JPH0227827B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は結晶半導体の有する大きな熱電能特性
と、微細加工性、導電率の大きなアモルフアス半
導体薄膜の有する３つの特徴、すなわち、(1)大き
な熱電能特性、(2)結晶半導体に結合させた場合に
オーミツク接触が得られること、(3)薄膜形成の容
易さと微細加工性との両方の特徴に着目し、結晶
半導体およびアモルフアス半導体薄膜の有する特
徴を互いに生かした新しい構造の熱電対装置に関
する。特に、この熱電対装置を応用して構成され
る低周波から輻射波（光波）に至る電力検出装置
に関する。 ここでアモルフアス半導体とは、液体及び気体
を除く物質であつて、結晶学的に３次元的周期性
を示さない半導体をいう。すなわち、不規則、非
晶質状のもので、Ｘ線回折図形で特定しうる回折
ピークを持たない半導体を呼ぶこととする。 〔従来の技術〕 従来、高周波電力を測定する場合検出素子とし
てはボロメータが用いられ、最近ではBi−Sb等
に代表される薄膜熱電対素子やSi−Ta₂Nに代表
される半導体−薄膜熱電対素子が用いられてい
る。 サーミスタやバレツタなどのボロメータを検出
素子として用いた方式は、高周波エネルギーを吸
収したときに生じる抵抗値変化から間接的に入射
電力を測定するもので、周囲の温度変化に対して
敏感に抵抗値が変化するために零点が変動し、こ
の零点ドリフトを補償する回路が必要となつた。 その上サーミスタの場合は、周波数が高くなる
と入力定在波比が大きくなり、また、バレツタの
場合は、過電流に弱いなどの欠点がある。検出素
子として、薄膜熱電対素子や半導体−薄膜熱電対
素子を用いた方式は、薄膜熱電対素子又は半導体
−薄膜熱電式素子が入射高周波電力を吸収し、そ
の入射電力に比例した直流の熱起電力に変換して
測定するものである。この方式は周囲温度の変化
による零点ドリフトは小さいが、1μW以下の微
小な電力を測定するのが困難である。特にBi−
Sb等に代表される薄膜熱電対素子の場合は、金
属の融点が低く、特にこの金属をポリミイドフイ
ルムやマイカ等絶縁性基板に蒸着膜を形成した場
合、基板との付着力が弱くなる。しかも、水や有
機溶剤によつて膜質が損なわれるので、フオトエ
ツチング技術に代表される微細加工技術が使用で
きない等の欠点がある。 一方、Si−Ta₂Nに代表される結晶半導体−金
属薄膜熱電対素子は、支持基板のSiの熱伝導率が
約1.45W／cm・℃と大きい。このため熱電対素子
の検出感度を高めるため、Si基板をダイヤフラム
状に薄くする必要があり（例えば、特公昭53−
30354号公報に開示されているもの）、実用化素子
では基板厚さが5μｍ程度である。しかしながら、
このSi−Ta₂Nを用いた半導体−薄膜熱電対素子
はｐ形あるいはｎ形半導体の有する大きな熱電能
の片方のみを使用したものであり、ｐ形及びｎ形
の互いの極性が逆である点を有効に生かした構造
のｐ−ｎ接合形熱電対素子は実用化されていな
い。その理由としてはｐ−ｎ接合の有する整流性
である。 すなわち、単に結晶半導体のｐ形とｎ形を接合
させるとｐ−ｎ接合が形成され整流作用を示すの
で、検出レベルに応じて出力特性が変化し、これ
を補正するための回路を必要としていた。又、整
流性をなくすため、ｐ−ｎ接合間にオーミツク電
極用金属を挿入した構造のものは、被測定電力の
電磁界分布をみだすため、高周波電力検出装置等
には用いられなかつた。 一方、薄膜形成技術の進展により真空蒸着法、
スパツタ法あるいはプラズマCVD法を用いて熱
電材料としての半導体薄膜を形成する方法が種々
検討されてきた（例えば、特開昭53−143180号公
報、特開昭57−7172号公報）。確かに、真空蒸着
法、スパツタ法あるいはプラズマCVD法を用い
て半導体薄膜を形成した場合、結晶性が損なわれ
て非晶質化すること、すなわちアモルフアス化す
ることにより熱電能としては１ｍＶ／℃程度の大
