JPH02276883A - 蛍光体薄膜の製造方法 - Google Patents
蛍光体薄膜の製造方法Info
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- JPH02276883A JPH02276883A JP9734989A JP9734989A JPH02276883A JP H02276883 A JPH02276883 A JP H02276883A JP 9734989 A JP9734989 A JP 9734989A JP 9734989 A JP9734989 A JP 9734989A JP H02276883 A JPH02276883 A JP H02276883A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- -1 rare earth compound Chemical class 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 abstract description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 abstract 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
本発明は蛍光体薄膜の製造方法に係り、特にエレクトロ
ルミネッセント・デイスプレィあるいは高解像度ブラウ
ン管用薄膜蛍光面に用いて好適な蛍光体薄膜の製造方法
に関する。
ルミネッセント・デイスプレィあるいは高解像度ブラウ
ン管用薄膜蛍光面に用いて好適な蛍光体薄膜の製造方法
に関する。
従来のＬｎ、Ｏ□Ｓ膜の形成法の例はジャーナル・オヴ
・ヴアキューム・サイエンス・テクノロジー１０巻５号
（１９７３年）第６１６頁から６２０頁 （Ｊ、Ｖａｃ
、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、、 １０． ［５コ（
１９７３）ρｐ、６１６−６２０）において論じられて
いる。この例ではＥｕないしＴｂ付活のＬａ２０．Ｓを
ターゲットとし、ＡｒとＨ，Ｓをスパッタガスとして薄
膜を作製している。 ［発明が解決しようとする課Ｍ］ 上記従来技術においては、同一組成の粉末試料と同様の
発光スペクトルを得るには、薄膜形成後、さらに１００
０℃の高温における熱処理を必要としており、エレクト
ロルミネッセント素子やブラウン管蛍光面のようにガラ
ス基板を使用する場合にはこの方法は使えない、またＨ
２Ｓガスの熱解離により生成する水素原子が膜中へ混入
する可能性、Ｈ，Ｓによる装置の著しい腐食に対する対
策などの問題については全く考慮されていなかった。 本発明の目的は従来法のこれらの問題点を解決し、装置
のメンテナンスが楽な方法によって高品質のＬｎ、０２
Ｓ薄膜を形成することにある。
・ヴアキューム・サイエンス・テクノロジー１０巻５号
（１９７３年）第６１６頁から６２０頁 （Ｊ、Ｖａｃ
、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、、 １０． ［５コ（
１９７３）ρｐ、６１６−６２０）において論じられて
いる。この例ではＥｕないしＴｂ付活のＬａ２０．Ｓを
ターゲットとし、ＡｒとＨ，Ｓをスパッタガスとして薄
膜を作製している。 ［発明が解決しようとする課Ｍ］ 上記従来技術においては、同一組成の粉末試料と同様の
発光スペクトルを得るには、薄膜形成後、さらに１００
０℃の高温における熱処理を必要としており、エレクト
ロルミネッセント素子やブラウン管蛍光面のようにガラ
ス基板を使用する場合にはこの方法は使えない、またＨ
２Ｓガスの熱解離により生成する水素原子が膜中へ混入
