JPH02287847A - 電子機器 - Google Patents
電子機器Info
- Publication number
- JPH02287847A JPH02287847A JP11138789A JP11138789A JPH02287847A JP H02287847 A JPH02287847 A JP H02287847A JP 11138789 A JP11138789 A JP 11138789A JP 11138789 A JP11138789 A JP 11138789A JP H02287847 A JPH02287847 A JP H02287847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ram
- memory
- address
- extension
- signals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 7
- 101150076031 RAS1 gene Proteins 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 101100247319 Drosophila melanogaster Ras64B gene Proteins 0.000 description 2
- 101150019218 RAS2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150045048 Ras85D gene Proteins 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、各種プリンタ、複写機等の各種電子機器に
関し、特に常駐メモリのメモリ領域を拡張するために複
数の増設RAMを着脱可能な電子機器に関する。
関し、特に常駐メモリのメモリ領域を拡張するために複
数の増設RAMを着脱可能な電子機器に関する。
例えばプリンタのような電子機器においては、内蔵のプ
リント基板あるいは機器の外側に複数の増設RAMを着
脱可能に取付けられるようしこ複数のコネクタ(ソケッ
ト)を備えたものがあり、常駐メモリのメモリ領域を拡
張する際にはそのコネクタにRAM素子(IC)、RA
Mモジュール(メモリ素子のみを配置したメモリボー1
〜)、RAMボード(メモリ素子の他に一部ロシック用
ICを配置したメモリボー、ド)等の増設RAMを装着
し、アクセス時には常駐メモリの他に増設RAMのメモ
リ領域をも使用して大量のテークを記憶可能にしている
。
リント基板あるいは機器の外側に複数の増設RAMを着
脱可能に取付けられるようしこ複数のコネクタ(ソケッ
ト)を備えたものがあり、常駐メモリのメモリ領域を拡
張する際にはそのコネクタにRAM素子(IC)、RA
Mモジュール(メモリ素子のみを配置したメモリボー1
〜)、RAMボード(メモリ素子の他に一部ロシック用
ICを配置したメモリボー、ド)等の増設RAMを装着
し、アクセス時には常駐メモリの他に増設RAMのメモ
リ領域をも使用して大量のテークを記憶可能にしている
。
ところで、このような電子機器においては、複数の増設
RAMに対するメモリ管理を容易にするために、一般に
各コネクタ(増設RAM用)に対するアドレスレンジの
割当てが固定され、それによって例えば常駐メモリから
第1のコネクタに装着された増設RAMへ、第1のコネ
クタに装着された増設RAMから第2のコネクタに装着
された増設RAMへと順次者メモリをアクセスし、その
各メモリのメモリ領域を連続的に使用可能にしている。
RAMに対するメモリ管理を容易にするために、一般に
各コネクタ(増設RAM用)に対するアドレスレンジの
割当てが固定され、それによって例えば常駐メモリから
第1のコネクタに装着された増設RAMへ、第1のコネ
クタに装着された増設RAMから第2のコネクタに装着
された増設RAMへと順次者メモリをアクセスし、その
各メモリのメモリ領域を連続的に使用可能にしている。
しかしながら、従来のこのような電子機器においては、
増設RAMを各コネクタに対する装着順序を無視して装
着し、例えば途中のコネクタ(例えば第2のコネクタ)
で増設RAMの抜けがあった場合、そのコネクタに割り
当てられたアドレスレンジに基づいて仮想の増設RAM
(実際には存在しない)をアクセスしようとするため
にエラーを起こすという問題がある。
増設RAMを各コネクタに対する装着順序を無視して装
着し、例えば途中のコネクタ(例えば第2のコネクタ)
で増設RAMの抜けがあった場合、そのコネクタに割り
当てられたアドレスレンジに基づいて仮想の増設RAM
(実際には存在しない)をアクセスしようとするため
にエラーを起こすという問題がある。
さらに、その抜は以降の増設RAM (例えば第3コネ
クタ以降の各コネクタに装着された増設RAM)に対し
てはアクセス不能に陥り、その各メモリ領域が無効とな
って未実装の扱いになるという不都合も生じる。
クタ以降の各コネクタに装着された増設RAM)に対し
てはアクセス不能に陥り、その各メモリ領域が無効とな
って未実装の扱いになるという不都合も生じる。
この発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、簡単
な構成で、増設RAMの装着順序が規定されず、どこに
装着してもそのメモリ領域を常駐メモリから連続的に使
用できるようにすることを目的とする。
な構成で、増設RAMの装着順序が規定されず、どこに
装着してもそのメモリ領域を常駐メモリから連続的に使
用できるようにすることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明は上記の目的を達成するため、常駐メモリのメ
モリ領域を拡張するために複数の増設RAMを着脱可能
な電子機器において、上記増設RAMの装着状況をチェ
ックするRAM装着状況チェック手段と、該手段のチェ
ック結果から装着が確認された増設RAMに対して上記
常駐メモリから連続したアドレスレンジを割当てるアド
レスレンジ割当手段とを設けたものである。
モリ領域を拡張するために複数の増設RAMを着脱可能
な電子機器において、上記増設RAMの装着状況をチェ
ックするRAM装着状況チェック手段と、該手段のチェ
ック結果から装着が確認された増設RAMに対して上記
常駐メモリから連続したアドレスレンジを割当てるアド
レスレンジ割当手段とを設けたものである。
このように構成された電子機器によれば、RAM装着状
況チェック手段によって増設RAMの装着状況がチェッ
クされ、それによってアドレスレンジ割当手段が装着が
確認された増設RAMに対して上記常駐メモリから連続
したアドレスレンジを割当てるので、増設RAMの装着
位置が誤っていても常駐メモリからのメモリ領域を連続
的に使用できる。
