JPH02285971A - Gate drive circuit for inverter - Google Patents

Gate drive circuit for inverter

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JPH02285971A
JPH02285971A JP1101789A JP10178989A JPH02285971A JP H02285971 A JPH02285971 A JP H02285971A JP 1101789 A JP1101789 A JP 1101789A JP 10178989 A JP10178989 A JP 10178989A JP H02285971 A JPH02285971 A JP H02285971A
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JP
Japan
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switching element
gate
inverter
circuit
gate drive
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Application number
JP1101789A
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Japanese (ja)
Inventor
Toru Kai
徹 甲斐
Sadamitsu Akiyama
秋山 貞光
Eiji Watanabe
英司 渡辺
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Yaskawa Electric Corp
Original Assignee
Yaskawa Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To suppress distortion of waveform by detecting reverse current discharged from the gate of a switching element and suppressing driving of pair elements. CONSTITUTION:An inverter main circuit comprises a pair of switching elements 17, 18, as one unit component thereof, where the elements 17, 18 are driven through inverters 1, 2 and photocouplers 3, 4 based on drive signals A1, B1. The gate drive circuit comprises FETs 11, 12, gate drive transistors 13, 14, gate discharge transistors 15, 16, photocouplers 5, 6 and limit resistors 7-10. Discharge current of the elements 15, 16 is detected and provision of driving signal for the pair of photocouplers 5, 6 is suppressed when the elements 15, 16 are conducting.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野1 本発明は、IGBTやFETなと蓄積時間を伴わないス
イッチング素子を主回路に用いるインバータのゲート駆
動回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application 1] The present invention relates to a gate drive circuit for an inverter that uses a switching element such as an IGBT or FET that does not have an accumulation time in its main circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第4図はこの種のインバータのゲート駆動回路の従来例
の構成を示す回路図、第5図はこの従来例の動作を示す
タイミング図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional gate drive circuit for this type of inverter, and FIG. 5 is a timing chart showing the operation of this conventional example.

直列接続された1対のスイッチング素子17゜18はイ
ンバータ主回路の1構成要素であり、直流電源の正負極
P、N間に接続されて交互にオンとオフ動作を繰返し、
電力変換を行なう、インバータの41とインバータ42
はそれぞれ、負論理の駆動信号A−,BtCロウレベル
のとき、それぞれトランジスタ17.18を駆動する)
を入力して反転し出力する。オンデイレイ回路43は整
形回路、抵抗、コンデンサおよびダイオードより構成さ
れ、入力された駆動信号A2の反転信号を一定時限だけ
遅延させて、フォトカプラー3に人力させる。フォトカ
プラー3とFETIIとゲート駆動用のトランジスタ1
3およびゲート電荷放電用のトランジスタ15と制限抵
抗9とはスイッチング素子17のゲート駆動口、路を形
成し、入力信号に応じてスイッチング素子17をオンま
たはオフさせる。スイッチング素子17側についても、
オンデイレイ回路44とゲート駆動回路(4,12,1
4,16,10)の構成はスイッチング素子17側と全
く同様である。
A pair of switching elements 17 and 18 connected in series are one component of the inverter main circuit, and are connected between the positive and negative poles P and N of the DC power supply, and alternately repeat on and off operations.
Inverter 41 and inverter 42 perform power conversion
drive the transistors 17 and 18, respectively, when the negative logic drive signals A- and BtC are at low level)
Input, invert and output. The on-delay circuit 43 is composed of a shaping circuit, a resistor, a capacitor, and a diode, and delays the inverted signal of the inputted drive signal A2 by a certain period of time to force the photocoupler 3 to output the signal. Photocoupler 3, FET II, and gate drive transistor 1
3, the transistor 15 for gate charge discharge, and the limiting resistor 9 form a gate driving port or path for the switching element 17, and turn the switching element 17 on or off according to an input signal. Regarding the switching element 17 side,
On-delay circuit 44 and gate drive circuit (4, 12, 1
4, 16, 10) are completely the same as the switching element 17 side.

次に、本従来例の動作をタイミング図について説明する
Next, the operation of this conventional example will be explained with reference to a timing diagram.