きな値が得られている。 しかしながら、導電率も同時に小さくなり、結
晶半導体と直接に接合を形成するとオーミツク性
を示さなくなり、熱電対型電力検出素子として構
成した場合、結晶半導体を用いて形成したｐ−ｎ
接合の場合と同様の問題点を抱えていた。又、非
晶質薄膜半導体の熱電材料としての欠点、すなわ
ち、熱電能は大きいが、導電率が小さいことの改
善を図るため、材料の組成を変えることにより導
電率を増大化させる方法が検討されており（例え
ば、特開昭53−143180号公報）、例えば、Asの非
晶質半導体材料にNiを添加することにより、導
電率としては３×10゜〔Ω・cm〕^-1と増大させるこ
とに成功したが、残念ながらゼーベツク係数とし
ては50μV／℃と金属並みの低い値しか得られて
いない。従来技術との比較を第１表に示した。 新しい技術として最近では同一出願人による特
開昭58−10874号公報「熱電対素子」において述
べられているように、グロー放電法等を用いて堆
積されたアモルフアス半導体薄膜は、ｐ−ｎ制御
ができ、熱電能が共に大きく、しかもp⁺

〔発明が解決しようとする課題〕

以上の点に鑑み、本発明は、導電率、熱電能が
共に大きく、しかも結晶半導体と接合させた場合
に容易にオーミツク接触が得られ、しかもp⁺−
n⁺接合がオーミツク性を有するグロー放電法等
により形成されたアモルフアス半導体薄膜と導電
率、熱電能が共に大きい結晶半導体よりなる小形
の熱電対装置、特にｐ−ｎ接合部に金属薄膜を用
いないことにより、測定周波数範囲が広く、高感
度、高速応答の電力検出素子を実現することを目
的とするものである。 〔課題を解決するための手段及び作用〕 本発明では、 第１に、半導体結晶を用いてフレームと肉薄の
基板とから成るダイヤフラム状の基台を作る。 第２に、その肉薄基板の一部に不純物を拡散す
る。基板の伝導特性とは異なる不純物を用いる。 第３に、不純物が拡散された部分の一部（温接
点となる部分に、不純物が拡散された部分と同種
の伝導特性をもつアモルフアス半導体と、異種の
伝導特性をもつアモルフアス半導体とを順次、重
ねて薄膜で形成して熱電対を構成した。 これらの手段を用いることによつてアモルフア
ス半導体薄膜（例えば、アモルフアスSi薄膜）の
有する大きな熱電能特性、p⁺−n⁺接合部のオー
ミツク特性、薄膜形成の容易さと微細加工性に加
え、今回新たに結晶半導体に接合させた場合にオ
ーミツク接触が容易に得られることに着目し、結
晶半導体の有する大きな熱電能特性と微細加工性
とを有効に生かした新しい構造の高性能な熱電対
装置およびこの熱電対装置を応用した小形で、測
定周波数範囲が広く、高感度、高速応答の電力検
出装置を実現することにより課題を解決するもの
である。 〔実施例〕 第３図および第４図は本発明による熱電対装置
の一実施例の構成を示し、第３図は平面図を、第
４図は第３図の−′における断面図を示す。 フレーム１と肉薄状の部分２とをｎ形（もしく
はｐ形）半導体結晶基板で一体的に形成する。ｐ
形（もしくはｎ形）半導体拡散層３を不純物を拡
散して形成する。拡散は肉薄部分２の実質的に全
厚さにわたるものとする。 以下、ｐ形（もしくはｎ形）を、単にｐ形（ｎ
形）という、ｎ形（もしくはｐ形）についても同
様とする。 絶縁膜４を拡散層の一部を残してかけておく。 p⁺形（n⁺形）アモルフアス半導体薄膜５とn⁺
形（p⁺形）アモルフアス半導体薄膜６とを絶縁
膜の設けられていない部分に重ねて形成する。 ｐ形（ｎ形）拡散層３に設けられたオーミツク
電極７とｎ形（ｐ形）アモルフアス半導体薄膜６
に設けられたオーミツク電極８とにそれぞれ各リ
ード線９，１０を設ける。電極部１１Ａ，１１Ｂ
を冷接点とし、１２のアモルフアス半導体薄膜部
を温接点とする熱電対装置１３が作られている。 この熱電対装置１３はｐ形（ｎ形）拡散層３の
一部に接触して設けられたp⁺形（n⁺形）アモル
フアス半導体薄膜５の部分が温接点１２を形成
し、各オーミツク電極７，８の部分が冷接点１１