況チェック手段によって増設RAMの装着状況がチェッ
クされ、それによってアドレスレンジ割当手段が装着が
確認された増設RAMに対して上記常駐メモリから連続
したアドレスレンジを割当てるので、増設RAMの装着
位置が誤っていても常駐メモリからのメモリ領域を連続
的に使用できる。
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて一
具体的に説明する。
第1図は、この発明の第1実施例を示す制御回路図であ
る。
る。
この制御回路は、電子機器である例えばレーザプリンタ
内のコントローラボードに設けられ、マイクロコンピュ
ータ(以下rcPUJ と略称する)1と、メモリコン
トローラ2と、マルチプレクサ(MUX)3と、複数の
コネクタ4〜7に装着された増設RAMとしてのRAM
ボード8〜11から構成され、それらの各部は第1図に
示すように複数のアドレス信号線(AO〜A22.RA
MADRO〜9を送る)、制御信号線、及びデータバス
DBを通じて接続されている。
内のコントローラボードに設けられ、マイクロコンピュ
ータ(以下rcPUJ と略称する)1と、メモリコン
トローラ2と、マルチプレクサ(MUX)3と、複数の
コネクタ4〜7に装着された増設RAMとしてのRAM
ボード8〜11から構成され、それらの各部は第1図に
示すように複数のアドレス信号線(AO〜A22.RA
MADRO〜9を送る)、制御信号線、及びデータバス
DBを通じて接続されている。
CPU1は、マイクロプロセッサ、ROM、RAM、I
lo等からなり、その内部ROMあるいは外部の常駐R
OM等の制御プロクラムに従ってIloから所定タイミ
ングでアドレス信号及び制御信号を出力し、それによっ
て図示しない常駐ROM、常駐RAMと、メモリコント
ローラ2及びMUX3を介してRAMボード8〜11を
制御し、各ROMあるいはRAMをアクセスしてデータ
の読出しまたは書込みを行なう。
lo等からなり、その内部ROMあるいは外部の常駐R
OM等の制御プロクラムに従ってIloから所定タイミ
ングでアドレス信号及び制御信号を出力し、それによっ
て図示しない常駐ROM、常駐RAMと、メモリコント
ローラ2及びMUX3を介してRAMボード8〜11を
制御し、各ROMあるいはRAMをアクセスしてデータ
の読出しまたは書込みを行なう。
メモリコントローラ2は複数の論理回路(デコーダ)か
ら構成され、CPU1からのアドレス信号A20〜A2
2と、制御信号であるCPU1からのリフレッシュ要求
信号/REF、読出要求信号/RD、書込要求信号/W
Rと後述する各コネクタ4〜7からの装着判別信号A−
Dとを随時入力し、それらの入力信号に応じてリード・
ライト入力信号/MWR,ロー・アドレス・ストローブ
信号/RASO〜5.カラム・アドレス・ストローブ信
号/CAS、及びロー/カラム・アドレス切替信号AS
ELを逐次出力する。
ら構成され、CPU1からのアドレス信号A20〜A2
2と、制御信号であるCPU1からのリフレッシュ要求
信号/REF、読出要求信号/RD、書込要求信号/W
Rと後述する各コネクタ4〜7からの装着判別信号A−
Dとを随時入力し、それらの入力信号に応じてリード・
ライト入力信号/MWR,ロー・アドレス・ストローブ
信号/RASO〜5.カラム・アドレス・ストローブ信
号/CAS、及びロー/カラム・アドレス切替信号AS
ELを逐次出力する。
なお、各信号の前に付した「/」は負論理(ローアクテ
ィブ)を示し、第1図中ではオーバラインを付しである
が、明細書中では「/」を付して示すものとする。
ィブ)を示し、第1図中ではオーバラインを付しである
が、明細書中では「/」を付して示すものとする。
マルチプレクサ3は、CPU1からのアドレス信号AO
−A’19を、メモリコントローラ2からのロー/カラ
ム・アドレス切替信号ASELにより、」1位と下位に
10ビツトずつに分割するものであり、ASELがハイ
レベル゛H′のときにはアドレス信号AO−A9をラム
アドレス信号RAMADRO〜9として出力し、ASE
Lがローレベル゛L°のときにはアドレス信号A10〜
A]9をRAMADRO〜9として出力する。
−A’19を、メモリコントローラ2からのロー/カラ
ム・アドレス切替信号ASELにより、」1位と下位に
10ビツトずつに分割するものであり、ASELがハイ
レベル゛H′のときにはアドレス信号AO−A9をラム
アドレス信号RAMADRO〜9として出力し、ASE
Lがローレベル゛L°のときにはアドレス信号A10〜
A]9をRAMADRO〜9として出力する。
RAMボード8〜11はいずれもRA M素子である複
数のダイナミックRAMから構成され、RAMボード8
及び9はそれぞれ1メガバイliMbyte) 、RA
Mボード10及び11はそれぞれ2メガビツトのメモリ
容量を持っている。ただし、RAMボード10及び11
は制御を容易にするために内部で1メガバイ1へ単位に
分割されている。
数のダイナミックRAMから構成され、RAMボード8
及び9はそれぞれ1メガバイliMbyte) 、RA
Mボード10及び11はそれぞれ2メガビツトのメモリ
容量を持っている。ただし、RAMボード10及び11
は制御を容易にするために内部で1メガバイ1へ単位に
分割されている。
このRAMボード8〜11は、第2図に示すように各基
板12上に複数のダイナミックRAMチップ13を実装
し、また短絡パターン14(ジャンパ線でもよい)を含
む多数本のプリントパターンが形成され、その短絡パタ
ーン14の一端及び他端が挿入部(オス型コネクタ)1
5に列設された複数のピン端子のうちのピン端子16及
び17にそれぞれ接続されている。
板12上に複数のダイナミックRAMチップ13を実装
し、また短絡パターン14(ジャンパ線でもよい)を含
む多数本のプリントパターンが形成され、その短絡パタ
ーン14の一端及び他端が挿入部(オス型コネクタ)1
5に列設された複数のピン端子のうちのピン端子16及
び17にそれぞれ接続されている。
次に、この実施例の作用を第6図のタイミングチャート
をも参照しながら具体的に説明する。
をも参照しながら具体的に説明する。
第1図の制御回路に電源が供給されると、コネクタ4〜
7からその各コネクタへのRAMボードの装着状況(装
着されているか否か)に対応する装着判別信号A−Dが
出力されて、メモリコントローラ2に入力される。
7からその各コネクタへのRAMボードの装着状況(装
着されているか否か)に対応する装着判別信号A−Dが
出力されて、メモリコントローラ2に入力される。
例えば、第1図のようにコネクタ4〜7の全てにRAM
ボードが装着されている時には、第2図に示すようにR
AMボード8〜11側のピン端子16(オス型)及び1
7とコネクタ4〜7側のピン端子17(メス型)及び1
8がそれぞれ嵌合してピン端子18と19間が短絡状態
になり、電源電圧Vccからそれぞれ抵抗R及び各RA