いま、時刻上〇で負論理の駆動信号Ax、B*はそれぞ
れハイレベルとロウレベルにあり、したがって、スイッ
チング素子17はオフ状態に、スイッチング素子18は
オン状態にある0時刻tIで駆動信号A x、 B z
が反転すると、デイレイ回路44の入力はロウレベルに
反転するためコンデンサに充電されていた電荷は放電を
開始しく波形D)、フォトカプラー4の入力はすみやか
にハイレベルに反転してフォトカプラー4をオフとする
。一方、デイレイ回路43の人力は時刻1.で反転して
ハイレベルとなり(波形F)、コンデンサの充電を開始
するが、充電の場合は放電の場合と比べて回路の時定数
が大きいてめ、フォトカプラー3の入力はフォトカプラ
ー4の場合より遅れて時刻t!でロウレベルに反転しく
波形E)、フォトカプラー3をオンとする。次に、フォ
トカプラー4,3の出力により、それぞれのゲート駆動
回路を介して、スイッチング素子18はほぼ時刻t、に
オフとされ、スイッチング素子17はそれより若干遅れ
てほぼ時刻t2にオンとされる。
Now, at time 0, the negative logic drive signals Ax and B* are at high level and low level, respectively. Therefore, the switching element 17 is in the off state and the switching element 18 is in the on state.At time tI, the drive signal A x , Bz
When the delay circuit 44 is inverted, the input of the delay circuit 44 is inverted to low level, so the electric charge charged in the capacitor starts discharging (waveform D), and the input of the photocoupler 4 is immediately inverted to high level, turning off the photocoupler 4. shall be. On the other hand, the human power of the delay circuit 43 is at time 1. It is reversed and becomes a high level (waveform F), and charging of the capacitor starts, but since the time constant of the circuit is larger in charging than in discharging, the input of photocoupler 3 is input to photocoupler 4. Later than time t! When the waveform E) is inverted to low level, the photocoupler 3 is turned on. Next, the switching element 18 is turned off at approximately time t by the outputs of the photocouplers 4 and 3 via their respective gate drive circuits, and the switching element 17 is turned on slightly later at approximately time t2. Ru.

次に、時刻t、で駆動信号A2と駆動信号B2とが切換
えられるときの動作も全く同様である。このようにして
、時刻t1と時刻t2との差t0がオンデイレイ時間で
あり、一方のスイッチング素子は他方のスイッチング素
子がオフとされてからオンとされるので、正負極P、N
間の短絡を防止することができる。
Next, the operation when the drive signal A2 and the drive signal B2 are switched at time t is exactly the same. In this way, the difference t0 between time t1 and time t2 is the on-delay time, and one switching element is turned on after the other switching element is turned off, so the positive and negative poles P, N
This can prevent short circuits between the two.

また、上述した従来例と類似したトランジスタ変換器の
アーム短絡防止回路が特開昭62年第272878号公
報に公示されている。この回路はパワートランジスタを
スイッチング素子として用いている電力変換器において
、一対の直列接続されたパワートランジスタは、それぞ
れのベース・エミッタ間に印加された逆バイアス電圧を
検出する手段と、一方のトランジスタに逆バイアス電圧
が印加されたことを検出すれば他方のトランジスタの順
バイアス電流供給手段に供給指令を発する手段とを有し
ている。すなわち、本開示例はオン状態にある一方のト
ランジスタのベースに逆バイアス電流を与えてオフさせ
るとき、その蓄積時間が経過すればベース・エミッタ間
に逆バイアス電圧が生じることに着目したもので、一方
のトランジスタをオンさせようとするとき、他方のトラ
ンジスタがオフ状態にあることをそのベース・エミッタ
間に生じる逆電圧から検知し、この検出信号をオンさせ
ようとする一方のトランジスタのベース電流供給条件に
組入れることにより、他方のトランジスタの蓄積時間が
終了してコレクタ電流が零になると同時に一方のトラン
ジスタをオンとするものであり、上述した従来例のよう
なオンデイレイ回路43.44を必要としない。
Further, an arm short-circuit prevention circuit for a transistor converter similar to the conventional example described above is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 272878 of 1988. This circuit is a power converter that uses power transistors as switching elements. A pair of series-connected power transistors has a means for detecting a reverse bias voltage applied between the base and emitter of each, and a means for detecting a reverse bias voltage applied between the base and emitter of each transistor. and means for issuing a supply command to the forward bias current supply means of the other transistor when it is detected that a reverse bias voltage is applied. That is, the example of the present disclosure focuses on the fact that when a reverse bias current is applied to the base of one transistor in an on state to turn it off, a reverse bias voltage is generated between the base and emitter after the accumulation time elapses. When trying to turn on one transistor, it is detected that the other transistor is in the off state from the reverse voltage generated between its base and emitter, and this detection signal is used to supply the base current of one transistor to turn it on. By incorporating this into the conditions, one transistor is turned on at the same time when the accumulation time of the other transistor ends and the collector current becomes zero, and the on-delay circuits 43 and 44 as in the conventional example described above are not required. .

