JPH0228502A - 位置合せ方法 - Google Patents

位置合せ方法

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Publication number
JPH0228502A
JPH0228502A JP63179675A JP17967588A JPH0228502A JP H0228502 A JPH0228502 A JP H0228502A JP 63179675 A JP63179675 A JP 63179675A JP 17967588 A JP17967588 A JP 17967588A JP H0228502 A JPH0228502 A JP H0228502A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
alignment
diffracted light
wafer
polarizing plate
Prior art date
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Pending
Application number
JP63179675A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoji Sekiya
関谷 智司
Akira Ono
明 小野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP63179675A priority Critical patent/JPH0228502A/ja
Publication of JPH0228502A publication Critical patent/JPH0228502A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、例えば半導体製造における露光工程の際にマ
スクとウェハとを位置合せする位置合せ方法に関する。
(従来の技術) 第8図はかかる位置合せ装置の構成図であって、マスク
1とウェハ2とが対向配置され、これらマスク1とウェ
ハ2との間に対物レンズ3が配置されるとともに所定の
厚みを持った光透過体4が配置されている。この光透過
体4は検出感度を高めるために配置されるもので、矢印
(イ)方向に振動するものとなっている。又、ウェハ2
の上方にはミラー5が配置され、ウェハ2がらの反射光
をホトディテクタ6に導くようになっている。
このような構成でマスク1とウェハ2とを位置合せする
場合、レーザビーム7がマスク1に照射され、これによ
り、このレーザビーム7はマスク1で回折されて例えば
±nn次回先光生じる。なお、ここでは±1次回折光に
ついて説明する。一方、このとき光透過体4は矢印(イ
)方向に振動しているので、±1次回折光はそれぞれ光
透過体4の振動に応じて光路が変更されて対物レンズ3
を通してウェハ2に照射される。そして、ウエノ12か
らの反射光がミラー5を介してホトディテクタ6に送ら
れる。従って、このホトディテクタ6は±1次回折光の
干渉光の光強度に応じたレベルの電気信号を出力する。
つまり、この電気信号はマスク1とウェハ2との位置関
係に応じた出力レベルでかつこの出力レベル上に光透過
体4の振動に応じたレベルが重畳されたものとなってい
る。しかるに、この電気信号レベルからマスク1とウェ
ハ2との位置ずれが求められて位置合せが行われる。な
お、光透過体4を振動させることによって外部からの光
の影響等によるノイズが無くなる。
ところが、以上のような構成では光透過体4を振動させ
なければならず、この振動のための機構が必要となる。
従って、装置自体が大型化しかつ複雑化してしまう。
又、別の位置合せ装置として特開昭62−188902
号公報に示されている技術があるが、この技術もポリゴ
ンミラーを回転させなければならずその回転機構が必要
となる。従って、この技術でも装置自体が大型化しかつ
複雑化してしまう。
(発明が解決しようとする課題) 以上のように振動や回転等の機構を備えなければならず
、装置が大型化、複雑化してしまう。
そこで本発明は、振動や回転機構等を使用せずに容易に
位置合せができる高精度な位置合せ方法を提供すること
を目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段と作用) 本発明は、第1の物体と第2の物体とが対物レンズを介
して互いに結像関係に配置されている第1の物体と第2
の物体との相対位置合せをこれら第1の物体と第2の物
体とに形成された各回折格子を用いて行う位置合せ方法
において、それぞれ波長が異なりかつそれぞれ異なる偏
光角を有する少なくとも2波長のアライメント光線の干
渉光である第1の光ビートを得ると同時にアライメント
光線を第1の物体の回折格子に照射し、この第1の物体
で回折された少なくとも±n次回折光をそれぞれ互いに
異なる1波長のみにして第2の物体の回折格子に照射し
、第2の物体で回折されたアライメント光線に含む各波
長の干渉光である第2の光ビートを得て、第1の光ビー
トと第2の光ビートとの位相差から第1の物体と第2の
物体を位置合せする位置合せ方法である。
(実施例) 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は位置合せ方法を適用した位置合せ装置の構成図
である。ステージ10上にはウエノS11が載置され、
又このウェハ11の上方にはマスク12がウェハ11と
対向する位置に配置されている。さらに、このマスク1
2の上方には露光用光源13が配置されるとともにこの
