JPH02278209A - Production of energy guide - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、ＣＯ２レーザまたはＣＯレーザのビームを
輸送するためのエネルギガイドに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to an energy guide for transporting a CO2 laser or a CO laser beam.
［従来の技術および発明が解決しようとする課題］従来
のエネルギガイドの製造方法としては、特開昭６１−１
８８５０６号公報に開示された方法がある。この公報に
従来技術として開示された１つの方法は、外面を鏡面仕
上げしたアルミニウムパイプの外側にゲルマニウム層を
高周波スパッタリングにより形成し、その上にニッケル
を直接めっきし、最後のアルミニウムパイプを水酸化ナ
トリウム水溶液等のエツチング液により除去する方法で
ある。この方法では、装置が高価になり、コスト高にな
るという欠点があっな。[Prior art and problems to be solved by the invention] A conventional method for manufacturing an energy guide is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-1
There is a method disclosed in Japanese Patent No. 88506. One method disclosed as a prior art in this publication is to form a germanium layer on the outside of an aluminum pipe with a mirror finish by high-frequency sputtering, directly plate nickel on the germanium layer, and then coat the final aluminum pipe with sodium hydroxide. This is a method of removing using an etching solution such as an aqueous solution. This method has the disadvantage that the equipment is expensive and the cost is high.
また、この公報に発明として開示された従来の方法は、
導電性のプラスチックからなる中空体の内壁に複素屈折
率の大きい金属をめっきすることにより金属膜を形成し
、さらにその金属膜の内壁に直接ゲルマニウムまたはシ
リコンをめっきすることによってコーティングする方法
である。しかしながら、この方法ではめっきによってコ
ーティングするため、均一な長尺物を得ることができな
いという問題点があった。In addition, the conventional method disclosed as an invention in this publication is
In this method, a metal film is formed by plating the inner wall of a hollow body made of conductive plastic with a metal having a high complex refractive index, and then the inner wall of the metal film is coated by directly plating germanium or silicon. However, this method has a problem in that it is impossible to obtain a uniform long object because the coating is performed by plating.
このように、従来の方法ではめっき、スパッタリングお
よび選択エツチングなどによりコーティング層を形成し
ているため、複雑な工程が必要であり、高価になるとと
もに均一なコーティングが困難であった。As described above, in the conventional method, a coating layer is formed by plating, sputtering, selective etching, etc., which requires complicated steps, increases the cost, and makes uniform coating difficult.
この発明の目的は、このような従来の問題点を解消し、
簡易な工程で均一なコーティングを行なうことのできる
エネルギガイドの製造方法を提供することにある。The purpose of this invention is to solve such conventional problems,
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an energy guide that can perform uniform coating through simple steps.
［課題を解決するための手段］
この発明のエネルギガイドの製造方法では、（ＣＨｓ）
４Ｓｉまたは（Ｃ２Ｈｓ）＊Ｓｉの熱分解反応により、
金属バイブの内壁面にシリコン層をコーティングするこ
とを特徴としている。[Means for solving the problem] In the method for manufacturing an energy guide of the present invention, (CHs)
By thermal decomposition reaction of 4Si or (C2Hs)*Si,
It is characterized by coating the inner wall surface of the metal vibrator with a silicon layer.
また、好ましくは、シリコン層をコーティングする際、
金属パイプを外側から加熱する加熱手段を設け、この加
熱手段を金属パイプに沿って移動させて熱分解反応の起
こる加熱部を移動させながらシリコン層を形成する。Preferably, when coating the silicon layer,
A heating means for heating the metal pipe from the outside is provided, and the heating means is moved along the metal pipe to form a silicon layer while moving the heating portion where the thermal decomposition reaction occurs.
この加熱手段によって加熱される加熱部の温度は、好ま
しくは４５０℃〜７００℃に保持する。The temperature of the heating section heated by this heating means is preferably maintained at 450°C to 700°C.
この発明において、金属パイプは、Ａｌ５ＣｕおよびＮ
ｉ等の種々の金属パイプを使用することができる。In this invention, the metal pipe is made of Al5Cu and N
Various metal pipes such as i can be used.
〔作用］
この発明の製造方法では、（ＣＨａ）４Ｓｔまたは（Ｃ
２Ｈｉ）＜Ｓｉの熱分解反応によりシリコン層を形成し
ているため、低温でシリコン層をコーティングすること
ができる。[Function] In the production method of the present invention, (CHa)4St or (C
2Hi)<Since the silicon layer is formed by a thermal decomposition reaction of Si, the silicon layer can be coated at a low temperature.
