JPH02295203A - マイクロ波集積回路装置 - Google Patents
マイクロ波集積回路装置Info
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- JPH02295203A JPH02295203A JP1116293A JP11629389A JPH02295203A JP H02295203 A JPH02295203 A JP H02295203A JP 1116293 A JP1116293 A JP 1116293A JP 11629389 A JP11629389 A JP 11629389A JP H02295203 A JPH02295203 A JP H02295203A
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Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、複数のマイクロ波集積回路モジュールを接続
して構成されるマイクロ波集積回路装置に関する。
して構成されるマイクロ波集積回路装置に関する。
(従来の技術)
一般に、受信機等のマイクロ波集積回路装置を構成する
場合は、増幅器やミキサ等の基本的機能モジュールをま
ず製作し、次にそれら個々の性能を確認した上で相互に
接続し、増幅器やミキサ等より上位の機能を有するコン
ボネントやサブシステムを一体に実現構成することが行
われる。2個のマイクロ波集積回路モジュールを接続し
て構成した従来のマイクロ波集積回路装置を第4図を参
照して説明する。
場合は、増幅器やミキサ等の基本的機能モジュールをま
ず製作し、次にそれら個々の性能を確認した上で相互に
接続し、増幅器やミキサ等より上位の機能を有するコン
ボネントやサブシステムを一体に実現構成することが行
われる。2個のマイクロ波集積回路モジュールを接続し
て構成した従来のマイクロ波集積回路装置を第4図を参
照して説明する。
第4図において、1,2はともに接続されるマイクロ波
集積回路モジュールであり、la,2aは入出力ピン.
Ib, 2bはこれと絶縁されたモジュールケースを
示している。導電体からなりマイクロ波集積回路モジュ
ール1,2を載置するベースプレート3の上面にはモジ
ュール1,2の載置部分を除いて誘電体基板4が形成さ
れ、この誘電体基板4の上には更にマイクロ波回路パタ
ーン5が構成されている。また、各々のマイクロ波集積
回路モジュール1,2の入出力ピンIa, 2aはベー
スプレート3の上のマイクロ波回路パターン5に半田付
けにより接続され、さらに各々のマイクロ波集積回路モ
ジュール1,2のモジュールケースlb, 2bがアル
ミニウム合金等導電性のベースプレート3と密着するよ
うにビス及びワッシャ6で固定されている。ところでこ
のマイクロ波集積回路装置の組立てに際しては、まず各
々のマイクロ波集積回路モジュール1,2の電気的特性
がチェックされ、必要に応じて入出力VSWRや利得等
の特性が個々の仕様を満たすように調整される。その後
ベースプレート3の凹部3aに載置収納される。しかし
各々のマイクロ波集積回路モジュール1,2の調整を完
全に行ったとしてもベースプレート3に収納して相互に
接続した場合,1つのマイクロ波集積回路装置として必
ずしもマイクロ波的に良好な状態とはならず、期待され
る電気的な総合特性を得ることができなかった。
集積回路モジュールであり、la,2aは入出力ピン.
Ib, 2bはこれと絶縁されたモジュールケースを
示している。導電体からなりマイクロ波集積回路モジュ
ール1,2を載置するベースプレート3の上面にはモジ
ュール1,2の載置部分を除いて誘電体基板4が形成さ
れ、この誘電体基板4の上には更にマイクロ波回路パタ
ーン5が構成されている。また、各々のマイクロ波集積
回路モジュール1,2の入出力ピンIa, 2aはベー
スプレート3の上のマイクロ波回路パターン5に半田付
けにより接続され、さらに各々のマイクロ波集積回路モ
ジュール1,2のモジュールケースlb, 2bがアル
ミニウム合金等導電性のベースプレート3と密着するよ
うにビス及びワッシャ6で固定されている。ところでこ
のマイクロ波集積回路装置の組立てに際しては、まず各
々のマイクロ波集積回路モジュール1,2の電気的特性
がチェックされ、必要に応じて入出力VSWRや利得等
の特性が個々の仕様を満たすように調整される。その後
ベースプレート3の凹部3aに載置収納される。しかし
各々のマイクロ波集積回路モジュール1,2の調整を完
全に行ったとしてもベースプレート3に収納して相互に
接続した場合,1つのマイクロ波集積回路装置として必
ずしもマイクロ波的に良好な状態とはならず、期待され
る電気的な総合特性を得ることができなかった。
即ち、第5図に示すように,マイクロ波集積回路モジュ