Ａ，１１Ｂを形成するので、温接点との間の温度
差ΔT（℃）に比例した直流熱起電力Vth（ｍｖ）
がオーミツク電極７とオーミツク電極８との間に
発生する。 この時、発生する熱起電力Vthの大きさは、ｐ
形（ｎ形）半導体拡散層３の熱電能αp（ｎ）、n⁺
形（p⁺形）アモルフアス半導体薄膜６の熱電能
α′n⁺（p⁺）、温度差ΔTによつて決定され、次式で
与えられる。 Vth＝（｜αp⁺（n⁺）｜＋｜α′n⁺（p⁺）｜） ×ΔT ………(1) 次に、本発明で用いたアモルフアス半導体薄膜
の熱電能−導電性特性および温度差−熱起電力特
性について述べる。 第１図及び第２図は、SiF₄とH₂の混合ガスを
用いDCグロー放電法により、ガラス基板上に堆
積したｐ形及びｎ形アモルフアスSi薄膜の熱電能
−導電性特性および温度差−熱起電力特性の一例
を示す図である。第１図で丸印はｎ形の、また＋
印はｐ形の特性を示す。熱電能αはｐ形で正、ｎ
形で負となる。ｐ形及びｎ形アモルフアスSi薄膜
形成用ドーピングガスとしては、それぞれB₂H₆、
PH₃を用いた。熱電能の大きさとしては、絶対値
でｐ形が200μV／℃以上を示す。 第２図は、ｐ形およびｎ形各アモルフアスSi薄
膜の両端にメタル電極を設け、冷接点側を室温と
し、温接点を高温とし、温接点と冷接点（室温）
との温度差ΔTに対する熱起電力Vthの関係を示
したものである。図面中、実線はｐ形、一点鎖線
はｎ形を示し、ｐ形は正、ｎ形は負を示す。共に
よい線形性が得られている。 以上の実験結果により、アモルフアス半導体薄
膜、特に、アモルフアスSi薄膜は熱電対材料とし
て優れた特性を示すことがわかつた。結晶半導体
の熱電能としては、αp（ｎ）＝500（−450）μV／
℃以上、又、第１図のアモルフアス半導体薄膜の
熱電能に関する実験結果より、α′n（ｐ）＝−150
（200）μV／℃以上がそれぞれ得られているので、
(2)式より明らかなように本発明の熱電対装置では
温度差ΔT＝１℃当り0.65ｍＶ以上の熱起電力
Vthが得られる。次に、ｐ形（ｎ形）半導体拡散
層３とｎ形（ｐ形）アモルフアス半導体薄膜６間
に設けられたｐ形（ｎ形）アモルフアス半導体薄
膜５の果たす機能について述べる。 〔課題を解決するための手段及び作用〕の項で
も述べたように、導電率の大きなp⁺形（n⁺形）
アモルフアス半導体薄膜とｐ形（ｎ形）結晶半導
体とを接合させるとオーミツク特性を示すことが
確認されている。これは、導電率の大きなアモル
フアス半導体薄膜のキヤリア濃度が10²⁰cm^-3以上
と高いことと、バンドエツジの“ボケ”による。
したがつて、ｐ形（ｎ形）結晶の半導体とn⁺形
（p⁺形）アモルフアス半導体薄膜を直接接合させ
た場合に生じていた整流性はp⁺形（n⁺形）アモ
ルフアス半導体薄膜を挿入することにより、なく
すことができた。 フレーム１は、冷却点の温度を一定に保つ働き
と、肉薄状結晶半導体基板２を保持する働きを有
する。内薄状のｎ形（ｐ形）結晶半導体基板２上
に設けられた絶縁膜４は、ｎ形（ｐ形）結晶半導
体とn⁺形（p⁺形）アモルフアス半導体薄膜６と
の間の電気的絶縁をとる働きを有し、ｐ形（ｎ
形）拡散層３上には必ずしも設ける必要はないが
本図では設けた場合を図示した。 この熱電対装置１３を用いて高周波電力Ｐを測
定する時には、リード線９，１０間に被測定高周
波電力Ｐを供給する。このとき、供給された高周
波電力Ｐは、ｐ形（ｎ形）結晶半導体拡散層３お
よびn⁺形（p⁺形）アモルフアス半導体薄膜６で
吸収され、ジユール熱を発生する。この時発生す
るジユール熱の大きさは、供給された高周波電力
Ｐに比例するので、温接点（Th）１２と冷接点
（Tc）１１Ａ，１１Ｂ間の温度差ΔTは、供給さ
れた被測定高周波電力Ｐに比例する。 一方、温度差ΔTが与えられた場合の直流起電
力Vthは(1)式で与えられる。 以上により被測定高周波電力Ｐがｐ形（ｎ形）
結晶半導体拡散層３及びn⁺形（p⁺形）アモルフ