Mボード8〜11の各短絡パターン14を通じてグラン
ド(GND)に電流が流れるので、メモリコントローラ
2に入力する装着判別信号A−Dはいずれもローレベル
゛L°になる。
ボードが装着されている時には、第2図に示すようにR
AMボード8〜11側のピン端子16(オス型)及び1
7とコネクタ4〜7側のピン端子17(メス型)及び1
8がそれぞれ嵌合してピン端子18と19間が短絡状態
になり、電源電圧Vccからそれぞれ抵抗R及び各RA
Mボード8〜11の各短絡パターン14を通じてグラン
ド(GND)に電流が流れるので、メモリコントローラ
2に入力する装着判別信号A−Dはいずれもローレベル
゛L°になる。
一方、例えばコネクタ5のみにRAMボー1−が装着さ
れていない時には、そのコネクタ5のピン端子18と1
9間は解放状態になっているので、装着判別信号Bは電
源電圧Vccすなわちハイレベル゛H”になっている。
れていない時には、そのコネクタ5のピン端子18と1
9間は解放状態になっているので、装着判別信号Bは電
源電圧Vccすなわちハイレベル゛H”になっている。
この実施例では、RAMポー1く装着用に4個のコネク
タ8〜11が設けられているので、その各コネクタにお
けるRAMボードの有無によってコネクタ8〜11から
構成される装着判別信号A〜Dの各レベルの組み合わせ
は第4図に示すように16通りになる。
タ8〜11が設けられているので、その各コネクタにお
けるRAMボードの有無によってコネクタ8〜11から
構成される装着判別信号A〜Dの各レベルの組み合わせ
は第4図に示すように16通りになる。
なおここで、各コネクタ4〜7に装着されるRAMボー
ド8〜11のRAMをIMbyteごとに6個に区分し
て、/RASO〜5によって選択的にアクティブにする
ようにしている。
ド8〜11のRAMをIMbyteごとに6個に区分し
て、/RASO〜5によって選択的にアクティブにする
ようにしている。
CPU1が読出しモードになり、そのCP U 1がア
ドレス信号A20−A22を出力すると共に読出要求信
号/RDをローレベル゛L゛にする(この時書込要求信
号/WRはハイレベル゛H′であり、この信号と/RD
とが同時にローレベル゛L′になることはない)と、メ
モリコントローラ2は第3図(イ)に示すようなタイミ
ングでロー・アドレス・ストローブ信号/RAS○〜5
のいずれかをローレベル゛L”にする。
ドレス信号A20−A22を出力すると共に読出要求信
号/RDをローレベル゛L゛にする(この時書込要求信
号/WRはハイレベル゛H′であり、この信号と/RD
とが同時にローレベル゛L′になることはない)と、メ
モリコントローラ2は第3図(イ)に示すようなタイミ
ングでロー・アドレス・ストローブ信号/RAS○〜5
のいずれかをローレベル゛L”にする。
このとき、各装着判別信号A−Dのうちローレベル゛L
゛になっている信号に対応するコネクタ(RAMボード
)に対して常駐メモリ(ROM。
゛になっている信号に対応するコネクタ(RAMボード
)に対して常駐メモリ(ROM。
RAM)から連続したアドレスレンジが割当てられるよ
うに、メモリコントローラ2がローレベル°L゛を設定
可能なロー・アドレス・ストローブ信号(/RAS;第
4図にActjve RA S No。
うに、メモリコントローラ2がローレベル°L゛を設定
可能なロー・アドレス・ストローブ信号(/RAS;第
4図にActjve RA S No。
を示す)を選択し、その後その選択したロー・アドレス
・ストローブ信号のうち、入力するアドレス信号A20
−A22 (各レベルの組合せによって異なる)に対応
する信号のみをローレベル゛L”にする。
・ストローブ信号のうち、入力するアドレス信号A20
−A22 (各レベルの組合せによって異なる)に対応
する信号のみをローレベル゛L”にする。
なお、第4図に示すアドレスレンジ(AddressR
ange)とは、アドレス信号A20〜A22の各レベ
ル状態においてCPU1がアドレス信号AO〜A1.9
によって指定できるメモリの番地範囲をさす。
ange)とは、アドレス信号A20〜A22の各レベ
ル状態においてCPU1がアドレス信号AO〜A1.9
によって指定できるメモリの番地範囲をさす。
また、アドレス信号A20〜A22がいずれもL°の時
には、CPU 1がアドレス信号AO〜A19によって
指定するアドレスレンジ(メモリの番地範囲)はアドレ
ス0OOOOOI((ヘキサコード)〜0fffff
Hであり、またアドレス信号A20〜A22がそれぞれ
H” ”L” ”T、”の時には、アドレスレ
ンジはアドレス100OOOI(〜1fffffHであ
り、いずれの場合も常駐ROMあるいは常駐RAMをア
クセス可能にする。
には、CPU 1がアドレス信号AO〜A19によって
指定するアドレスレンジ(メモリの番地範囲)はアドレ
ス0OOOOOI((ヘキサコード)〜0fffff
Hであり、またアドレス信号A20〜A22がそれぞれ
H” ”L” ”T、”の時には、アドレスレ
ンジはアドレス100OOOI(〜1fffffHであ
り、いずれの場合も常駐ROMあるいは常駐RAMをア
クセス可能にする。
第1図の動作に戻り、ロー・アドレス・ストローブ信号
/RASO〜5のいずれかのダウンエツジ(第3図参照
)で、RAMボード(ダイナミックRA’M)の図示し
ない行番号アドレスバッファに、マルチプレクサ3から
のラムアドレス信号RAMADRO〜9(アドレス信号
AO〜9)がローアドレスとしてラッチされる。
/RASO〜5のいずれかのダウンエツジ(第3図参照
)で、RAMボード(ダイナミックRA’M)の図示し
ない行番号アドレスバッファに、マルチプレクサ3から
のラムアドレス信号RAMADRO〜9(アドレス信号
AO〜9)がローアドレスとしてラッチされる。
このとき、リード・ライト入力信号/MWRはハイレベ
ル°H°のままである。
ル°H°のままである。
その後、第3図(イ)に示すように上記ダウンエツジか
ら所定時間遅れて(メモリコントローラ2内の遅延回路
による)ロー/カラム・アドレス切替信号ASELをロ
ーレベル゛L°にし、さらに所定時間遅れてカラム・ア
ドレス・ストローブ信号/CASもローレベル°L°に
する。
ら所定時間遅れて(メモリコントローラ2内の遅延回路
による)ロー/カラム・アドレス切替信号ASELをロ
ーレベル゛L°にし、さらに所定時間遅れてカラム・ア
ドレス・ストローブ信号/CASもローレベル°L°に
する。
そして、その/CASのダウンエツジで、RAMボード
の図示しない列番号アドレスバッファに、マルチプレク
サ3からのラムアドレス信号RAMADRO〜9(アド
レス信号A1.0〜19)がカラムアドレスとしてラッ
チされる。
の図示しない列番号アドレスバッファに、マルチプレク
サ3からのラムアドレス信号RAMADRO〜9(アド
レス信号A1.0〜19)がカラムアドレスとしてラッ