する可能性、Ｈ，Ｓによる装置の著しい腐食に対する対
策などの問題については全く考慮されていなかった。 本発明の目的は従来法のこれらの問題点を解決し、装置
のメンテナンスが楽な方法によって高品質のＬｎ、０２
Ｓ薄膜を形成することにある。
上記目的は、ターゲットとしてＬｎ２Ｏ３とＬｎ２Ｓ３
の混合物を用い、Ａｒなどの不活性ガス中でスパッタリ
ングすることにより達成される。 付活剤となる希土類元素は硫化物、酸化物、ハロゲン化
物などの形でターゲットに添加してもよく、またＬｎ２
０．および／またはＬｎ２Ｓ、中にあらかじめ添加して
おいてもよい、またＬｎ２Ｓ、のＬｎ、Ｏ。 に対する混合モル比は２から６の範囲が適当である。 【作用］ スパッタリング法によるＬｎ、Ｏ□Ｓ薄膜形成において
Ｌｎ、０２Ｓの組成物をターゲットとし、かつＨ，Ｓを
導入しないで得りれた薄膜にはＳの欠陥が非常に多いこ
とが見出された。これはＺｎ２Ｏ３ＳにおけるＯとＳの
スパッタリング収率の違いによるものと考えられる。そ
こでＬｎ２Ｓ、とＬｎ２Ｏ３の混合物をターゲットとす
ればこれらの混合比を制御することによって形成される
膜中の０とＳの比率をＨ，Ｓの導入なしに制御できる。 Ｌｎ２Ｓ、のＬｎ２Ｏ３に対する混合モル比が１以下で
は主にＬｎ２Ｏ３ないしＬｎ、 Ｏ，Ｓ Ｏ，膜が形成
される。またモル比が６以上になるとＸ線回折ではＬｎ
２０．Ｓのピークは観測されなくなり、殆んど全てＬｎ
２Ｓ３膜になっていることが判明した。従って上の混合
モル比が２から６の間で。 Ｌｎ２０．Ｓのピークが支配的となる。 （実施例］ 以下、本発明を実施例により詳細に説明する。 実施例１゜ 純度９９．９％のｙ、 ｓ、粉末１３１．４ ｇ、純度
９９．９９％のｙ、ｓ、粉末２７．１ｇ、純度９９．９
％のＥｕＳ粉末９．２ｇをポリエチレン瓶中に入れてロ
ーリングして混合した。これをＡｒ雰囲気中６００℃に
て３時間熱処理した後石英皿に盛り、さらに真空中４０
０℃にて加熱ガス出しを施した。これをターゲットとし
て高周波マグネトロン・スパッタ装置を用いてホウケイ
酸ガラス基板上に成膜を行った。基板温度は３００℃、
スパッタリング用ガスは１０〜３０ｍｎ＋Ｔｏｒｒの範
囲が良く、本実施例では１５ｍ＋ａＴｏｒｒのＡｒを利
用した。入力高周波電力は９０〜１３０Ｗの範囲が良い
。本実施例では１００Ｗであった。この条件で１０５分
間に厚さ約０．６μｍの膜が得られた。 成膜後試料をＡｒ雰囲気中で６００℃、２時間熱処理し
た。 上記ターゲットのＹ２Ｓ□／ＹｚＳｉモル比は４である
が、参照用としてモル比が０．９のもの、すなわちｙ、
ｓ、粉末７８．９ｇ、Ｙ２Ｓ３粉末７１．５ｇ、ＥｕＳ
粉末９．２ｇの混合物および上記モル比が７のもの、す
なりちＹ２Ｓ３粉末１４３．８ ｇ 。 ｙ、ｏ、粉末１６．９ｇ、ＥｕＳ粉末９．２ｇの混合物
を各々ターゲットとし１．上記と同一条件でともに約０
．６μｍの厚さの膜が得られた。 第１図はこれらの薄膜の組成を評価するために測定した
カソードルミネッセンス・スペクトルを示したものであ
る。スペクトル１はＹ ｚ Ｓ ｘ ／ｙ２ｏ、の混合
モル比が０．９のもので、Ｅｕ付活ｙ、ｏ、粉末のスペ
クトルと一致する。スペクトル２は上記混合モル比が４
のものでＥｕ付活Ｙ２ｏ２Ｓ粉末のスペクトルと一致す
る。またスペクトル３は上記混合モル比が７のもので、
スペクトルは他のいずれとも異なる。 オージェ電子分光によりこれら薄膜についてＯの信号の
Ｓの信号に対する強度比を測定した。その値はＹ ｚ
Ｓ ３ ／ Ｙ ２０３混合モル比が４の場合に約２．
１であり、混合モル比が０．９の場合３．６゜７の場合
０．６と大きく変化した。第２図は下記の実施例の場合
も含めてこれらのデータをプロットしたものである。オ
ージェ信号の比がそのまま膜中の元素数の比になってい
