JPH02288513A - チューナ復調ユニット - Google Patents
チューナ復調ユニットInfo
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- JPH02288513A JPH02288513A JP10766989A JP10766989A JPH02288513A JP H02288513 A JPH02288513 A JP H02288513A JP 10766989 A JP10766989 A JP 10766989A JP 10766989 A JP10766989 A JP 10766989A JP H02288513 A JPH02288513 A JP H02288513A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、衛星放送用フロントエンドをはじめとする高
周波チューナ復調ユニットに関する。
周波チューナ復調ユニットに関する。
[従来の技術]
従来の衛星放送用フロントエンドは多くの部品により構
成されていたために回路規模が大きくなり、各回路部の
高周波的なアイソレーションをとるだめに複雑なシール
ド構造となっている。
成されていたために回路規模が大きくなり、各回路部の
高周波的なアイソレーションをとるだめに複雑なシール
ド構造となっている。
[発明が解決しようとしている課題]
上記従来のシールド構造は複雑な上に回路構成を変える
たびにシールド構造の大幅な見直しが必要となる。また
、回路の占有面積で各回路配置が決まり設計自由度が小
さくなる欠点を有している。
たびにシールド構造の大幅な見直しが必要となる。また
、回路の占有面積で各回路配置が決まり設計自由度が小
さくなる欠点を有している。
本発明は上記問題点を解決し、簡単なシールド構造で設
計自由度の広いチューナ復調ユニットを提供することに
ある。
計自由度の広いチューナ復調ユニットを提供することに
ある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、回路を機能ブロックごとに
集積化し、各回路ブロックを高周波的に遮蔽するシール
ド構造とする。
集積化し、各回路ブロックを高周波的に遮蔽するシール
ド構造とする。
[作用]
回路を機能ブロックごとに集積化することにより1機能
ブロック内のアイソレーションは集積回路の接地方法お
よび回路構成により対処することができ、各機能ブロッ
クを使用目的に応じて最適位置に配置し、それぞれのブ
ロックを接地構造体により高周波的にシールドすること
により、簡単なシールド構造で設計自由度の広いチュー
ナ復調ユニットを提供することができる。
ブロック内のアイソレーションは集積回路の接地方法お
よび回路構成により対処することができ、各機能ブロッ
クを使用目的に応じて最適位置に配置し、それぞれのブ
ロックを接地構造体により高周波的にシールドすること
により、簡単なシールド構造で設計自由度の広いチュー
ナ復調ユニットを提供することができる。
C実施例]
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。第1
図は本発明を用いたチューナ復調ユニットの機能ブロッ
ク構成の一実施例でlはRF入力ブロック2はフィルタ
ブロック、3は周波数変換ブロック、4は選局ブロック
、5はIF復調ブロック、6はRFF力端子、8はシャ
シ、9は直流電圧もしくは信号の入出力用ピン端子、1
0゜11.12はシールド板である。RFF力端子6よ
り入力されたRF倍信号RF入力ブロック1おいて2人
力のうち一方が選択増幅され、フィルタブロック2に入
力、妨害となる不要波を抑圧して周波数変換ブロック3
に入力、選局ブロック4により設定された局部発振信号
と混合し、1F信号に変換されてIF復調ブロック5に
入力、ベースバンド信号として出力される。チューナ復
調ユニットの構成において最も注意を要する点は、各回
路ブロック間の高周波的分離および内部処理信号の外部
への漏洩であり、本実施例においてはRF入力ブロック
1フィルタブロック2と周波数変換ブロック3および選
局ブロック4とIF復調ブロック5をシールド板10,
11.12により高周波的に分離している。また、RF
入入力ロック12周波数変換ブロック3等の構成部品点
数が多く入出力の高周波アイソレイションが必要な回路