ール1のモジュールケース1bとベースプレート3の凹
部3aの加工精度が必ずしも十分でないために、モジュ
ールケース1bとベースプレート3とに間隙tが生じ、
マイクロ波伝送方向での対向面が完全に密着しないとい
う欠点があった。従って,マイクロ波集積回路モジュー
ル1を流れるマイクロ波電流工は次式〇で決まる金属表
皮(δ)内を矢印で示すように集中的に流れるので、マ
イクロ波電流はマイクロ波集積回路モジュール1のモジ
ュールケース1bとベースプレート3との間の間隙tに
面して迂回するようにベースプレート3へ流れ込むこと
になる。
ール1のモジュールケース1bとベースプレート3の凹
部3aの加工精度が必ずしも十分でないために、モジュ
ールケース1bとベースプレート3とに間隙tが生じ、
マイクロ波伝送方向での対向面が完全に密着しないとい
う欠点があった。従って,マイクロ波集積回路モジュー
ル1を流れるマイクロ波電流工は次式〇で決まる金属表
皮(δ)内を矢印で示すように集中的に流れるので、マ
イクロ波電流はマイクロ波集積回路モジュール1のモジ
ュールケース1bとベースプレート3との間の間隙tに
面して迂回するようにベースプレート3へ流れ込むこと
になる。
δ=V一ΣIG璽7jゴ・・・・・・ ■但し、ω:角
周波数,σ:電気伝導率,μ:透磁率を示す。
周波数,σ:電気伝導率,μ:透磁率を示す。
なお、マイクロ波帯ではδ陶1tirn程度であり、こ
の深さ内を集中的にマイクロ波電流が流れる。
の深さ内を集中的にマイクロ波電流が流れる。
マイクロ波集積回路モジュール1をベースプレート3ヘ
マウントする深さdは回路パターン5面から2膿程度以
上あり、マイクロ波電流がおよそ2dの距離を迂回する
ことはマイクロ波集積回路装置にとって影響は少なくな
い。即ち,電流の迂回によってその分余計に磁気エネル
ギーが蓄積されてあたかもマイクロ波集積回路モジュー
ル1とべ一スプレート3がインダクタンスを介して接続
された如くなるからである。そのため広い周波数帯域で
の整合がかなり困屠となる。
マウントする深さdは回路パターン5面から2膿程度以
上あり、マイクロ波電流がおよそ2dの距離を迂回する
ことはマイクロ波集積回路装置にとって影響は少なくな
い。即ち,電流の迂回によってその分余計に磁気エネル
ギーが蓄積されてあたかもマイクロ波集積回路モジュー
ル1とべ一スプレート3がインダクタンスを介して接続
された如くなるからである。そのため広い周波数帯域で
の整合がかなり困屠となる。
また,各々のマイクロ波集積回路モジュール1,2を接
続するマイクロ波回路パターン5がマイクロストリップ
ラインで構成されるため、ストリップラインからの放射
による伝送電力の損失および放射されたマイクロ波のマ
イクロ波集積回路モジュールを収納する容器内で共振等
が発生する等の悪影響が生ずる.更に,上記欠点を少な
くするには各々のマイクロ波集積回路モジュール1,2
を載置するベースプレート3の凹部3aを高精度に加工
することが要求され、製造が容易でないという欠点があ
った。
続するマイクロ波回路パターン5がマイクロストリップ
ラインで構成されるため、ストリップラインからの放射
による伝送電力の損失および放射されたマイクロ波のマ
イクロ波集積回路モジュールを収納する容器内で共振等
が発生する等の悪影響が生ずる.更に,上記欠点を少な
くするには各々のマイクロ波集積回路モジュール1,2
を載置するベースプレート3の凹部3aを高精度に加工
することが要求され、製造が容易でないという欠点があ
った。
ベースプレート3に凹部3aを形成しない方法として、
第6図に示すようにマイクロ波集積回路モジュール1,
2の接続にコネクタ7,8を用いる方法が考えられる。
第6図に示すようにマイクロ波集積回路モジュール1,
2の接続にコネクタ7,8を用いる方法が考えられる。
しかしこのような方法では、コネクタ7,8の寸法が一
般に長いため、マイクロ波集積回路モジュール1,2相
互間の接続距離が長くなる。更にコネクタ7,8の径が
大であるので、コネクタ7,8とベースプレート3が当
たらないようにマイクロ波集積回路モジュール1,2と
ベースプレート3との間に底板9を挿入する必要がある
。これらの理由によりマイクロ波集積回路装置の大型化
は避けられない。なお、第6図に示す構成では、コネク
タ7,8をマイクロ波集積回路モジュール1,2に接続
した後にベースプレート3に載匝収納することになり、
モジュール1,2を収納してから相互に接続するという
ドロップイン形組立て製造方式には適合し難いという問
題点があった。
般に長いため、マイクロ波集積回路モジュール1,2相
互間の接続距離が長くなる。更にコネクタ7,8の径が
大であるので、コネクタ7,8とベースプレート3が当
たらないようにマイクロ波集積回路モジュール1,2と