るわけではないが、ターゲットのＹ、Ｓ□／Ｙ２０□混
合モル比が２から６の間でオージェ信号比の変化が比較
的ゆるやか。 になっており、この範囲で組成がｙ、ｏｔｓに近くなっ
ている事実と対応している。 さらにＸ１！Ａ回折の結果テハ、Ｙ２Ｓ、／Ｙ２Ｏ３混
合モル比が４の場合はＹ２Ｏ２８と完全に一致し、０．
９の場合はＹ２Ｏ，が主体、７の場合はｙ、ｓ。 が主体のパターンであった。 実施例２〜４゜ ターゲット中のＹ２Ｓ３／Ｙ、０３混合モル比を変化さ
せ、Ｙに対し４原子％のＥｕをＥｕＳの形で加えて実施
例１と同一の条件で成膜実験を行った。 得られた膜の組成をＸ線回折で調べた結果を表１に示す
。オージェ電子分光の結果は実施例１中のデータと合せ
て第２図にも示した。 表 実施例 Ｙ ｚ Ｓ ３ ／ Ｙ ２Ｏｓ Ｘ線回
折 オージェ分先番号 混合モル比 による相
０／Ｓ比２ ２ Ｙ２Ｏ３Ｓ：
Ｅｕ ２．５３ ５ 同上 ２．０ ４ ６ 同上 １．９ 実施例５゜ Ｙ、０．２７．９ ｇ （１／８ ｘＯ，９９モ／Ｌ／
） トＴ ｂｅ Ｏｔ Ｏ−９２４ｇ （１’ ／ ８
Ｘ ０．０１ モル）を十分混合し、１６００”Ｃに
おいて空気中で３時間加熱して１モル％Ｔｂを付活した
Ｙ２Ｏ３粉末を得た。これにＹ２Ｓ３１３５．６ｇ （
１／２Ｘ０．９９モル）を加え十分混合し、実施例１と
同様の操作により厚さ約０．７μｍの薄膜を形成した。 カソードルミネッセンスとＸ線回折からＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔ
ｂの組成物が得られていることを確認した。 実施例６〜１３゜ 付活剤である希土類元素と母体の陽イオンを変え、実施
例１と同様にして薄膜形成実験を行った。 希土類元素の母体中のモル濃度、ターゲット中の希土類
光合物の組成、母体の組成を表２に示した。 Ｌｎ２Ｓ３ ／ Ｌ ｎ２０３の混合モル比は４とし、
いずれもＸＡ！回折によりＬｎ２Ｏ２Ｓの母体組成を有
する薄膜が得られていること、及びＦ、○などが共付活
されていることを確認した。またカソードルミネッス・
スペクトルの測定により付活剤固有の発光が生じている
ことを確認した。 表 ２ 実施例 母体組成 番号 ６ Ｌａ２Ｏ３Ｓ ７ Ｇｄ、０２Ｓ ８ Ｌａ２Ｏ３Ｓ ９ （Ｙ ｏ 、−Ｇ ｄｏ 、 ２ ）ａ２Ｓ Ｉ Ｑ （Ｌ８ｇ、＠Ｇｄｏ、Ｊｚ○２Ｓ 付活剤 付活剤 イオン（モル％） Ｐｒ Ｏ，Ｉ Ｎｄ Ｉ ５ｍ Ｉ ｙ １ 付活剤化合物 化学組成 Ｐｒ４０□１ ＮｄＦ。 ５ＩＩＣ１３・６Ｈ，０ ＤｙＦ。 ＨｏＦ。 実施例 母体組成 付活剤 付活剤 付活剤化合物
番号 イオン（モル％） 化学組成
ｉ １ （Ｙｏ、１Ｇｄ１１．２Ｉ、ａＯＪ２ Ｅ
ｒ ＩＥｒ、０゜２Ｓ １２ Ｙ、０２Ｓ Ｔｍ Ｏ，Ｉ
Ｔｍ、５３１３ Ｙ２Ｏ２Ｓ Ｙｂ
Ｉ ＹｂＦ。 Ｅｒ Ｉ ＥｒＦ。 （発明の効果） 本発明によれば、有毒かつ腐食性のＨ２Ｓをスパッタリ
ング装置内に導入することなく、また基板ガラスの軟化
温度以下で化学量論比からのずれの少ない希土類酸硫化
物薄膜を形成することができる。この薄膜は３価希土類
イオンで付活することにより、エレクトロルミネッセン
ト素子やブラウン管蛍光面として利用することができる
。
の混合物を用い、Ａｒなどの不活性ガス中でスパッタリ
ングすることにより達成される。 付活剤となる希土類元素は硫化物、酸化物、ハロゲン化
物などの形でターゲットに添加してもよく、またＬｎ２
０．および／またはＬｎ２Ｓ、中にあらかじめ添加して
おいてもよい、またＬｎ２Ｓ、のＬｎ、Ｏ。 に対する混合モル比は２から６の範囲が適当である。 【作用］ スパッタリング法によるＬｎ、Ｏ□Ｓ薄膜形成において
Ｌｎ、０２Ｓの組成物をターゲットとし、かつＨ，Ｓを
導入しないで得りれた薄膜にはＳの欠陥が非常に多いこ
