説明する。
第１図は、第８図に対応する本実施例の光ビーム合成装
置の主要部の模式図である。グイクロイックミラ−５、
半導体レーザ１とコリメートレンズ３からなる光学部品
Ａ１及び、同じく半導体レーザ２とコリメートレンズ４
からなる光学部品Ｂは、点Ｃを中心として３つともそれ
ぞれ回転可能である。このとき、光学部品Ａが固定であ
り、光学部品Ｂの回転角が２０とすると、グイクロック
ミラー５の回転角は同方向にθである必要がある。
置の主要部の模式図である。グイクロイックミラ−５、
半導体レーザ１とコリメートレンズ３からなる光学部品
Ａ１及び、同じく半導体レーザ２とコリメートレンズ４
からなる光学部品Ｂは、点Ｃを中心として３つともそれ
ぞれ回転可能である。このとき、光学部品Ａが固定であ
り、光学部品Ｂの回転角が２０とすると、グイクロック
ミラー５の回転角は同方向にθである必要がある。
第１図の実施例においては、反射側の半導体レーザ２の
光学部品Ｂを反時計回りに２０回転させ、かつ、グイク
ロックミラー５を同方向にθ回転させている。しかし、
これとは逆に、透過側の半導体レーザ１の光学部品Ａを
時計回りに２０回転させるとともにグイクロックミラー
５を同方向にθ回転させるか、あるいは、ダイクロイッ
クミラー５を回転させずに光学部品Ａを時計回りにθ回
転させるとともに光学部品Ｂを反時計回りにθ回転させ
ても相対的には同じことである。
光学部品Ｂを反時計回りに２０回転させ、かつ、グイク
ロックミラー５を同方向にθ回転させている。しかし、
これとは逆に、透過側の半導体レーザ１の光学部品Ａを
時計回りに２０回転させるとともにグイクロックミラー
５を同方向にθ回転させるか、あるいは、ダイクロイッ
クミラー５を回転させずに光学部品Ａを時計回りにθ回
転させるとともに光学部品Ｂを反時計回りにθ回転させ
ても相対的には同じことである。
ここで、半導体レーザ２から出射される波長λ。
のレーザ光のグイクロックミラー５への入射角が、第１
図に示すように４５°から（４５°−θ）に変化したと
すれば、ダイクロイックミラー５の分光特性は、第２図
に示すように長波長側にシフトし、逆方向に回転させれ
ば逆に短波長側にシフトする。
図に示すように４５°から（４５°−θ）に変化したと
すれば、ダイクロイックミラー５の分光特性は、第２図
に示すように長波長側にシフトし、逆方向に回転させれ
ば逆に短波長側にシフトする。
これは、ダイクロイックミラー５にコーティングされた
誘電体多層膜の光学的厚さΔが実効的に変化するからで
ある。
誘電体多層膜の光学的厚さΔが実効的に変化するからで
ある。
このように、本実施例によれば、ダイクロイックミラー
５の分光特性がばらついた場合でも、グイクロックミラ
ー５を回転することにより、分光特性の立ち上がり（立
ち下がり）部分の中心波長λＣ（第９図参照）を、正確
に波長λ、と波長λ２の中心位置に制御することができ
、波長λ、の透過率及び波長λ２の反射率は一定値以上
確保される。
５の分光特性がばらついた場合でも、グイクロックミラ
ー５を回転することにより、分光特性の立ち上がり（立
ち下がり）部分の中心波長λＣ（第９図参照）を、正確
に波長λ、と波長λ２の中心位置に制御することができ
、波長λ、の透過率及び波長λ２の反射率は一定値以上
確保される。
第３図は、本発明の光ビーム合成装置を光デイスク装置
の光ヘッドに応用した実施例である。
の光ヘッドに応用した実施例である。
半導体レーザ６から出射された波長λ璽のレーザ光は、
コリメートレンズ７で平行光とされた後、プリズム８で
そのファーフィールドパターンを楕円形から円形に整形
され、ダイクロイックミラー９に入射する。一方、半導
体レーザ１０から出た波長λコのレーザ光も、コリメー
トレンズ１１で平行光とされた後、シリンドリカルレン
ズ１２で同じくそのファーフィールドパターンを楕円形
から円形に整形され、１／２波長板１３を通過した後、
ダイクロイックミラー９に入射する。これら波長λ。
コリメートレンズ７で平行光とされた後、プリズム８で
そのファーフィールドパターンを楕円形から円形に整形
され、ダイクロイックミラー９に入射する。一方、半導
体レーザ１０から出た波長λコのレーザ光も、コリメー
トレンズ１１で平行光とされた後、シリンドリカルレン
ズ１２で同じくそのファーフィールドパターンを楕円形
から円形に整形され、１／２波長板１３を通過した後、
ダイクロイックミラー９に入射する。これら波長λ。
とλ２の２つのレーザ光は、ダイクロイックミラー９に
より合成され、偏光ビームスプリッタ１４及び１／４波
長板１５を通過した後に、対物レンズ１６により、光デ
イスク１７上に微小なスポットとして収束される。この
光デイスク１７上で反射したレーザ光は、対物レンズ１
６及び１／４波長板１５を通過した後、偏光ビームスブ
リフタ１４により分離され、バンドパスフィルタ１８側