ブロックは、回路を集積化し接地方法の工夫およびアイ
ソレイション良い回路構成を採用することにより、回路
ブロックの占有面積を小さくでき、複雑なシールド構造
を用いなくても回路ブロック内の入出力アイソレイショ
ンをとることができる。
図は本発明を用いたチューナ復調ユニットの機能ブロッ
ク構成の一実施例でlはRF入力ブロック2はフィルタ
ブロック、3は周波数変換ブロック、4は選局ブロック
、5はIF復調ブロック、6はRFF力端子、8はシャ
シ、9は直流電圧もしくは信号の入出力用ピン端子、1
0゜11.12はシールド板である。RFF力端子6よ
り入力されたRF倍信号RF入力ブロック1おいて2人
力のうち一方が選択増幅され、フィルタブロック2に入
力、妨害となる不要波を抑圧して周波数変換ブロック3
に入力、選局ブロック4により設定された局部発振信号
と混合し、1F信号に変換されてIF復調ブロック5に
入力、ベースバンド信号として出力される。チューナ復
調ユニットの構成において最も注意を要する点は、各回
路ブロック間の高周波的分離および内部処理信号の外部
への漏洩であり、本実施例においてはRF入力ブロック
1フィルタブロック2と周波数変換ブロック3および選
局ブロック4とIF復調ブロック5をシールド板10,
11.12により高周波的に分離している。また、RF
入入力ロック12周波数変換ブロック3等の構成部品点
数が多く入出力の高周波アイソレイションが必要な回路
ブロックは、回路を集積化し接地方法の工夫およびアイ
ソレイション良い回路構成を採用することにより、回路
ブロックの占有面積を小さくでき、複雑なシールド構造
を用いなくても回路ブロック内の入出力アイソレイショ
ンをとることができる。
第1図の実施例では、RFF力部をシールド板10.1
1により次段以降の回路ブロックと分離することにより
、局部発振信号等の回路内部で発生する信号のRFF力
端子6からの漏洩を防止している。また、選局ブロック
4にPLL回路や外部との110機能をもつICを用い
た場合、人出カビン端子9と選局ブロック4の間に多数
の配線が必要となることから、本実施例においては選局
ブロック4を入出力ピン端子9の近くにピン端子に沿っ
て配置している。また、選局ブロック4とIF復調ブロ
ック5はシールド板12により分離することにより、選
局ブロック4で発生する信号のIF復調ブロック5出力
への漏洩を防止している。
1により次段以降の回路ブロックと分離することにより
、局部発振信号等の回路内部で発生する信号のRFF力
端子6からの漏洩を防止している。また、選局ブロック
4にPLL回路や外部との110機能をもつICを用い
た場合、人出カビン端子9と選局ブロック4の間に多数
の配線が必要となることから、本実施例においては選局
ブロック4を入出力ピン端子9の近くにピン端子に沿っ
て配置している。また、選局ブロック4とIF復調ブロ
ック5はシールド板12により分離することにより、選
局ブロック4で発生する信号のIF復調ブロック5出力
への漏洩を防止している。
第2図は第1図に示した実施例のチューナ復調ユニット
を入出力ピン端子9側から見た側面図で、第1図と同じ
機能を有するものは同一記号を付して説明を略す、13
はカバーである。第1図および第2図に示すように本実
施例はRFF力端子6以外の端子はすべてシャシの1例
面に配置しピン端子とすることで、チューナ復調ユニッ
トの外部との接続、実装を容易にしている0本実施例に
おける22本の入出力ピン端子9の1例を明記すると、
図面左端より、RFF替端子(ピンNo、1゜2)、R
F入入力イアス供給端子(3,4)、局部発振器同調電
圧用端子(5)、5V電源電圧供!端子(6)、PLL
IC1vl制御端子(7,8)、PLLICI10端
子(9,10,11,12゜13)、NC(14)、I
FF域切換端子(15゜16)、AGC端子(17)、
ベースバンド信号出力端子(18)、キードAFC端子
(19)。
を入出力ピン端子9側から見た側面図で、第1図と同じ
機能を有するものは同一記号を付して説明を略す、13
はカバーである。第1図および第2図に示すように本実
施例はRFF力端子6以外の端子はすべてシャシの1例
面に配置しピン端子とすることで、チューナ復調ユニッ
トの外部との接続、実装を容易にしている0本実施例に
おける22本の入出力ピン端子9の1例を明記すると、
図面左端より、RFF替端子(ピンNo、1゜2)、R