また、この発明の好ましい実施態様に従い、金属パイプ
を外側から加熱する加熱手段を設けて、この加熱手段を
金属パイプに沿って移動させ熱分解反応の起こる加熱部
を移動させながらシリコン層を形成させることにより、
シリコン層の厚みをさらに均一にすることができる。Further, according to a preferred embodiment of the present invention, a heating means for heating the metal pipe from the outside is provided, and the heating means is moved along the metal pipe to form a silicon layer while moving the heating part where the pyrolysis reaction occurs. By this,
The thickness of the silicon layer can be made more uniform.
［実施例］
第１図は、この発明の一実施例を説明するための装置を
示す概略構成図である。第１因において、金属パイプ１
の外側には、金属パイプ１を加熱するための加熱手段で
あるヒータ２が設けられており、このヒータ２は、金属
パイプ１の長手方向に沿って移動可能に設けられている
。金属パイプ１の一方端には、有機金属原料供給装置５
からの原料がスを導入するため、の配管が接続されてい
る。また、有機金属原料供給装置５にはキャリアガスボ
ンベ３からのキャリアガスを供給するための配管が接続
されており、この配管にはキャリアガスの流量を測定す
るための流量計４が取付けられている。金属パイプ１の
他方端には、金属パイプ１から排出される排ガスを処理
するための排ガス処理装置６に接続された配管が取付け
られている。[Embodiment] FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an apparatus for explaining an embodiment of the present invention. In the first cause, metal pipe 1
A heater 2, which is a heating means for heating the metal pipe 1, is provided on the outside of the metal pipe 1, and this heater 2 is provided so as to be movable along the longitudinal direction of the metal pipe 1. At one end of the metal pipe 1, an organometallic raw material supply device 5 is provided.
The piping is connected to introduce the raw material from the tank into the tank. Further, a pipe for supplying carrier gas from a carrier gas cylinder 3 is connected to the organometallic raw material supply device 5, and a flow meter 4 for measuring the flow rate of the carrier gas is attached to this pipe. . A pipe connected to an exhaust gas treatment device 6 for treating exhaust gas discharged from the metal pipe 1 is attached to the other end of the metal pipe 1 .
流量計４によりキャリアガスの流量を測定し、流量をバ
ルブによって制御しながらキャリアガスボンベ３からキ
ャリアガスを有機金属原料供給装置５内に供給する。こ
の有機金属原料供給装置Ｉｆ５からはキャリアガスとと
もに、有機金属のガスが金属バイブ１内に送られる。金
属パイプ１は、移動可能なヒータ２によって加熱されて
おり、この加熱部で、供給された有機金属が熱分解し、
シリコン層が形成される。この発明において、有機金属
原料としては、（ＣＨ３） ４ Ｓ ｉまたは（Ｃ２Ｈ
５）、Ｓｉが用いられる。加熱部の温度は、４５０℃〜
７００℃に保持することが好ましい。ヒータ２は、金属
パイプ１の一方端から他方端へ、または他方端から一方
端へ徐々に移動し、これに伴って、熱分解反応の起こる
加熱部が金属バイブ１内で移動する。このように加熱部
が移動することにより、金属バイブ１内では、その移動
に伴いシリコン層が順次金属バイブ１の長手方向に沿っ
て順次形成されていく。The flow rate of the carrier gas is measured by the flow meter 4, and the carrier gas is supplied from the carrier gas cylinder 3 into the organometallic raw material supply device 5 while controlling the flow rate by a valve. The organometallic gas is sent into the metal vibe 1 along with the carrier gas from the organometallic raw material supply device If5. The metal pipe 1 is heated by a movable heater 2, and in this heating section, the supplied organic metal is thermally decomposed.
A silicon layer is formed. In this invention, the organometallic raw material is (CH3) 4 Si or (C2H
5), Si is used. The temperature of the heating part is 450℃~
Preferably, the temperature is maintained at 700°C. The heater 2 gradually moves from one end of the metal pipe 1 to the other end or from the other end to one end, and accordingly, the heating part where the pyrolysis reaction occurs moves within the metal vibrator 1. As the heating section moves in this manner, silicon layers are sequentially formed within the metal vibrator 1 along the longitudinal direction of the metal vibrator 1 as the heating section moves.
第１図に示す装置を用いて、銅バイブの内壁面にシリコ
ン層をコーティングした。用いた銅パイプは、内径１．
０ｍｍ、外径１ 、 ５ ｍ ｍ ｓ長さ１゜５ｍであ
り、有機金属原料としては、（Ｃ２Ｈ，）、Ｓｌを用い
、キャリアガスとしてはＨ２ガスを用いた。Using the apparatus shown in FIG. 1, a silicon layer was coated on the inner wall surface of a copper vibe. The copper pipe used had an inner diameter of 1.