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上述した従来例は、オンデイレイ回路のオンデイレイ時
間t、の設定を、各スイッチング素子のオン・オフ時間
のばらつきを見込んで設定する必要があり、オンデイレ
イ回路の構成部品の特性のばらつきも併せて見込んで、
オディレイ時間は大きく設定される。このため、インバ
ータで交流電動機を駆動する場合、電流波形に歪が生じ
、トルクリップルや回転リップルが発生し、また、運転
周波数によっては乱調が生じて運転不可能となる場合が
あり、この対策としてインバータのPWMのキャリア周
波数を下げてキャリア周期に対するオンデイレイ時間の
比を小さくしたり、電動機端子電圧をフィードバックし
て電圧補償ループを構成したりしている。しかしながら
、前者のキャリア周波数を下げる方法では騒音が発生す
るという欠点があり、後者の方法では主回路と制御回路
との間の絶縁を行う必要があり、絶縁アンプや絶縁トラ
ンスあるいはフォトカプラーなどを用いるため、回路構
成が複雑となりコスト高を招くという欠点がある。
In the conventional example described above, it is necessary to set the on-delay time t of the on-delay circuit by taking into account variations in the on/off times of each switching element, and also taking into account variations in the characteristics of the components of the on-delay circuit. ,
The delay time is set to a large value. For this reason, when driving an AC motor with an inverter, distortion occurs in the current waveform, causing torque ripples and rotational ripples, and depending on the operating frequency, disturbances may occur and operation may become impossible. The PWM carrier frequency of the inverter is lowered to reduce the ratio of the on-delay time to the carrier period, and the motor terminal voltage is fed back to form a voltage compensation loop. However, the former method of lowering the carrier frequency has the disadvantage of generating noise, and the latter method requires insulation between the main circuit and the control circuit, using an isolation amplifier, isolation transformer, photocoupler, etc. Therefore, there is a drawback that the circuit configuration becomes complicated and costs increase.

また、上述した開示例は、蓄積時間を伴うパワートラン
ジスタをスイッチング素子として用いているので本願の
場合と事情を異にするが、オフとされるトランジスタに
は常に逆バイアス電流を流しているので、ベース回路の
電力損失が大きいという欠点がある。
In addition, the above-mentioned disclosed example uses a power transistor with an accumulation time as a switching element, so the situation is different from the case of the present application, but since a reverse bias current is always flowing through the transistor that is turned off, The disadvantage is that the power loss in the base circuit is large.