F入入力イアス供給端子(3,4)、局部発振器同調電
圧用端子(5)、5V電源電圧供!端子(6)、PLL
IC1vl制御端子(7,8)、PLLICI10端
子(9,10,11,12゜13)、NC(14)、I
FF域切換端子(15゜16)、AGC端子(17)、
ベースバンド信号出力端子(18)、キードAFC端子
(19)。
AFCF子(20)、デイフィート入力端子(21)、
9V電源電圧供給端子(22)である。
9V電源電圧供給端子(22)である。
第3図は第1図の実施例の回路ブロックを具体的に示す
1実施例である。同図において第1図と同じ機能を有す
るものは同一記号を付して説明を略す、14はRFF力
増幅器IC,15は可変同調フィルタ、16はミクサお
よび利得制御増幅器IC117は電圧可変発振器および
分周器、PLL回路により構成されたPLLシンセサイ
ザブロック、18はSAWフィルタ、19はIF復調I
Cである。RFF力端子6より入力されたRF倍信号R
FF力増幅器IC14において入出力ピン端子9のRF
F替端子(1,2)により2人力のうち一方が選択増幅
され、可変同調フィルタ15に入力、可変同調フィルタ
15は電圧可変発振器17の選局周波数に同調して通過
周波数を可変することにより妨害となる不要波を抑圧す
る。ここでフィルタの入出力にシールド板11を配置す
ることにより、放射等によるフィルタを介さない直接の
不要信号漏洩を防止している。可変同調フィルタ15に
より選択されたRF倍信号ミクサおよび利得制御増幅器
IC16に入力され、PLLシンセサイザブロック17
より設定された局部発振信号と混合し、IF倍信号変換
されてSAWフィルタ18に入力、不要信号を抑圧して
IF復調工C19に入力、ベースバンド信号として出力
される。
1実施例である。同図において第1図と同じ機能を有す
るものは同一記号を付して説明を略す、14はRFF力
増幅器IC,15は可変同調フィルタ、16はミクサお
よび利得制御増幅器IC117は電圧可変発振器および
分周器、PLL回路により構成されたPLLシンセサイ
ザブロック、18はSAWフィルタ、19はIF復調I
Cである。RFF力端子6より入力されたRF倍信号R
FF力増幅器IC14において入出力ピン端子9のRF
F替端子(1,2)により2人力のうち一方が選択増幅
され、可変同調フィルタ15に入力、可変同調フィルタ
15は電圧可変発振器17の選局周波数に同調して通過
周波数を可変することにより妨害となる不要波を抑圧す
る。ここでフィルタの入出力にシールド板11を配置す
ることにより、放射等によるフィルタを介さない直接の
不要信号漏洩を防止している。可変同調フィルタ15に
より選択されたRF倍信号ミクサおよび利得制御増幅器
IC16に入力され、PLLシンセサイザブロック17
より設定された局部発振信号と混合し、IF倍信号変換
されてSAWフィルタ18に入力、不要信号を抑圧して
IF復調工C19に入力、ベースバンド信号として出力
される。
SAWフィルタ18はシールド板11により入出力が高
周波的に分離されるように配置することでRF倍信号局
部発振信号等のIF復調IC19への漏洩を防止するこ
とができる。
周波的に分離されるように配置することでRF倍信号局
部発振信号等のIF復調IC19への漏洩を防止するこ
とができる。
なお、本実施例では選局ブロック4としてPLLシンセ
サイザブロック17を示したが、電圧シンセサイザ等の
方式を用いることも可能であり、また電圧可変発振器の
発振信号を分局器により周波数分周して入出力ピン端子
9より出力し、外部回路により発振周波数を制御するこ
とも可能である。また、本実施例においては、局部発振
器をPLLシンセサイザブロック17に入れているが、
ミクサおよび利得制御増幅器IC16に発振回路を内蔵
させ1発振器号をPLLシンセサイザブロック17に入
力することで周波数制御をおこなっても同様の効果が得
られる。
サイザブロック17を示したが、電圧シンセサイザ等の
方式を用いることも可能であり、また電圧可変発振器の
発振信号を分局器により周波数分周して入出力ピン端子
9より出力し、外部回路により発振周波数を制御するこ
とも可能である。また、本実施例においては、局部発振
器をPLLシンセサイザブロック17に入れているが、
ミクサおよび利得制御増幅器IC16に発振回路を内蔵
させ1発振器号をPLLシンセサイザブロック17に入
力することで周波数制御をおこなっても同様の効果が得