0 mm, outer diameter 1.5 mm, length 1.5 m, (C2H,) and Sl were used as organic metal raw materials, and H2 gas was used as carrier gas.
銅バイブをヒータにより５００℃に加熱しながら、この
加熱部を移動させて銅バイブ内にシリコン層を形成した
。加熱部の移動は、銅パイプの中央部１．０ｍの範囲で
行ない、この中央部の内壁面に０．５μｍの厚みのシリ
コン層をコーティングした。コーテイング後、銅バイブ
の中央部１゜０ｍを切取り、両端にＺｎ５ｅのレンズを
用い、ＣＯ□レーザビームをこのエネルギガイド内に透
過させた。その結果、約０．０５ｄＢの損失で、３００
Ｗのレーザエネルギの伝播が可能であった。While the copper vibe was heated to 500° C. by a heater, the heating section was moved to form a silicon layer inside the copper vibe. The heating section was moved within a range of 1.0 m at the center of the copper pipe, and the inner wall surface of this center was coated with a silicon layer having a thickness of 0.5 μm. After coating, a 1°0 m central portion of the copper vibrator was cut out, and Zn5e lenses were used at both ends to transmit a CO□ laser beam into this energy guide. As a result, 300
Propagation of W laser energy was possible.
［発明の効果］
以上説明したように、この発明の製造方法では、シリコ
ン層を（ＣＨ３）＜Ｓｔまたは（Ｃ２Ｈ５）４Ｓｉの熱
分解反応により形成しているため、比較的低温でしかも
簡易な工程でシリコン層を金属バイブの内壁面に形成さ
せることができる。[Effects of the Invention] As explained above, in the manufacturing method of the present invention, since the silicon layer is formed by the thermal decomposition reaction of (CH3)<St or (C2H5)4Si, the process is relatively low temperature and simple. A silicon layer can be formed on the inner wall surface of the metal vibrator.
さらに、実施例で説明したように、金属バイブを外側か
ら加熱する加熱手段を設け、この加熱手段を金属バイブ
に沿って移動させることにより、熱分解反応の起こる加
熱部を移動させながらシリコン層を形成させることがで
き、均一なシリコン層を金属バイブの内壁面に形成させ
ることができる。Furthermore, as explained in the example, a heating means for heating the metal vibrator from the outside is provided, and by moving this heating means along the metal vibrator, the silicon layer is heated while moving the heating part where the pyrolysis reaction occurs. A uniform silicon layer can be formed on the inner wall surface of the metal vibrator.
第１図は、この発明の一実施例を説明するための装置を
示す概略構成図である。
図において、１は金属バイブ、２はヒータ、３はキャリ
アガスボンベ、４は流量計、５は有機金属原料供給装置
、６は排ガス処理装置を示す。
（ほか２名） ′−・ンFIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an apparatus for explaining one embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a metal vibrator, 2 is a heater, 3 is a carrier gas cylinder, 4 is a flow meter, 5 is an organometallic raw material supply device, and 6 is an exhaust gas treatment device. (2 others) ′-・n
Claims (3)
するエネルギガイドの製造方法において、 前記シリコン層を（ＣＨ＿３）＿４Ｓｉまたは（Ｃ＿２
Ｈ＿５）＿４Ｓｉの熱分解反応により形成することを特
徴とする、エネルギガイドの製造方法。(1) In a method for manufacturing an energy guide in which the inner wall surface of a metal pipe is coated with a silicon layer, the silicon layer is coated with (CH_3)_4Si or (C_2
H_5)_A method for producing an energy guide, characterized in that it is formed by a thermal decomposition reaction of 4Si.
け、この加熱手段を前記金属パイプに沿って移動させて
前記熱分解反応の起こる加熱部を移動させながらシリコ
ン層を形成することを特徴とする、請求項１記載のエネ
ルギガイドの製造方法。(2) A heating means for heating the metal pipe from the outside is provided, and the heating means is moved along the metal pipe to form the silicon layer while moving the heating portion where the pyrolysis reaction occurs. The method for manufacturing an energy guide according to claim 1.
ることを特徴とする、請求項２記載のエネルギガイドの
製造方法。(3) The method for manufacturing an energy guide according to claim 2, characterized in that the temperature of the heating section is maintained at 450°C to 700°C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101035A JPH02278209A (en) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | Production of energy guide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101035A JPH02278209A (en) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | Production of energy guide |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278209A true JPH02278209A (en) | 1990-11-14 |
Family
ID=14289911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1101035A Pending JPH02278209A (en) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | Production of energy guide |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278209A (en) |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP1101035A patent/JPH02278209A/en active Pending
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