露光用光源13とマスク12との間にコンデンサレンズ
14が配置されている。そして、ウェハ11とマスク1
2との間に対物レンズ15が配置されている。なお、ウ
ェハ11とマスク12は倍率Mの結像関係に配置されて
いる。ウェハ11にはピッチP 11%又マスク12に
はウェハ11のピッチのM倍のピッチM−Pmiの回折
格子11a、12aがそれぞれ形成されている。
一方、16はゼーマンレーザ発振器(以下、レーザ発振
器と省略する)であって、このレーザ発振器16は、露
光用光源13から放射される露光用光線の波長と異なる
波長でしかもそれぞれ互いに異なる波長λl、λ2を有
しかつこれら波長λ1.λ2の光の偏光面が互いに直交
するアライメントレーザ光Qを放出するものである。な
お、同図では偏光面の方向を矢印fl−f8で示してい
る。
このレーザ発振器16の光路上でかつマスク12の上方
にはビームスプリッタ17が配置され、さらに同光路上
に偏光板18及び光検出器19が配置されている。偏光
板18は、その偏光方向を波長λ1.λ2の光の偏光面
それぞれに対し略45″に傾けて設置し、波長λl、λ
2のアライメントレーザ光Qの各波長光を干渉させるも
のである。
又、ビームスプリッタ17で分岐された他方のアライメ
ントレーザ光はマスク12の回折格子12aに照射され
、この回折格子12aで±nn次回先光生じる。なお、
本方法では±1次回折光を使用する。そこで、この±1
次回折光の各光路上にはそれぞれ偏光板20.21が配
置されている。このうち偏光板20は一1次回折光の波
長λ2のみを通過させるものであり、又偏光板21は+
1次回折光の波長λ1のみを通過させる作用を持ったも
のである。一方、ウェハ11からの反射回折光のうち波
長λ1の光の一1次回折光と波長λ2の光の+1次回折
光は同一光路を進むようになる。そして、この光路上に
は全反射ミラー22が配置され、この全反射ミラー22
の反射光路上には偏光板23及び光検出器24が配置さ
れている。なお、偏光板23は偏光板18と同様に各波
長の光の偏光軸に対し45°傾けて置かれ各波長λ1.
λ2を干渉させるものである。
前記各光検出器19.24は共に干渉光を受光して光ビ
ートを検出する機能を有するもので、各光ビート検出信
号は位相計25に送られるようになっている。この位相
計25は各光ビート検出信号を受けてこれら光ビートの
位相を検出する機能を有するものである。
次に上記の如く構成された装置での位置合せ作用につい
て説明する。
レーザ発振器16から放出されたアライメントレーザ光
Qはビームスプリッタ17で分岐され、一方のアライメ
ントレーザ光が偏光板18に送られるとともに他方のア
ライメントレーザ光がマスク12の回折格子12aに照
射される。そこで、偏光板18はアライメントレーザ光
Qの互いに直交する各偏光面の波長λ1.λ2の光を干
渉させて、その干渉光を光検出器19に送る。しかるに
、光検出器19は干渉光を受光して光ビートを検出して
その光ビート検出信号を位相計25に送出する。
これとともにビームスプリッタ17で分岐された他方の
アライメントレーザ光がマスク12の回折格子12aに
照射されると、この回折格子12aの作用により±nn
次回先光生じる。そして、これら±nn次回先光うち±
1次回折光がそれぞれ偏光板20.21に到達する。こ
のうち、偏光板20は一1次回折光の中の波長λl、λ
2のうち波長λ2のみを通過させ、又偏光板21は+1
次回折光の中の波長λ1.λ2のうち波長λlのみを通
過させる。従って、これら偏光板20.21を通過した
各アライメントレーザ光は互いに直交方向の偏光面を有
するものとなる。
そうして、これらアライメントレーザ光は対物レンズ1
5で集光されてウェハ11上の回折格子11aに照射さ
れ、この回折格子11aで土n次回折光が生じる。この
うちウェハ11の回折格子11aで生じる波長λ1の光
の一1次回折光と波長λ2の光の+1次回折光とは同一
光路を通り、この2つの光が対物レンズ15を通して全
反射ミラー22に到達し、この全反射ミラー22で反射
して偏光板23に送られる。この偏光板23は0次回舌
先の互いに直交する各偏光面の波長λ1゜λ2の光を干
渉させて、その干渉光を光検出器24に送る。しかるに
、この光検出器24は干渉光を受光して光ビートを検出
してその光ビート検出信号を位相計25に送出する。こ
の位相計25は光検出器19.24の各光ビート検出信
号を受けて各光ビートの位相差を求める。ゆえに、この
位相計25から出力される位相信号は第2図に示すよう
に−180@〜+ 180”となっておりマスク12と
ウェハ11との相対位置に対応している。
しかるに、この位相信号に基づいてマスク12ウエハ1
1との位置合せが行われる。
このように上記一実施例においては、露光用光線と波長
が異なるとともにそれぞれ互いに波長及び偏光角が異な
るアライメント光線をマスク12に照射して回折された
±1次回折光をそれぞれ互いに異なる波長のみにしてウ
ェハ11に照射し、アライメント光線による干渉光と、
ウェハ11から反射してくる0次回舌先で得られる光ビ
ートからマスク12とウェハ11とを位置合せするよう
にしたので、振動や回転を行なうための機構を備えずに
簡単な構成で位置合せを行なうことができる。又、マス
ク12とウェハ11との位置ずれは位相計25の光ビー
ト信号により検出するので、高速応答が可能となりさら
に外乱の影響に対する変動も少なくなる。従って、高精
度に位置合せができる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。例えば、第
3図乃至第5図に示す構成としてもよい。なお、第1図