チされる。
ラッチされたローアドレス及びカラムアドレスは、それ
ぞれRAMボードの図示しない行番号デコーダ及び列番
号デコーダでデコードされて、アドレス信号AO〜19
の指定する特定番地のメモリ領域だけが選択され、その
メモリ内容(データ)がデータバス上に読出される。
ぞれRAMボードの図示しない行番号デコーダ及び列番
号デコーダでデコードされて、アドレス信号AO〜19
の指定する特定番地のメモリ領域だけが選択され、その
メモリ内容(データ)がデータバス上に読出される。
したがって、例えば装着判別信号Bのみがハイレベル0
H”の時(コネクタ5のみにRAMボードが存在しない
時)には、メモリコントローラ2は常駐メモリから連続
したアドレスレンジが割当てられるようにローレベル゛
L°を設定可能なロー・アドレス・ストローブ信号とし
て/RAS1を除<:/RASO及び/RAS2〜/R
AS5を選択するので(第4図参照)、その後CPU1
が出力するアドレス信号A20−A22の各レベルの組
合せを第4図に示すように順次具ならせることによって
(このときリード・ライト入力信号/MWRはハイレベ
ル゛H°である)、常駐メモリから存在するRAMボー
ド8,10.11の各メモリ領域に対する連続的なアク
セスが可能となり、アクセス先のメモリ領域上のデータ
がデータバス」二に読出される。
H”の時(コネクタ5のみにRAMボードが存在しない
時)には、メモリコントローラ2は常駐メモリから連続
したアドレスレンジが割当てられるようにローレベル゛
L°を設定可能なロー・アドレス・ストローブ信号とし
て/RAS1を除<:/RASO及び/RAS2〜/R
AS5を選択するので(第4図参照)、その後CPU1
が出力するアドレス信号A20−A22の各レベルの組
合せを第4図に示すように順次具ならせることによって
(このときリード・ライト入力信号/MWRはハイレベ
ル゛H°である)、常駐メモリから存在するRAMボー
ド8,10.11の各メモリ領域に対する連続的なアク
セスが可能となり、アクセス先のメモリ領域上のデータ
がデータバス」二に読出される。
次に、CPU1が書込みモードになり、そのCPU1が
アドレス信号A20〜A22を出力すると共に書込要求
信号/WRをローレベル゛L′にすると、そのダウンエ
ツジで第3図(ロ)に示すようにリード・ライト入力信
号/MWRをローレベル゛L°にし、さらに所定時間経
過してロー・アドレス・ストローブ信号/RASO〜5
のいずれかをローレベル°L″にする。
アドレス信号A20〜A22を出力すると共に書込要求
信号/WRをローレベル゛L′にすると、そのダウンエ
ツジで第3図(ロ)に示すようにリード・ライト入力信
号/MWRをローレベル゛L°にし、さらに所定時間経
過してロー・アドレス・ストローブ信号/RASO〜5
のいずれかをローレベル°L″にする。
このとき、読出しモード時と同様に、各装着判別信号A
−Dのうちローレベル゛L′になっている信号に対応す
るコネクタ(RAMボード)に対して常駐メモリ(RO
M、RAM)から連続したアドレスレンジが割当てられ
るように、メモリコントローラ2がローレベル゛L”を
設定可能なロー・アドレス・ストローブ信号を第4図の
条件に従って選択し、その後その選択したロー・アドレ
ス・ストローブ信号のうち、入力するアドレス信号A2
0〜A22(各レベルの組合せによって異なる)に゛対
応する信号のみをローレベル゛L“にする。
−Dのうちローレベル゛L′になっている信号に対応す
るコネクタ(RAMボード)に対して常駐メモリ(RO
M、RAM)から連続したアドレスレンジが割当てられ
るように、メモリコントローラ2がローレベル゛L”を
設定可能なロー・アドレス・ストローブ信号を第4図の
条件に従って選択し、その後その選択したロー・アドレ
ス・ストローブ信号のうち、入力するアドレス信号A2
0〜A22(各レベルの組合せによって異なる)に゛対
応する信号のみをローレベル゛L“にする。
その後、やはり読出しモード時と同様な動作を行ない、
RAMボードの図示しない行番号アドレスバッファには
マルチプレクサ3からのラムアドレス信号RAMADR
O〜9であるアドレス信号AO〜9がローアドレスとし
てラッチされ、列番号アドレスバッファにはマルチプレ
クサ3からのラムアドレス信号RAMADRO〜9であ
るアドレス信号AIO〜19がカラムアドレスとしてラ
ッチされる。
RAMボードの図示しない行番号アドレスバッファには
マルチプレクサ3からのラムアドレス信号RAMADR
O〜9であるアドレス信号AO〜9がローアドレスとし
てラッチされ、列番号アドレスバッファにはマルチプレ
クサ3からのラムアドレス信号RAMADRO〜9であ
るアドレス信号AIO〜19がカラムアドレスとしてラ
ッチされる。
ラッチされたローアドレス及びカラムアドレスは、それ
ぞれRAMボードの図示しない行番号デコーグ及び列番
号デコーダでデコードされて、アドレス信号AO〜19
の指定する特定番地のメモリ領域だけが選択され、デー
タバス上のデータがそのメモリ領域に書き込まれる。
ぞれRAMボードの図示しない行番号デコーグ及び列番
号デコーダでデコードされて、アドレス信号AO〜19
の指定する特定番地のメモリ領域だけが選択され、デー
タバス上のデータがそのメモリ領域に書き込まれる。
したがって、例えば前述の読出しモートの場合と同様に
、装着判別信号Bのみがハイレベル゛H°の時には、メ
モリコントローラ2は常駐メモリから連続したアドレス
レンジが割当てられるようにローレベル゛L“を設定可
能なロー・アドレス・ストローブ信号として/RΔS1
を除く/RASO及び/RAS2〜/RAS5を選択す
るので(第4図参照)、その後cpu1が出力するアド
レス信号A20〜A22の各レベルの組合せを第4図に
示すように順次異ならせることによって(このときリー
ド・ライト入力信号/MWRはローレベル゛L′である
)、常駐メモリから存在するRAMボード8,10.1
1の各メモリ領域に対する連続的なアクセスが可能とな
り、データバス上のデータはアクセス先のメモリ領域に
書き込まれる。
、装着判別信号Bのみがハイレベル゛H°の時には、メ
モリコントローラ2は常駐メモリから連続したアドレス
レンジが割当てられるようにローレベル゛L“を設定可
能なロー・アドレス・ストローブ信号として/RΔS1
を除く/RASO及び/RAS2〜/RAS5を選択す
るので(第4図参照)、その後cpu1が出力するアド
レス信号A20〜A22の各レベルの組合せを第4図に
示すように順次異ならせることによって(このときリー
ド・ライト入力信号/MWRはローレベル゛L′である
)、常駐メモリから存在するRAMボード8,10.1
1の各メモリ領域に対する連続的なアクセスが可能とな
り、データバス上のデータはアクセス先のメモリ領域に
書き込まれる。
なお、この実施例においては、CPU1からのリフレッ