本発明の目的は、IGBTIFETなどの蓄積時間を伴
わないスイッチング素子を主回路に用いるインバータに
おいて、オンデイレイ回路を省いてスイッチング素子切
換時の波形歪を小さくしてトルクリップルや回転リップ
ルを小さくできる、低コストのゲート駆動回路を提供す
ることである。
An object of the present invention is to reduce torque ripple and rotational ripple by omitting an on-delay circuit and reducing waveform distortion when switching the switching element in an inverter that uses a switching element such as an IGBTIFET in the main circuit that does not involve an accumulation time. It is an object of the present invention to provide a low cost gate drive circuit.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明のインバータのゲート駆動回路の請求項1のもの
は、1対のスイッチング素子のうち、駆動状態にある一
方のスイッチング素子が阻止状態に反転させられるとき
、そのゲートから放電される逆電流を検出する電流検出
器と、電流検出器の検出した逆電流の通電期間中、他方
のスイッチング素子を駆動状態とする駆動信号の生成を
抑制する阻止回路とを有しており、 請求項2のものは、スイッチング素子のゲート電圧を検
出する電圧検出器と、電圧検出器の検出したゲート電圧
が正電位にある期間中、対である他方のスイッチング素
子を駆動状態とする駆動信号の生成を抑制する阻止回路
とを有している。
The gate drive circuit for an inverter according to claim 1 of the present invention controls a reverse current discharged from the gate of a pair of switching elements when one of the switching elements in the driving state is reversed to the blocking state. The device according to claim 2, comprising: a current detector for detecting the current; and a blocking circuit for suppressing the generation of a drive signal that drives the other switching element during the energization period of the reverse current detected by the current detector. is a voltage detector that detects the gate voltage of a switching element, and suppresses the generation of a drive signal that drives the other switching element in the pair during a period when the gate voltage detected by the voltage detector is at a positive potential. It has a blocking circuit.

〔作   用J インバータ主回路は、直列接続された1対のスイッチン
グ素子を1構成要素としてその複数対が直流電源の正負
極間に接続されており、シーケンシャルに多対の一方の
スイッチング素子と他方のスイッチング素子が、交互に
オンとオフを繰返すことにより電力変換を行うもので、
本発明のゲート駆動回路を適用するインバータは、その
スイッチング素子がI GBTやFETなど、順方向の
バイアスが与えられて通電中、逆バイアスに切換えられ
た後も、一定期間、電流が流れるという蓄積時間を持た
ないスイッチング素子を用いている。
[Function J] The inverter main circuit has one pair of switching elements connected in series as one component, and multiple pairs are connected between the positive and negative electrodes of a DC power supply, and one switching element of the multiple pairs is sequentially connected to the other. The switching element performs power conversion by repeatedly turning on and off alternately.
An inverter to which the gate drive circuit of the present invention is applied has a switching element such as an IGBT or FET, which has an accumulation of current flowing for a certain period of time even after being switched to reverse bias while the switching element is forward biased and is conducting current. A switching element with no time is used.

請求項1のものは、通電中、スイッチング素子のゲート
に充電されている電荷がそのスイッチング素子がオフと
されたとき放電されることを利用して、その放電電流を
検出し、放電電流の通電期間中は、対の相手のスイッチ
ング素子の駆動信号の送出を抑制することにより、電源
の正負極間の短絡を特徴する 請求項2のものは、スイッチング素子のゲート電圧を検
出し、その通電中、ゲート電位が正電位にあることを利
用してゲート電圧が正電位にある期間中は、対の相手の
フイッチング素子の駆動信号の送出を抑制することによ
り、請求項1のものと同様に電源の正負極間の短絡を防
止できる。
According to the first aspect of the present invention, the discharge current is detected by utilizing the fact that the charge charged in the gate of the switching element is discharged when the switching element is turned off during energization, and the energization of the discharge current is performed. During the period, by suppressing the transmission of the drive signal of the switching element of the pair, a short circuit between the positive and negative electrodes of the power supply is caused. , by utilizing the fact that the gate potential is at a positive potential to suppress the transmission of the drive signal of the switching element of the pair during the period when the gate voltage is at a positive potential, the power supply is controlled as in claim 1. Short circuit between the positive and negative electrodes can be prevented.

〔実 施 例] 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
[Example] Next, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明のインバータのゲート駆動回路の一実施
例の構成を示す回路図、第2図は本実施例の動作を説明
するタイミング図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of an inverter gate drive circuit according to the present invention, and FIG. 2 is a timing diagram illustrating the operation of this embodiment.