アス半導体薄膜６で吸収発熱することにより、各
オーミツク電極７，８間にもたらされる直流熱起
電力Vthは次式で与えられる。 Vth＝（｜αp（ｎ）｜＋｜α′n（ｐ）｜）ΔT ∝（｜αp（ｎ）｜＋｜α′n（ｐ）｜）・ｐ
………(2) この(2)式より、被測定高周波電力の大きさＰ
は、熱電対装置１３の各オーミツク電極７，８間
の直流電圧を測定することにより得られる。被測
定電力Ｐが一定の場合、得られる直流起電力の大
きさは、温接点の上昇温度が高い程、大きい値が
得られ、又、応答速度は主として結晶半導体基板
の熱伝導率によつて決まるので、ｐ形（ｎ形）結
晶半導体拡散層３およびn⁺形（p⁺形）アモルフ
アス半導体薄膜６の導電率や結晶半導体基板の熱
伝導率を考慮しながら形状は決定される。この場
合、インピーダンス整合をとりながら発熱部の形
状を小さくし、半導体基板の中央部に配置すると
ともに、発生したジユール熱の拡散を低く抑える
必要があるので、結晶半導体基板の板厚は通常
5μｍ前後の肉薄状の形状となる。 第５図および第６図は、本発明の応用による光
パワー検出装置の一実施例を示し、第５図は平面
図を、第６図は第５図の−′における断面図
を示す。これは、第３図および第４図の構造と対
比できる。図面中、２１はフレーム、２２は肉薄
状ｎ形（ｐ形）結晶半導体基板、２３はｐ形（ｎ
形）結晶半導体拡散層、２４は絶縁膜、２５は
p⁺形（n⁺形）アモルフアス半導体薄膜、２６は
n⁺形（p⁺形）アモルフアス半導体薄膜、２７，
２８は各オーミツク電極、２９，３０は各リード
線、３１は光吸収膜、３２Ａ，３２Ｂは冷接点、
３３は温接点、３４は光パワー検出装置を示す。
この光パワー検出装置は、第３図及び第４図で示
した熱電対装置の温接点３３を形成するｐ形（ｎ
形）結晶半導体−p⁺形（n⁺形）アモルフアス半
導体薄膜接合面上に光吸収膜３１を設けた構造
で、光吸収膜は、金黒、カーボンブラツクあるい
は、組成比の異なつたアモルフアス半導体薄膜等
で構成される。 以上の実施例で述べた熱電対装置、この熱電対
装置を応用した光パワー検出装置はそれぞれ一対
の熱電対素子の構成のものについて述べたが、構
造上容易に想像できるように、２対以上をカスケ
ード状に接続した多対形熱電対装置および、それ
らを応用した光パワー検出装置を構成でき、しか
もこの場合はオーミツク電極間の出力電圧（熱起
電力）Vthと出力インピーダンスは、それぞれ熱
電対素子数に比例して大きくなるので、測定精度
および所望の出力インピーダンス等に合わせた設
計ができる。 次に、製造方法について述べる。 ｎ形（ｐ形）を有するSi又はGe等結晶半導体
基板２に通常のICプロセスを用いてｐ形（ｎ形）
拡散層３、絶縁用酸化膜４を形成したのち、グロ
ー放電法を用いてp⁺形（n⁺形）アモルフアス半
導体薄膜５を堆積し、パターニングを行ない、引
き続きn⁺形（p⁺形）アモルフアス半導体６を堆
積し、パターニングを行なう。パターニングに
は、フオトエツチング技術又はメタルマスクを用
いる。次に、ｐ形（ｎ形）結晶半導体拡散層及び
n⁺形（p⁺形）アモルフアス半導体薄膜の各一部
にオーミツク電極を設ける。オーミツク電極材料
としては、それぞれAl、Au、Ｗ、NiCr、Pt等が
用いられる。特にアモルフアスオーミツク薄膜用
電極材料としてはNiCr500Å／Au1000Åの多層
構造のものが優れている。 次に結晶半導体基板全面を保護膜で覆う。保護
膜としてはCVDSiO₂膜、CVDSi₃N₄膜、ポリミ
イド樹脂等を用いる。 次に各オーミツク電極パツド部の保護膜を除去
してリード線対９，１０を形成する。リード線と
してはビームリード方式、又はAu線やAuリボン
線等をワイヤボンデングすることによつて構成す
るが、ビームリード方式が優れている。次に結晶
半導体基板裏側の中央部をケミカルエツチ等で除
去して内薄状にする。この場合結晶半導体基板の
周縁にフレーム１が形成できるように行う。 このフレーム１は結晶半導体基板の強度を保つ