シュ要求信号がローレベル°L°の時、リフレッシュア
ドレスをアドレス信号AO−A]9によって提供し、ロ
ー・アドレス・ストローブ信号/RAS○〜5を全てロ
ーレベル゛L゛にしてリフレッシュを行なうRAS・オ
ンリ・リフレッシュを行なうようにしている。
シュ要求信号がローレベル°L°の時、リフレッシュア
ドレスをアドレス信号AO−A]9によって提供し、ロ
ー・アドレス・ストローブ信号/RAS○〜5を全てロ
ーレベル゛L゛にしてリフレッシュを行なうRAS・オ
ンリ・リフレッシュを行なうようにしている。
この場合、カラム・アドレス・ストローブ信号/CAS
及びリード・ライト入力信号/MWRはハイレベル゛H
′である。
及びリード・ライト入力信号/MWRはハイレベル゛H
′である。
また、メモリコントローラ2にリフレッシュ周期計数タ
イマ等を内蔵し、ロー・アドレス・ストローブ信号/R
ASO〜5及びカラム・アドレス・ストロ−ブイ小量/
CASの制御により、各RAMボート上に搭載されたダ
イナミックRAMチップ内のリフレッシュカウンタを利
用したCAS・ビフォア・RAS・リフレッシュを行な
うこともできる。
イマ等を内蔵し、ロー・アドレス・ストローブ信号/R
ASO〜5及びカラム・アドレス・ストロ−ブイ小量/
CASの制御により、各RAMボート上に搭載されたダ
イナミックRAMチップ内のリフレッシュカウンタを利
用したCAS・ビフォア・RAS・リフレッシュを行な
うこともできる。
この場合、各RAMボート」二のダイナミックRAMに
対するアクセスとリフレッシュの調停をメモリコントロ
ーラ2が行なう必要がある。
対するアクセスとリフレッシュの調停をメモリコントロ
ーラ2が行なう必要がある。
第5図は、この発明の第2実施例を示す制御回路図であ
り、第1図と対応する部分には同一の符号を付しである
。
り、第1図と対応する部分には同一の符号を付しである
。
CPU20は、第1図に示したC P tJ lの前述
の処理に加えて、第6図に示す1/○ポーl−設定処理
を行なう。
の処理に加えて、第6図に示す1/○ポーl−設定処理
を行なう。
すなわち、このルーチンは電源オンあるいはシステムリ
セットと同時にスタートシ、まず■10ポートの設定を
行なう。
セットと同時にスタートシ、まず■10ポートの設定を
行なう。
具体的には、第5図に示すコネクタ4〜7の全てのコネ
クタに増設RAMであるR A Mボー1へ8〜11が
装着されているものとみなし、それに応じて装着判別信
号A−Dがいずれもローレベル゛L′になるように工/
○ポー1−の設定を行なう。
クタに増設RAMであるR A Mボー1へ8〜11が
装着されているものとみなし、それに応じて装着判別信
号A−Dがいずれもローレベル゛L′になるように工/
○ポー1−の設定を行なう。
なお、ハードによりデフオル1〜状態にされてもよい。
次いで、コネクタ4〜7に対してRAMボードのメモリ
領域をチェック(メモリチェック)する。
領域をチェック(メモリチェック)する。
すなわち、コネクタ4から7までの全てのコネクタに対
して、CPU20がチェック(書込み)データとして例
えばr55AA」 (ヘキサコート)の書込みとその読
出しを順次行なうと共に、その読出したデータを書込ん
だチェックデータと比較し、両者が一致すれば現在チェ
ック中のコネクタにはRA、 Mボードが装着されてい
るものと判定し、両者が一致しなければ、すなわち読出
したデータがr55AAJでなく rooo○」あるい
はrFFFFJならば現在チェック中のコネクタにはR
AMボードが装着されていないものと判定する。
して、CPU20がチェック(書込み)データとして例
えばr55AA」 (ヘキサコート)の書込みとその読
出しを順次行なうと共に、その読出したデータを書込ん
だチェックデータと比較し、両者が一致すれば現在チェ
ック中のコネクタにはRA、 Mボードが装着されてい
るものと判定し、両者が一致しなければ、すなわち読出
したデータがr55AAJでなく rooo○」あるい
はrFFFFJならば現在チェック中のコネクタにはR
AMボードが装着されていないものと判定する。
そして、その各判定結果(各コネクタに対応する)に基
づいて、全てL゛になっている装着判別信号A−Dのう
ち、RAMボードが装着されていないと判定したコネク
タに対する装着判別信号をハイレベル°H°にするよう
に■/○ポートを再設定して、処理を終了する。
づいて、全てL゛になっている装着判別信号A−Dのう
ち、RAMボードが装着されていないと判定したコネク
タに対する装着判別信号をハイレベル°H°にするよう
に■/○ポートを再設定して、処理を終了する。
それによって、メモリコントローラ2は、各装着判別信
号A−DのうちL“になっている信号に対応するコネク
タ(RAMボート)に存在するRAMボードに対して、
連続したアドレスレンジが割当てられるように、L°を
設定可能なロー・アドレス・ストローブ信号を第4図の
条件に従って選択し、その後その選択したロー・アドレ
ス・ストローブ信号のうち、入力するアドレス信号A2
0〜A22に対応する信号のみをL′にする。
号A−DのうちL“になっている信号に対応するコネク
タ(RAMボート)に存在するRAMボードに対して、
連続したアドレスレンジが割当てられるように、L°を
設定可能なロー・アドレス・ストローブ信号を第4図の
条件に従って選択し、その後その選択したロー・アドレ
ス・ストローブ信号のうち、入力するアドレス信号A2
0〜A22に対応する信号のみをL′にする。
なお、第5図の各部による書込みモード時及び読出しモ
ード時の動作については、第1図の各部による前述の動
作と同じなので説明を省略する。
ード時の動作については、第1図の各部による前述の動
作と同じなので説明を省略する。
したがって、この実施例によっても第1実施例と同様な
効果が得られる。なお、この実施例によれば、各RAM
ボード8〜11に第2図に示した短絡パターン14を設
ける必要はない。
効果が得られる。なお、この実施例によれば、各RAM
ボード8〜11に第2図に示した短絡パターン14を設
ける必要はない。
ところで、第1図及び第5図の各制御回路は、いずれも
ダイナミックRAM (RAMボード)を使用した場合
の例であるが、この発明は第7図及び第8図に示すよう
なスタティックRAMを使用した場合の制御回路にも勿
論適用できる。
ダイナミックRAM (RAMボード)を使用した場合
の例であるが、この発明は第7図及び第8図に示すよう
なスタティックRAMを使用した場合の制御回路にも勿
論適用できる。
そこで、スタティックRAMを使用した場合について簡
単に説明する。
単に説明する。
第7図は、この発明の第3実施例を示す制御回路図であ
る。
る。
この制御回路は、マイクロコンピュータ(以下rcPU
J と略称する)30と、メモリコントローラ31と、