本実施例の構成は、第4図に示した従来例の回路構成に
おいて、インバータ41およびオンデイレイ回路430
代りにインバータ1が、また、インバータ42およびオ
ンデイレイ回路44の代りにインバータ2がそれぞれ設
置され、さらに、スイッチング素子17.18のゲート
入力回路の制限抵抗9,10に並列に、それぞれ制限抵
抗7とフォトカプラー5、および制限抵抗8とフォトカ
プラー6が配置され、かつ、フォトカプラー5の出力側
がゲート駆動用のトランジスタ14のベースと接地間に
、また、フォトカプラー6の出力側がゲート駆動用のト
ランジスタ13のベースと接地間に接続されている他は
、すべて同様である。
The configuration of this embodiment differs from the circuit configuration of the conventional example shown in FIG.
An inverter 1 is installed instead of the inverter 1, an inverter 2 is installed instead of the inverter 42 and the on-delay circuit 44, and a limiting resistor 7 and a limiting resistor 7 are installed in parallel with the limiting resistors 9 and 10 of the gate input circuit of the switching element 17 and 18, respectively. A photocoupler 5, a limiting resistor 8, and a photocoupler 6 are arranged, and the output side of the photocoupler 5 is connected between the base of the gate driving transistor 14 and the ground, and the output side of the photocoupler 6 is connected to the gate driving transistor 14. Everything else is the same except that it is connected between the base of No. 13 and ground.

次に、本実施例の動作をタイミング図を参照して説明す
る。
Next, the operation of this embodiment will be explained with reference to timing charts.

いま、時刻t。において駆動信号At、B+はそれぞれ
、ハイレベルとロウレベルの状態にあり、スイッチング
素子17はオン、スイッチング素子18はオフとされて
いる。時刻tlで駆動信号A1がハイレベルよりロウレ
ベルに、駆動信号B、がロウレベルよりハイレベルにそ
れぞれ転じると、インバータ1の出力はロウレベルより
ハイレベルとなるためフォトカプラー3はオフとなり、
FETIIのゲートにハイレベルの電圧+Vが与えられ
てFETIIはオンとされ、一方、インバータ2の出力
はロウレベルに転じてフォトカプラー4をオンとし、F
ET12のゲートを接地に接続するのでFET12はオ
フとされる。したがって、ゲート駆動用のトランジスタ
13とゲート電荷放電用のトランジスタ15とのベース
は接地され、一方、ゲート駆動用のトランジスタ14と
ゲート電荷放電用のトランジスタ16とのベースにはハ
イレベルの電圧+Vが入力される。そこで、スイッチン
グ素子17側ではトランジスタ13がオフ、トランジス
タ15はオンに転じて、スイッチング素子17のゲート
を接地に接続する。そこで、スイッチング素子17のオ
ン期間中そのゲートに充電されていた電荷が接地に放電
を開始し、放電電流11  (波形H)は制限抵抗7゜
9を分流し、制限抵抗7を流れる電流111  (波形
J)がフォトカプラー5を時刻t、とほぼ同時刻にオン
とする。引続いて時刻1.1でスイッチング素子17は
オフに転じる(eL、形M)。フォトカプラー5のオン
によりトランジスタ14および16のベースが電流12
の通電中、接地されたままとなり(波形K)、上述した
ハイレベルの電圧+Vを受けても駆動用トランジスタ1
4のゲート駆動は阻止される。時刻t、で電流ipの放
電が終りフォトカプラー5が再びオフに転じると、トラ
ンジスタ14はオンに転じてスイッチング素子18を駆
動し、時刻t、でスイッチング素子18はオンに転じる
0時刻t、で駆動信号B、がハイレベルよりロウレベル
に転じ、駆動信号AIがロウレベルよりハイレベルに転
じると、全く同様にしてスイッチング素子18のゲート
の放電期間中はフォトカプラー6を介してスイッチング
素子17のゲート駆動信号が阻止される0時刻t6に阻
止が解除されてスイッチング素子17のゲートの充電が
始まり(波形H)、ゲート電圧は上昇を開始しく波形G
)、時刻tyでスイッチング素子17はオンとなる。以
下、同様の動作を繰返す、すなわち、タイミング図にお
いて、時刻t1〜t3および時刻ts−taの期間が、
それぞれ上述した阻止期間を表わしている。
Now, time t. The drive signals At and B+ are at high level and low level, respectively, and the switching element 17 is on and the switching element 18 is off. When the drive signal A1 changes from a high level to a low level and the drive signal B changes from a low level to a high level at time tl, the output of the inverter 1 changes from a low level to a high level, so the photocoupler 3 is turned off.
A high level voltage +V is applied to the gate of FETII to turn on FETII, while the output of inverter 2 changes to low level, turns on photocoupler 4, and turns FETII on.
Since the gate of ET12 is connected to ground, FET12 is turned off. Therefore, the bases of the gate driving transistor 13 and the gate charge discharging transistor 15 are grounded, while the high level voltage +V is applied to the bases of the gate driving transistor 14 and the gate charge discharging transistor 16. is input. Therefore, on the side of the switching element 17, the transistor 13 is turned off and the transistor 15 is turned on, thereby connecting the gate of the switching element 17 to ground. Then, the electric charge that had been charged in the gate of the switching element 17 during its ON period starts discharging to the ground, and the discharge current 11 (waveform H) shunts the limiting resistor 7°9, and the current 111 ( Waveform J) turns on the photocoupler 5 at approximately the same time as time t. Subsequently, at time 1.1, the switching element 17 turns off (eL, type M). When the photocoupler 5 is turned on, the bases of the transistors 14 and 16 receive a current of 12
The drive transistor 1 remains grounded (waveform K) while it is energized, and even if it receives the above-mentioned high-level voltage +V, the drive transistor 1 remains grounded (waveform K).
Gate drive of 4 is blocked. When the discharge of the current ip ends at time t and the photocoupler 5 turns off again, the transistor 14 turns on and drives the switching element 18, and at time t, the switching element 18 turns on. When the drive signal B changes from a high level to a low level and the drive signal AI changes from a low level to a high level, the gate of the switching element 17 is driven through the photocoupler 6 in exactly the same way during the discharge period of the gate of the switching element 18. At time t6, when the signal is blocked, the blocking is released and the gate of the switching element 17 starts charging (waveform H), and the gate voltage starts to rise, as shown in waveform G.
), the switching element 17 is turned on at time ty. Hereinafter, the same operation is repeated, that is, in the timing diagram, the period from time t1 to t3 and time ts-ta is
Each represents the blocking period mentioned above.