と同一部分には同一符号を付しである。第3図に示す装
置は、レーザ発振器30から放出される露光用光線と異
なるとともにそれぞれ互いに異なる波長でかつ互いに直
交する偏光面を有するアライメント光線を全反射ミラー
31を介してウェハ11の回折格子11aに照射し、こ
の回折格子11aで生じる±1次回折光を対物レンズ1
5を通してマスク12の回折格子12aに導く。そして
、この回折格子12aで生じた干渉光を全反射ミラー3
2等を介して光検出器に導くものとなっている。
次に第4図に示す装置は、参照光を得るものでレーザ発
振器33から放出されるアライメント光線を全反射ミラ
ー34を介してマスク12の回折格子12aに照射し、
この回折格子12aで生じる0次回舌先を全反射ミラー
35を介して偏光板36さらに光検出器37に導くよう
にしたものである。
さらに第5図に示す装置は第3図に示す装置で参照光を
得るもので、回折格子11aで生じる0次回舌先を対物
レンズ15.ハーフミラ−38を介して偏光板39に導
き、さらにこの偏光板39を通して光検出器40に導く
ようにしたものである。
又、第1図に示す各偏光板20.21はウェハ11と対
物レンズ15との間に配置してもよい。
ところで、ウェハに付けられている回折格子の断面形状
によりては、偏光面の方向に対して回折光の偏光特性が
変化する場合があり、この場合、位置合せ誤差を生じる
恐れがある。この対策として第1図の偏光板23を第6
図に示すように偏光板20.21と対物レンズ15との
間に配置すると良い。これにより、波長λ1とλ2の各
光の偏光面は同図f7. f8に示すように45@方向
に揃い、ウェハ11上の回折格子11aによる偏光特性
変化が相殺される。
又、別の対策として第7図に示すように′m1図の光学
系に対し4分の1波長板26を偏光板20゜21と対物
レンズ15との間に追加配置してもよい。このようにす
ると4分の1波長板を出た波長λ1.λ2の光は互いに
逆回りの円偏光f9. rlGに変換される。この場合
もウエノ1の回折格子11aによる偏光特性変化は波長
λ1とλ2の光それぞれに同等に生じ、光検出器24上
では互いに相殺される。
なお、第6図及び第7図に示す各実施例ではウェハとマ
スクとの位置合せについて説明したが、例えばリニアス
ケールの位置検出等にも応用可能である。又、ウェハと
マスクとの位置合せに限らず他の物体間の位置合せにも
適用できる。
[発明の効果] 以上詳記したように本発明によれば、振動や回転機構等
を使用せずに容易に位置合せができる高精度な位置合せ
方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わる位置合せ方法を適用した位置合
せ装置の一実施例を示す構成図、第2図は同装置の位相
計出力を示す図、第3図乃至第7図は同装置の変形例を
示す構成図、第8図は従来技術を説明するための図であ
る。 11・・・ウェハ、12・・・マスク、13・・・露光
用光源、14・・・コンデンサレンズ、15・・・対物
レンズ、16・・・レーザ発振器、17・・・ビームス
プリッタ、18.23・・・偏光板、19.24・・・
光検出器、20.21・・・偏光板、22・・・全反射
ミラー25・・・位相計。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 /I\ 第1 図 第2図 第3図 /1゛\ /1\

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 節1の物体と第2の物体とが対物レンズを介して互いに
    結像関係に配置されている前記第1の物体と前記第2の
    物体との相対位置合せをこれら第1の物体と第2の物体
    とに形成された各回折格子を用いて行う位置合せ方法に
    おいて、それぞれ波長が異なりかつそれぞれ異なる偏光
    角を有する少なくとも2波長のアライメント光線の干渉
    光である第1の光ビートを得ると同時に前記アライメン
    ト光線を前記第1の物体の回折格子に照射し、この第1
    の物体で回折された少なくとも±n次回折光をそれぞれ
    互いに異なる1波長のみにして前記第2の物体の回折格
    子に照射し、前記第2の物体で回折された前記アライメ
    ント光線に含む各波長の干渉光である第2の光ビートを
    得て、前記第1の光ビートと前記第2の光ビートとの位
    相差から前記第1の物体と前記第2の物体を位置合せす
    ることを特徴とする位置合せ方法。
JP63179675A 1988-07-19 1988-07-19 位置合せ方法 Pending JPH0228502A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03232216A (ja) * 1989-12-27 1991-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置合わせ装置
JPH07123108B2 (ja) * 1990-10-31 1995-12-25 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 偏光と2重共役投映レンズを使った近接位置合せシステム
JP2007180548A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Asml Netherlands Bv パターンアライメント方法およびリソグラフィ装置

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