ベースプレート3との間に底板9を挿入する必要がある
。これらの理由によりマイクロ波集積回路装置の大型化
は避けられない。なお、第6図に示す構成では、コネク
タ7,8をマイクロ波集積回路モジュール1,2に接続
した後にベースプレート3に載匝収納することになり、
モジュール1,2を収納してから相互に接続するという
ドロップイン形組立て製造方式には適合し難いという問
題点があった。
(発明が解決しようとする課題)
従来のマイクロ波集積回路装置は、複雑な構成組立てか
らなり高精度の加工技術が要求されたり、高周波特性の
性能確保に高度な技術が要求される等種々の欠点があっ
た。
らなり高精度の加工技術が要求されたり、高周波特性の
性能確保に高度な技術が要求される等種々の欠点があっ
た。
そこで,本発明は上記点の欠点を除去するもので、複数
のマイクロ波集積回路モジュール間の良好な接続を簡単
な構成により実現し、高周波特性の劣化の少ないマイク
ロ波集積回路装置を提供することを目的とする, 〔発明の構成〕 (課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために本発明によるマイクロ波集積
回路装置は、両側端部に突出させた入出力ピンを有し、
これら入出力ピンとは電気的に絶縁されたモジュールケ
ースをもつ複数のドロップイン形マイクロ波集積回路モ
ジュールと、これら複数のドロップイン形マイクロ波集
積回路モジュールを間隔を置いて載置するベースプレー
トと、前記複数のドロップイン形マイクロ波集積回路モ
ジュールの間に配置され、対応する入出力ピンに接続さ
れる中心導体と、この中心導体を中心に絶縁層を介して
導電体で囲むとともに前記ベースプレートの垂直面に対
して傾斜した角度をもった面で分割され、前記ベースプ
レート取付け固定される同軸ブロックとを具備すること
を特徴とする。
のマイクロ波集積回路モジュール間の良好な接続を簡単
な構成により実現し、高周波特性の劣化の少ないマイク
ロ波集積回路装置を提供することを目的とする, 〔発明の構成〕 (課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために本発明によるマイクロ波集積
回路装置は、両側端部に突出させた入出力ピンを有し、
これら入出力ピンとは電気的に絶縁されたモジュールケ
ースをもつ複数のドロップイン形マイクロ波集積回路モ
ジュールと、これら複数のドロップイン形マイクロ波集
積回路モジュールを間隔を置いて載置するベースプレー
トと、前記複数のドロップイン形マイクロ波集積回路モ
ジュールの間に配置され、対応する入出力ピンに接続さ
れる中心導体と、この中心導体を中心に絶縁層を介して
導電体で囲むとともに前記ベースプレートの垂直面に対
して傾斜した角度をもった面で分割され、前記ベースプ
レート取付け固定される同軸ブロックとを具備すること
を特徴とする。
(作 用)
この発明装置は、モジュール入出力ピンに接続される中
心導体と、この中心導体とは絶縁層を介して導電体で囲
み、しかも傾斜した角度で分割された同軸ブロックを備
えたものである。
心導体と、この中心導体とは絶縁層を介して導電体で囲
み、しかも傾斜した角度で分割された同軸ブロックを備
えたものである。
同軸ブロックは傾斜した角度で分割されているので,傾
斜のすり合せ位置調整によりモジュール間の間隔の長さ
に合せることができ、この同軸ブロックをベースプレー
トに固定するだけで,間隙なくモジュール間が接続され
る。
斜のすり合せ位置調整によりモジュール間の間隔の長さ
に合せることができ、この同軸ブロックをベースプレー
トに固定するだけで,間隙なくモジュール間が接続され
る。
従って、マイクロ波電流の伝送損失は極めて少なく、し
かも、簡単に組立て製造ができるようになった。
かも、簡単に組立て製造ができるようになった。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明によるマイクロ波集積回路装置の一実施
例を示した分解斜視図,第2図はこの実施例の組立後の
平面図,第3図は第2図のA−A断面図である。なお、
従来と同一構成には同一符号を付し、詳細な説明は省略
する.即ち第1図ないし第3図において1,2はドロッ
プイン形マイクロ波集積回路モジュールで、la, 2
aは入出力ピン. lb, 2bはモジュールケースで
ある。各々のマイクロ波集積回路モジュール1,2はビ
ス及びワッシャ6でベースプレート3上へ固定される。
例を示した分解斜視図,第2図はこの実施例の組立後の
平面図,第3図は第2図のA−A断面図である。なお、
従来と同一構成には同一符号を付し、詳細な説明は省略
する.即ち第1図ないし第3図において1,2はドロッ
プイン形マイクロ波集積回路モジュールで、la, 2
aは入出力ピン. lb, 2bはモジュールケースで