られる。
第4図に本発明を用いた他の1実施例を示す。
同図において、第1図と同じ機能を有するものは同一記
号を付して説明を略す。2oはシールド板である。第1
図に示した実施例は選局ブロック4の選局方式によって
は1周波数変換ブロック3に選局ブロック4で発生した
不要信号が漏洩し、妨害信号となることがある。そこで
第4図に示すように周波数変換ブロック3と選局ブロッ
ク4をシールド板20により分離することで、選局ブロ
ック4で発生する不要信号の周波数変換ブロック3への
漏洩を防止することができる。
号を付して説明を略す。2oはシールド板である。第1
図に示した実施例は選局ブロック4の選局方式によって
は1周波数変換ブロック3に選局ブロック4で発生した
不要信号が漏洩し、妨害信号となることがある。そこで
第4図に示すように周波数変換ブロック3と選局ブロッ
ク4をシールド板20により分離することで、選局ブロ
ック4で発生する不要信号の周波数変換ブロック3への
漏洩を防止することができる。
第5図に本発明を用いた他の1実施例を示す。
同図において、第1図と同じ機能を有するものは同一記
号を付して説明を略す、21,22.23はシールド板
である。本実施例は選局ブロック4をRF入力端子6か
ら最も遠い位置に配置した実施例で、選局ブロック4よ
り発生する信号のRF入力端子6への漏洩を最小にする
ための構成であり、選局ブロック4に要する入出力ピン
端子9の数が少ない場合は有効な構成と言える。なお、
第4図に示したと同様に周波数変換ブロック3と選局ブ
ロック4をシールド板20により分離することで、選局
ブロック4で発生する不要信号漏洩の改善が図れる。
号を付して説明を略す、21,22.23はシールド板
である。本実施例は選局ブロック4をRF入力端子6か
ら最も遠い位置に配置した実施例で、選局ブロック4よ
り発生する信号のRF入力端子6への漏洩を最小にする
ための構成であり、選局ブロック4に要する入出力ピン
端子9の数が少ない場合は有効な構成と言える。なお、
第4図に示したと同様に周波数変換ブロック3と選局ブ
ロック4をシールド板20により分離することで、選局
ブロック4で発生する不要信号漏洩の改善が図れる。
第6図に本発明を用いた他の1実施例を示す。
同図において、第1図と同じ機能を有するものは同一記
号を付して説明を略す。24,25.26はシールド板
である。本実施例は選局ブロック4を入出力ピン端子9
に沿って広く取ることにより、外部回路との工/○端子
を多く設けることができ、機能の拡張を図ることができ
る。
号を付して説明を略す。24,25.26はシールド板
である。本実施例は選局ブロック4を入出力ピン端子9
に沿って広く取ることにより、外部回路との工/○端子
を多く設けることができ、機能の拡張を図ることができ
る。
第7図に本発明を用いた他の1実施例を示す。
同図において、第1図と同じ機能を有するものは同一記
号を付して説明を略す。27.28,29゜30はシー
ルド板である。本実施例は第6図に示した実施例のフィ
ルタブロック2と周波数変換ブロック3の位置を逆転さ
せた構成となっており。
号を付して説明を略す。27.28,29゜30はシー
ルド板である。本実施例は第6図に示した実施例のフィ
ルタブロック2と周波数変換ブロック3の位置を逆転さ
せた構成となっており。
選局ブロック4で多くの入出力ピン端子9を使用できる
とともに、RF入力側よりシールド板29までの出力ピ
ン端子9には回路内部で発生する信号が漏洩しずらいこ
とから妨害信号の影響を受けやすい端子と受けにくい端
子を使い分けることができる。
とともに、RF入力側よりシールド板29までの出力ピ
ン端子9には回路内部で発生する信号が漏洩しずらいこ
とから妨害信号の影響を受けやすい端子と受けにくい端
子を使い分けることができる。
第8図に本発明を用いた他の1実施例を示す。
同図において、第1図と同じ機能を有するものは同一記
号を付して説明を略す。31はシールド板である。本実
施例は第6図に示した実施例の選局ブロック4とIF復
調ブロック5の位置を逆転させた構成となっている。外
部への漏洩が問題となる信号の多くは周波数変換ブロッ
ク3および選局ブロック4で発生することから、信号発
生源となる両ブロック3,4をRF入力端子6および出
力ビン端子9から遠ざけることにより、不要信号の端子
からの漏洩を防止することができる。なお、第4図に示