複数のコネクタ32〜35に装着される増設RAMとし
てのRAMボード36〜39から構成され、それらの各
部は第7図に示すようにアドレスバス(AO−A19の
信号線)、制御バス、データバスDBを通じて接続され
ている。
J と略称する)30と、メモリコントローラ31と、
複数のコネクタ32〜35に装着される増設RAMとし
てのRAMボード36〜39から構成され、それらの各
部は第7図に示すようにアドレスバス(AO−A19の
信号線)、制御バス、データバスDBを通じて接続され
ている。
cpu30は、マイクロプロセッサ、ROM。
RAM、Ilo等からなり、その内部ROMあるいは外
部の常駐ROM等の制御プログラムに従ってIloから
所定タイミングでアドレス信号及び制御信号を出力し、
それによってメモリコントローラ31とRAMボード3
6〜3日と図示しない常駐ROM、常駐RAM等を制御
し、上記各ROMあるいはRAMをアクセスしてデータ
の読出しまたは書込みを行なう。
部の常駐ROM等の制御プログラムに従ってIloから
所定タイミングでアドレス信号及び制御信号を出力し、
それによってメモリコントローラ31とRAMボード3
6〜3日と図示しない常駐ROM、常駐RAM等を制御
し、上記各ROMあるいはRAMをアクセスしてデータ
の読出しまたは書込みを行なう。
メモリコントローラ31は複数の論理回路(デコーダ)
から構成され、cpu30からのアドレ=19− ス信号A17〜A19(第1図のA20〜A22に対応
する)と、制御信号であるcpu30からの読出要求信
号/RD、書込要求信号/WRと各コネクタ32〜35
からの装着判別信号A−Dとを随時入力し、それらの入
力信号に応じてリード・ライト入力信号/MWR,チッ
プ・セレクト信号/C8O〜5を逐次出力する。
から構成され、cpu30からのアドレ=19− ス信号A17〜A19(第1図のA20〜A22に対応
する)と、制御信号であるcpu30からの読出要求信
号/RD、書込要求信号/WRと各コネクタ32〜35
からの装着判別信号A−Dとを随時入力し、それらの入
力信号に応じてリード・ライト入力信号/MWR,チッ
プ・セレクト信号/C8O〜5を逐次出力する。
RAMボード36〜3日はいずれもRAM素子である複
数のスタティックRAMから構成され、RAMボード3
6及び37はそれぞれ128キロバイト(Kbyte)
、RA Mボード38及び39はそれぞれ256キロ
バイトのメモリ容量を持っている。ただし、RAMボー
ド38及び39は制御を容易にするために内部で128
キロバイト単位に分割されている。
数のスタティックRAMから構成され、RAMボード3
6及び37はそれぞれ128キロバイト(Kbyte)
、RA Mボード38及び39はそれぞれ256キロ
バイトのメモリ容量を持っている。ただし、RAMボー
ド38及び39は制御を容易にするために内部で128
キロバイト単位に分割されている。
このRAMボード36〜39の各基板上には。
第1図に示したRAMボード8〜11と同様に第2図に
示した短絡パターン14に相当する短絡パターンが形成
されており、RAMボードが装着されるとそのコネクタ
からの装着判別信号(A−D)がH°からL°に変わる
のは第1実施例と同様である。
示した短絡パターン14に相当する短絡パターンが形成
されており、RAMボードが装着されるとそのコネクタ
からの装着判別信号(A−D)がH°からL°に変わる
のは第1実施例と同様である。
なお、この制御回路は各RAMボード36〜39をスタ
ティックRAMによって構成したことにより、第1図の
制御回路よりも簡単な構成になっている。
ティックRAMによって構成したことにより、第1図の
制御回路よりも簡単な構成になっている。
すなわち、データの書込みあるいは読出しを行なう際の
アドレス信号AO−A16(第1図のAO〜A19に対
応する)を分割して出力するためのマルチプレクサ(第
1図参照)が不要であり、また各RAMボード36〜3
9に対するリフレッシュメントも不要である。
アドレス信号AO−A16(第1図のAO〜A19に対
応する)を分割して出力するためのマルチプレクサ(第
1図参照)が不要であり、また各RAMボード36〜3
9に対するリフレッシュメントも不要である。
したがって、この制御回路全体の動作も簡単になるが、
この発明に係わる動作としては第1図のメモリコントロ
ーラ2に相当するメモリコントローラ31が、各装着判
別信号A−DのうちL゛になっている信号に対応するコ
ネクタに装着されているRAMボードに対して連続した
アドレスレンジが割当てられるように、ローレベル゛L
゛を設定可能なチップ・セレクト信号/C8O〜5(第
1、第2実施例のロー・アドレス・ストローブ信号/R
A S O〜5に相当する)を第4図の条件(Acti
ve RA S No、 をActive CS
No、とする)に従って選択し、その後その選択した
チップ・セレクト信号のうち、入力するアドレス化εA
17〜A19に応じた信号のみをL′にする。
この発明に係わる動作としては第1図のメモリコントロ
ーラ2に相当するメモリコントローラ31が、各装着判
別信号A−DのうちL゛になっている信号に対応するコ
ネクタに装着されているRAMボードに対して連続した
アドレスレンジが割当てられるように、ローレベル゛L
゛を設定可能なチップ・セレクト信号/C8O〜5(第
1、第2実施例のロー・アドレス・ストローブ信号/R
A S O〜5に相当する)を第4図の条件(Acti
ve RA S No、 をActive CS
No、とする)に従って選択し、その後その選択した
チップ・セレクト信号のうち、入力するアドレス化εA
17〜A19に応じた信号のみをL′にする。
読出しモード時及び書込みモード時の動作については、
第1実施例を簡略化した程度の動作なので説明を省略す
る。
第1実施例を簡略化した程度の動作なので説明を省略す
る。
第8図は、この発明の第4実施例を示す制御回路図であ
り、第7図と対応する部分には同一の符号を付しである
。
り、第7図と対応する部分には同一の符号を付しである
。
cpU40は、第7図に示したcpu30の前述の処理
に加えて、第6図に示した前述と同様なI10ポート設
定処理を行なう(ここでは説明を省略する)。
に加えて、第6図に示した前述と同様なI10ポート設
定処理を行なう(ここでは説明を省略する)。
なお、この実施例においても書込みモード時及び読出し
モー1(時の動作については、第1実施例を簡略化した
程度の動作なので説明を省略する。
モー1(時の動作については、第1実施例を簡略化した
程度の動作なので説明を省略する。
以上、第3実施例(第7図)及び第4実施例(第8図)
によっても、第1実施例あるいは第2実施例と同様な効
果が得られる。
によっても、第1実施例あるいは第2実施例と同様な効
果が得られる。
なお、スタティックRAMよりはダイナミックRAMの