ある。各々のマイクロ波集積回路モジュール1,2はビ
ス及びワッシャ6でベースプレート3上へ固定される。
また10a, 10b, 10cは、導電体で構成され
た3分割体をなし中心導体11a, Ilbとともに同
軸線路を構成するもので,マイクロ波集積回路モジュー
ル1,2を相互接続する同軸ブロックである.分割同軸
ブロック10a, 10bは,中心導体11aとはその
間に挿入された絶縁層10a’ , 10b’で絶縁構
成されており、モジュール1,2の接続面とは反対側の
面(同軸ブロック10cに接する面)がベースプレート
3の垂直面に対し傾斜した角度θを有している.また同
軸ブロック10cは,中空ですりわりの入れられた形状
の中心導体1lbが挿入される貫通穴10c’を持ち,
同軸ブロック10a, 10bに摺接するようにくさび
形に構成される。次にマイクロ波集積回路モジュール1
,2の接続工程を説明する。同軸ブロックLOa, 1
0bはビス6により夫々2個のマイクロ波集積回路モジ
ュール1,2の接続面に接しつつベースプレート3に固
定される。このとき、第3図に示すように各マイクロ波
集積回路モジュール1.2の入出力ピンla, 2aは
パイプ状の中心導体11aに挿入接続され、必要に応じ
はんだ付け固定される。更にこの両中心導体11aを接
続する他の中心導体1lbを同軸ブロック10cの貫通
穴10c’に予め通しておき、その中心導体1lbを同
軸ブロック10a, 10bの中心導体11aに接続す
る。この状態でビス6により同軸ブロック10cを同軸
ブロック10a, 10b間に圧入しつつベースプレー
ト3に取付け固定する。なお、中心導体11a, ll
b及び同軸ブロック10a, 10b, 10cで構成
される同軸線路の線路インピーダンスはマイクロ波集積
回路モジュール1,2の入出力インピーダンスにほぼ等
しくする必要があり、一般的には入出力インピーダンス
は50Ωなので、この線路インピーダンスも50Ωにす
るのがよい。
た3分割体をなし中心導体11a, Ilbとともに同
軸線路を構成するもので,マイクロ波集積回路モジュー
ル1,2を相互接続する同軸ブロックである.分割同軸
ブロック10a, 10bは,中心導体11aとはその
間に挿入された絶縁層10a’ , 10b’で絶縁構
成されており、モジュール1,2の接続面とは反対側の
面(同軸ブロック10cに接する面)がベースプレート
3の垂直面に対し傾斜した角度θを有している.また同
軸ブロック10cは,中空ですりわりの入れられた形状
の中心導体1lbが挿入される貫通穴10c’を持ち,
同軸ブロック10a, 10bに摺接するようにくさび
形に構成される。次にマイクロ波集積回路モジュール1
,2の接続工程を説明する。同軸ブロックLOa, 1
0bはビス6により夫々2個のマイクロ波集積回路モジ
ュール1,2の接続面に接しつつベースプレート3に固
定される。このとき、第3図に示すように各マイクロ波
集積回路モジュール1.2の入出力ピンla, 2aは
パイプ状の中心導体11aに挿入接続され、必要に応じ
はんだ付け固定される。更にこの両中心導体11aを接
続する他の中心導体1lbを同軸ブロック10cの貫通
穴10c’に予め通しておき、その中心導体1lbを同
軸ブロック10a, 10bの中心導体11aに接続す
る。この状態でビス6により同軸ブロック10cを同軸
ブロック10a, 10b間に圧入しつつベースプレー
ト3に取付け固定する。なお、中心導体11a, ll
b及び同軸ブロック10a, 10b, 10cで構成
される同軸線路の線路インピーダンスはマイクロ波集積
回路モジュール1,2の入出力インピーダンスにほぼ等
しくする必要があり、一般的には入出力インピーダンス
は50Ωなので、この線路インピーダンスも50Ωにす
るのがよい。
このようにして各々のマイクロ波集積回路モジュール1
,2は、分割によりくさび形に形成された同軸ブロック
10a, 10b, 10cが上方よりビス6でベース
プレート3に押さえつけられることにより接続固定され
る。このため、横方向への圧力が生じ、この圧力により
モジュール1,2間は、機能的にも強固に密着する。従
って,モジュール1,2のケース表面を流れるマイクロ
波電流■は同軸ブロック10a, 10b, 10cを
形成した導電体、即ち接地導体を順次介して流れ、あた
かも一つの接地導体を流れるようになるので、接続され
たモジュールを流れるマイクロ波電流は従来のように接
続部分における電流の迂回を行わずマイクロ波的に良好
な相互接続が実現される。さらに、接続しようとする2
個のマイクロ波集積回路モジュール1,2の距離が離れ
すぎていた場合は,くさび形の同軸ブロック10cを深
く挿入し、逆に近すぎた場合は浅く挿入するというよう
に、くさび形同軸ブロック10cの挿入深度の変化だけ
で接地の接続は容易にかつ良好に保たれる。