とが見出された。これはＺｎ２Ｏ３ＳにおけるＯとＳの
スパッタリング収率の違いによるものと考えられる。そ
こでＬｎ２Ｓ、とＬｎ２Ｏ３の混合物をターゲットとす
ればこれらの混合比を制御することによって形成される
膜中の０とＳの比率をＨ，Ｓの導入なしに制御できる。 Ｌｎ２Ｓ、のＬｎ２Ｏ３に対する混合モル比が１以下で
は主にＬｎ２Ｏ３ないしＬｎ、 Ｏ，Ｓ Ｏ，膜が形成
される。またモル比が６以上になるとＸ線回折ではＬｎ
２０．Ｓのピークは観測されなくなり、殆んど全てＬｎ
２Ｓ３膜になっていることが判明した。従って上の混合
モル比が２から６の間で。 Ｌｎ２０．Ｓのピークが支配的となる。 （実施例］ 以下、本発明を実施例により詳細に説明する。 実施例１゜ 純度９９．９％のｙ、 ｓ、粉末１３１．４ ｇ、純度
９９．９９％のｙ、ｓ、粉末２７．１ｇ、純度９９．９
％のＥｕＳ粉末９．２ｇをポリエチレン瓶中に入れてロ
ーリングして混合した。これをＡｒ雰囲気中６００℃に
て３時間熱処理した後石英皿に盛り、さらに真空中４０
０℃にて加熱ガス出しを施した。これをターゲットとし
て高周波マグネトロン・スパッタ装置を用いてホウケイ
酸ガラス基板上に成膜を行った。基板温度は３００℃、
スパッタリング用ガスは１０〜３０ｍｎ＋Ｔｏｒｒの範
囲が良く、本実施例では１５ｍ＋ａＴｏｒｒのＡｒを利
用した。入力高周波電力は９０〜１３０Ｗの範囲が良い
。本実施例では１００Ｗであった。この条件で１０５分
間に厚さ約０．６μｍの膜が得られた。 成膜後試料をＡｒ雰囲気中で６００℃、２時間熱処理し
た。 上記ターゲットのＹ２Ｓ□／ＹｚＳｉモル比は４である
が、参照用としてモル比が０．９のもの、すなわちｙ、
ｓ、粉末７８．９ｇ、Ｙ２Ｓ３粉末７１．５ｇ、ＥｕＳ
粉末９．２ｇの混合物および上記モル比が７のもの、す
なりちＹ２Ｓ３粉末１４３．８ ｇ 。 ｙ、ｏ、粉末１６．９ｇ、ＥｕＳ粉末９．２ｇの混合物
を各々ターゲットとし１．上記と同一条件でともに約０
．６μｍの厚さの膜が得られた。 第１図はこれらの薄膜の組成を評価するために測定した
カソードルミネッセンス・スペクトルを示したものであ
る。スペクトル１はＹ ｚ Ｓ ｘ ／ｙ２ｏ、の混合
モル比が０．９のもので、Ｅｕ付活ｙ、ｏ、粉末のスペ
クトルと一致する。スペクトル２は上記混合モル比が４
のものでＥｕ付活Ｙ２ｏ２Ｓ粉末のスペクトルと一致す
る。またスペクトル３は上記混合モル比が７のもので、
スペクトルは他のいずれとも異なる。 オージェ電子分光によりこれら薄膜についてＯの信号の
Ｓの信号に対する強度比を測定した。その値はＹ ｚ
Ｓ ３ ／ Ｙ ２０３混合モル比が４の場合に約２．
１であり、混合モル比が０．９の場合３．６゜７の場合
０．６と大きく変化した。第２図は下記の実施例の場合
も含めてこれらのデータをプロットしたものである。オ
ージェ信号の比がそのまま膜中の元素数の比になってい
るわけではないが、ターゲットのＹ、Ｓ□／Ｙ２０□混
合モル比が２から６の間でオージェ信号比の変化が比較
的ゆるやか。 になっており、この範囲で組成がｙ、ｏｔｓに近くなっ
ている事実と対応している。 さらにＸ１！Ａ回折の結果テハ、Ｙ２Ｓ、／Ｙ２Ｏ３混
合モル比が４の場合はＹ２Ｏ２８と完全に一致し、０．
９の場合はＹ２Ｏ，が主体、７の場合はｙ、ｓ。 が主体のパターンであった。 実施例２〜４゜ ターゲット中のＹ２Ｓ３／Ｙ、０３混合モル比を変化さ
せ、Ｙに対し４原子％のＥｕをＥｕＳの形で加えて実施
例１と同一の条件で成膜実験を行った。 得られた膜の組成をＸ線回折で調べた結果を表１に示す
。オージェ電子分光の結果は実施例１中のデータと合せ
て第２図にも示した。 表 実施例 Ｙ ｚ Ｓ ３ ／ Ｙ ２Ｏｓ Ｘ線回
折 オージェ分先番号 混合モル比 による相
０／Ｓ比２ ２ Ｙ２Ｏ３Ｓ：