とともに、熱シンクの作用をもつ。ここでは、結
晶半導体基板を一部エツチングで薄くしてフレー
ムを残すようにしたが、フレームをとりつける作
り方をすることもできる。結晶方位（１、０、
０）のSi基板の場合には異方性エツチング液を用
いることにより容易に周縁にフレームを形成する
ことができる。最後に、エツチング技術等を用い
てチツプ状に分割して素子は完成する。 光パワー検出装置３４の製造方法としては、前
記熱電対装置の製造方法に述べた工程に、光吸収
膜を形成する工程を表面保護膜形成工程の後に追
加する。光吸収形成には、グロー放電法あるいは
真空蒸着法等を用いることがある。また、光パワ
ー検出装置の場合は、ｐ形（ｎ形）結晶半導体−
n⁺形（p⁺形）アモルフアス半導体薄膜接合の整
流性をなくするために挿入されたp⁺形（n⁺形）
アモルフアス半導体薄膜の代わりに、オーミツク
特性を示す金属薄膜、例えばAl／Au／NiCr構造
のものを用いてもよい。次にグロー放電法につい
て若干述べる。グロー放電法には直流電界中でグ
ロー放電を発生させるDCグロー放電法と高周波
電界中でグロー放電を発生させるRFグロー放電
法とがある。第７図はRFグロー放電法により、
絶縁性基板等にアモルフアスSi薄膜を堆積させる
装置例である。この装置は真空容器３８と真空容
器内に平行に配列されたアノード３９及びカソー
ド４０、ガス４１を真空容器内に給気又は排気す
るための給気口４２及び排気口４３、アノードお
よびカソードを加熱するヒータ４４等から構成さ
れる。絶縁性基板４５はアノード上に置かれる。
ガス４１としては、通常SiH₄又はSiF₄とH₂の混
合ガスにドーピングガス例えば、PH₃、AsH₃、
B₂H₆等を添加したものが用いられる。グロー放
電中の真空圧力は数Torr、電圧はほぼ一定で電
流は１〜100ｍＡ／cm²であり、ガス反応の大部分
は陽光柱（プラズマ４６）内で起こる。特に、こ
のグロー放電法では基板温度が400℃以下という
低温度でアモルフアス半導体薄膜を堆積できると
いう特徴を有する（従来の薄膜製造のための熱分
解法では基板温度として500〜700℃が必要であつ
た）。 DCグロー放電法を用いた堆積条件の一例とし
ては、放電圧力0.1〜10Torr、放電電流１〜100
ｍＡ／cm²、放電電圧500〜800V、電極間隔３cm、
基板温度250〜450℃、SiF₄／H₂＝１〜10、
B₂H₆／SiF₄＝100〜2500ppm、PH₃／SiF₄＝100
〜2500ppmである。この条件で堆積したアモルフ
アス半導体薄膜として、導電率σ＝20（Ω・cm）^-1
以上のものが容易に得られている。半導体薄膜の
導電率を高める方法としては、放電電流を大きく
する方法あるいはドーピングガスの割合を高くす
る方法等が一般的である。また、磁界を印加する
方法も有効である。 以上の方法を用いてアモルフアス半導体薄膜を
堆積した場合、アモルフアス膜中に100Å前後の
微細結晶相が含まれたり、多結晶的性質を示すよ
うになるが熱電能特性は保持される。また、Si−
Geの合金形アモルフアス半導体薄膜も高い導電
率が得られる。この場合、SiH₄とGeH₄の混合ガ
スにB₂H₆又はPH₃、AsH₃のドーピングガスを添
加したものを用い、DCグロー放電法（直流電圧
を印加する方法）又はRFグロー放電法（高周波
電圧を印加する方法）を用いてアモルフアス半導
体薄膜を堆積させる。 〔発明の効果〕 この発明は結晶に異種の半導体不純物を拡散さ
せた領域を形成し、その領域の温接点となる部分
に拡散層と同種の伝導特性をもつ第１のアモルフ
アス半導体層と異種の伝導特性をもつ第２のアモ
ルフアス半導体層とを重ねて形成した熱電対を実
現したから次の効果が生まれた。 (1) ｐ形（ｎ形）結晶半導体とn⁺形（p⁺形）ア
モルフアス半導体薄膜間にオーミツク特性を示
すp⁺形（n⁺形）アモルフアス半導体薄膜を挿
入したｐ−p⁺−n⁺接合型の熱電対装置なので
入力定在波比を小さく抑えた電力検出素子、す