,2は、分割によりくさび形に形成された同軸ブロック
10a, 10b, 10cが上方よりビス6でベース
プレート3に押さえつけられることにより接続固定され
る。このため、横方向への圧力が生じ、この圧力により
モジュール1,2間は、機能的にも強固に密着する。従
って,モジュール1,2のケース表面を流れるマイクロ
波電流■は同軸ブロック10a, 10b, 10cを
形成した導電体、即ち接地導体を順次介して流れ、あた
かも一つの接地導体を流れるようになるので、接続され
たモジュールを流れるマイクロ波電流は従来のように接
続部分における電流の迂回を行わずマイクロ波的に良好
な相互接続が実現される。さらに、接続しようとする2
個のマイクロ波集積回路モジュール1,2の距離が離れ
すぎていた場合は,くさび形の同軸ブロック10cを深
く挿入し、逆に近すぎた場合は浅く挿入するというよう
に、くさび形同軸ブロック10cの挿入深度の変化だけ
で接地の接続は容易にかつ良好に保たれる。
上記説明ではマイクロ波集積回路モジュール1,2と同
軸ブロック10a, 10b, 10cとは、くさび形
の同軸ブロック10cがベースプレート3に押し付けら
れる圧力によって密着接続していたが、同軸線路ブロッ
ク10a, 10bをマイクロ波集積回路モジュール1
,2側にビス止めし、その後同軸ブロック10c をベ
ースプレート3にビス止めしても上記実施例と同様な効
果を生じる。また、同軸ブロックの個数はこの例では3
個であったが、ベースプレート3の垂直面に対して角度
をもった面で分割された複数個のブロックであれば例え
ば2個であっても同じ効果が得られる。
軸ブロック10a, 10b, 10cとは、くさび形
の同軸ブロック10cがベースプレート3に押し付けら
れる圧力によって密着接続していたが、同軸線路ブロッ
ク10a, 10bをマイクロ波集積回路モジュール1
,2側にビス止めし、その後同軸ブロック10c をベ
ースプレート3にビス止めしても上記実施例と同様な効
果を生じる。また、同軸ブロックの個数はこの例では3
個であったが、ベースプレート3の垂直面に対して角度
をもった面で分割された複数個のブロックであれば例え
ば2個であっても同じ効果が得られる。
また、中心導体11a, Ilbと各同軸ブロック】O
a,10b, 10cとは電気的に絶縁された状態であ
ればよいので、10a’, 10b’, 10c’の絶
縁層は空隙であっても、あるいは何らかの絶縁物が充填
されたものでもよい。
a,10b, 10cとは電気的に絶縁された状態であ
ればよいので、10a’, 10b’, 10c’の絶
縁層は空隙であっても、あるいは何らかの絶縁物が充填
されたものでもよい。
以上述べたように本発明によれば、接続されるドロップ
イン形マイクロ波集積回路モジュール間に、中心導体と
これと絶縁されベースプレートの垂直面に対し傾斜角度
をもった面で分割された複数の同軸ブロックとが構成さ
れる。中心導体はマイクロ波集積回路モジュールの入出
力ピンと接続され、また同軸ブロックの一部が傾斜角度
を利用してベースプレートに押しつけられるとともに、
マイクロ波集積回路モジュールのモジュールケースと相
互に密着接続される。この同軸ブロックにより各々のマ
イクロ波集積回路モジュールが接続されるので、各々の
マイクロ波集積回路モジュ゛ールの接続点におけるマイ
クロ波電流の流れを円滑にし、特性の劣下が少なく小型
化されたマイクロ波集積回路装置を提供することができ
る。
イン形マイクロ波集積回路モジュール間に、中心導体と
これと絶縁されベースプレートの垂直面に対し傾斜角度
をもった面で分割された複数の同軸ブロックとが構成さ
れる。中心導体はマイクロ波集積回路モジュールの入出
力ピンと接続され、また同軸ブロックの一部が傾斜角度
を利用してベースプレートに押しつけられるとともに、
マイクロ波集積回路モジュールのモジュールケースと相
互に密着接続される。この同軸ブロックにより各々のマ
イクロ波集積回路モジュールが接続されるので、各々の
マイクロ波集積回路モジュ゛ールの接続点におけるマイ
クロ波電流の流れを円滑にし、特性の劣下が少なく小型
化されたマイクロ波集積回路装置を提供することができ
る。
第1図は本発明のマイクロ波集積回路装置の一実施例を
示す分解斜視図、第2図は第1図に示す装置の組立後の
平面図、第3図は第2図のAーA断面図、第4図は従来
のマイクロ波集積回路装置を示す分解斜視図,第5図は
第4図に示す装置のA−A一部断面図、第6図は同じく
従来の他のマイクロ波集積回路装置を示す一部断面図で
ある。 1,2・・・マイクロ波集積回路モジュール、la,2
b・・・入出力ピン、 lb, 2b・・・モジュールケース,3・・・ベース
プレート、 6・・・ビス及びワッシャ10a, f
ob, 10c−同軸ブロック、11a,Ilb,ll