方がメモリ容量光たりのコストが安価で、しかもダイナ
ミックRAMはユニットセルの構成が簡単で柴積密度を
上げるのが容易なため、多くのメモリ容量を必要とする
場合はダイナミックRAMを増設できる第1実施例ある
いは第2実施例を使用するのが好ましい。
方がメモリ容量光たりのコストが安価で、しかもダイナ
ミックRAMはユニットセルの構成が簡単で柴積密度を
上げるのが容易なため、多くのメモリ容量を必要とする
場合はダイナミックRAMを増設できる第1実施例ある
いは第2実施例を使用するのが好ましい。
また、あまり多くのメモリ容量を必要としない場合は、
周辺回路が複雑にならないスタティックRAMを増設で
きる第3実施例あるいは第4実施例を使用する方がよい
。
周辺回路が複雑にならないスタティックRAMを増設で
きる第3実施例あるいは第4実施例を使用する方がよい
。
以上説明したように、この発明によれば、簡単な構成で
、増設RAMが複数のコネクタのうちのどこに装着され
ていてもそのメモリ領域を常に常駐メモリから連続的に
アドレスして使用できる。
、増設RAMが複数のコネクタのうちのどこに装着され
ていてもそのメモリ領域を常に常駐メモリから連続的に
アドレスして使用できる。
第1図はこの発明の第1実施例を示す制御回路図、第2
図は同じくそのRAMボー1くとコネクタの接続部の説
明図、 第3図は第1図の制御回路におけるデータの読出し及び
書込み時の各人・出力信号の相互関係を示すタイミング
チャート、 第4図は同じくその動作説明に供する説明図、第5図は
この発明の第2実施例を示す制御回路図、第6図はこの
実施例のCPU20による■/○ポート設定処理を示す
フロー図、 第7図はこの発明の第3実施例を示す制御回路図、第8
図はこの発明の第4実施例を示す制御回路図である。 1.20,30.40・マイクロコンピュータ2.31
・・メモリコントローラ 6・・・マルチプレクサ(MUX) 4〜7,32〜35・・コネクタ 8〜11・・・RAMボート(ダイナミックRAM)3
6〜39・・RAMボー1り(スタティックRA M
)14・・・短絡パターン 第2 GND (イ) (ロ) WR Data Bus DATAOUT − L−一一一読ILiL。 モ ド 一一一一一■−−−甲4か モ ド 一一一一一■
図は同じくそのRAMボー1くとコネクタの接続部の説
明図、 第3図は第1図の制御回路におけるデータの読出し及び
書込み時の各人・出力信号の相互関係を示すタイミング
チャート、 第4図は同じくその動作説明に供する説明図、第5図は
この発明の第2実施例を示す制御回路図、第6図はこの
実施例のCPU20による■/○ポート設定処理を示す
フロー図、 第7図はこの発明の第3実施例を示す制御回路図、第8
図はこの発明の第4実施例を示す制御回路図である。 1.20,30.40・マイクロコンピュータ2.31
・・メモリコントローラ 6・・・マルチプレクサ(MUX) 4〜7,32〜35・・コネクタ 8〜11・・・RAMボート(ダイナミックRAM)3
6〜39・・RAMボー1り(スタティックRA M
)14・・・短絡パターン 第2 GND (イ) (ロ) WR Data Bus DATAOUT − L−一一一読ILiL。 モ ド 一一一一一■−−−甲4か モ ド 一一一一一■
Claims (1)
- 1 常駐メモリのメモリ領域を拡張するために複数の増
設RAMを着脱可能な電子機器において、前記増設RA
Mの装着状況をチェックするRAM装着状況チェック手
段と、該手段のチェック結果から装着が確認された増設
RAMに対して前記常駐メモリから連続したアドレスレ
ンジを割当てるアドレスレンジ割当手段とを設けたこと
を特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11138789A JPH02287847A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11138789A JPH02287847A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02287847A true JPH02287847A (ja) | 1990-11-27 |
Family
ID=14559889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11138789A Pending JPH02287847A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02287847A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009032153A2 (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Micron Technology, Inc. | Memory device interface methods, apparatus, and systems |
US9324690B2 (en) | 2008-09-11 | 2016-04-26 | Micron Technology, Inc. | Signal delivery in stacked device |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP11138789A patent/JPH02287847A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009032153A2 (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Micron Technology, Inc. | Memory device interface methods, apparatus, and systems |
WO2009032153A3 (en) * | 2007-08-29 | 2009-07-09 | Micron Technology Inc | Memory device interface methods, apparatus, and systems |
US7623365B2 (en) | 2007-08-29 | 2009-11-24 | Micron Technology, Inc. | Memory device interface methods, apparatus, and systems |
JP2010538358A (ja) * | 2007-08-29 | 2010-12-09 | マイクロン テクノロジー, インク. | メモリデバイスのインターフェースメソッド、装置、及び、システム |