このようにして、スイッチング素子17.ts間で、駆
動信号AI、BIの変換時のゲート放電期間中、交互に
相手の駆動を阻止することにより、確実に正負極間の短
絡を防止することができる。
In this way, switching element 17. By alternately blocking the drive of the other party during the gate discharge period during conversion of the drive signals AI and BI between ts, it is possible to reliably prevent a short circuit between the positive and negative electrodes.

次に、本発明の他の実施例を第3図の回路図を用いて説
明する。
Next, another embodiment of the present invention will be described using the circuit diagram of FIG.

本実施例は上述した第1図の実施例のフォトカプラー5
.6の代りに、それぞれフォトカプラー33およびフォ
トカプラー34を用いて、スイッチング素子17および
18のゲート電圧が正電位にある期間中、相手側のゲー
トの駆動を阻止するようにしたものである。このように
して、一方のスイッチング素子のオフ状態に転じたこと
を確認して後、他方のスイッチング素子をオンとするこ
とができるので、正負両極間の短絡を防止することがで
きる。
This embodiment uses the photocoupler 5 of the embodiment shown in FIG.
.. 6, a photocoupler 33 and a photocoupler 34 are used, respectively, to prevent the gates of the switching elements 17 and 18 from being driven while the gate voltages of the switching elements 17 and 18 are at a positive potential. In this way, after confirming that one switching element has turned off, the other switching element can be turned on, thereby preventing short circuits between the positive and negative poles.