なわち超高周波帯まで使用可能な電力検出装置
を製作できる。これは、従来のｐ−ｎ接合型熱
電対では整流性をなくすためにオーミツク電極
用の金属薄膜を必要としていたが、本発明の熱
電対装置では不要であり、寄生リアクタンクを
小さくできたことによる。 (2) 熱電対、導電率がともに大きく、かつ熱電能
の極性が互いに異なるｐ形（ｎ形）結晶半導体
とn⁺形（p⁺形）アモルフアス半導体を組み合
わせ、更にｐ形（ｎ形）結晶半導体とn⁺形
（p⁺形）アモルフアス半導体薄膜間にオーミツ
ク特性を示すp⁺形（n⁺形）アモルフアス半導
体薄膜を挿入したので、小形で高感度な熱電対
装置およびこれを応用した高周波電力検出装置
および光パワー検出装置を構成できる。 (3) 温接点となる部分の結晶半導体基板をダイヤ
フラム状に薄くし、その厚さ方向すべてにわた
つてｐ形（ｎ形）結晶半導体領域を形成し、そ
の領域を熱電対構成の一方の素子とした。 また、結晶半導体基板の周縁にはフレームを
備えるようにして冷接点の熱シンクとし、熱電
変換の効率をあげ、かつ強度を保持した。 (4) フオトエツチング技術に代表される微細加工
技術が使用できるので超小形の熱電対装置を構
成できる。 以上述べたように、本発明による熱電対装置は
これを応用して電力検出装置および光パワー検出
装置を構成することができ、しかも性能、製法に
おいて従来のものよりも幾多の利点を有している
ので、産業上の効果が大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図はｐ形及びｎ形アモルフアスSi半導体薄
膜の熱電能−導電率特性を示す図、第２図はｐ形
及びｎ形アモルフアスSi半導体薄膜の温度差−熱
起電力特性を示す図、第３図と第４図は本発明に
よる熱電対装置の一実施例を示す図で、第３図は
平面図を、第４図は第３図の−′での断面図
を示す図、第５図と第６図は本発明による熱電対
装置を応用した光パワー検出素子の一実施例を示
す図で、第５図は平面図を、第６図は第５図の
−′での断面図を示す図、第７図はグロー放電
法に係る装置例を示す図である。 図面中、１と２１はフレーム、２と２２は肉薄
状のｎ形（ｐ形）は結晶半導体基板、３と２３は
ｐ形（ｎ形）、結晶半導体拡散層、４と２４は絶
縁酸化膜、５と２５はp⁺形（n⁺形）アモルフア
ス半導体薄膜、６と２６はn⁺形（p⁺形）アモル
フアス半導体薄膜、７，８，２７，２８は各オー
ミツク電極、９，１０，２９，３０は各リード
線、１１Ａ，１１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂは各冷接
点、１２，３３は温接点、１３は熱電対装置、３
１は光吸収膜、３４は光パワー検出装置、３９は
陽極（アノード）、４０は陰極（カソード）であ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 周縁にフレーム１を備えた肉薄状のｎ形（ｐ
   形）半導体結晶基板２と；該半導体結晶基板の表
   面の一部に形成され、該基板の表面の肉薄部分の
   全厚さにわたつて不純物を拡散して形成されたｐ
   形（ｎ形）半導体拡散層３と；該半導体拡散層以
   外の該半導体結晶基板面を部分的に被覆する絶縁
   膜４と；該半導体拡散層の表面の一部に形成され
   たｐ形（ｎ形）の第１のアモルフアス半導体薄膜
   ５と；該第１のアモルフアス半導体薄膜及び該絶
   縁膜表面上に形成されたｎ形（ｐ形）の第２のア
   モルフアス半導体薄膜６と；該拡散層にオーミツ
   ク接続された第１の電極７と；該第２のアモルフ
   アス半導体薄膜にオーミツク接続された第２の電
   極８とを備え；前記第１および第２の電極部を冷
   接点１１とし、該第１のアモルフアス半導体薄膜
   部を温接点１２とすることにより該第１と第２の
   電極間に熱起電力が発生するようにしたことを特
   徴とする熱電対装置。