Ｅｕ ２．５３ ５ 同上 ２．０ ４ ６ 同上 １．９ 実施例５゜ Ｙ、０．２７．９ ｇ （１／８ ｘＯ，９９モ／Ｌ／
） トＴ ｂｅ Ｏｔ Ｏ−９２４ｇ （１’ ／ ８
Ｘ ０．０１ モル）を十分混合し、１６００”Ｃに
おいて空気中で３時間加熱して１モル％Ｔｂを付活した
Ｙ２Ｏ３粉末を得た。これにＹ２Ｓ３１３５．６ｇ （
１／２Ｘ０．９９モル）を加え十分混合し、実施例１と
同様の操作により厚さ約０．７μｍの薄膜を形成した。 カソードルミネッセンスとＸ線回折からＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔ
ｂの組成物が得られていることを確認した。 実施例６〜１３゜ 付活剤である希土類元素と母体の陽イオンを変え、実施
例１と同様にして薄膜形成実験を行った。 希土類元素の母体中のモル濃度、ターゲット中の希土類
光合物の組成、母体の組成を表２に示した。 Ｌｎ２Ｓ３ ／ Ｌ ｎ２０３の混合モル比は４とし、
いずれもＸＡ！回折によりＬｎ２Ｏ２Ｓの母体組成を有
する薄膜が得られていること、及びＦ、○などが共付活
されていることを確認した。またカソードルミネッス・
スペクトルの測定により付活剤固有の発光が生じている
ことを確認した。 表 ２ 実施例 母体組成 番号 ６ Ｌａ２Ｏ３Ｓ ７ Ｇｄ、０２Ｓ ８ Ｌａ２Ｏ３Ｓ ９ （Ｙ ｏ 、−Ｇ ｄｏ 、 ２ ）ａ２Ｓ Ｉ Ｑ （Ｌ８ｇ、＠Ｇｄｏ、Ｊｚ○２Ｓ 付活剤 付活剤 イオン（モル％） Ｐｒ Ｏ，Ｉ Ｎｄ Ｉ ５ｍ Ｉ ｙ １ 付活剤化合物 化学組成 Ｐｒ４０□１ ＮｄＦ。 ５ＩＩＣ１３・６Ｈ，０ ＤｙＦ。 ＨｏＦ。 実施例 母体組成 付活剤 付活剤 付活剤化合物
番号 イオン（モル％） 化学組成
ｉ １ （Ｙｏ、１Ｇｄ１１．２Ｉ、ａＯＪ２ Ｅ
ｒ ＩＥｒ、０゜２Ｓ １２ Ｙ、０２Ｓ Ｔｍ Ｏ，Ｉ
Ｔｍ、５３１３ Ｙ２Ｏ２Ｓ Ｙｂ
Ｉ ＹｂＦ。 Ｅｒ Ｉ ＥｒＦ。 （発明の効果） 本発明によれば、有毒かつ腐食性のＨ２Ｓをスパッタリ
ング装置内に導入することなく、また基板ガラスの軟化
温度以下で化学量論比からのずれの少ない希土類酸硫化
物薄膜を形成することができる。この薄膜は３価希土類
イオンで付活することにより、エレクトロルミネッセン
ト素子やブラウン管蛍光面として利用することができる
。
第１図は本発明の実施例１及びその参照用として形成し
た薄膜のカソードルミネッセンス・スぺクトル、第２図
はターゲット中のＹ ｚ Ｓ ３ ／ Ｙ ｚ○。 混合モル比に対して薄膜のＯ／Ｓのオージェ信号強度比
をプロットした図である。 １・・・ターゲット中のＹ２Ｓ３／Ｙ２０．混合モル比
＝０．９．２・・・同上モル比＝４．３・・・同上モル
比＝７゜
た薄膜のカソードルミネッセンス・スぺクトル、第２図
はターゲット中のＹ ｚ Ｓ ３ ／ Ｙ ｚ○。 混合モル比に対して薄膜のＯ／Ｓのオージェ信号強度比
をプロットした図である。 １・・・ターゲット中のＹ２Ｓ３／Ｙ２０．混合モル比
＝０．９．２・・・同上モル比＝４．３・・・同上モル
比＝７゜
Claims (2)
- １．化学式 Ｌｎ＿２Ｏ＿２Ｓ ただしＬｎはＧｄ，ＬａおよびＹから成る群の少くと
も一種、 で表わされる母体に発光中心として、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ
，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂのうちの
少くとも一種の元素を付活した蛍光体材料のスパッタリ
ングによる薄膜形成において、ターゲットをＬｎ＿２Ｏ
＿３，Ｌｎ＿２Ｓ＿３および上記希土類の化合物の混合
物、または上記希土類をあらかじめいずれかに導入して
あるＬｎ＿２Ｏ＿３とＬｎ＿２Ｓ＿３の混合物とするこ