に導かれる。このバンドパスフィルタ１８で、波長λ２
のレーザ光は遮断され、波長λ１のレーザ光のみがビー
ムスプリッタ１９に入射し、ここで２方向に分離される
。そして、透過光は、シリンドリカルレンズ２０．２１
を通過した後、４分割光検出器２２に照射され、この４
分割光検出器２２よりサーボエラー信号が得られる。ま
た、反射光は、ミラー２３で更に反射され、集束レンズ
２４を通過した後、光検出器２５に照射され、この光検
出器２５より再生信号が得られる。
より合成され、偏光ビームスプリッタ１４及び１／４波
長板１５を通過した後に、対物レンズ１６により、光デ
イスク１７上に微小なスポットとして収束される。この
光デイスク１７上で反射したレーザ光は、対物レンズ１
６及び１／４波長板１５を通過した後、偏光ビームスブ
リフタ１４により分離され、バンドパスフィルタ１８側
に導かれる。このバンドパスフィルタ１８で、波長λ２
のレーザ光は遮断され、波長λ１のレーザ光のみがビー
ムスプリッタ１９に入射し、ここで２方向に分離される
。そして、透過光は、シリンドリカルレンズ２０．２１
を通過した後、４分割光検出器２２に照射され、この４
分割光検出器２２よりサーボエラー信号が得られる。ま
た、反射光は、ミラー２３で更に反射され、集束レンズ
２４を通過した後、光検出器２５に照射され、この光検
出器２５より再生信号が得られる。
前記半導体レーザ１０．コリメートレンズ１１．シリン
ドリカルレンズ１２．１／２波長板１３からなる光学部
品及び前記ダイクロイックミラー９は、後述する回転機
構りにより、それぞれ独立にあるいは連動して回動可能
となっている。この回転機構りにより前記光学部品及び
ダイクロイックミラー９の角度を調整することにより、
前述し、たように波長λ１のレーザ光と波長λ雪のレー
ザ光とを効率よく合成することができる。
ドリカルレンズ１２．１／２波長板１３からなる光学部
品及び前記ダイクロイックミラー９は、後述する回転機
構りにより、それぞれ独立にあるいは連動して回動可能
となっている。この回転機構りにより前記光学部品及び
ダイクロイックミラー９の角度を調整することにより、
前述し、たように波長λ１のレーザ光と波長λ雪のレー
ザ光とを効率よく合成することができる。
第４図は、本実施例で用いたグイクロックミラー９の、
４５°入射時の分光特性を示す図である。
４５°入射時の分光特性を示す図である。
ここでは、グイクロックミラー９は、入射角１’の変化
に対し、分光特性が約４ｎｍ シフトするものを用い、
半導体レーザの波長はλ、 ＝８２０〜８４０ｒｌｌｌ
ｌ。
に対し、分光特性が約４ｎｍ シフトするものを用い、
半導体レーザの波長はλ、 ＝８２０〜８４０ｒｌｌｌ
ｌ。
λ、＝７７０〜７９０ｎｍのものを用いた。
したがって、従来の４５°入射では、λ１の透過率は８
５％以上確保できるものの、λ２の反射率は５５％以上
しか確保できなかった。
５％以上確保できるものの、λ２の反射率は５５％以上
しか確保できなかった。
これに対し、本実施例の光ビーム合成装置によリ、ダイ
クロイックミラー９への入射角を約４０゜にすることに
より、λ１の透過率を約８５％以上、λ２の反射率を約
９５％以上とすることができ、光量損失が少なくなった
。
クロイックミラー９への入射角を約４０゜にすることに
より、λ１の透過率を約８５％以上、λ２の反射率を約
９５％以上とすることができ、光量損失が少なくなった
。
第５図は、本実施例で用いた回転機構りを示す図である
。
。
回転機構りは、ダイクロイックミラー９が固定されたダ
イクロイックミラー回転台２Ｇを、微調整ねじ２７と弾
性ストッパ２８によって、点Ｅを中心として回転させる
ことにより、グイクロイックミラ−９０角度を調整する
。また、光学部品回転台２９を、微調整ねじ３０と弾性
ストッパ３１とによって、同じく点Ｅを中心として回転
させることにより、半導体レーザ１０を含む光学部品を
回転調整する。
イクロイックミラー回転台２Ｇを、微調整ねじ２７と弾
性ストッパ２８によって、点Ｅを中心として回転させる
ことにより、グイクロイックミラ−９０角度を調整する
。また、光学部品回転台２９を、微調整ねじ３０と弾性
ストッパ３１とによって、同じく点Ｅを中心として回転
させることにより、半導体レーザ１０を含む光学部品を
回転調整する。
半導体レーザ１（ｌは極めて小型であるので、半導体レ
ーザ１０を含む光学部品を光学部品回転台２９上に配置
して、これを回転して調整することは容易に実現できる
。
ーザ１０を含む光学部品を光学部品回転台２９上に配置
して、これを回転して調整することは容易に実現できる
。
第６図は、回転機構りの他の例を示す図である。
これは、ダイクロイックミラー９が固定されたダイクロ
イックミラー回転台３２と、光学部品回転台３３を、微