c・・・中心導体、12・・・絶縁物。 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 1,2 マイ7口i皮集槓団茄}モジ一−ルla,2a
入出力ピン 第 図 10C 10b 第 図 第 図 第 図
示す分解斜視図、第2図は第1図に示す装置の組立後の
平面図、第3図は第2図のAーA断面図、第4図は従来
のマイクロ波集積回路装置を示す分解斜視図,第5図は
第4図に示す装置のA−A一部断面図、第6図は同じく
従来の他のマイクロ波集積回路装置を示す一部断面図で
ある。 1,2・・・マイクロ波集積回路モジュール、la,2
b・・・入出力ピン、 lb, 2b・・・モジュールケース,3・・・ベース
プレート、 6・・・ビス及びワッシャ10a, f
ob, 10c−同軸ブロック、11a,Ilb,ll
c・・・中心導体、12・・・絶縁物。 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 1,2 マイ7口i皮集槓団茄}モジ一−ルla,2a
入出力ピン 第 図 10C 10b 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 両側端部に突出させた入出力ピンを有し、これら入出力
ピンとは電気的に絶縁されたモジュールケースをもつ複
数のドロップイン形マイクロ波集積回路モジュールと、
これら複数のドロップイン形マイクロ波集積回路モジュ
ールを間隔を置いて載置するベースプレートと、前記複
数のドロップイン形マイクロ波集積回路モジュールの間
に配置され、対応する入出力ピンに接続される中心導体
と、この中心導体を中心に絶縁層を介して導電体で囲む
とともに前記ベースプレートの垂直面に対して傾斜した
角度をもった面で分割され、前記ベースプレートに取付
け固定される同軸ブロックとを具備してなることを特徴
とするマイクロ波集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1116293A JP2645136B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | マイクロ波集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1116293A JP2645136B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | マイクロ波集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02295203A true JPH02295203A (ja) | 1990-12-06 |
JP2645136B2 JP2645136B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=14683448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1116293A Expired - Lifetime JP2645136B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | マイクロ波集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2645136B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173955A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Toshiba Corp | 高周波電力増幅器とその組立方法 |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP1116293A patent/JP2645136B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173955A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Toshiba Corp | 高周波電力増幅器とその組立方法 |
JP4703391B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2011-06-15 | 株式会社東芝 | 高周波電力増幅器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2645136B2 (ja) | 1997-08-25 |
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