とを特徴とする蛍光体薄膜の製造方法。 - ２．上記ターゲットにおけるＬｎ＿２Ｓ＿３のＬｎ＿２
Ｏ＿３に対する混合モル比が２ないし６の範囲にあるこ
とを特徴とする第１項記載の蛍光体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9734989A JPH02276883A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 蛍光体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9734989A JPH02276883A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 蛍光体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02276883A true JPH02276883A (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=14190006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9734989A Pending JPH02276883A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 蛍光体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02276883A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7531068B2 (en) * | 2002-12-24 | 2009-05-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for manufacturing silicon nanodot film for light emission in nano-size photonic devices |
| CN102703080A (zh) * | 2012-06-12 | 2012-10-03 | 华东理工大学 | 一种硫氧化物高效红外上转换荧光粉及其制备方法 |
| JP2014009257A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Nemoto Lumi-Materials Co Ltd | 赤外発光蛍光体 |
-
1989
- 1989-04-19 JP JP9734989A patent/JPH02276883A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7531068B2 (en) * | 2002-12-24 | 2009-05-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for manufacturing silicon nanodot film for light emission in nano-size photonic devices |
| CN102703080A (zh) * | 2012-06-12 | 2012-10-03 | 华东理工大学 | 一种硫氧化物高效红外上转换荧光粉及其制备方法 |
| JP2014009257A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Nemoto Lumi-Materials Co Ltd | 赤外発光蛍光体 |
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