[発明の効果] 以上説明したように本発明は、請求項1のものはスイッ
チング素子のゲートからの放電逆電流を検出して、その
期間中は対の相手側のスイッチング素子の駆動を抑制す
ることにより、また、請求項2のものはスイッチング素
子のゲート電圧を監視して正電位にある期間中、対の相
手側のスイッチング素子の駆動を抑制することにより、
従来例のような複雑でコスト高の回路構成を用いること
なく、簡単に、波形歪が小さく、したがって発生するト
ルクリップルや回転リップルを小さいものとするゲート
駆動回路を得ることができる効果がある。
[Effects of the Invention] As explained above, the present invention according to claim 1 detects the discharge reverse current from the gate of the switching element, and suppresses the driving of the switching element on the other side during that period. Accordingly, the second aspect monitors the gate voltage of the switching element and suppresses the driving of the switching element on the other side of the pair during the period when the gate voltage of the switching element is at a positive potential.
It is possible to easily obtain a gate drive circuit that has small waveform distortion and therefore produces small torque ripples and rotational ripples without using a complicated and costly circuit configuration as in the conventional example.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明のインバータのゲート駆動回路の一実施
例の構成を示す回路図、第2図は本実施例の動作を説明
するタイミング図、第3図は他の実施例の構成を示す回
路図、第4図はインバータのゲート駆動回路の従来例の
構成を示す回路図、第5図は第4図の従来例の動作を示
すタイミング図である。 1.2・・・インバータ、 3.4,5,6,33.34・・・フォトカプラー7.
8,9.10.31.32・・・制御抵抗、II、 +
2・・・FET、 13、14・・・ゲート駆動トランジスタ、15、16
・・・ゲート電荷放電用トランジスタ、17、18・・
・スイッチング素子、 11・・・スイッチング素子17ゲートの充放電電流、
ip・・・スイッチング素子17ゲートの放電電流、P
、N・・・正、負の電極、 +■・・・ハイレベルの電源、 t、〜t7・・・時刻、 At、B+・・・駆動信号、
M・・・波形。
Fig. 1 is a circuit diagram showing the configuration of one embodiment of the inverter gate drive circuit of the present invention, Fig. 2 is a timing diagram explaining the operation of this embodiment, and Fig. 3 shows the structure of another embodiment. FIG. 4 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional example of an inverter gate drive circuit, and FIG. 5 is a timing diagram showing the operation of the conventional example shown in FIG. 4. 1.2... Inverter, 3.4, 5, 6, 33. 34... Photocoupler 7.
8,9.10.31.32...Control resistance, II, +
2...FET, 13, 14... Gate drive transistor, 15, 16
...Gate charge discharge transistor, 17, 18...
・Switching element, 11... charging/discharging current of switching element 17 gate,
ip...discharge current of switching element 17 gate, P
, N...positive and negative electrodes, +■...high level power supply, t, ~t7...time, At, B+...drive signal,
M... Waveform.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、直列接続された1対の蓄積時間を伴わないスイッチ
ング素子を主回路の1構成要素とするインバータのゲー
ト駆動回路において、 前記1対のスッチング素子のうち、駆動状態にある一方
のスイッチング素子が阻止状態に反転させられるとき、
そのゲートから放電される逆電流を検出する電流検出器
と、 電流検出器の検出した逆電流の通電期間中、他方のスイ
ッチング素子を駆動状態とする駆動信号の生成を抑制す
る阻止回路を有することを特徴とするインバータのゲー
ト駆動回路。 2、直列接続された1対の蓄積時間を伴わないスイッチ
ング素子を主回路の1構成要素とするインバータのゲー
ト駆動回路において、 スッチング素子のゲート電圧を検出する電圧検出器と、 電圧検出器の検出したゲート電圧が正電位にある期間中
、対である他方のスイッチング素子を駆動状態とする駆
動信号の生成を抑制する阻止回路を有することを特徴と
するインバータのゲート駆動回路。
[Scope of Claims] 1. In an inverter gate drive circuit in which a main circuit includes a pair of series-connected switching elements without accumulation time, the gate drive circuit includes: When one switching element is reversed to the blocking state,
It has a current detector that detects the reverse current discharged from its gate, and a blocking circuit that suppresses the generation of a drive signal that drives the other switching element during the conduction period of the reverse current detected by the current detector. An inverter gate drive circuit featuring: 2. In an inverter gate drive circuit whose main circuit includes a pair of series-connected switching elements without accumulation time, a voltage detector detects the gate voltage of the switching element, and a voltage detector detects the voltage detector. 1. A gate drive circuit for an inverter, comprising a blocking circuit that suppresses generation of a drive signal that drives the other switching element of the pair during a period when the gate voltage is at a positive potential.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006166582A (en) * 2004-12-07 2006-06-22 Fuji Electric Holdings Co Ltd Power converter

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JP2006166582A (en) * 2004-12-07 2006-06-22 Fuji Electric Holdings Co Ltd Power converter

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