調整ねじ３４２弾性弾性ストッパ３５遊星ギア機構をに
よって点Ｆを中心として、使用した同時に回転させるこ
とができるようにしたものである。その機構を第７図に
示す。
イックミラー回転台３２と、光学部品回転台３３を、微
調整ねじ３４２弾性弾性ストッパ３５遊星ギア機構をに
よって点Ｆを中心として、使用した同時に回転させるこ
とができるようにしたものである。その機構を第７図に
示す。
図に示されるように、光学部品回転台３３のギア３６の
半径ｒに対してダイクロイックミラー回転台３２のギア
３７の半径は２ｒとなっており、その半径が２倍となっ
ているため、光学部品回転台３３が角度２０回転すると
、ダイクロイックミラー回転台３２は、ギア３８を介し
て角度θだけ同方向に回転する。
半径ｒに対してダイクロイックミラー回転台３２のギア
３７の半径は２ｒとなっており、その半径が２倍となっ
ているため、光学部品回転台３３が角度２０回転すると
、ダイクロイックミラー回転台３２は、ギア３８を介し
て角度θだけ同方向に回転する。
なお、ダイクロイックミラー９に対して、その回転軸と
直交する方向のあおり機構を付は加えれば、光デイスク
１７上での２つのレーザ光の位置調整も可能である。
直交する方向のあおり機構を付は加えれば、光デイスク
１７上での２つのレーザ光の位置調整も可能である。
以上に説明したように、本発明においては、二つの半導
体レーザから出、射された互いに異なる波長のレーザ光
のダイクロイックミラーへの入射角を変化させることに
より、ダイクロイックミラーの分光特性が、形状を殆ど
変えずに波長方向にシフトする。そのため、ロフトによ
るダイクロイックミラーの分光特性のばらつきをカバー
して、両波長のレーザ光を効率よ（合成することができ
る。
体レーザから出、射された互いに異なる波長のレーザ光
のダイクロイックミラーへの入射角を変化させることに
より、ダイクロイックミラーの分光特性が、形状を殆ど
変えずに波長方向にシフトする。そのため、ロフトによ
るダイクロイックミラーの分光特性のばらつきをカバー
して、両波長のレーザ光を効率よ（合成することができ
る。
したがって、特性の揃ったダイクロイックミラーを選別
する必要がなくなり、この選別作業に起因するコストの
上昇を抑えることができる。
する必要がなくなり、この選別作業に起因するコストの
上昇を抑えることができる。
第１図は本発明実施例の光ビーム合成装置の原理を説明
するための模式図、第２図は入射角と分光特性の関係を
説明するためのグラフ、第３図は本発明の光ビーム合成
装置を光デイスク装置の光ヘッドに応用した実施例を示
す図、第４図は実施例で用いたダイクロイックミラーの
分光特性を示すグラフ、第５図は本実施例で使用した回
転機構の第１の例を示す図、第６図は同回転機構の第２
の実施例を示す図、第７図は第６図に示す回転機構のギ
ア部の構成を示す図、第８図は従来例における光ビーム
合成装置の主要部の模式図、第９図はダイクロイックミ
ラーの分光特性を示すグラフである。 １、２．６．１０ ：半導体レーザ ３、４．７．１１ ：コリメートレンズ５．９＝ダイク
ロイツクミラー ８ニブリズム １２、２０．２１ ニジリントリカルレンズ１３：１／
２波長板 １４：偏光ビームスプリッタ １５：１／４波長板 １６二対物レンズ１７：光テ
ィスフ １８：バンドパスフィルタ１９：ビーム
スプリッタ ２２：４分割光検出器２３：ミラー
２４：集束レンズ２５：光検出器 ２６．３２：ダイクロイックミラー回転台２７、３０．
３４ ：微調整ねじ ２８．３１．３５ ：弾性ストッ
パ２９．３３：光学部品回転台３６．３７．３８ ：ギ
アＡ、 Ｂ ：光学部品 Ｃ，Ｅ、 Ｆ ：点Ｄ＝
同回転機 構許出願人 富士ゼロックス株式会社代 理
人 小 堀 益（ほか２名）第 図 第 図 第 図 波長（ｎｍ） 第 図 第 図 第 図 第 第 図 図 第 図
するための模式図、第２図は入射角と分光特性の関係を
説明するためのグラフ、第３図は本発明の光ビーム合成
装置を光デイスク装置の光ヘッドに応用した実施例を示
す図、第４図は実施例で用いたダイクロイックミラーの
分光特性を示すグラフ、第５図は本実施例で使用した回
転機構の第１の例を示す図、第６図は同回転機構の第２
の実施例を示す図、第７図は第６図に示す回転機構のギ
ア部の構成を示す図、第８図は従来例における光ビーム
合成装置の主要部の模式図、第９図はダイクロイックミ
ラーの分光特性を示すグラフである。 １、２．６．１０ ：半導体レーザ ３、４．７．１１ ：コリメートレンズ５．９＝ダイク
ロイツクミラー ８ニブリズム １２、２０．２１ ニジリントリカルレンズ１３：１／
２波長板 １４：偏光ビームスプリッタ １５：１／４波長板 １６二対物レンズ１７：光テ
ィスフ １８：バンドパスフィルタ１９：ビーム
スプリッタ ２２：４分割光検出器２３：ミラー