US8174859B2 (en) | 2007-08-29 | 2012-05-08 | Micron Technology, Inc. | Memory device interface methods, apparatus, and systems |
US8339827B2 (en) | 2007-08-29 | 2012-12-25 | Micron Technology, Inc. | Memory device interface methods, apparatus, and systems |
US8593849B2 (en) | 2007-08-29 | 2013-11-26 | Micron Technology, Inc. | Memory device interface methods, apparatus, and systems |
US9001548B2 (en) | 2007-08-29 | 2015-04-07 | Micron Technology, Inc. | Memory device interface methods, apparatus, and systems |
US9324690B2 (en) | 2008-09-11 | 2016-04-26 | Micron Technology, Inc. | Signal delivery in stacked device |
US10468382B2 (en) | 2008-09-11 | 2019-11-05 | Micron Technology, Inc. | Signal delivery in stacked device |
US11264360B2 (en) | 2008-09-11 | 2022-03-01 | Micron Technology, Inc. | Signal delivery in stacked device |
US11887969B2 (en) | 2008-09-11 | 2024-01-30 | Lodestar Licensing Group, Llc | Signal delivery in stacked device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6981089B2 (en) | Memory bus termination with memory unit having termination control | |
US7433992B2 (en) | Command controlling different operations in different chips | |
US4860252A (en) | Self-adaptive computer memory address allocation system | |
US6298426B1 (en) | Controller configurable for use with multiple memory organizations | |
US8874843B2 (en) | Systems with programmable heterogeneous memory controllers for main memory | |
US7133960B1 (en) | Logical to physical address mapping of chip selects | |
US20050071600A1 (en) | Memory module and memory support module | |
US6785780B1 (en) | Distributed processor memory module and method | |
US6530001B1 (en) | Computer system controlling memory clock signal and method for controlling the same | |
US8315122B2 (en) | Multi-chip package semiconductor memory device providing active termination control | |
JPH04233046A (ja) | メモリモジュール用のアドレスをイネーブルする方法及びその装置 | |
US5446860A (en) | Apparatus for determining a computer memory configuration of memory modules using presence detect bits shifted serially into a configuration register | |
JPH05225046A (ja) | 構成可能メモリサブシステム | |
EP0509994B1 (en) | Centralized reference and change table for a multiprocessor virtual memory system | |
US4608632A (en) | Memory paging system in a microcomputer | |
WO2000031646A2 (en) | Data processor integrated circuit with a memory interface unit with programmable strobes to select different memory devices | |
US8938600B2 (en) | Memory system, memory control method, and recording medium storing memory control program | |
US5621678A (en) | Programmable memory controller for power and noise reduction | |
US7167967B2 (en) | Memory module and memory-assist module | |
US4916603A (en) | Distributed reference and change table for a virtual memory system | |
JPH02287847A (ja) | 電子機器 | |
EP0440445B1 (en) | System memory initialization with presence detect encoding | |
JPH10111829A (ja) | メモリシステム | |
TWI446171B (zh) | 用於異質性主記憶體具有可程式化記憶體控制的系統,方法及裝置 | |
KR100612127B1 (ko) | 메모리 모듈 테스트 방법 및 이를 위한 메모리 모듈의 허브 |