したと同様に周波数変換ブロック3と選局ブロック4を
シールド板20により分離することで、選局ブロック4
で発生する不要信号漏洩の改善が図れる。
号を付して説明を略す。31はシールド板である。本実
施例は第6図に示した実施例の選局ブロック4とIF復
調ブロック5の位置を逆転させた構成となっている。外
部への漏洩が問題となる信号の多くは周波数変換ブロッ
ク3および選局ブロック4で発生することから、信号発
生源となる両ブロック3,4をRF入力端子6および出
力ビン端子9から遠ざけることにより、不要信号の端子
からの漏洩を防止することができる。なお、第4図に示
したと同様に周波数変換ブロック3と選局ブロック4を
シールド板20により分離することで、選局ブロック4
で発生する不要信号漏洩の改善が図れる。
第9図に本発明を用いた他の1実施例を示す。
同図において、第1図と同じ機能を有するものは同一記
号を付して説明を略す。31,32,33゜34はシー
ルド板である。本実施例はRF入カブロック1とフィル
タブロック2と周波数変換ブロック3をRF入力端子6
に対して直列に接続することにより、周波数変換ブロッ
ク3および選局ブロック4、IF復調ブロック5で発生
する信号はシールド板32.33により2重に遮断され
るため、RF入力端子6への漏洩抑圧効果が大きい。
号を付して説明を略す。31,32,33゜34はシー
ルド板である。本実施例はRF入カブロック1とフィル
タブロック2と周波数変換ブロック3をRF入力端子6
に対して直列に接続することにより、周波数変換ブロッ
ク3および選局ブロック4、IF復調ブロック5で発生
する信号はシールド板32.33により2重に遮断され
るため、RF入力端子6への漏洩抑圧効果が大きい。
第10図に本発明を用いた他の1実施例を示す。
同図において、第1図と同じ機能を有するものは同一記
号を付して説明を略す。35はシールド板である。本実
施例は第6図に示した実施例の選局ブロック4とIF復
調ブロック9の位置を逆転させることにより、選局ブロ
ック4で発生する信号の出力ピン端子9への漏洩を防止
している。
号を付して説明を略す。35はシールド板である。本実
施例は第6図に示した実施例の選局ブロック4とIF復
調ブロック9の位置を逆転させることにより、選局ブロ
ック4で発生する信号の出力ピン端子9への漏洩を防止
している。
なお5以上第1図から第10図に示した実施例はRF入
力端子6を2個有しているが、1個もしくは3個以上で
あっても同様の効果が得られる。
力端子6を2個有しているが、1個もしくは3個以上で
あっても同様の効果が得られる。
第11図にRF入力端子6が1個の場合の1実施例を示
す。同図において、第1図と同じ機能を有するものは同
一記号を付して説明を略す。同図は第1図に示した実施
例のRF入力端子6を1個としたものであり、第1図で
説明したと同様の効果を有する。
す。同図において、第1図と同じ機能を有するものは同
一記号を付して説明を略す。同図は第1図に示した実施
例のRF入力端子6を1個としたものであり、第1図で
説明したと同様の効果を有する。
なお、以上第1図から第11図に示した実施例はフィル
タブロック2の入出力にそれぞれシールド板を配してい
るが、シールド構造のフィルタを使えば第3図における
SAWフィルタ18のようにフィルタの入出力がシール
ド板により分離される構成とすることで、同様の効果を
得ることができる。第12図にフィルタブロック2にシ
ールド構造のフィルタを使った1実施例を示す。同図に
おいて、第1図と同じ機能を有するものは同一記号を付
して説明を略す。36はシールド板である。
タブロック2の入出力にそれぞれシールド板を配してい
るが、シールド構造のフィルタを使えば第3図における
SAWフィルタ18のようにフィルタの入出力がシール
ド板により分離される構成とすることで、同様の効果を
得ることができる。第12図にフィルタブロック2にシ
ールド構造のフィルタを使った1実施例を示す。同図に
おいて、第1図と同じ機能を有するものは同一記号を付
して説明を略す。36はシールド板である。
同図は第1図に示した実施例、のフィルタブロック2を
シールド構造のフィルタにしたもので、第1図で説明し
たと同様の効果を有する。
シールド構造のフィルタにしたもので、第1図で説明し
たと同様の効果を有する。
[発明の効果]
本発明によれば、回路を機能ブロックごとに集積化し、