２４：集束レンズ２５：光検出器 ２６．３２：ダイクロイックミラー回転台２７、３０．
３４ ：微調整ねじ ２８．３１．３５ ：弾性ストッ
パ２９．３３：光学部品回転台３６．３７．３８ ：ギ
アＡ、 Ｂ ：光学部品 Ｃ，Ｅ、 Ｆ ：点Ｄ＝
同回転機 構許出願人 富士ゼロックス株式会社代 理
人 小 堀 益（ほか２名）第 図 第 図 第 図 波長（ｎｍ） 第 図 第 図 第 図 第 第 図 図 第 図
Claims (1)
- １、二つの半導体レーザと、該二つの半導体レーザから
出射されるレーザ光を合成するダイクロイックミラーと
を有する光ビーム合成装置において、少なくとも一方の
半導体レーザから出射されるレーザ光の前記ダイクロイ
ックミラーへの入射角を、前記ダイクロイックミラーを
回転中心として変更する手段を設けたことを特徴とする
光ビーム合成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63182165A JPH0229713A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 光ビーム合成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63182165A JPH0229713A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 光ビーム合成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0229713A true JPH0229713A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16113489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63182165A Pending JPH0229713A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 光ビーム合成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0229713A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0473071A2 (en) * | 1990-08-31 | 1992-03-04 | Sony Corporation | Beam combining apparatus for semiconductor lasers |
| JP2002096358A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-02 | Citizen Electronics Co Ltd | 円筒状部品の製造方法とそれによるカセットテープ用ガイドローラー |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60253367A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-14 | Ricoh Co Ltd | カラ−原稿読取装置 |
-
1988
- 1988-07-20 JP JP63182165A patent/JPH0229713A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60253367A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-14 | Ricoh Co Ltd | カラ−原稿読取装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0473071A2 (en) * | 1990-08-31 | 1992-03-04 | Sony Corporation | Beam combining apparatus for semiconductor lasers |
| US5210643A (en) * | 1990-08-31 | 1993-05-11 | Sony Corporation | Wave combining apparatus for semiconductor lasers |
| JP2002096358A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-02 | Citizen Electronics Co Ltd | 円筒状部品の製造方法とそれによるカセットテープ用ガイドローラー |
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