JPH0227733A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
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- JPH0227733A JPH0227733A JP17765888A JP17765888A JPH0227733A JP H0227733 A JPH0227733 A JP H0227733A JP 17765888 A JP17765888 A JP 17765888A JP 17765888 A JP17765888 A JP 17765888A JP H0227733 A JPH0227733 A JP H0227733A
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- Japan
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- integrated circuit
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- same type
- conductor
- wiring conductor
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路に関し、特に配線導体の構造に関す
る。
る。
従来、半導体基板上の絶縁膜上部に形成する、同種類材
料の配線導体の厚さは、同一の厚さとなっていた。
料の配線導体の厚さは、同一の厚さとなっていた。
従来の構造を第２図の断面図に示す。
半導体基板１上に形成された絶縁膜２及び絶縁膜３の間
に同種、類材料の配線導体４，５が設けられている。
に同種、類材料の配線導体４，５が設けられている。
上述した従来の構造は、同種類材料の配線導体４．５の
厚さが同一である。
厚さが同一である。
配線導体４，５の長さを一定とすると、抵抗値の比は配
線導体４：配線導体５＝Ｌ２／Ｌ１ ：Ｌ２となる。
線導体４：配線導体５＝Ｌ２／Ｌ１ ：Ｌ２となる。
配線導体４の抵抗値を配線導体５に対して小さくしたい
場合Ｌ１の値は、Ｌｌ＞Ｌ２としなければならない。
場合Ｌ１の値は、Ｌｌ＞Ｌ２としなければならない。
この事は、低抵抗を有する集積回路装置において集積度
が上がらないという欠点となっていた。
が上がらないという欠点となっていた。
本発明の集積回路装置の配線導体構造は、半導体基板上
の絶縁膜上部に形成する同種類材料の配線導体が複数の
厚さを有している。
の絶縁膜上部に形成する同種類材料の配線導体が複数の
厚さを有している。
次に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の断面図である。
第１図に示すように半導体基板ｌ上に設けられた絶縁膜
２と絶縁膜３の間に同種類材料の配線導体４と５が形成
されている。
２と絶縁膜３の間に同種類材料の配線導体４と５が形成
されている。
配線導体４と５の厚さはそれぞれＷｌ、Ｗ２となってお
り厚さが異なる。
り厚さが異なる。
配線導体４，５の長さを一定とすると抵抗値の比は、配
線導体４：配線導体５＝Ｌ／Ｗｌ：Ｌ／Ｗ２となる。
線導体４：配線導体５＝Ｌ／Ｗｌ：Ｌ／Ｗ２となる。
配線導体４の抵抗値を下げる場合、配線導体４の厚さＷ
ｌを厚くすればよく任意に配線導体の厚さを変えること
により幅りを変えることなく低抵抗を得ることができる
。
ｌを厚くすればよく任意に配線導体の厚さを変えること
により幅りを変えることなく低抵抗を得ることができる
。
以上説明したように、本発明は、同種類材料の配線導体
の厚さを任意に変えることにより、集積回路の集積度を
向上することができる効果がある。
の厚さを任意に変えることにより、集積回路の集積度を
向上することができる効果がある。
断面図、第２図は従来の配線導体構造を説明するための
断面図である。
断面図である。
１・・・・・・半導体基板、２，３・・・・・・絶縁膜
、４゜５・・・・・・配線導体。
、４゜５・・・・・・配線導体。
代理人 弁理士 内 原 晋
第１図は、本発明の一実施例を説明するための第１図
第２図
Claims (1)
- 半導体基板上に形成した絶縁膜と、その上部に同種類材
料の配線導体を形成した構造において、上記、同種類材
料の配線導体の厚さが、複数の厚さを有している事を特
徴とする集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17765888A JPH0227733A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17765888A JPH0227733A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227733A true JPH0227733A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16034841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17765888A Pending JPH0227733A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227733A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014017528A (ja) * | 2013-10-28 | 2014-01-30 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体素子 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP17765888A patent/JPH0227733A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014017528A (ja) * | 2013-10-28 | 2014-01-30 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体素子 |
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