各機能ブロックを使用目的に応じて最適位置に配置し、
それぞれのブロックを接地構造体により高周波的にシー
ルドすることにより、簡単なシールド構造で設計自由度
の広いチューナ復調ユニットを提供することができる。
各機能ブロックを使用目的に応じて最適位置に配置し、
それぞれのブロックを接地構造体により高周波的にシー
ルドすることにより、簡単なシールド構造で設計自由度
の広いチューナ復調ユニットを提供することができる。
第1図は本発明の1実施例の機能ブロック図、第2図は
第1図の実施例を入出力ピン端子側より見た側面図、第
3図は第1図の実施例の具体的回路図、第4図、第5図
、第6図、第7図、第8図、第9図、第10図、第11
図、第12図は本発明の他の実施例の機能ブロック図で
ある。 3・・・周波数変換ブロック、4・・・選局ブロック、
5・・・IF復調ブロック、6・・・RF入力端子、9
・・・入出力用ピン端子、14・・・RF入力増幅器I
C,15・・・可変同調フィルタ、16・・・ミクサお
よび利得制御増幅器IC117・・・PLLシンセサイ
ザブロック、18・・・SAWフィルタ、19・・・I
F復調IC110,11,12,20,21,22,2
3゜24.25,26,27,28,29,30,31
.32,33,34,35・・・シールド板。 1・・・RF入カブロック、2・・・フィルタブロック
、図面の浄書(内容に変更なし) 第 第 目 第 口 躬 躬 η 第 閉
第1図の実施例を入出力ピン端子側より見た側面図、第
3図は第1図の実施例の具体的回路図、第4図、第5図
、第6図、第7図、第8図、第9図、第10図、第11
図、第12図は本発明の他の実施例の機能ブロック図で
ある。 3・・・周波数変換ブロック、4・・・選局ブロック、
5・・・IF復調ブロック、6・・・RF入力端子、9
・・・入出力用ピン端子、14・・・RF入力増幅器I
C,15・・・可変同調フィルタ、16・・・ミクサお
よび利得制御増幅器IC117・・・PLLシンセサイ
ザブロック、18・・・SAWフィルタ、19・・・I
F復調IC110,11,12,20,21,22,2
3゜24.25,26,27,28,29,30,31
.32,33,34,35・・・シールド板。 1・・・RF入カブロック、2・・・フィルタブロック
、図面の浄書(内容に変更なし) 第 第 目 第 口 躬 躬 η 第 閉
Claims (1)
- 1、RF入力ブロックとフィルタブロックと周波数変換
ブロックと選局ブロックとIF復調ブロックが高周波的
にシールドされた1つの構造体内に配置されたチューナ
復調ユニットにおいて、RF入力ブロックとフィルタブ
ロックと周波数変換および選局ブロックとIF復調ブロ
ックは互いに接地構造体により高周波的に遮蔽されてい
ることを特徴とするチューナ復調ユニット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10766989A JPH02288513A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | チューナ復調ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10766989A JPH02288513A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | チューナ復調ユニット |
Publications (1)
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JPH02288513A true JPH02288513A (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=14465001
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JP (1) | JPH02288513A (ja) |
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1989
- 1989-04-28 JP JP10766989A patent/JPH02288513A/ja active Pending
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